CN102591170A

CN102591170A - 采用辐射式加热器的热处理器

Info

Publication number: CN102591170A
Application number: CN2011103941130A
Authority: CN
Inventors: R·R·布里里; J·T·奥尔森; K·R·斯特鲁布尔
Original assignee: Eastman Kodak Co
Current assignee: Eastman Kodak Co; Carestream Health Inc
Priority date: 2010-11-24
Filing date: 2011-11-23
Publication date: 2012-07-18
Anticipated expiration: 2031-11-23
Also published as: EP2458439A3; JP2016137712A; JP5873691B2; US8660414B2; EP2458439B1; US9372390B2; US20120128335A1; CN102591170B; US20140126895A1; EP2458439A2; JP2012111233A

Abstract

提供了一种热处理器，包括：可旋转空心鼓，其包括鼓芯，所述鼓芯具有内表面和外表面；以及辐射式加热器，其位于所述鼓的内部内并且被配置为提供辐射能量以加热所述鼓，其中，鼓的内部的至少一个辐射能量吸收特性在其整个纵向宽度W_d上是变化的以使鼓的内部的选定区域比鼓的内部的其它区域吸收更多的辐射能量，从而补偿来自鼓的非均匀热损失并且将鼓芯的外表面设置于在鼓芯的整个纵向宽度上基本均匀的期望温度处。

Description

采用辐射式加热器的热处理器

相关申请的交叉引用

要求于2010年11月24日提交的由Robert R.Breary等人共同转让的题为“THERMAL PROCES SOR UTILIZING RADIANT HEATER”的美国临时专利申请系列No.61/416,826的优先权，该申请的内容通过引用并入本申请中。

技术领域

本发明一般涉及成像装置，并且更特别地涉及采用辐射式热源对成像材料进行热显影的热处理器。

背景技术

感光式光热照相胶卷或热敏胶卷通常包括基底材料，例如薄的聚合物或纸张，在其一面上通常涂有的热敏材料的乳化剂，诸如干式银盐。一旦该胶卷已经经过光刺激而在其上面形成潜像，诸如经由激光成像器的激光，采用热处理器通过施加热对潜像进行显影。通常，在120度摄氏度附近的温度对这种胶卷进行处理或显影所需的显影时间，为了生成高质量的显影图像，在显影过程中必须对光热照相胶卷的热传递进行控制。如果在显影过程中热传递不均匀，则可能出现视觉伪迹，例如非均匀密度和条纹。如果热传递太快，则一些类型的胶卷的基底会膨胀得太快，产生在显影图像中形成视觉伪迹的膨胀褶皱。

为了实现在显影过程中实现向光热照相胶卷的最优热传递，已经开发出多种图像处理机来对光热照相胶卷进行热处理。一种类型的热处理器被通称为鼓型处理器，其在处理过程中采用旋转式加热鼓以便其绕着鼓的圆周的至少部分缠绕时将热传递到胶卷。一种类型的鼓型处理器采用通过与鼓的内表面耦合的电热毯加热器进行加热的鼓以及关于鼓的外周的部分定位的多个压力辊。在显影过程中，鼓的旋转拉延鼓和压力辊之间的光热照相胶卷，压力辊通常保持胶卷的乳剂面与鼓相接触。由于胶卷在经过处理器时绕着鼓的外周的至少部分缠绕，热能从鼓传递到胶卷，从而加热胶卷并且在期望显影时间内将胶卷保持在期望显影温度处。

然而，在处理器工作期间，来自鼓的热损失是不均匀的，如果不对其进行补偿，则会导致显影胶卷中出现视觉伪迹。例如，在空闲时间内(当不处理胶卷时)，与在鼓的中部相比在鼓的端附近热损失更快。相反地，在处理期间，因为胶卷具有小于鼓的宽度的宽度，在热传递到胶卷时，从鼓的中部损失的热比从鼓的端处损失的热多。为了在鼓的整个宽度上总是保持均匀的温度，一些仅具有单个区域的电热毯式加热器被配置为具有变化的瓦特-密度，从而与鼓中部相比在鼓端部处提供更多的热能(例如，端对中部的瓦特-密度)。其它电热毯式加热器采用多个分别可控的热区域，控制这些热区域以便在空闲时间期间向鼓的端部提供更多的热并且在处理期间向中部提供更多的热。

尽管电热毯式加热器可以在处理期间和空闲时间期间在鼓的整个宽度上有效地保持均匀的温度，相对于图像处理器的成本，电热毯式加热器总体上是昂贵的，尤其是低容量处理器(即，希望在具有低容量胶卷处理需求的环境中使用的处理器)。根据上述情况，对于在处理期间提供均匀胶卷加热的成本效益好的光热照相胶卷处理器存在需求。

发明概述

本发明的目的是提供采用通过辐射式加热器进行加热的鼓以便对光热照相胶卷进行热显影的处理器。

本发明的另一目的是补偿来自鼓的非均匀热损失，以使鼓的外表面的显影温度在鼓的整个纵向宽度以及围绕鼓的周边是基本均匀的。

这些目的仅通过示例性实施例的方式给出，并且这些目的可以为本发明的一个或多个实施方案的示例。对于本领域技术人员而言，公开的发明本身所能实现的其它可取目标和优点可能存在或者显而易见。本发明由随附的权利要求限定。

根据本发明的一个方案，提供热处理器，其包括：可旋转空心鼓，其包括鼓芯，所述鼓芯具有内表面和外表面；以及辐射式加热器，其位于所述鼓的内部并且被配置为提供辐射能量以加热鼓。鼓的内部的至少一个辐射能量吸收特性在鼓的整个纵向宽度上是变化的以使鼓的内部的选定区域比鼓的内部的其它区域吸收更多的辐射能量，从而补偿来自鼓的非均匀热损失并且将鼓芯的外表面设置在在鼓芯的整个纵向宽度上基本均匀的期望温度处。

根据本发明的一个方案，至少一个辐射能量吸收特性为鼓芯的内表面的辐射系数，并且其中，鼓芯的内表面的辐射系数在鼓芯的整个横向宽度上是变化的。

根据本发明的一个方案，相对于鼓芯的内表面的中部，辐射系数在鼓芯的内表面的端部处较大。

根据本发明的一个方案，至少一个辐射能量吸收特性为鼓芯的内表面的表面积，并且其中，在所述内表面的每单位长度内的表面积在鼓芯的整个纵向宽度上是变化的。

根据本发明的一个方案，提供操作用于对光热照相胶卷进行热显影的热处理器的方法。所述方法包括：将辐射式加热器定位在可旋转空心鼓的内部内的辐射式加热器，所述辐射式加热器提供辐射能量以加热空心鼓；以及修改空心鼓的内表面的辐射能量吸收特性以使鼓的内表面的选定区域比鼓的内表面的其它区域吸收更多的辐射能量，从而补偿来自空心鼓的非均匀热损失以使空心鼓的外表面具有在鼓的整个纵向宽度上基本均匀的温度。

根据本发明的一个方案，提供用于对光热照相胶卷进行热显影的热处理器，所述热处理器包括：可旋转空心鼓，其包括鼓芯，所述鼓芯具有内表面和外表面；辐射式加热器，其位于所述鼓的内部内并且被配置为提供辐射能量以加热鼓；以及温度传感器，其安装到所述鼓芯的内表面的中部的周边并且围绕所述鼓芯的内表面的中部的周边延伸并且具有彼此偏移且彼此重叠的相对端，其中，温度传感器被嵌置在绝缘材料内，并且其中，所述绝缘材料朝向所述鼓芯的内部具有外涂层，所述外涂层具有比鼓芯的中部的内表面的辐射系数小的辐射系数。

通过在其整个纵向宽度上非均匀地加热鼓芯以便补偿来自鼓芯的非均匀热损失，在鼓的外表面的整个纵向宽度上基本达到了均匀的温度，从而当对光热照相胶卷片材进行热显影时在片材的整个宽度上均匀地处理光热照相胶卷(即，横向卷材处理(cross-web processing)是均匀的)。此外，通过围绕其周边精确地测量鼓的温度，能够精确地控制鼓的周边温度以使得沿其长度均匀地处理光热照相胶卷(即，向下卷材处理(down-webprocessing)是均匀的)。

附图说明

本发明的前面的和其它的目的、特征和优点将从下面对如附图中阐述的本发明的实施方案的更加特别的描述变得显然。附图中的元件不一定相对于彼此成比例。

图1示出了大概展示根据本公开的实施方案采用辐射式热源的成像装置的框图。

图2示出了根据一个实施方案展示图1的鼓型处理器的部分的横向剖视图。

图3示出了根据一个实施方案总体示出图2的鼓型处理器并且大概展示了辐射式加热器对鼓芯进行加热的纵向剖视图。

图4示出了显示图2的鼓型处理器的部分的纵向剖视图并且大概展示了当在空闲模式下工作时鼓型处理器的热流。

图5示出了显示图2的鼓型处理器的部分的纵向剖视图并且大概展示了当在处理模式下工作时鼓型处理器的热流。

图6示出了显示图2的鼓型处理器的部分的纵向剖视图并且大概展示了根据本公开的实施方案的温度补偿技术，并且大概展示了当在空闲模式下工作时鼓型处理器的热流。

图7示出了根据一个实施方案在鼓芯内的温度传感器。

图8示出了根据一个实施方案图7的温度传感器和鼓芯的剖视图。

发明详述

图1为大概展示具有热处理器的成像装置30的实施例的方框示意图，所述热处理器采用了根据本申请的实施方案的辐射式加热器。成像装置30包括介质供给系统32、曝光系统34、处理系统36和输出系统38。根据本文更加详细描述的实施方案，处理系统36包括鼓型处理器40，所述鼓型处理器采用用于对光热照相胶卷进行热处理的辐射式加热器42。

在工作时，介质供给系统32将来自例如胶卷暗盒的未经曝光的光热照相胶卷(例如，胶卷44)沿着传送路径46提供给曝光系统34。曝光系统34基于图像数据(例如，数字数据或模拟数据)在胶卷44上对期望的照相图像进行曝光以在胶卷44上形成期望照相图像的潜像。在一个实施方案中，曝光系统34经由激光成像器对期望的照相图像进行曝光。处理系统36接收来自曝光系统34的经曝光胶卷44，并且鼓型处理器40使用由辐射式加热器42提供的热能来加热经曝光胶卷44以对潜像进行热显影。处理系统36随后冷却经显影胶卷44并且沿着传送路径46将经显影胶卷44传递到输出系统38(例如，输出托盘或分离器)以便由用户取得。

图2为展示根据一个实施方案的鼓型处理器40的部分的横向剖视图，鼓型处理器40包括可旋转处理器鼓50，可旋转处理器鼓50具有鼓芯52，鼓芯52具有内表面53和外表面54，并且使辐射式加热器42沿着处理器鼓50的纵向旋转轴线51位于其内部内。辐射式加热器42被配置为经如箭头56所示的辐射热能提供给鼓芯52的内表面53，从而加热鼓芯52并且将鼓芯52的外表面保持在胶卷44的期望显影温度处。根据一个实施方案，鼓芯52的外表面54具有涂层58(由加粗线表示)，例如，硅橡胶。多个压力辊60沿着鼓芯52的部分按圆周方向排布并且被构造为在胶卷显影过程中保持胶卷44与鼓芯52的涂层58相接触。

根据一个实施方案，鼓型处理器40包括上盖62和下盖64，上盖62和下盖64与处理器鼓50和压力辊60分隔开并且限定入口导件68所定位的入口66和出口导件72所定位的出口70。在工作期间，鼓型处理器40被驱动以便沿着如方向性箭头74所示的方向旋转。沿着传送路径46从曝光系统34(参见图1)接收其上有曝光潜像的一片经曝光胶卷44，并且入口导件68将所述经曝光胶卷44引导到处理器鼓50。然后，经曝光胶卷44在涂层58和压力辊60之间被拉延并且围绕处理器鼓50的外部的部分沿着传送路径46被传送，此时，在经由出口导件72引导而从出口70出去之前，通过经由涂层58吸收来自鼓芯52的热能将胶卷加热到期望显影温度并且在期望时间内保持期望显影温度。然后，沿着传送路径46将经显影胶卷44引导到输出系统38(参见图1)。

根据一个实施方案，如下文更加详细描述，鼓型处理器40包括位于处理器鼓50内部的温度传感器80以及控制器82。根据一个实施方案，温度传感器80安装到鼓芯52的内表面53。在处理器40工作期间，控制器82接收来自温度传感器80的温度信号84并且通过控制信号86来控制辐射式加热器42，以将外表面54和涂层58的温度保持在期望温度(例如，胶卷44的显影温度)。根据一个实施方案，控制器82通过使辐射式加热器“接通”和“关断”来控制由辐射式加热器42提供的辐射热能56的量。

如上所述，常规的鼓型热处理器通常采用安装到鼓芯的内表面的电热毯式加热器，其中，电热毯式加热器设有具有不同功率密度的区域或单独可控的区域，从而精确地施加热并且补偿来自鼓的非均匀热损失(例如，在空闲时间期间鼓的端部处的更多的热损失，以及在胶卷处理期间内来自鼓的中央部分的更多的热损失)。如下面要描述的，诸如辐射式加热器42的辐射型加热器本身不易于提供这样精确的加热控制。

图3为示出根据一个实施方案的鼓型处理器40的部分的纵向剖视图，并且大概展示了通过辐射式加热器42对鼓芯52的加热。图3展示了辐射能量的单条射线56沿着辐射式加热器42的长度从单个点被射出。根据一个实施方案，如下文更加详细描述，辐射式加热器42包括沿着处理器鼓50的旋转轴线定位并且从处理器鼓50的一端延伸到另一端的直线式加热器。鼓芯52从与射线56最初接触所吸收的能量的量取决于鼓芯52的辐射系数。材料的辐射系数被定义为其表面通过辐射发射能量的相对能力并且为特定材料所辐射的能量与处于相同温度的黑色体所辐射的能量的比值。辐射系数为“0”的材料是完全反射的，而辐射系数为“1”的材料是完全吸收的。

如图3所示，如果鼓芯52的内表面53具有0.5的辐射系数并且由辐射式加热器42发射的射线56具有Q＝1的能量水平，则鼓芯52将在第一位置处吸收50％的热能并且以具有Q＝0.5的能量水平的第一反射射线的形式反射50％，依次，其50％的能量在第二位置处被鼓芯52吸收并且以具有Q＝0.25的能量水平的第二反射射线的形式反射50％，依次，其50％的能量在第三位置处被鼓芯52吸收并且以具有Q＝0.125的能量水平的第三反射射线的形式反射50％，依次，其50％的能量在第四位置处被鼓芯52吸收并且以具有Q＝0.063的能量水平的第四反射射线的形式反射50％，以此类推，直到最终鼓芯52吸收最初射线的所有能量。再者，注意到图3仅展示了由辐射式加热器42发射的辐射能量的单条射线并且辐射式加热器42在沿其整个长度的所有角度处发射辐射能量。

尽管与电热毯式加热器相对比辐射能量以这种方式的反射趋于沿着既定圆周基本均匀地加热鼓芯52，但是难以精确地控制来自辐射式加热器42的辐射能量被引导到确切位置。如下文更加详细描述，难以在鼓芯52的整个纵向宽度上将鼓芯52的端部和中部保持在相同温度处。

图4为示出鼓型处理器40和处理器鼓50的部分的纵向剖视图并且大概展示了当在空闲模式下工作时鼓型处理器40的热流，其中辐射式加热器42正在将辐射能量提供给旋转的处理器鼓50，但是未处理胶卷。为了易于阐述，注意到在图4中仅示出了处理器鼓50在旋转轴线51上方的上半部。在图4中，Q1表示从辐射式加热器42经由内表面53进入鼓芯52的热能或热流。Q2和Q3分别表示从鼓芯52的中部88和端部89a、89b到外界环境(例如，鼓型处理器40所定位的房间内的空气)热流。如图4所示，当在空闲模式下工作时，Q2和Q3基本相等。Q4表示从鼓芯52经由安装到鼓芯52的端部89a、89b的端帽90a、90b到外界环境的热流。另外，Q5表示通过辐射式加热器42提供给端帽90a、90b的热流，并且Q6表示从端帽90a、90b到外界环境的热流。

注意的是，根据一个实施方案，端帽90a、90b由热塑性材料形成并且用作处理器鼓50绕其旋转的毂或小齿轮。根据一个实施方案，辐射式加热器42的端安装到端帽90a、90b上。在一个实施方案中，辐射式加热器42经由刷型连接器或滑动型连接器与外部电源电连接，使得辐射式加热器42与鼓芯52和端帽90a、90b一起旋转。在一个实施方案中，辐射式加热器42经由刷或轴承型连接器与端帽90a、90b耦合，使得辐射式加热器42在鼓芯52和端帽90a、90b旋转期间保持静止。

图5为示出鼓型处理器40和处理器鼓50的部分的纵向剖视图并且大概展示了当在处理模式下工作时鼓型处理器40的热流，其中辐射式加热器42正在提供辐射能量给旋转的处理器鼓50，并且经曝光胶卷44正在被处理。如图4所示，Q1表示从辐射式加热器42经由内表面53进入鼓芯52的热能或热流，Q3表示从鼓芯52的端部89a、89b经由外表面54到外界环境的热流，Q4表示从鼓芯52经由端帽90a、90b到外界环境的热流，Q5表示通过辐射式加热器42提供给端帽90a、90b的热流，并且Q6表示从端帽90a、90b到外界环境的热流。然而，在处理模式下，Q2表示通过胶卷44吸收以用于对其上的潜像进行热显影以及传送到外界环境的热流。如图5所示，当在处理模式下工作时，由于胶卷44经由外表面54在端部89a、89b处吸收的热多于损失到环境中的热，因此Q2的量级大于Q3的量级。

参照上述图4和图5，在鼓型处理器40的空闲模式期间(参见图4)，因为经由来自外表面54的热流Q3以及来自端帽90a、90b的热流Q4使得热从鼓芯52的端部89a、89b损失，从鼓芯52的端部89a、89b损失的每单位表面积内的热量趋于比从中部88损失的每单位表面积内的热量大。在鼓型处理器40的处理模式期间(参见图5)，从鼓芯52的中部88损失的热Q4的量相对于当不存在胶卷44时的空闲状态上升。如果不进行补偿，在鼓芯52的整个宽度Wd上的热流的这些相对变化会引起温度变化，温度变化会导致胶卷的非均匀横向卷材处理，这可能不利地影响显影胶卷的图像特性(例如，不正确的图像密度)。

如果不进行补偿，在鼓芯52的整个宽度Wd上的热流的这些相对差别和变化会引起中部88和端部89a、89b之间的温度差，这依次会导致在胶卷44的整个宽度(W)上的非均匀热传递(参见图1)并且在显影胶卷44中生成不正确的图像密度。根据该过程在既定时间内显影的胶卷的容量，尤其关注在空闲模式期间鼓芯52的端部89a、89b和中部88之间的热流的差。例如，对于低容量处理器(例如，与显影180个胶卷/小时的高容量处理器相对比，每小时显影少于70个胶卷、约40个胶卷/小时、或者甚至更少的处理器)，该条件会导致胶卷44的横向边缘相对于胶卷44的中部欠显影(即，较暗)。虽然如上所述在处理模式期间鼓芯52的中部88趋于比端部89a、89b损失更多的热(这样会导致经过一段时间中部88的温度相对于端部89a、89b变得较冷)，由于为了达到这样的条件通常不接连地处理足量的胶卷，该情形不像低容量成像装置那样令人担心。

图6为示出鼓型处理器40和处理器鼓50的部分的纵向剖视图，并且展示了根据本公开的技术，该技术用于改变处理器鼓50的内部的一个或多个辐射能量吸收特性从而补偿来自鼓的非均匀热损失并且将鼓芯的外表面设置在在鼓芯的整个纵向宽度上基本均匀的期望温度处。下面的等式I表示从诸如辐射式加热器42的辐射式热源(点“A”)到诸如鼓芯52的接收表面(点“b”)的热传递Q的量。

等式I

Q＝s*e*F_ab*A*(T_a ⁴-T_b ⁴)；

其中

Q＝热(瓦特)，

s＝斯蒂芬-玻尔兹曼常数，

A＝表面积；

F_ab＝基于A从点“a”到点“b”的视因数；

T_a＝点“a”处的温度；以及

T_b＝点“b”处的温度。

根据一个实施方案，参照图6，鼓芯52的内表面53的辐射系数在其端帽90a和90b之间的纵向宽度上是变化的。根据一个实施方案，对端部89a和89b处的内表面53进行处理，如92处的粗线所示，从而具有比中部88处的内表面53的辐射系数大的表面辐射系数。例如，根据一个实施方案，使用涂层92对在端部89a、89b处的内表面53进行处理从而具有0.8的辐射系数，而在中部88处的内表面53具有0.4的辐射系数。参照等式I，该处理使得相对于中部88在鼓芯52的端部89a、89b处的每单位面积内要增加或吸收约两倍的热能的量。根据一个实施方案，鼓芯52包括铝，并且对端部89a、89b的内表面进行阳极化处理以具有相对于中部88较高的辐射系数。尽管涂层或处理92显示在鼓芯52的一个端部处，即为端部89a，注意的是当采用时涂层或处理92施加到两个端部89a和89b。

尽管要求可根据热屏蔽件96a、96b的反射系数/辐射系数以及鼓芯52的导电系数而变化，根据一个实施方案，端部89a、89b的辐射系数在比鼓芯52的中部88大2至4倍的范围内。根据一个实施方案，中部88具有0.4的辐射系数，而端部89a、89b具有0.8的辐射系数。根据一个实施方案，端部89a、89b的辐射系数在从0.1至0.9的范围内。根据一个实施方案，端部89a、89b的辐射系数比鼓芯52的中部88的辐射系数大，使得端部89a、89b吸收的辐射能量为在中部88处吸收的辐射能量的约三倍。

根据一个实施方案，端部89a、89b中的每个的宽度在从鼓芯52的宽度W_d的百分之五至百分之十的范围内。例如，根据该实施方案，当鼓芯52具有16英寸的宽度W_d时，端部89a、89b中的每个的宽度将在约0.75英寸至1.5英寸的范围内。根据一个实施方案，端部89a、89b中的每个的宽度在鼓芯52的宽度W_d的约百分之五至百分之十五的范围内。例如，根据该实施方案，当鼓芯52具有400毫米的宽度W_d时，端部89a、89b中的每个的宽度将在大约20毫米至60毫米的范围内。根据一个实施方案，选择端部89a、89b中的每个的宽度以与在鼓芯52上处理的最大宽度胶卷的每个边缘重叠大约25毫米。

根据一个实施方案，内表面53的每单位长度内的表面积在鼓芯52位于端帽90a和90b之间的整个纵向宽度上是变化的。根据一个实施方案，对端部89a、89b处的内表面53进行挖槽，如94处所示，使得在鼓芯52的整个纵向宽度上每单位长度内的表面积在端部89a、89b处比在中部88处较大。由于增大的表面积，在鼓芯52的端部89a、89b处的内表面53将在每单位长度内比中部88吸收更多的辐射能量。例如，参照等式I，如果由于槽94的增加使得端部89a、89b的每单位长度内的表面积为中部88的每单位长度内的表面积的两倍，则相对于中部88在鼓芯52的端部89a、89b处每单位长度内将吸收约两倍量的热能。再者，尽管槽94显示为位于鼓芯52的一个端部89b处，注意的是当采用时槽94施加到两个端部89a和89b。

参照图4和图5，注意的是通过端帽90a、90b从辐射式加热器42吸收的热流Q5由于被引导到外界环境而不加热鼓芯52而被基本浪费掉，如热流Q6所示。返回图6，根据一个实施方案，热屏蔽件96a和96b在鼓芯52和端帽90a、90b之间分别与鼓芯52的端部耦合，并且位于辐射式加热器42和端帽90a、90b之间从而将来自辐射式加热器42的辐射能量引导远离端帽90a、90b到达鼓芯52的端部89a、89b，并且因此增加了在端部89a、89b处吸收的辐射能量的量。根据一个实施方案，热屏蔽件96a、96b包括具有低辐射系数表面的铝。另外，尽管在图6中显示为平面型的，根据其它实施方案，热屏蔽件96a、96b可被设计形状或成角度以便更好地引导辐射能量远离端帽90a、90b而到达鼓芯52的端部89a、89b。根据一个实施方案，热屏蔽件96a、96b包括导电性强的材料，除了具有用于将辐射能量重新引导到端部89a、89b的低辐射系数之外，该材料使得热能够从热屏蔽件96a、96b传导到端部89a、89b。

通过采用上述单独或一个或多个彼此相结合来改变鼓50的内部的一个或多个辐射能量吸收特性的技术，另外的辐射能量被引导到鼓芯52的端部89a、89b并且由鼓芯52的端部89a、89b吸收。如图6所示，Q1表示从辐射式加热器42进入鼓芯52的中部88的热能或热流，并且Q1-1表示进入鼓芯52的端部89a、89b的热能或热流。如图6所示，该图示出了当在空闲模式下工作时鼓型处理器40的热流，如图4中所示相比较，进入鼓芯52的端部89a、89b的热流Q1-1比进入鼓芯52的中部88的热流Q1大，这样补偿了从端帽90a、90b损失的热流Q5，使得外表面54(或者如果使用涂层58)的温度在鼓芯52的整个纵向宽度W_d上基本均匀。通过在鼓芯52的外表面54的整个纵向宽度W_d上提供基本均匀的温度，当对一片胶卷44进行热显影时，在整个片材上均匀地处理胶卷44，使得胶卷44的所谓的横向卷材处理或显影基本均匀，从而减少或消除经显影胶卷44中的视觉伪迹。

尽管上述内容主要是关于改变鼓芯52的内部的辐射能量吸收特性(例如，辐射系数)以便实现均匀的横向卷材处理，同样重要的是，在对胶卷44进行显影时实现均匀的向下卷材处理(即，在围绕鼓芯52的圆周的方向上)。根据一个实施方案，为了实现均匀的向下卷材处理，鼓芯52的内部的辐射系数水平保持在足够低的水平处以使辐射能量反射或“散射“鼓，使得辐射能量围绕鼓芯52的径向圆周均匀地分布(例如，参见图3)。注意的是，将鼓芯的内部的辐射系数水平保持在这样的水平还有助于降低由于鼓芯内的布线(例如，用于辐射式加热器42和温度传感器80)引起的“阴影效应”的可能性，这些布线会阻挡来自辐射式加热器42的辐射能量并且在鼓芯52的内部形成“阴影”，这会在鼓芯52中形成“冷点”并且产生图像伪迹。

根据一个实施方案，为了实现胶卷的均匀的向下卷材热处理，鼓芯52由铝制成，铝具有围绕鼓芯52的表面均匀地传导并分布热的期望热传递特性。用于实现均匀的向下卷材处理的另一技术是精确地监测鼓芯52的周边周围的温度并且基于这些测量结果来调节提供给辐射式加热器42的功率。

图7为大概展示围绕鼓芯52的内周布置的温度传感器80的图，该传感器为所谓的“全圈(full-ring)”温度传感器，其被配置为测量鼓芯52的温度。温度传感器80的长度大于鼓芯52的内周长，并且温度传感器80被定位为使得端102和104彼此偏移且彼此重叠。通过以这种方式重叠，温度传感器80能够测量鼓芯52的整个圆周周围的温度。根据一个实施方案，温度传感器80包括RTD温度传感器。

图8为通过温度传感器80和鼓芯52的部分的剖视图。温度传感器80被嵌置在绝缘材料106内。根据一个实施方案，绝缘材料106在温度传感器80和鼓芯52之间的厚度T₁比绝缘材料106在温度传感器80的朝向侧上的厚度T₂薄。在温度传感器80的内侧上的较厚绝缘材料106减弱了来自鼓芯52内部的加热空气的到温度传感器80的热对流和热传导，否则加热空气将使由温度传感器80提供的鼓芯52的温度测量结果偏斜。

温度传感器80和绝缘材料106可阻挡辐射能量被鼓芯52吸收并且围绕鼓芯52的圆周形成“冷”圈，这样可能会在经显影胶卷中形成图像伪迹。因此，应当保持温度传感器80和绝缘材料106的宽度W尽可能窄，而宽度W取决于鼓芯52的厚度T_d。根据一个实施方案，温度传感器80和绝缘材料106的宽度W必须不大于鼓芯52的厚度T_d的两倍。

根据一个实施方案，绝缘材料106被覆有低辐射系数外涂层108，以将温度传感器80与来自辐射式加热器42的辐射能量屏蔽，否则这些辐射能量也使由温度传感器80提供的鼓芯52的温度测量结果偏斜。根据一个实施方案，外涂层108为铝箔。根据一个实施方案，外涂层108的辐射系数低于鼓芯52的相邻内表面的辐射系数。例如，根据一个实施方案，鼓芯52的中部88中的内表面具有0.4的辐射系数，而外涂层108具有0.2的辐射系数。通过采用如上所述的温度传感器80，在鼓芯52的整个圆周周围可以获得精确的温度测量结果。能够基于这些温度测量结果来调节提供给辐射式加热器42的功率，从而调节所提供的辐射能量的量并且在其整个圆周周围将鼓芯52保持在期望温度处，从而提高胶卷的向下卷材处理的均匀性。

已经特别地结合本发明的一些优选实施方案详细描述了本发明，但是将理解的是，可以在本发明的精神和范围内实现变型和改进。

Claims

1.一种热处理器，包括：

可旋转空心鼓，其包括鼓芯，所述鼓芯具有内表面和外表面；以及

辐射式加热器，其位于所述鼓的内部内并且被配置为提供辐射能量以加热所述鼓，其中，所述鼓的所述内部的至少一个辐射能量吸收特性在其整个纵向宽度上是变化的以使所述鼓的所述内部的选定区域比所述鼓的所述内部的其它区域吸收更多的辐射能量，从而补偿来所述鼓的非均匀热损失并且将所述鼓芯的所述外表面设置于在所述鼓芯的整个纵向宽度上基本均匀的期望温度处。

2.如权利要求1所述的热处理器，其中，所述至少一个辐射能量吸收特性包括所述鼓芯的所述内表面的辐射系数，并且其中，所述鼓芯的所述内表面的所述辐射系数在所述鼓芯的整个横向宽度上是变化的。

3.如权利要求1所述的热处理器，其中，所述至少一个辐射能量吸收特性包括所述鼓芯的所述内表面的表面积，并且其中，所述内表面的每单位长度的所述表面积在所述鼓芯的整个纵向宽度上是变化的。

4.如权利要求1所述的热处理器，其中，所述鼓包括与所述鼓芯的横向端耦合的端帽，并且其中，反射屏蔽件被耦合在所述鼓芯和所述端帽之间并且位于所述辐射式加热器和所述端帽之间，以便将来自所述端帽的辐射能量引导到所述鼓芯的所述端部。

5.如权利要求1所述的热处理器，其中，每个所述端部沿所述鼓芯的纵向的宽度在约为所述鼓芯沿所述纵向的所述宽度的百分之五至百分之十五的范围内。

6.如权利要求1所述的热处理器，进一步包括温度传感器，所述温度传感器安装到所述鼓芯的所述中部的所述内部的周边并且围绕所述鼓芯的是中部的所述内部的所述周边延伸，其中，所述温度传感器涂有具有比所述鼓芯的所述中部的所述内表面的辐射系数小的辐射系数的材料。

7.一种用于对光热照相胶卷进行热显影的热处理器，包括：

可旋转空心鼓，其包括鼓芯，所述鼓芯具有内表面和外表面；

辐射式加热器，其位于所述鼓的内部内并且被配置为提供辐射能量以加热所述鼓；以及

温度传感器，其安装为围绕所述鼓芯的所述内表面的中部的周边延伸并且具有彼此偏移且彼此重叠的相对端，其中所述温度传感器被嵌置在绝缘材料内，并且其中，所述绝缘材料朝向所述鼓芯的所述内部具有外涂层，所述外涂层具有比所述鼓芯的所述中部的内表面小的辐射系数。

8.如权利要求7所述的热处理器，其中，所述温度传感器和所述鼓芯的所述内部之间的所述绝缘材料的厚度至少为所述温度传感器和安装有所述温度传感器的所述鼓芯的所述内表面之间的所述绝缘材料的厚度的两倍。

9.如权利要求7所述的热处理器，其中，所述温度传感器和所述绝缘材料沿所述鼓芯的纵向的宽度不大于所述内表面和所述外表面之间的所述鼓芯的厚度的两倍。

10.如权利要求7所述的热处理器，其中，所述绝缘材料朝向所述鼓的所述内部的表面为弧的形式以便将辐射能量反射而远离所述温度传感器。