TWI572029B - 製造有機發光顯示裝置之方法 - Google Patents

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李律圭
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Description

製造有機發光顯示裝置之方法 相關申請案之交互參照
本申請案主張於2011年1月11日在韓國智慧財產局所提交之申請號為10-2011-0002763之韓國專利申請案，其全部內容納入於此處作為參考。
本揭露係關於製造一種製造有機發光顯示裝置之方法，更特別地，係關於在有機發光顯示裝置之製造期間雜質摻雜過程。
資訊技術(IT)工業的快速發展明顯地地增加了顯示裝置之使用。近年來，顯示裝置被要求輕量化與薄型化、低功率消耗並供有高解析度。為滿足這些需求，使用有機發光特性之液晶顯示器或有機發光顯示器正被開發中。
為具有自發光特性之新一代顯示裝置的有機發光顯示器由視角特性、對比、反應速率、消耗功率的觀點上較液晶顯示器為佳，且因為不需要一背光，所以其可被製造的更薄且更輕。
有機發光顯示器包含具有像素區域與非像素區域之基板、以及放置面對該基板的容器或其他基板，以藉由例如環氧樹脂之密封劑包覆與接觸該基板。在基板中之像素區域中，複數個有機發光二極體(OLEDs)連接至位於掃描線與資料線間之矩陣圖樣以形成像素。在非像素區域中，形成自像素區域之掃 描線與資料線所延伸之掃描線與資料線、用來操作有機發光二極體之電源供應線、以及用來處理經輸入墊自外部源接收之訊號並提供已處理之訊號至掃描線和資料線之掃描驅動器以及資料驅動器。
以下，製造有機發光顯示裝置之方法之一範例，特別地，一底部發射有機發光顯示裝置將參照第1圖至第6圖被描述。
參照第1圖，緩衝層形成在具有像素區域、電晶體區域與電容區域之基板上、以及形成在緩衝層上之矽層。接著，圖樣化矽層以形成半導體層(如矽層(silicon layer)DR_TFT與SW_TFT)在電晶體區域上，且形成電極(如矽層STC)在儲存電容區域上。閘極絕緣膜形成在已圖樣化之矽層上。
參照第2圖，提供閘極電極材料在整個基板上，然後圖樣化以在每一像素區域、電晶體區域與電容區域形成閘極電極GATE。其次，為了使矽層DR_TFT與SW_TFT變成半導體，電晶體區域中之矽層DR_TFT與SW_TFT摻雜雜質P+。在此，形成在電晶體區域上之閘極電極GATE避免每一矽層DR_TFT與SW_TFT之中央區域被摻雜雜質P+。另一方面，因為電容區域中之整個矽層STC被閘極電極GATE覆蓋，所以摻雜離子無法穿透進入矽層STC中。
參照第3圖，層間絕緣膜IDL形成在整個基板上，然後圖樣化以形成對應於像素區域之開區域、以及為了形成源極與汲極電極S/D之接觸孔。
參照第4圖，源極與汲極電極S/D在電晶體區域上圖樣化。接著，形成在每一像素區域與電容區域之閘極電極GATE被移除。如第2圖所示，因為覆蓋電容區域中之矽層STC因而避免矽層STC被摻雜之閘極電極GATE被移除，所以執行額外的摻雜程序以使矽層STC變成一電極。
參照第5圖，形成像素定義層PDL，然後圖樣化以暴露像素區域(由第5圖之參考字符‘PIXEL’表示)中之一透明電極(氧化銦錫(ITO))。電晶體區域與電容區域被像素定義層PDL覆蓋，因此不被暴露出。
如上所述，上述製造有機發光顯示裝置之方法之範例中，電晶體區域中之多晶矽層與電容區域中之多晶矽層係透過兩輪摻雜被分別摻雜。這樣的兩輪摻雜在製程時間及成本的觀點上是不利的。
當電晶體區域中之多晶矽層(如矽層DR_TFT與SW_TFT)被摻雜雜質離子，因為只有閘極絕緣膜存在於每一多晶矽層上，所以使用摻雜程序之通常加速電壓。然而，當電容區域中之多晶矽層(如矽層STC)被摻雜雜質離子時，需要較高的加速電壓。這是因為閘極絕緣膜與透明電極(ITO)存在多晶矽層上。這樣使用兩種加速電壓在製程時間及成本上之觀點上是不利的。
摻雜多晶矽層下之阻抗趨於增加。因此，為了減少阻抗，在電晶體區域與電容區域中之多晶矽層以高頻率分別摻雜後，需要一額外之熱處理製程。額外熱處理製程在製程時間及成本之觀點是不利的。
如最近之建議，為了改善視角，陽極電極可形成具有氧化銦錫-銀-氧化銦錫之多層結構，而取代氧化銦錫之單層結構，如第6圖所示。在此案例中，除透明電極(ITO)之外，銀層係形成在電容區域上。因透明電極(ITO)與金屬層堆疊在電容區域中之多晶矽層(如矽層STC)之上，所以摻雜形成在電容區域上之多晶矽層是困難的。
在上述討論中之背景部分係提供一般背景資料，不構成先前技術之承認。
本發明之態樣係提供一種製造有機發光顯示裝置之方法，其中電晶體區域中之矽層與電容區域中之矽層可同時在單一摻雜程序摻雜，且活化已摻雜之矽層的熱處理製程是不需要的。
本發明之態樣亦提供一種製造有機發光顯示裝置之方法，其中電晶體區域中之矽層與電容區域中之矽層可在不改變加速電壓下同時在單一摻雜程序摻雜。
本發明之態樣亦提供一種製造有機發光顯示裝置之方法，其中氧化銦錫-銀-氧化銦錫之多層結構可被使用，以改善有機發光顯示裝置之視角。
無論如何，本發明之態樣不因本文所提之內容而受限。藉由參照以下之詳細說明，本發明上述及其他之態樣對於本領域具有通常知識者將變得更加明瞭。
根據本發明之態樣，係提供一種製造底部發射有機發光顯示裝置之方法。該方法包含下列步驟：形成矽層與閘極絕緣膜在包含電晶體區域與電容區域之基板上；形成光阻在基板上；圖樣化矽層與閘極絕緣膜；藉由控制半色調光阻在灰化製程中在電晶體區域上留下部分半色調光阻而形成一殘餘光阻；以及藉由使用雜質在基板之整個區域上摻雜雜質於矽層之至少一部分。
根據本發明之其他態樣，係提供一種製造底部發射有機發光顯示裝置之方法。該方法包含下列步驟：形成矽層與閘極絕緣膜在包含像素區域、電晶體區域與電容區域之基板上；形成半色調光阻在基板上；圖樣化矽層與閘極絕緣膜；藉由控制半色調光阻在灰化製程中在電晶體區域上留下部分半色調 光阻而形成一殘餘光阻；藉由使用雜質在基板之整個區域上摻雜雜質於該矽層之至少一部分；移除殘餘光阻；以及在每一像素區域、電晶體區域與電容區域上，形成包含透明電極材料-金屬-透明電極材料之三層陽極電極。
DR_TFT、SW_TFT、STC‧‧‧矽層
GATE‧‧‧閘極電極
P+‧‧‧摻雜雜質
IDL‧‧‧層間絕緣膜
S/D‧‧‧源極與汲極電極
PDL‧‧‧像素定義層
PIXEL‧‧‧像素區域
ITO‧‧‧氧化銦錫
Ag‧‧‧銀
10‧‧‧基板
12‧‧‧緩衝層
14‧‧‧矽層
14a‧‧‧第一區域
14b‧‧‧第二區域
16‧‧‧閘極絕緣膜
18‧‧‧額外之閘極絕緣膜
19‧‧‧陽極電極
20‧‧‧閘極電極
PR‧‧‧光阻
PR’‧‧‧殘餘光阻
22‧‧‧層間絕緣膜
24‧‧‧源極與汲極電極
26‧‧‧像素定義層
L1、L2‧‧‧寬度
S110~S150、S210~S270‧‧‧操作
本發明之上述及其他態樣與特色將藉由其詳細實施例並參照附圖加以描述使其變得更為明瞭，其中：第1圖至第6圖係為製造有機發光顯示裝置之方法的一範例之橫截面視圖；第7圖係為根據本發明之一實施例之製造有機發光顯示裝置之方法之流程圖；第8圖至第18圖係依序為根據本發明之實施例之製造有機發光顯示裝置之方法之橫截面視圖；第19圖係為利用根據本發明之實施例之製造有機發光顯示裝置之方法所形成之閘極電極之對齊之橫截面視圖；第20圖及第21圖係依序為本發明之另一實施例之製造有機發光顯示裝置之方法之橫截面視圖；以及第22圖係為根據本發明之另一實施例之製造有機發光顯示裝置之方法之流程圖。
本發明之優點及特色及同時伴隨著的方法可藉由參照以下實施例詳細描述及附圖而更快速地了解。然而，本發明可能以多種不同形式被實體化，且不應被理解為因實施例而因此受限。相反的，這些實施例使本揭露詳盡與完整，並將完全地傳達給該領域具有通常知識者本發明中之觀念，而本發明僅將由後被附之申請專利範圍所定義。在附圖中，層及區域之尺寸與相對尺寸可為了清楚化而被誇大。
可被理解的是，當一元件或層被視為在另一元件或層“上”時，該元件或層可為直接在另一元件或層之上或可存在中介元件或層。相反的，當一元件被視為“直接在”另一元件或層“之上”時，就沒有中介元件或層。整個說明書中相似的參考符號參照至相似的元件。如此處使用，措辭“及/或”包含任何與所有一或多個相關所列項目之結合。
空間相關之措辭，例如“在之下(below)”、“在下面(beneath)”、“低於(lower)”、“在之上(above)”、“在上面(upper)”與其他類似措辭，在此可使用便於描述圖式中所示之一元件或功能相對於另一元件或功能之相對關係。可被理解的是，除了圖式中所指之方向外，空間相關措辭可在使用或操作中意指包含裝置之不同方向。
本發明的實施例在此所描述之平面圖或橫截面圖係為本發明之理想化實施例的示意圖。如此，例如製程技術及/或容忍範圍內的誤差造成形狀與圖式的不同是可以預期的。因此，本發明實施例不該被理解為限制於所示區域中的特定形狀，反而包含各種形狀上的變化，例如，由製程所造成的變化。因此，圖式中所示區域係為實際的示意圖且其形狀並非欲說明裝置中區域的真實形狀，且其並非欲限制本發明的範疇。
以下，本發明之實施例將參照至附圖被更詳細的描述。
本發明之實施例將參照第7圖至第21圖而加以描述。第7圖係為根據本發明之一實施例之製造有機發光顯示裝置之方法之流程圖。第8圖至第18圖係依序為根據本發明之實施例之製造有機發光顯示裝置之方法之橫截面視圖。第19圖係為利用根據本發明之實施例之製造有機發光顯示裝置之方法所形成之閘極電極之對齊之橫截面視圖。
製造有機發光顯示裝置之方法，特別地，根據目前之本發明之本實施例之底部發射有機發光顯示裝置包含下列步驟：形成矽層與閘極絕緣膜在具有電晶體區域與電容區域之基板上(操作S110)，形成一光阻在基板上(操作S120)，圖樣化矽層與閘極絕緣膜(操作S130)，藉由留下部分未移除光阻而形成一殘餘光阻(操作S140)，且藉由施加雜質在基板之整個區域上摻雜雜質在矽層之至少一部分(操作S150)。
參照第8圖，形成基板10，緩衝層12形成在基板10上，且矽層14形成在緩衝層12上。
基板10可由包含二氧化矽(SiO2)之透明玻璃材料作為主要成分製得。然而，形成基板10之材料不被受限於透明玻璃材料。基板10也可由透明塑膠材料製成，透明塑膠材料可選自由包含聚醚碸(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚醯亞胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙基(polyallylate)、聚醯亞胺、聚碳酸酯(PC)、三醋酸纖維素(TAC)、以及醋酸丙酸纖維素(CAP)所組成之群組中之有機絕緣材料。
其中分別地形成電晶體、電容及像素之電晶體區域、電容區域及像素區域形成在基板10中。在電晶體區域、電容區域、以及像素區域之間係沒 有清楚的邊界。基板10中其上形成有電晶體之區域係定義為電晶體區域，而基板10中其上形成有電容之區域則定義為電容區域。
在底部發射有機發光顯示裝置之中，一影像朝向基板10實現化，基板10係由透明材料製成。然而，在頂部發射有機發光顯示裝置中，一影像係遠離基板10實現化，而基板10則不必由透明材料所製成。在此例中，基板10可由金屬製成。當基板10由金屬製成時，基板10可包含選自由碳(C)、鐵(Fe)、鉻(Cr)、錳(Mn)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、與不鏽鋼(SUS)所組成之群組中至少其一材料。然而，形成基板10之材料不受限於上述材料。基板10也可由金屬箔製成。
緩衝層12可進一步形成在基板10之上以平坦化基板10，且避免雜質穿透進入基板10。緩衝層12可為矽氧化物(SiOx)、氮化矽(SiNx)或氮氧化矽(SiO2Nx)之單層、或這些材料之多層結構。
矽層14形成在緩衝層12上。矽層14可由矽製成，亦即非晶矽(a-Si)。或者，矽層14可由多晶矽(p-Si)製成。當矽層14由非晶矽製成時，可利用例如雷射額外執行結晶製程。要不，矽層14可由鍺、磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)或砷化鋁(AlAs)製成，但不因此受限。
矽層14之一部分可摻雜P型或N型之雜質。如將在之後描述，形成在電晶體區域上之矽層14可部分地被摻雜以形成半導體，且形成在電容區域上之矽層14可完全地被摻雜以形成電容電極。
參照第9圖，閘極絕緣膜16設置在矽層14上，以覆蓋矽層14並使矽層14與閘極電極20絕緣。就像緩衝層12，閘極絕緣膜16可為二氧化矽、氮化 矽或氮氧化矽之單層、或這些材料之多層結構。閘極絕緣膜16可由與緩衝層12之相同材料或不同之材料所製成。
參照第10圖，為了圖樣化矽層14與閘極絕緣膜16，光阻PR塗佈在閘極絕緣膜16上。光阻PR在光阻形成中塗佈在基板上(操作S120)可為半色調光阻，因此光阻PR不僅可使用為圖樣化矽層14與閘極絕緣膜16，亦可作為避免摻雜之遮罩。半色調光阻PR可只在電晶體區域上形成。
如第10圖所示，半色調光阻PR可包含由下層與上層所構成之兩層。當由基板之厚度方向觀察時，半色調光阻PR之下層可能寬於其上層。
參照第11圖，矽層14與閘極絕緣膜16被圖樣化(操作S130)。在第11圖左側之島型結構係為形成有電晶體之區域，在第11圖右側之島型結構係為形成有電容之區域。
參照第12圖，殘餘光阻PR’藉由留下光阻PR未移除之部分而形成(操作S140)。當光阻PR為一半色調光阻時，在半色調光阻上執行灰化製程，以製造只有殘留兩層半色調光阻之上層，藉此形成殘餘光阻PR’。如上所述，殘餘光阻PR’僅可殘留在電晶體區域。
參照第13圖，基板10之整個區域被摻雜雜質(操作S150)。因為殘餘光阻PR’形成在如圖中所示之電晶體區域中的閘極絕緣膜16上，所以電晶體區域中之矽層14被區分為未摻雜雜質之第一區域14a以及摻雜雜質之第二區域14b。因此，只有第二區域14b被電極化。
另一方面，殘餘光阻PR’不存在電容區域中之閘極絕緣膜16上。因此，電容區域中之整個矽層14形成摻雜雜質之第二區域14b並且轉變成一電極。如將由後續描述，亦即第二區域14b之已摻雜之矽層形成一電容電極。
如上所述，根據本實施例之製造有機發光顯示裝置之方法，電晶體區域中之矽層14與電容區域中之矽層14係完全地/部分地在一單一摻雜程序中逐一形成在電極中。因此，可同時地形成半導體與電容電極。
此外，因為執行單一參雜程序，所以電晶體區域與電容區域可使用相同之雜質離子之加速電壓加以摻雜。特別地，因為只有單一閘極絕緣膜16形成在電晶體區域與電容區域中之矽層14上，所以可在不改變加速電壓下而同時摻雜電晶體區域中之矽層14與電容區域中之矽層14。
在本實施例之製造有機發光顯示裝置之方法中，在閘極電極20形成前摻雜矽層14。因此，在閘極電極20及/或源極與汲極電極24在後續程序形成後，為了改善接觸阻抗，在整個基板10上執行一退火程序。這使其不需要在矽層14之摻雜後為了減少矽層14之阻抗執行一額外之退火程序，藉此減少製程時間及成本。
參照第14圖，額外之閘極絕緣膜18更可形成在基板10中之整個區域上。額外之閘極絕緣膜18可由與閘極絕緣膜16相同之材料製成。額外之閘極絕緣膜18可避免在矽層14中之第一區域14a與第二區域14b及形成在額外之閘極絕緣膜18上的閘極電極20其中之一之間的短路。
參照第15圖，閘極電極20形成在額外之閘極絕緣膜18上。每一閘極電極20傳輸一閘極訊號以控制由每一像素之光發射。每一閘極電極20可為鋁或鋁合金之單層，例如鉻-鋁、鉬-鋁或鋁-釹，或鉻或鉬合金及堆疊在鉻或鉬合金上之鋁合金之多層結構。此外，每一閘極電極20可包含一或多個之氧化銦錫(ITO)、鉬、以及鋁。在第15圖中，每一閘極電極20形成為自底部依序堆疊之氧化銦錫-鉬-鋁-鉬之四層結構。
參照第16圖，一層間絕緣膜22形成在閘極電極20上。層間絕緣膜22使閘極電極20及源極與汲極電極24電性絕緣。就像緩衝層12，層間絕緣膜22可為氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)或氮氧化矽(SiO2Nx)之單層、或這些材料之多層結構。為了形成像素區域之開口部與為了形成源極與汲極電極24之接觸孔係形成在層間絕緣膜22之中。
參照第17圖，電性連接於矽層14中之已摻雜的第二區域14b之源極與汲極電極24係形成在層間絕緣膜22上。源極與汲極電極24係藉由形成在層間絕緣膜22中之接觸孔電性連接於矽層14。
源極與汲極電極24可由選自由鉬、鉻、鎢、鎢化鉬(MoW)、鋁、鋁-釹、鈦、氮化鈦(TiN)、銅、鉬合金、鋁合金、以及銅合金所組合之任一材料所製成。或者，源極與汲極電極24可為鉬-鋁-鉬之三層結構。
在源極與汲極電極24圖樣化後，像素區域(由第17圖之參考符號‘PIXEL’表示)之閘極電極材料及源極與汲極電極材料可被同時蝕刻。在此，除了形成在像素區域之透明電極之所有層可被蝕刻。
參照第18圖，定義像素區域(由第18圖之參考符號‘PIXEL’表示)之像素定義層26可形成在源極與汲極電極24之上。像素定義層26形成在整個基板10上以覆蓋電晶體與電容。暴露部分像素電極之孔洞形成在像素定義層26以定義像素區域。
參照第19圖，如上所述，矽層14可因殘餘光阻PR’被分為未摻雜雜質之第一區域14a與摻雜雜質之第二區域14b。當由基板之厚度方向觀察時，電晶體區域上第一區域14a之寬度L1可大於之閘極電極20之寬度L2。
當閘極電極20在摻雜程序後形成，且電晶體區域中之閘極電極20在閘極電極20之兩端上朝向第二區域14b之其中之一錯位時，會對電流特性有負面影響。因此，為了維持恆定之電流特性，即使在有輕微錯位的情況下，在電晶體區域上第一區域14a之寬度L1可大於之閘極電極20之寬度L2。
以下，根據本發明之另一實施例之製造有機發光顯示裝置之方法將參照至第20圖至第22圖而描述。第20圖至第21圖係依序為本發明之另一實施例之製造有機發光顯示裝置之方法之橫截面視圖。第22圖係為根據本發明之另一實施例之製造有機發光顯示裝置之方法之流程圖。
根據本發明之實施例之製造有機發光顯示裝置之方法包含形成矽層與閘極絕緣膜在具有像素區域、電晶體區域與電容區域之基板上(操作S210)，形成一半色調光阻在基板上(操作S220)，圖樣化矽層與閘極絕緣膜(操作S230)，藉由控制半色調光阻在一灰化製程中在該電晶體區域上留下部分半色調光阻以形成一殘餘光阻(操作S240)，藉由使用雜質在基板之整個區域上摻雜雜質在矽層之至少一部分(操作S250)，移除殘餘光阻(操作S260)，且在每一像素區域、電晶體區域、以及電容區域上形成包含透明電極材料-金屬-透明電極材料之三層電極(操作S270)。
本實施例與先前之實施例相同，取決於基板中之整個區域之雜質摻雜(操作S250)。然而，本實施例更包含移除殘餘光阻(操作S260)及在每一像素區域、電晶體區域與電容區域形成包含透明電極材料-金屬-透明電極材料之三層陽極電極(操作S270)。此外，除先前之實施例，本實施例更包含在形成三層陽極電極之前形成一額外之閘極絕緣膜在整個基板上。
根據先前之實施例，每一閘極電極20係為氧化銦錫-鉬-鋁-鉬之四層結構。然而，參照第20圖，本實施例之每一閘極電極20係為鉬-鋁-鉬之三層結構，且包含一透明電極材料-金屬-透明電極材料之三層陽極電極19形成在每一閘極電極20下。
構成陽極電極19之透明電極可包含選自由氧化銦錫、銦氧化鋅(IZO)、碳奈米管(carbon nanotubes)、導電聚合物(conductive polymer)與奈米線之一或多種材料。插設透明電極間之金屬可包含銀(Ag)。舉例來說，陽極電極19可包含氧化銦錫-銀-氧化銦錫。
殘留程序以如同第21圖所示之那些先前實施例相同方式來執行以產生有機發光顯示裝置。陽極電極19通過像素區域(由第21圖之參考符號‘PIXEL’表示)之孔洞暴露。包含銀層之陽極電極19形成一共振結構，藉此改善了本實施例之有機發光顯示裝置之視角特性。
根據本實施例之製造有機發光顯示裝置之方法中，可使用具有共振結構之陽極電極19，且可同時蝕刻電晶體區域與電容區域之矽層14。
當本發明之實施例已經特別地顯示及描述，在不背離如下申請專利範圍所定義之本發明之精神與觀念之下，多種形式及細節之變化可被該領域具有通常知識者了解。該些實施例應僅被視為描述性之意義而用以非限制之目的。
S110、S120、S130、S140、S150‧‧‧操作

Claims (24)

  1. 一種製造有機發光顯示裝置之方法，該方法包含下列步驟：形成一矽層在一基板上；形成一絕緣膜在該矽層上；形成一光阻掩模在該絕緣膜經選擇的區域上；使用該光阻掩模將該矽層和該絕緣膜圖案化，從而在該基板上形成一電晶體區域和一電容器區域，該電晶體區域和該電容器區域中的每個區域包括一圖案化的絕緣部分和一圖案化的矽部分；在去除該電容器區域上的整個該光阻掩模時，選擇性地去除留在該電晶體區域的一些該光阻掩模，以在該電晶體區域上形成一殘餘光阻；以及在實質上阻擋該電晶體區域位於該殘餘光阻下面的部分時，將雜質同時摻雜到該電晶體區域和該電容器區域中，其中該殘餘光阻為最初形成的該光阻掩模的一部分。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該有機發光顯示裝置包含：一半導體層，其係提供在該基板上，並由該電晶體區域的該圖案化的矽部分形成；一閘極電極，其係與該半導體層絕緣且形成在該半導體層上；以及一源極電極，其形成在該半導體層上且包含連接至該半導體層之一端點。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中形成在該電晶體區域的該光阻掩模包括一半色調光阻，該半色調光阻包含一下層與一上層之兩層，其中當由基板之厚度方向觀察時，該半色調光阻之該下層相較於其該上層寬。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中該殘餘光阻包含該半色調光阻之該上層。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該電晶體區域與該電容區域摻雜相同加速電壓之雜質離子。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該電容區域之該圖樣化的矽部分的整個部分轉變成為一電極。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該電晶體區域的該圖案化的矽部分，其未設置在該殘餘光阻下方的部分被轉變為電極。
  8. 一種製造有機發光顯示裝置之方法，該方法包含下列步驟：形成一矽層在一基板上；形成一絕緣膜在該矽層上；形成一光阻掩模在該絕緣膜經選擇的區域上；使用該光阻掩模將該矽層和該絕緣膜圖案化，從而在該基板上形成一電晶體區域和一電容器區域，該電晶體區域和該電容器區域中的每個區域包括一圖案化的絕緣部分和一圖案化的矽部分； 在去除該電容器區域上的整個該光阻掩模時，藉由使該光阻掩模經一灰化製程而選擇性地去除該電晶體區域的一些該光阻掩模，以在該電晶體區域上形成一殘餘光阻；以及在實質上阻擋該電晶體區域位於該殘餘光阻下面的部分時，將雜質同時摻雜到該電晶體區域和該電容器區域中，其中該殘餘光阻為最初形成的該光阻掩模的一部分。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該電晶體區域與該電容區域摻雜相同加速電壓之雜質離子。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該電容區域之該圖樣化的矽部分的整個部分轉變成為一電極。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該電晶體區域的該圖案化的矽部分，其未設置在該殘餘光阻下方的部分被轉變為電極。。
  12. 一種製造有機發光顯示裝置之方法，該方法包含下列步驟：形成一矽層在一基板上；形成一絕緣膜在該矽層上；形成一光阻掩模在該絕緣膜經選擇的區域上；使用該光阻掩模將該矽層和該絕緣膜圖案化，從而在該基板上形成一電晶體區域和一電容器區域，該電晶體區域和該電容器區域中的每個區域包括一圖案化的絕緣部分和一圖案化的矽部分； 在去除該電容器區域上的整個該光阻掩模時，選擇性地去除留在該電晶體區域的一些該光阻掩模，以在該電晶體區域上形成一殘餘光阻；以及在實質上阻擋該電晶體區域位於該殘餘光阻下面的部分時，將雜質同時摻雜到該電晶體區域和該電容器區域中，其中該殘餘光阻為最初形成的該光阻掩模的一部分；移除該殘餘光阻；以及依序形成一閘極電極、一層間絕緣膜、一源極電極與一汲極電極、以及一像素定義層。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該閘極電極係選自由包含氧化銦錫(ITO)、鉬(Mo)、以及鋁(Al)所組成之群組中其一或多個所製成。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該閘極電極係為氧化銦錫-鉬-鋁-鉬(ITO-Mo-Al-Mo)之四層結構。
  15. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該源極與汲極電極係由鉬與鋁之其一或多個所製成。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該源極與汲極電極係為鉬-鋁-鉬(Mo-Al-Mo)之三層結構。
  17. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該電容區域之該圖樣化的矽部分包含一未摻雜部分與一摻雜部分，其中該摻雜部分轉變為電極。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之方法，其中當由基板之厚度方向觀察時，該未摻雜部分較寬於設置在該電晶體區域上之該閘極 電極。
  19. 如申請專利範圍第12項所述之方法，更包含在形成閘極電極之前，形成一附加絕緣膜在整個該基板上
  20. 一種製造有機發光顯示裝置之方法，該方法包含下列步驟：形成一矽層在一基板上；形成一絕緣膜在該矽層上；形成一光阻掩模在該絕緣膜經選擇的區域上；使用該光阻掩模將該矽層和該絕緣膜圖案化，從而在該基板上形成一電晶體區域和一電容器區域，該電晶體區域和該電容器區域中的每個區域包括一圖案化的絕緣部分和一圖案化的矽部分；在去除該電容器區域上的整個該光阻掩模時，選擇性地去除留在該電晶體區域的一些該光阻掩模，以在該電晶體區域上形成一殘餘光阻；以及在實質上阻擋該電晶體區域位於該殘餘光阻下面的部分時，將雜質同時摻雜到該電晶體區域和該電容器區域中，其中該殘餘光阻為最初形成的該光阻掩模的一部分；移除該殘餘光阻；以及在每一該電晶體區域與該電容區域上，形成包含透明電極材料-金屬-透明電極材料之一三層陽極電極。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之方法，其中該三層陽極電極包含氧化銦錫-銀(Ag)-氧化銦錫。
  22. 如申請專利範圍第20項所述之方法，更包含在形成該三層陽極 電極之前，形成一附加絕緣膜在整個該基板上之步驟。
  23. 如申請專利範圍第20項所述之方法，更包含形成一閘極電極在該三層陽極電極上之步驟。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之方法，其中該閘極電極係為氧化銦錫-鉬-鋁-鉬之四層結構。
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