CN102583349B - 一种石墨烯网的制备方法 - Google Patents
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- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 45
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 claims abstract description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 claims abstract description 4
- -1 polydimethylsiloxane Polymers 0.000 claims abstract description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 10
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 claims description 9
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 claims description 9
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 2
- 235000019395 ammonium persulphate Nutrition 0.000 abstract 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract 1
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
本发明是一种石墨烯网的制备技术,包括以下两个部分:1.石墨烯网的成型:以铜网为模版,做成所需的石墨烯网形状,放入石英管中,在950-1000℃下通过化学气相沉积法制备出包覆于铜网模版表面的石墨烯;2.石墨烯网的转移:将覆有石墨烯的铜网贴在聚二甲基硅氧烷(PDMS)表面,并用平整的玻璃片压平。放入铜腐蚀剂(如过硫酸铵(NH4)2S2O8)中去除铜,清洗后可得到覆在PDMS上的石墨烯网。将PDMS/石墨烯网紧贴在硅片上,在80-90℃的烘烤下,在PDMS上施加1-2kg的压力,保持30-40min,撕除PDMS后就可得到转移在硅片上的石墨烯网。
Description
技术领域
本发明属于材料科学技术领域,是一种石墨烯网的制备技术。
背景技术
石墨烯网兼具石墨烯及其微纳结构的复合特性,在电子、微波、生物传感和检测等领域可能具有优异的性能和广阔的应用。 本技术采用成熟的化学气相沉积法制备石墨烯的技术,以铜网为模板,制备出不同规格,而且导电、透明、易于操控的石墨烯网。
发明内容
技术问题:本发明以铜网为模板,采用化学气相沉积在铜网上沉积石墨烯,制得网状的石墨烯,避免了在一般石墨烯膜表面刻蚀切割网状形貌的石墨烯。并且能得到网孔大小可控,透明导电的石墨烯网。
技术方案:本发明的石墨烯网的制备方法包括以下工艺步骤:
A. 制备:以所需规格的铜网为模版,将此模版结构放入化学气相沉积腔中的恒温区段,密封石英管,抽真空于10-15Pa,通入Ar气;然后在H2、Ar气氛中加热到950-1000℃,并保温30-40分钟,然后在CH4和H2气氛下生长石墨烯5-15min,最后在H2、Ar气氛下原位退火并冷却到室温;
B. 转移:
1)制备聚二甲基硅氧烷PDMS-石墨烯网贴片:将生长后的铜网贴在平整的PDMS表面,用玻璃片压平,放入过硫酸铵溶液中,将铜去除,然后在去离子水中清洗干净,即得到PDMS-石墨烯网贴片;
2)转移铜网至硅片上,将PDMS-石墨烯网粘贴到硅片上,放在加热台上,加热台温度设为80℃,在PDMS上施加1-2千克的压力,保持30-40min,将PDMS揭开,石墨烯网就转移到硅片上。
有益效果:采用本发明方法,可以有效制备出不同网状形貌、导电、透明、洁净的石墨烯网。
具体实施方式
实例1
以铜网为模板制备出石墨烯网:
1. 将铜网置于化学气相沉积设备中的石英管中的恒温区段,密封石英管,抽真空于10-15Pa,通入Ar气。然后在H2、Ar气氛中加热到950-1000℃,并保温30-40分钟,再在CH4和H2气氛下生长3-5min,最后在H2、Ar气氛下原位退火并冷却到室温,制备石墨烯网。
2. 制备聚二甲基硅氧烷PDMS-石墨烯网贴片。将生长后的铜网贴在平整的PDMS表面,用玻璃片压平,放入过硫酸铵溶液中(漂浮于液面),将铜去除,然后在去离子水中清洗干净(去除铜离子等), 得到PDMS-石墨烯网贴片。
3. 转移铜网至硅片上,将PDMS-石墨烯网粘贴到硅片上,置于加热台上,加热台温度设为80℃,在PDMS上施加一定的压力,保持30-40min后将PDMS揭开,石墨烯网就转移到硅片上。这种转移方法转移出的石墨烯网能够较好的保持石墨烯网的结构形貌,且表面较为清洁。
实例2
1. 将铜网置于化学气相沉积设备中的石英管中的恒温区段,密封石英管,抽真空于10-15Pa,通入Ar气。然后在H2、Ar气氛中加热到950-1000℃,并保温30-40分钟,再在CH4和H2气氛下生长3-5min,最后在H2、Ar气氛下原位退火并冷却到室温,制备石墨烯网。
2. 将铜网放置在过硫酸铵溶液表面上,待铜完全溶解后,转移到去离子水中去除剩余铜离子,最后用干净的硅片将石墨烯网捞起来。烘干水分即可得到转移在硅片上的石墨烯。
Claims (1)
1. 一种石墨烯网的制备方法,其特征在于该制备方法包括以下两部分:
A. 制备:以所需规格的铜网为模版,将此模版结构放入化学气相沉积腔中的恒温区段,密封石英管,抽真空于10-15Pa,通入Ar气;然后在H2、Ar气氛中加热到950-1000℃,并保温30-40分钟,然后在CH4和H2气氛下生长石墨烯5-15min,最后在H2、Ar气氛下原位退火并冷却到室温;
B. 转移:
1)制备聚二甲基硅氧烷PDMS-石墨烯网贴片:将生长后的铜网贴在平整的PDMS表面,用玻璃片压平,放入过硫酸铵溶液中,将铜去除,然后在去离子水中清洗干净,即得到PDMS-石墨烯网贴片;
2)转移铜网至硅片上,将PDMS-石墨烯网粘贴到硅片上,放在加热台上,加热台温度设为80℃,在PDMS上施加1-2千克的压力,保持30-40min,将PDMS揭开,石墨烯网就转移到硅片上。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2012100434976A CN102583349B (zh) | 2012-02-24 | 2012-02-24 | 一种石墨烯网的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2012100434976A CN102583349B (zh) | 2012-02-24 | 2012-02-24 | 一种石墨烯网的制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102583349A CN102583349A (zh) | 2012-07-18 |
CN102583349B true CN102583349B (zh) | 2013-10-23 |
Family
ID=46472713
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2012100434976A Expired - Fee Related CN102583349B (zh) | 2012-02-24 | 2012-02-24 | 一种石墨烯网的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102583349B (zh) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103072976B (zh) * | 2012-12-28 | 2015-01-14 | 同济大学 | 一种石墨烯或氧化石墨烯薄膜的转移方法 |
CN103224232B (zh) * | 2013-04-23 | 2015-02-11 | 北京大学 | 一种石墨烯纳米孔洞的制备方法 |
CN103361068B (zh) * | 2013-07-10 | 2015-10-21 | 合肥微晶材料科技有限公司 | 一种金属箔基底石墨烯刻蚀液及其刻蚀方法 |
CN103750816B (zh) * | 2014-01-13 | 2016-02-17 | 北京大学 | 以石墨烯网为敏感元件对眼压进行高灵敏度实时测量的方法 |
CN103928305A (zh) * | 2014-04-19 | 2014-07-16 | 复旦大学 | 一种通过控制衬底上的石墨烯成核位点生长石墨烯的方法 |
CN104817072A (zh) * | 2015-03-27 | 2015-08-05 | 中国科学技术大学 | 一种高机械强度多层石墨烯及其制备方法 |
CN106587029B (zh) * | 2016-12-30 | 2018-09-18 | 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 | 一种三维结构石墨烯薄膜的制备方法及其制备用生长衬底 |
CN109175356B (zh) * | 2018-10-16 | 2020-10-09 | 中国科学院兰州化学物理研究所 | 一种石墨-铜层状复合材料及其制备方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101106543B1 (ko) * | 2009-10-13 | 2012-01-20 | 한국표준과학연구원 | 그라핀 마이크로 튜브의 제조방법 |
CN101831622B (zh) * | 2010-05-20 | 2011-12-21 | 中国科学院化学研究所 | 石墨烯泡沫及其制备方法 |
CN102020263B (zh) * | 2010-07-02 | 2013-04-17 | 浙江大学 | 一种合成石墨烯薄膜材料的方法 |
-
2012
- 2012-02-24 CN CN2012100434976A patent/CN102583349B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102583349A (zh) | 2012-07-18 |
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Legal Events
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |