CN102593146A - 有机发光显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了有机发光显示装置及其制造方法。根据本发明的有机发光显示装置包括：基板，包括电容区域；缓冲层，位于所述基板上；半导体层，位于所述电容区域的所述缓冲层的上部；栅绝缘膜，形成于所述半导体层的上部；透明电极，形成于所述电容区域的所述栅绝缘膜的上部；在截面上所述透明电极的宽度小于所述半导体层的宽度。

Description

有机发光显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及有机发光显示装置及其制造方法，尤其涉及具有可以防止在电容区域以及像素区域上发生短路的结构的有机发光显示装置及其制造方法。
背景技术
随着信息通信行业的急剧发展，显示装置的使用也随之增加。目前，对能够符合功耗低、轻量、薄型、分辨率高的条件的显示装置产生了需求。针对这种需求，开发出了液晶显示装置(Liquid CrystalDisplay)或者利用有机发光特性的有机发光显示装置(Organic LightEmitting Display)等。
有机发光显示装置作为具有自发光特性的下一代显示装置，与液晶显示装置相比，在视角、对比度(contrast)、响应速度、功耗等方面具有优异的特性，并且不需要背光源，因此可以将其制作成轻量、薄型。
有机发光显示装置包括：提供像素区域和非像素区域的基板；以及为了封装(encapsulation)与基板相对地设置的容器或者基板，并且通过如环氧等密封剂(sealant)将其与基板粘合。基板的像素区域形成有：多个发光器件，以矩阵形式连接于扫描线(scan line)以及数据线(data line)之间以构成像素。基板的非像素区域形成有：扫描线以及数据线，从像素区域的扫描线以及数据线延伸而成；电源电压供给线，用于驱动有机发光器件；以及扫描驱动部和数据驱动部，对从外部通过输入焊盘而提供的信号进行处理，并且将其提供至扫描线以及数据线。
发明内容
除了像素区域以及晶体管区域之外，有机发光显示装置还形成有电容区域，所述电容区域起到稳定地维持驱动电压的作用。以往，通过将用于形成薄膜晶体管的部分栅电极、源/漏电极残留在所述电容区域，形成电容器。
最近，通过将用于形成薄膜晶体管的半导体层以及位于其上部的透明电极的一部分残留在所述电容区域，形成电容器(IOSCAPACITOR)。
为了组成使用这种透明电极的电容器，一同蚀刻透明电极和其上部的栅电极。此时，若将一个蚀刻防止膜作为掩模板，一同蚀刻透明电极和栅电极，则如图1a所示，所述栅电极6下部的透明电极5形成为与所述栅电极6相比向外侧凸出的形状。
由于按照所述方法形成的透明电极5相对于上部的栅电极6向外侧凸出，因此在后续工程、即形成层间绝缘膜7并对其进行蚀刻而图案化时，一并蚀刻部分透明电极5，从而可能生成透明电极5的副产物。由于所述透明电极5的副产物是导电性物质，因此可能引发不期望的静电或者短路现象。这种透明电极5不仅形成于电容区域，还形成于像素区域上，如上所述，若一同蚀刻像素区域上的透明电极5和栅电极6，则透明电极5的端部相比栅电极6向外侧凸出。因此，如上所述，在图案化层间绝缘膜7时，可能引发相同的静电或者短路现象。
尤其如图1b所示，在电容区域C上，若形成层间绝缘膜7时一并蚀刻下部的栅绝缘膜4的一部分，则位于栅绝缘膜4的上部的透明电极5末端部向下方倾斜，与由已蚀刻过的栅绝缘膜4露出的半导体层3邻近或接触，从而发生如短路等不良S的概率较高。
本发明的目的在于，提供有机发光显示装置及其制造方法，所述有机发光显示装置具有在电容区域以及像素区域上可以防止由蚀刻工序引发的短路的结构。
本发明所要解决的技术问题并不局限于上述的技术问题，所属技术领域的技术人员能够理解由此延伸的其他未提及的技术问题。
为了解决所述技术问题，根据本发明一实施例的有机发光显示装置包括：基板，具有电容区域；缓冲层，位于所述基板上；半导体层，位于所述电容区域的所述缓冲层的上部；栅绝缘膜，形成于所述半导体层的上部；透明电极，形成于所述电容区域的所述栅绝缘膜的上部；其中，在截面上所述透明电极的宽度小于所述半导体层的宽度。
为了解决所述技术问题，根据本发明另一实施例的有机发光显示装置包括：基板，具有电容区域以及晶体管区域；缓冲层，位于所述基板上；半导体层，位于所述电容区域的所述缓冲层的上部和所述晶体管区域的所述缓冲层的上部；栅绝缘膜，形成于所述半导体层的上部；透明电极，形成于所述电容区域的所述栅绝缘膜的上部和所述晶体管区域的所述栅绝缘膜的上部；栅电极，形成于所述晶体管区域的所述透明电极的上部；源/漏电极，与所述栅电极绝缘，位于所述栅电极的上部，通过接触孔与所述晶体管区域的所述半导体层连接；其中，在截面上所述电容区域的所述透明电极的宽度小于所述电容区域的所述半导体层的宽度。
为了解决所述技术问题，根据本发明一实施例的有机发光显示装置的制造方法包括：在缓冲层的上部形成半导体层，所述缓冲层形成于基板的电容区域上，所述基板具有所述电容区域以及晶体管区域；在所述半导体层的上部依次形成栅绝缘膜、透明电极以及栅电极；在所述电容区域的上部形成第一蚀刻防止膜；蚀刻栅电极，被蚀刻的所述栅电极位于除了所述第一蚀刻防止膜之外的区域；去除所述第一蚀刻防止膜并且将所述栅电极作为掩模板进行蚀刻以使所述透明电极相对于所述栅电极向内侧缩进。
为了解决所述技术问题，根据本发明另一实施例的有机发光显示装置的制造方法包括：在缓冲层的上部形成半导体层，所述缓冲层形成于基板的电容区域上，所述基板具有所述电容区域以及晶体管区域；在所述半导体层的上部依次形成栅绝缘膜、透明电极以及栅电极；在所述电容区域的上部形成第一蚀刻防止膜；蚀刻栅电极，被蚀刻的所述栅电极位于除了所述第一蚀刻防止膜之外的区域；去除所述第一蚀刻防止膜并且将所述栅电极作为掩模板进行蚀刻以使所述透明电极相对于所述栅电极向内侧缩进；向所述基板的上部提供层间绝缘膜；在所述晶体管区域的上部形成第二蚀刻防止膜，蚀刻所述层间绝缘膜，被蚀刻的所述层间绝缘膜位于除了所述第二蚀刻防止膜之外的区域；在所述蚀刻层间绝缘膜的步骤中，通过所述栅电极阻断对所述透明电极的蚀刻。
对于其他实施例的具体说明包括于具体实施方式以及附图。
附图说明
图1a以及图1b是显示现有的有机发光显示装置中的电容区域的截面图；
图2a是根据本发明一实施例的有机发光显示装置的截面图；
图2b是根据本发明另一实施例的有机发光显示装置的截面图；
图3至图7c是依次示出根据本发明一实施例的有机发光显示装置的制造方法的截面图；
图8a至9d是依次示出根据本发明另一实施例的有机发光显示装置的制造方法的截面图。
附图标记说明
10：基板；         12：缓冲层；
14：半导体层；     16：栅绝缘膜；
18：透明电极；     20：栅电极；
22：层间绝缘膜；   24：源电极/栅电极；
26：像素限定膜；   28：开口部；
30：有机发光层。
具体实施方式
参照附图和后述的详细实施例，可了解本发明的优点、特征以及实现该优点和特征的方法。然而，本发明并不局限于下面所公开的实施例，而是将会以多种不同的形态实施。本说明书中实施例的目的仅在于，使本发明所公开的内容更加完整，使所属技术领域技术人员能够完整地理解本发明的范围。本发明所要保护的范围应由权利要求的范围所决定。为了便于说明，可能放大显示附图中组成要素的尺寸以及相对尺寸。
在说明书全文中，相同的附图标记代表相同的组成要素，“和/或”包括所提及的每一个技术特征以及所有一个以上的技术特征的组合。
说明书中使用的术语仅用于说明实施例，并不用于对本发明加以限制。在本说明书中，若没有特别的说明，单数术语包括多数的含义。在说明书中使用的“包括(comprises)”和/或“组成(made of)”中提及的组成要素、步骤、动作和/或器件并不排除存在或增加另外的一个以上的组成要素、步骤、动作和/或器件。
虽然第一、第二等术语用于说明多种组成要素，但所述组成要素不限于所述术语。使用所述术语的目的仅在于区别一个组成要素与另一个组成要素。从而，在不脱离本发明的技术思想的前提下，下面提及的第一组成要素还可以是第二组成要素。
在说明书中描述的实施例，将参照如平面图以及截面图等本发明的理想简要图进行说明。因此，示意图的形态可能根据制造技术和/或允许的误差等而发生变化。所以，本发明的实施例并不局限于所图示的特定形态，还包括根据制造工序而产生的形态变化。因而，附图中示出的区域具有概略属性，附图中示出的区域形状仅用于示出器件区域的特定形态，并不用于对发明的范围加以限制。
没有其他定义时，在说明书中使用的所有术语(包括技术或科学术语)，可用作与本发明所属领域技术人员的通常理解相同的含义。并且，针对与通常使用的词典的定义相同的术语，除本发明明确定义的以外，不应解释成理想或过于形式的含义。
下面，参考图2a说明根据本发明一实施例的有机发光显示装置。图2a是根据本发明一实施例的有机发光显示装置的截面图。
根据本发明一实施例的有机发光显示装置包括：基板10，具有电容区域C；缓冲层12，位于所述基板10上；半导体层14，位于所述电容区域C的所述缓冲层12的上部；栅绝缘膜16，形成于所述半导体层14的上部；透明电极18，形成于所述电容区域C的所述栅绝缘膜16的上部；在截面上所述透明电极18的宽度小于所述半导体层的宽度。
首先，基板10可以由以SiO2为主成分的透明的玻璃材质形成。然而，基板10并不限于此，还可以由透明的塑料材质形成。形成基板10的塑料材质可以是绝缘性有机物，所述绝缘性有机物可以是选自聚醚砜(polyethersulphone，简称为PES)、聚丙烯酸酯(polyacrylate，简称为PAR)、聚醚酰亚胺(polyetherimide，简称为PEI)、聚邻苯二甲酸酯(polyethylene naphthalate，简称为PEN)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，简称为PET)、聚苯硫醚(polyphenylenesulfide，简称为PPS)、聚烯丙基化物(polyallylate)、聚酰亚胺(polyimide)、聚碳酸酯(PC)、三醋酸纤维素(TAC)、醋酸丙酸纤维素(cellulose acetate propionate，简称为CAP)的有机物。
若为向基板10方向呈现图像的背面发光型时，基板10应由透明的材质形成。然而，若为向基板10反方向呈现图像的正面发光型时，基板10不一定要由透明的材质形成。此时，可以以金属形成基板10。以金属形成基板10时，基板10可以包括选自碳(C)、铁(Fe)、铬(Cr)、锰(Mn)、镍(Ni)、钛(Ti)、钼(Mo)以及不锈钢(SUS)的一种以上物质，但并不限于此。基板10还可以由金属箔形成。
基板10上还可以形成有缓冲层12，所述缓冲层12用于平坦化基板10并且阻断杂质的渗透。所述缓冲层12形成于基板10的全面，可以是由氧化硅膜(SiOx)、氮化硅膜(SiNx)或者氮氧化硅膜(SiO2Nx)形成的单层或多层结构。
缓冲层12的上部形成有半导体层14。半导体层14可以由硅(Si)、即非晶硅(a-Si)组成；或者，还可以由多晶硅(p-Si)组成。除此之外，其还可以由锗(Ge)、磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAs)、砷化铝(AlAs)等组成，但并不限于此。另外，半导体层14可以是以低浓度将n型杂质扩散于绝缘体上硅(Silicon on Insulator，简称为SOI)基板而形成的硅半导体层。除此之外，半导体层14还可以是以P型或者N型杂质对非晶硅的一部分进行掺杂的形态。
根据本实施例的半导体层14形成于基板10的各个区域中的电容区域C上，与上部的透明电极18一并组成电容器。
半导体层14的上部设有栅绝缘膜16，所述栅绝缘膜16覆盖所述半导体层14、使得所述半导体层14与上部的透明电极18绝缘。与所述缓冲层12相同，栅绝缘膜16可以是氧化硅膜(SiO2)、氮化硅膜(SiNx)、氮氧化硅膜(SiO2Nx)或者是它们的多层结构。栅绝缘膜16可以由与所述缓冲层12相同的材质形成，也可以由与其不同的材质形成。
所述电容区域C中的栅绝缘膜16的上部形成有透明电极18。如上所述，透明电极18与下部的半导体层14组成电容器，通过所述电容器可以稳定地维持本实施例的有机发光显示装置的驱动电压。
透明电极18可以由透明导电性物质形成，更优选的，所述透明导电性物质可以包括选自ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium ZincOxide)、碳纳米管(Carbon Nano Tube)、导电性聚合物(ConductivePolymer)以及纳米线(Nanowire)的一种以上物质。即，所述透明电极18可以由混合所述透明导电性物质中的一个以上的材质形成。
根据本实施例的透明电极18与下部的半导体层14组成电容器，如图2a所示，在截面上所述透明电极18的宽度小于所述半导体层14的宽度。图示的实施例中，与半导体层14相比，在左端部透明电极18向内侧缩进的长度为d1、在右端部透明电极18向内侧缩进的长度为d2。即，透明电极18的宽度相比半导体层14的宽度小(d1+d2)。具体为，所述透明电极18和半导体层14的宽度差可以在0.6μm以下。
如后面即将要描述的那样，因为上述的结构，在向整个基板10提供层间绝缘膜22并将其蚀刻以组成晶体管区域T时，可防止如图1所示的由透明电极的下倾现象引发的短路S并且可以最小化不良。并且，为了图案化层间绝缘膜22而进行蚀刻时，由于与层叠于上部的栅电极20相比透明电极18向内侧缩进的长度为(d1+d2)，因此可以防止透明电极18被蚀刻而生成导电性副产物的现象。对此，将在后面参考附图8c进行说明。
下面，参考图2b说明根据本发明另一实施例的有机发光显示装置。图2b是根据本发明另一实施例的有机发光显示装置的截面图。
根据本发明另一实施例的有机发光显示装置包括：具有电容区域C以及晶体管区域T的基板10；位于所述基板10上的缓冲层12；位于所述电容区域C的所述缓冲层12的上部和所述晶体管区域T的所述缓冲层12的上部的半导体层14；形成于所述半导体层14的上部的栅绝缘膜16；形成于所述电容区域C的所述栅绝缘膜16的上部和所述晶体管区域T的所述栅绝缘膜16的上部的透明电极18；形成于所述晶体管区域T的所述透明电极18的上部的栅电极20；与所述栅电极20绝缘并且位于所述栅电极20的上部的、通过接触孔与所述晶体管区域T的所述半导体层14连接的源/漏电极24；在截面上所述电容区域C的所述透明电极18的宽度小于所述电容区域C的所述半导体层14的宽度。
基板10以及形成于其上部的缓冲层12，与前述的实施例相同，因此省略说明。然而，与前述的实施例不同，基板10除了电容区域C之外还可以包括：晶体管区域T，形成有薄膜晶体管；以及像素区域P，形成有有机发光层从而实质上发光。
所述缓冲层12的上部形成有半导体层14。半导体层14可以由硅(Si)、即非晶硅(a-Si)组成；或者，其还可以由多晶硅(p-Si)组成。除此之外，其还可以由锗(Ge)、磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAs)、砷化铝(AlAs)等组成，但并不限于此。另外，半导体层14可以是以低浓度将n型杂质扩散于绝缘体上硅(Silicon on Insulator，简称为SOI)基板而形成的硅半导体层。除此之外，半导体层14还可以是以P型或者N型杂质对非晶硅的一部分进行掺杂的形态。
半导体层14在晶体管区域T以及电容区域C共时形成。然而，通过相同的过程形成的半导体层14，其结构在晶体管区域T和电容区域C中也会有所不同。并且由此引发的效果也可能会不同。
即，形成在晶体管区域T的半导体层14，根据施加至栅电极的栅电压，使电流选择性地通过源/漏电极24，最终将驱动电流施加至形成于像素区域P的透明电极18，以使形成于像素区域P上部的一系列有机发光层发光。另外，只有晶体管区域T的半导体层14的一部分是掺杂有杂质的形态。
另外，由于形成于电容区域C的半导体层14需要形成为导电体以与上部的透明电极18一同组成电容器，因此其可以具有如下的组成：半导体层14的全区域掺杂有杂质以具有导体的性质。
另外，如上所述，透明电极18与下部的半导体层14组成电容器，如图2b所示，在截面上所述透明电极18的宽度小于所述半导体层14的宽度。图示的实施例中，与半导体层14相比在左端部透明电极18向内侧缩进的长度为d1、在右端部透明电极18向内侧缩进的长度为d2。即，透明电极18的宽度相比半导体层14的宽度小(d1+d2)。具体为，所述透明电极18和半导体层14的宽度差可以在0.6μm以下。
如后面即将要描述的那样，因为上述的结构，在向整个基板10提供层间绝缘膜22并将其蚀刻以形成晶体管区域T时，防止如图1所示的由透明电极的下倾现象引发的短路S并且可以最小化不良。并且，为了图案化层间绝缘膜22而进行蚀刻时，由于与层叠于上部的栅电极20相比透明电极18向内侧缩进的长度为(d1+d2)，因此可以防止透明电极18被蚀刻而生成导电性副产物。对此，将在后面参考附图8c进行说明。
半导体层14的上部形成有栅绝缘膜16，栅绝缘膜16的上部形成有透明电极18。由于栅绝缘膜16以及透明电极18的组成与前述实施例相同，因此省略说明。透明电极18形成于基板10的全区域。即，透明电极18不仅形成于电容区域C，而且还形成于晶体管区域T以及像素区域P。
在电容区域C，透明电极18与下部的半导体层14一并组成电容器，将所述半导体层14掺杂成具有导体的性质；在晶体管区域T，透明电极18起到与上部的栅电极20一并传送栅驱动电压的作用；在像素区域P，透明电极18组成像素部，所述像素部与所述晶体管区域T的源/漏电极24连接而接收驱动电压，从而使有机发光层发光。
然后，在晶体管区域T，透明电极18的上部形成有栅电极20。栅电极20通过施加栅信号，可以以每个像素为单位控制发光。
栅电极20可以是如铝(Al)、铬-铝(Cr-Al)、钼-铝(Mo-Al)或者铝-钕(Al-Nd)等铝合金的单层结构，栅电极20还可以由在铬(Cr)或者钼(Mo)的合金上层叠铝合金的多层结构形成。
在本实施例中，栅电极20可以是钼-铝-钼(Mo-Al-Mo)三层结构；还可以与其下部的由ITO组成的透明电极18一起，具有四层结构(ITO-Mo-Al-Mo)。
栅电极20的上部形成有层间绝缘膜22。层间绝缘膜22起到对栅电极20和源/漏电极24进行绝缘的作用，与所述缓冲层12相同，可以是氧化硅膜(SiO2)、氮化硅膜(SiNx)、氮氧化硅膜(SiO2Nx)或者其多层结构。
所述层间绝缘膜22的上部形成有源/漏电极24，所述源/漏电极24与所述半导体层14电连接。其中，所述源/漏电极24可以由选自钼(Mo)、铬(Cr)、钨(W)、钼钨(MoW)、铝(Al)、铝-钕(Al-Nd)、钛(Ti)、氮化钛(TiN)、铜(Cu)、钼合金(Mo alloy)、铝合金(Alalloy)以及铜合金(Cu alloy)的某一种物质形成。所述源/漏电极24通过半导体层14电连接，从而将电压施加至像素区域P中的透明电极18。
然后，除了像素区域P之外的整个基板10可以形成有像素限定膜(PDL)26。像素限定膜26形成于整个基板10以覆盖晶体管区域T以及电容区域C内部的组成要素。像素限定膜26形成有开口部28以限定像素部，在像素区域P，所述开口部28将部分所述透明电极18向外部露出。像素限定膜26可以由无机物质、如氧化硅膜(SiO2)、氮化硅膜(SiNx)、氮氧化硅膜(SiO2Nx)或者其多层结构组成。
然后，参考图3至图7c说明根据本发明一实施例的有机发光显示装置的制造方法。图3至图7c是依次示出根据本发明一实施例的有机发光显示装置的制造方法的截面图。
根据本发明一实施例的有机发光显示装置的制造方法包括：在缓冲层12的上部形成半导体层14，所述缓冲层12形成于基板10的电容区域C上，所述基板10包括所述电容区域C以及晶体管区域T；在所述半导体层14的上部依次形成栅绝缘膜16、透明电极18以及栅电极20；在所述电容区域C的上部形成第一蚀刻防止膜PR；蚀刻栅电极20，被蚀刻的所述栅电极20位于除了所述第一蚀刻防止膜PR之外的区域；去除所述第一蚀刻防止膜PR，将所述栅电极20作为掩模板进行蚀刻以使所述透明电极18相对于所述栅电极20向内侧缩进。
首先，如图3所示，提供基板10，在所述基板10的上部形成缓冲层12。电容区域C、像素区域P以及晶体管区域T是任意划分的区域，电容区域C是指：在基板10上除了晶体管区域T之外的区域残留透明电极18和半导体层14并且通过它们形成电容器的区域；像素区域P是指：形成有有机发光层，从而实际上发光的区域；晶体管区域T是指：为了将驱动电压施加至所述像素区域P的有机发光层而形成薄膜晶体管的区域，所述薄膜晶体管包括栅电极20、源/漏电极24以及半导体层14。可以使用的基板10的种类与前述的情况相同。基板10的上部形成有缓冲层12，所述缓冲层12用于平坦化以及防止杂质的渗透。
然后，如图4所示，在缓冲层12的上部形成半导体层14，在其上部形成栅绝缘膜16。如上所述，半导体层14为了组成薄膜晶体管而形成于晶体管区域T、为了组成电容器一侧的电极而形成于电容区域C。
向整个基板10的区域提供非晶硅或者多晶硅，去除除了晶体管区域T以及电容区域C之外的区域的硅，保留半导体层14，其中所述基板10包括晶体管区域T以及电容区域C。如上所述，组成晶体管区域T以及电容区域C的半导体层14可以由相同的材质组成，但是可以掺杂有不同的杂质。具体为：可以对整个晶体管区域T的半导体层14的一部分掺杂杂质；可以对整个电容区域C的半导体层14掺杂杂质，从而可以成为导体。
然后，如图5以及图6所示，向栅绝缘膜16的上部提供透明电极18以及栅电极20。透明电极18以及栅电极20可以形成于基板10的全面。由于连续形成透明电极18以及栅电极20，因此两者相互电连接。然而，因下部的栅绝缘膜16的缘故，透明电极18、栅电极20，与下部的半导体层14绝缘。如上所述，透明电极18可以是如ITO或者IZO等透明的导电性物质，栅电极20可以是单一金属或者多个金属层的层叠形态。
然后，如图7a至图7c所示，根据本实施例的有机发光显示装置的制造方法包括：在所述电容区域C的上部形成第一蚀刻防止膜PR(图7a)；蚀刻栅电极20，被蚀刻的所述栅电极20位于除了所述第一蚀刻防止膜PR之外的区域(图7b)；去除所述第一蚀刻防止膜PR，并且将所述栅电极20作为掩模板进行蚀刻以使得所述透明电极18相对于所述栅电极20向内侧缩进(图7c)。
现有的有机发光显示装置的制造方法中，在电容区域C的上部形成蚀刻防止膜之后，一同蚀刻栅电极20和透明电极18。从而，如图1a所示，蚀刻成从上部越往下部宽度越变越宽的金字塔形态。即，利用如光刻胶等蚀刻防止膜一同蚀刻时，与上部的栅电极相比，将下部的透明电极的宽度蚀刻得更宽。
然而，如图7a所示，根据本实施例的有机发光显示装置的制造方法中，在栅电极20的上部形成蚀刻防止膜PR。如图7b所示，第一次，仅对栅电极20进行蚀刻。此时，可以通过用于选择性蚀刻所述栅电极20的蚀刻液，进行湿法蚀刻。然后，去除蚀刻防止膜PR，将在电容区域C上被图案化的栅电极20作为掩模板。如图7c所示，第二次，对下部的透明电极18进行蚀刻。此时，可以通过用于选择性蚀刻所述透明电极18的蚀刻液，进行湿法蚀刻。
此时，根据湿法蚀刻工序的特性，对位于邻近蚀刻防止掩模板下部的层进行蚀刻时，其与蚀刻防止掩模板相比向内侧缩进预定长度；并且在进行蚀刻时，越远离蚀刻防止掩模板、越向外侧凸出。即，如上所述，整体上蚀刻为金字塔形态。由于透明电极18与用作掩模板的栅电极20下部相邻，因此，如图7c所示，其被蚀刻为每端缩进长度d1或者长度d2。结果，相比下部的半导体层14所减少的宽度为长度(d1+d2)，因此可以抑制与下部的半导体层14发生静电或者短路。所述透明电极可以向所述栅电极的内侧缩进0.6μm以下的长度。
本实施例中基于电容区域C进行了说明，然而在像素区域P也可以以相同的形态进行两次蚀刻，使下部的透明电极18向内侧缩进。即，根据不同于本实施例的另一实施例的有机发光显示装置的制造方法可以包括：在缓冲层12的上部依次形成栅绝缘膜16、透明电极18以及栅电极20，所述缓冲层12形成于基板的像素区域P上；在所述像素区域P的上部形成蚀刻防止膜PR；蚀刻栅电极20，被蚀刻的所述栅电极20位于除了所述蚀刻防止膜PR之外的区域；去除所述蚀刻防止膜PR，并且将所述栅电极20作为掩模板进行蚀刻以使所述透明电极18相比所述栅电极20向内侧缩进。组成如上所述的像素区域P的其他要素与在之前实施例中说明的内容全部相同。
然后，参考图8a至图9d说明根据本发明另一实施例的有机发光显示装置的制造方法。图8a至9d是依次示出根据本发明另一实施例的有机发光显示装置的制造方法的截面图。
根据本发明另一实施例的有机发光显示装置的制造方法包括：在缓冲层12的上部形成半导体层14，所述缓冲层12形成于基板10的电容区域C上，所述基板10包括所述电容区域C以及晶体管区域T；在所述半导体层14的上部依次形成栅绝缘膜16、透明电极18以及栅电极20；在所述电容区域C的上部形成第一蚀刻防止膜PR；蚀刻栅电极20，被蚀刻的所述栅电极20位于除了所述第一蚀刻防止膜PR之外的区域；去除所述第一蚀刻防止膜PR，将所述栅电极20作为掩模板进行蚀刻以使所述透明电极18相比所述栅电极20向内侧缩进；向所述基板10的上部提供层间绝缘膜22；在所述晶体管区域T的上部形成第二蚀刻防止膜PR，蚀刻所述层间绝缘膜，被蚀刻的所述层间绝缘膜位于除了所述第二蚀刻防止膜之外的区域；所述蚀刻层间绝缘膜的步骤中，通过所述栅电极阻断对所述透明电极的蚀刻。
根据本实施例的有机发光显示装置的制造方法中，一直到所述的进行蚀刻以使所述透明电极18相对于所述栅电极20向内侧缩进的步骤为止，与前述的实施例相同，因此省略重复的说明。
与此相比，本实施例进一步包括：向所述基板10的上部提供层间绝缘膜22；在所述晶体管区域T的上部形成第二蚀刻防止膜PR，蚀刻所述层间绝缘膜，被蚀刻的所述层间绝缘膜位于除了所述第二蚀刻防止膜之外的区域；其中，所述蚀刻层间绝缘膜的步骤中，通过所述栅电极阻断对所述透明电极的蚀刻。
首先，如图8a所示，在栅电极20的上部形成层间绝缘膜22。如图所示，向整个基板10提供层间绝缘膜22，所述基板10包括像素区域P、晶体管区域T以及电容区域C。在晶体管区域T，层间绝缘膜22起到使透明电极18、栅电极20与源/漏电极24绝缘的作用。
为了在整个基板10形成层间绝缘膜22、去除除了晶体管区域之外的层间绝缘膜22，如图8b所示，在晶体管区域T的上部形成蚀刻防止膜PR。
然后，如图8c所示，通过蚀刻以去除形成于除了晶体管区域T之外的层间绝缘膜22，所述晶体管区域T形成有蚀刻防止膜PR。可以通过干法蚀刻方法蚀刻层间绝缘膜22。
以往，蚀刻层间绝缘膜22时，不仅去除了电容区域C以及像素区域P的层间绝缘膜22，而且还一并蚀刻了部分透明电极18，因此导致生成导电性副产物，从而发生了静电以及短路现象。
然而，如图8c所示，在根据本实施例的蚀刻层间绝缘膜22的步骤中，由于对栅电极20以及透明电极18的双重蚀刻，导致透明电极18相比栅电极20向内侧缩进，从而可以防止蚀刻层间绝缘膜22的物质蚀刻透明电极18(参照用虚线图示的区域)的现象。即，为了图案化层间绝缘膜22而进行蚀刻时，由于透明电极18相比层叠于上部的栅电极20向内侧缩进的长度为(d1+d2)，因此可以防止透明电极18被蚀刻而生成导电性副产物并且可以抑制发生不良像素。
然后，如图9a至图9d所示，根据本实施例的有机发光显示装置的制造方法还可以包括：向所述基板10的上部提供源/漏电极24；在所述晶体管区域T的上部形成蚀刻防止膜PR，蚀刻所述源/漏电极24，被蚀刻的所述源/漏电极24位于除了所述蚀刻防止膜之外的区域。
即，在整个基板10区域形成源/漏电极24，在晶体管区域T的上部形成蚀刻防止膜PR，所述蚀刻防止膜PR用于图案化所述源/漏电极24。然后，将蚀刻防止膜PR作为掩模板图案化源/漏电极24，从而形成具有所需形态的源/漏电极24。
如上所述，蚀刻源/漏电极的步骤可以包括：蚀刻形成于所述电容区域上的所述栅电极，以使所述透明电极向外部露出。
即，如图9b所示，可以通过一个蚀刻工序一同去除形成于电容区域C以及像素区域P上的栅电极20、源/漏电极24。栅电极20、源/漏电极24可以由相同的物质形成，从而通过单一蚀刻工序简单地实现一同蚀刻。例如，栅电极20为钼-铝-钼三层膜结构时，源/漏电极24也可以是钼-铝-钼三层膜结构，利用一种蚀刻液可以一同蚀刻栅电极20、源/漏电极24的六层膜。
然后，如图9c所示，在电容区域C中，与前述的图1b不同，向外部露出的上部的透明电极18相比下部的半导体层14宽度更小，因此具有向内侧缩进的结构；在如蚀刻等工序中，即使部分栅绝缘膜16或者缓冲层12受损导致半导体层14被露出，也与上部的透明电极18之间具有间隔，因此两者被绝缘，从而可以防止发生短路。
然后，如图9d所示，在基板10的上部，向整个基板10提供像素限定膜26之后形成开口部28，因此而露出的透明电极18的上部形成有机发光层30，从而组成像素部，所述像素限定膜26限定像素区域P。
以上，参考附图对本发明的实施例进行了说明，然而本发明并不限于此，本发明能够以多种不同的形态实施，所属技术领域的技术人员应当得知，在不修改本发明的技术思想或者必要特征的情况下，能够以其他具体的形态实施。因此，应理解为，在本说明书中公开的实施例仅是示例性的实施例，而并非对本发明加以限制。

Claims (25)

1.一种有机发光显示装置，包括：
基板，具有电容区域；
缓冲层，位于所述基板上；
半导体层，位于所述电容区域的所述缓冲层的上部；
栅绝缘膜，形成于所述半导体层的上部；以及
透明电极，形成于所述电容区域的所述栅绝缘膜的上部；
其中，在截面上所述透明电极的宽度小于所述半导体层的宽度。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，
所述透明电极由选自ITO和IZO中的一种以上物质形成。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，
所述半导体层由多晶硅形成。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，
所述透明电极和所述半导体层的宽度差在0.6μm以下。
5.一种有机发光显示装置，包括：
基板，具有电容区域以及晶体管区域；
缓冲层，位于所述基板上；
半导体层，位于所述电容区域的所述缓冲层的上部和所述晶体管区域的所述缓冲层的上部；
栅绝缘膜，形成于所述半导体层的上部；
透明电极，形成于所述电容区域的所述栅绝缘膜的上部和所述晶体管区域的所述栅绝缘膜的上部；
栅电极，形成于所述晶体管区域的所述透明电极的上部；以及
源/漏电极，与所述栅电极绝缘，位于所述栅电极的上部，通过接触孔与所述晶体管区域的所述半导体层连接；
其中，在截面上所述电容区域的所述透明电极的宽度小于所述电容区域的所述半导体层的宽度。
6.根据权利要求5所述的有机发光显示装置，其中，
所述栅电极是由铝、铬-铝合金或者钼-铝合金中的任一个形成的单层或者多层结构。
7.根据权利要求5所述的有机发光显示装置，其中，
所述源/漏电极是由铝、铬-铝合金或者钼-铝合金中的任一个形成的单层或者多层结构。
8.根据权利要求5所述的有机发光显示装置，其中，
所述透明电极由选自ITO和IZO中的一种以上物质形成。
9.根据权利要求5所述的有机发光显示装置，其中，
所述半导体层由多晶硅形成。
10.根据权利要求5所述的有机发光显示装置，其中，
所述透明电极和所述半导体层的宽度差在0.6μm以下。
11.一种有机发光显示装置的制造方法，包括：
在缓冲层的上部形成半导体层，所述缓冲层形成于具有电容区域的基板的所述电容区域上；
在所述半导体层的上部依次形成栅绝缘膜、透明电极以及栅电极；
在所述电容区域的上部形成第一蚀刻防止膜；
蚀刻栅电极，被蚀刻的所述栅电极位于除了所述第一蚀刻防止膜之外的区域；以及
去除所述第一蚀刻防止膜并且将所述栅电极作为掩模板进行蚀刻以使所述透明电极相对于所述栅电极向内侧缩进。
12.根据权利要求11所述的有机发光显示装置的制造方法，其中，
所述透明电极向所述栅电极的内侧缩进0.6μm以下。
13.根据权利要求11所述的有机发光显示装置的制造方法，其中，所述蚀刻栅电极的步骤为：
以用于选择性蚀刻所述栅电极的蚀刻液进行湿法蚀刻。
14.根据权利要求11所述的有机发光显示装置的制造方法，其中，所述蚀刻成向内侧缩进的步骤为：
以用于选择性蚀刻所述透明电极的蚀刻液进行湿法蚀刻。
15.一种有机发光显示装置的制造方法，包括：
在缓冲层的上部形成半导体层，所述缓冲层形成于基板的电容区域上，所述基板具有所述电容区域以及晶体管区域；
在所述半导体层的上部依次形成栅绝缘膜、透明电极以及栅电极；
在所述电容区域的上部形成第一蚀刻防止膜；
蚀刻栅电极，被蚀刻的所述栅电极位于除了所述第一蚀刻防止膜之外的区域；
去除所述第一蚀刻防止膜并且将所述栅电极作为掩模板进行蚀刻以使所述透明电极相对于所述栅电极向内侧缩进；
向所述基板的上部提供层间绝缘膜；以及
在所述晶体管区域的上部形成第二蚀刻防止膜，蚀刻所述层间绝缘膜，被蚀刻的所述层间绝缘膜位于除了所述第二蚀刻防止膜之外的区域；
在所述蚀刻层间绝缘膜的步骤中，通过所述栅电极阻断对所述透明电极的蚀刻。
16.根据权利要求15所述的有机发光显示装置的制造方法，其中，
所述透明电极向所述栅电极的内侧缩进0.6μm以下。
17.根据权利要求15所述的有机发光显示装置的制造方法，其中，所述蚀刻栅电极的步骤为：
以用于选择性蚀刻所述栅电极的蚀刻液进行湿法蚀刻。
18.根据权利要求15所述的有机发光显示装置的制造方法，其中，所述蚀刻成向内侧缩进的步骤为：
进行湿法蚀刻以选择性蚀刻所述透明电极。
19.根据权利要求15所述的有机发光显示装置的制造方法，其中，在蚀刻所述层间绝缘膜的步骤之后，还包括：
向所述基板的上部提供源/漏电极；
在所述晶体管区域的上部形成第三蚀刻防止膜，蚀刻所述源/漏电极，被蚀刻的所述源/漏电极位于除了所述第三蚀刻防止膜之外的区域。
20.根据权利要求19所述的有机发光显示装置的制造方法，其中，所述蚀刻源/漏电极的步骤包括：
蚀刻形成于所述电容区域上的所述栅电极，以使所述透明电极向外部露出。
21.根据权利要求20所述的有机发光显示装置的制造方法，其中，
通过一次蚀刻，对所述栅电极和所述源/漏电极同时进行蚀刻。
22.一种有机发光显示装置的制造方法，包括：
在缓冲层的上部依次形成栅绝缘膜、透明电极以及栅电极，所述缓冲层形成于基板的像素区域上；
在所述像素区域的上部形成蚀刻防止膜；
蚀刻栅电极，被蚀刻的所述栅电极位于除了所述蚀刻防止膜之外的区域；以及
去除所述蚀刻防止膜并且将所述栅电极作为掩模板进行蚀刻以使所述透明电极相比所述栅电极向内侧缩进。
23.根据权利要求22所述的有机发光显示装置的制造方法，其中，
所述透明电极向所述栅电极的内侧缩进0.6μm以下。
24.根据权利要求22所述的有机发光显示装置的制造方法，其中，所述蚀刻栅电极的步骤为：
以用于选择性蚀刻所述栅电极的蚀刻液进行湿法蚀刻。
25.根据权利要求22所述的有机发光显示装置的制造方法，其中，所述蚀刻成向内侧缩进的步骤为：
为了选择性蚀刻所述透明电极而进行湿法蚀刻。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108987480A (zh) * 2017-06-02 2018-12-11 上海和辉光电有限公司 双栅薄膜晶体管及其制备方法、显示面板及其制备方法
CN109256396A (zh) * 2018-09-04 2019-01-22 京东方科技集团股份有限公司 一种透明显示基板及透明显示面板

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102169014B1 (ko) 2013-10-14 2020-10-23 삼성디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법
JP6349739B2 (ja) * 2014-01-21 2018-07-04 株式会社リコー 発光装置及びその製造方法並びに露光ヘッド
JP2015158572A (ja) * 2014-02-24 2015-09-03 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置、電子機器
KR102261006B1 (ko) * 2014-10-08 2021-06-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
JPWO2016103889A1 (ja) * 2014-12-25 2017-10-05 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子
KR102321724B1 (ko) * 2017-07-11 2021-11-03 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법
KR20210022206A (ko) * 2019-08-19 2021-03-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN110797353A (zh) * 2019-11-12 2020-02-14 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
CN111430383B (zh) 2020-05-20 2023-04-28 合肥鑫晟光电科技有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070152217A1 (en) * 2005-12-29 2007-07-05 Chih-Ming Lai Pixel structure of active matrix organic light-emitting diode and method for fabricating the same
US20080272703A1 (en) * 2007-05-03 2008-11-06 Tpo Displays Corp. System for displaying image
US20090284449A1 (en) * 2008-05-19 2009-11-19 Hun-Jung Lee Organic light emitting display device
CN101794049A (zh) * 2009-01-30 2010-08-04 三星移动显示器株式会社 平板显示装置及其制造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6433841B1 (en) * 1997-12-19 2002-08-13 Seiko Epson Corporation Electro-optical apparatus having faces holding electro-optical material in between flattened by using concave recess, manufacturing method thereof, and electronic device using same
JP4100655B2 (ja) * 1999-12-21 2008-06-11 エルジー．フィリップス エルシーデー カンパニー，リミテッド 薄膜トランジスタの製造方法
JP2004253511A (ja) * 2003-02-19 2004-09-09 Hitachi Displays Ltd 表示装置
KR100588868B1 (ko) 2003-12-12 2006-06-14 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광 소자 및 그 제조방법
JP4628032B2 (ja) * 2004-07-28 2011-02-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその作製方法
KR101192746B1 (ko) * 2004-11-12 2012-10-18 엘지디스플레이 주식회사 폴리형 박막 트랜지스터 기판의 제조방법
KR100729042B1 (ko) 2005-11-29 2007-06-14 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치의 제조방법
JP5060738B2 (ja) * 2006-04-28 2012-10-31 株式会社ジャパンディスプレイイースト 画像表示装置
KR100770266B1 (ko) * 2006-11-10 2007-10-25 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
JP4545780B2 (ja) * 2007-07-09 2010-09-15 株式会社 日立ディスプレイズ 有機発光表示装置の製造方法
KR101429920B1 (ko) 2008-04-11 2014-08-13 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
KR100943187B1 (ko) * 2008-05-20 2010-02-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP5491833B2 (ja) * 2008-12-05 2014-05-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20100078340A (ko) 2008-12-30 2010-07-08 주식회사 동부하이텍 금속 배선 형성 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070152217A1 (en) * 2005-12-29 2007-07-05 Chih-Ming Lai Pixel structure of active matrix organic light-emitting diode and method for fabricating the same
US20080272703A1 (en) * 2007-05-03 2008-11-06 Tpo Displays Corp. System for displaying image
US20090284449A1 (en) * 2008-05-19 2009-11-19 Hun-Jung Lee Organic light emitting display device
CN101794049A (zh) * 2009-01-30 2010-08-04 三星移动显示器株式会社 平板显示装置及其制造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108987480A (zh) * 2017-06-02 2018-12-11 上海和辉光电有限公司 双栅薄膜晶体管及其制备方法、显示面板及其制备方法
CN108987480B (zh) * 2017-06-02 2021-11-16 上海和辉光电股份有限公司 双栅薄膜晶体管及其制备方法、显示面板及其制备方法
CN109256396A (zh) * 2018-09-04 2019-01-22 京东方科技集团股份有限公司 一种透明显示基板及透明显示面板
US10978531B2 (en) 2018-09-04 2021-04-13 Boe Technology Group Co., Ltd. Transparent display substrate, manufacturing method thereof and transparent display panel

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