CN102576719A - 固态图像拾取装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

固态图像拾取装置包括光电转换部分、被配置为包含第一导电类型的第一半导体区域的电荷保持部分和被配置为包含控制电荷保持部分和感测节点之间的电势的传送栅电极的传送部分。电荷保持部分包含控制电极。第二导电类型的第二半导体区域被设置在控制电极和传送栅电极之间的半导体区域的表面上，第一导电类型的第三半导体区域被设置在第二半导体区域之下。第三半导体区域被设置在比第一半导体区域深的位置处。

Description

固态图像拾取装置及其制造方法

技术领域

本发明涉及固态图像拾取装置。更具体地，本发明涉及像素中的每一个具有电荷保持部分的固态图像拾取装置。

背景技术

近年来，为了固态图像拾取装置的更高的性能，已考虑像素中的每一个具有与光电转换部分和浮置扩散部分(floating diffusion，以下表示为FD)分离的电荷保持部分的配置。如在PTL 1和PTL 2中描述的那样为了实现全局电子快门或者如在PTL 3中描述的那样为了扩展动态范围，在各像素中设置电荷保持部分。并且，如在PTL 4中描述的那样，在各像素具有模拟-数字(AD)转换器的配置中，也在各像素中设置电荷保持部分。

PTL 1公开了P型半导体区域被设置在表面部分中以使由N型半导体区域形成的蓄积区域上的电极TX1和用于传送蓄积区域中的电荷的电极TX2相互分离的配置。这种配置防止暗电流流向蓄积区域。

引文列表

专利文献

PTL 1：美国专利No.7414233

PTL 2：日本专利公开No.2008-004692

PTL 3：日本专利公开No.2006-197383

PTL 4：日本专利公开No.2009-038167

发明内容

技术问题

根据PTL 1的配置，P型半导体区域被设置成使两个传送栅结构相互分离，并且，构成电荷保持部分的N型半导体区域延伸以被设置在其下方。电荷在所述传送栅之间的P型半导体区域之下的N型半导体区域中移动。P型半导体区域之下的N型半导体区域的杂质浓度分布(profile)大大地促进电荷传送效率。

但是，在电荷保持部分的N型半导体区域延伸的配置中，会部分地出现高N型杂质浓度的区域。如果出现高浓度区域，那么电荷在该区域中蓄积，这会使传送效率劣化。

基于该问题提出了本发明，并且，本发明旨在增加从电荷保持部分到FD的电荷传送效率。

问题的解决方案

因此，提供一种包括多个像素的固态图像拾取装置，所述多个像素中的每一个包含：被配置为根据入射光产生电荷的光电转换部分；被配置为包含在与光电转换部分不同的部分中保持通过光电转换部分产生的电荷的第一导电类型的第一半导体区域的电荷保持部分；和被配置为包含控制电荷保持部分和感测节点之间的电势的传送栅电极的传送部分。电荷保持部分包含隔着绝缘膜被设置在第一半导体区域之上的控制电极。第二导电类型的第二半导体区域被设置在控制电极和传送栅电极之间的半导体区域的表面上。在从电荷保持部分延伸到感测节点的电荷路径的位置处，第一导电类型的第三半导体区域被设置在第二半导体区域之下。第三半导体区域被设置在比第一半导体区域深的位置处。

本发明的有利效果

根据本发明的实施例，能够增加从电荷保持部分的电荷传送效率。

附图说明

图1是根据本发明的第一实施例的固态图像拾取装置的像素的截面的示意图。

图2是根据本发明的第二实施例的固态图像拾取装置的像素的截面的示意图。

图3是根据本发明的第三实施例的固态图像拾取装置的像素的截面的示意图。

图4是根据第三实施例的固态图像拾取装置的像素的上表面的示意图。

图5是示出图3中的V-V截面中的杂质浓度分布的概念图。

图6A是示出根据本发明的实施例的固态图像拾取装置的制造方法的例子的像素的截面图。

图6B是示出根据本发明的实施例的固态图像拾取装置的制造方法的例子的像素的截面图。

图7是根据本发明的实施例的固态图像拾取装置的等效电路图。

具体实施方式

以下将详细描述本发明的实施例。关于半导体的导电类型，以下的描述将假定第一导电类型为N型并且第二导电类型为P型，但是，相反的情况也是可接受的。差异在于信号电荷是电子还是空穴。各像素的截面图示出一个像素的一部分，但是，在实际的装置中，设置多个像素。

第一实施例

图1是根据本发明的实施例的固态图像拾取装置的像素的截面的示意图。

附图标记101表示光电转换部分。例如，使用被配置为包含P型半导体区域和N型半导体区域的光电二极管。附图标记102表示电荷保持部分。电荷保持部分102被配置为包含能够保持由光电转换部分101产生的电荷的N型半导体区域(第一半导体区域)。附图标记103表示传送部分。传送部分103将由电荷保持部分102保持的电荷传送到感测节点。附图标记104表示感测节点。例如，感测节点104是与用于像素放大的金属氧化物半导体(MOS)晶体管的栅极电连接的浮置扩散部分(FD)。作为与用于像素放大的MOS晶体管的栅极电连接的替代，感测节点104可与垂直信号线(未示出)电连接。

下面将描述上述的各单个部件的具体的配置。在本实施例中，光电转换部分101、电荷保持部分102、传送部分103和感测节点104被布置于P型阱107中。通过离子注入或外延生长在N型基板116的表面侧形成P型阱107。作为上面形成P型阱107的N型基板116的替代，可以使用P型半导体基板。

附图标记105和106表示N型半导体区域。N型半导体区域105被设置在N型半导体区域106上，并具有比N型半导体区域106高的N型杂质浓度。N型半导体区域105与P型半导体区域108一起形成PN结。N型半导体区域106与P型阱107一起形成PN结。

P型半导体区域108是高浓度P型半导体区域。设置P型半导体区域108使得能够减少在半导体的表面上产生的暗电流。在本实施例中，上述的光电转换部分101由N型半导体区域105和106、P型阱107和P型半导体区域108构成。

附图标记110表示N型半导体区域。在本实施例中，N型半导体区域110是在与光电转换部分101不同的部分中保持电荷的第一半导体区域。附图标记112表示控制电极。上述的电荷保持部分102被配置为包含N型半导体区域110和控制电极112。

在根据本实施例的电荷保持部分102中，控制电极112隔着绝缘膜109被设置在N型半导体区域110之上。控制电极112控制N型半导体区域110的半导体表面侧的电势。可向控制电极112施加负电压，以抑制在电荷保持部分102中产生的暗电流的影响。

附图标记113表示传送栅电极。供给到传送栅电极113的偏压导致在P型阱107的与N型半导体区域110相邻的部分中形成信号电荷的传送路径。传送栅电极113根据被供给到传送栅电极113的偏压在传送路径形成状态和传送路径非形成状态之间切换，并且控制电荷保持部分102与FD之间的电连接。

FD 114是N型半导体区域。在本实施例中，FD 114用作感测节点。感测节点可以是根据在其中蓄积的电荷量输出信号的半导体区域。

附图标记115表示遮光部件。遮光部件115减少对于电荷保持部分102、传送部分103和感测节点104的入射光，或者完全阻挡对于它们的入射光。

附图标记111表示P型半导体区域(第二半导体区域)。P型半导体区域111被设置在控制电极112和传送栅电极113之间的表面部分中。设置P型半导体区域111使得能够抑制用于向FD 114传送电荷的电荷传送路径中的暗电流。

附图标记117表示N型半导体区域(第三半导体区域)。在从电荷保持部分102延伸到感测节点104的电荷路径的位置处，N型半导体区域117被设置在P型半导体区域111之下。与N型半导体区域110相比，N型半导体区域117被设置在半导体基板的深的位置处。在分离的步骤中形成N型半导体区域110和N型半导体区域117。N型半导体区域117和P型阱107形成PN结。该PN结的表面(第一PN结表面)处于比构成电荷保持部分102的N型半导体区域110和P型阱107之间的PN结的表面(第二PN结表面)深的位置处。按照在所述PN结表面的深度之间实现这种关系的形式，N型半导体区域117的扩散深度比N型半导体区域110的扩散深度大。

根据这种配置，能够抑制电荷传送路径中的高杂质浓度的部分的出现，使得可以抑制电荷保持部分102和FD之间的电荷路径中的电子蓄积的出现。以下将描述能够获得这样的效果的原因。作为比较例，将讨论第一PN结表面和第二PN结表面处于相同的深度的情况。在这种情况下，N型半导体区域110和117具有几乎相同的杂质浓度分布。然后，由于离子注入的变化或半导体区域中的N型杂质离子的扩散，会局部出现高N型杂质浓度的区域。该高浓度区域是从信号电荷看到的低电势区域，并且可能是信号电荷蓄积的区域。信号电荷蓄积的出现会降低电荷传送效率。

下面将讨论在比第二PN结表面浅的位置处设置第一PN结表面的情况。在这种情况下，被设置为抑制暗电流的P型半导体区域111的杂质浓度分布会受到影响，并且，P型半导体区域111的实质的杂质浓度减小，使得不会获得足够的减少暗电流的效果。

相反，根据本实施例，信号电荷的蓄积可被抑制，并且，能够获得足够的减少暗电流的效果。

第二实施例

图2是根据本实施例的像素的截面的示意图。具有与第一实施例相同的功能的部分由相同的附图标记表示，并且，它们的详细的描述将被省略。

本实施例与第一实施例之间的不同之处在于N型半导体区域201的杂质浓度。虽然在第一实施例中没有提到杂质浓度，但是，在本实施例中，N型半导体区域201的杂质浓度比N型半导体区域110的杂质浓度高。

根据本实施例，可以获得在第一实施例中获得的效果，并且，还可在不依赖于电荷保持部分102的杂质浓度的情况下确定传送特性。因此，可以与传送特性无关地设计电荷保持部分102中的饱和电荷量。并且，能够减小由于构成电荷保持部分102的N型半导体区域110的工艺的变化引起的位移所导致的暗电流以及饱和电荷量的变化。

第三实施例

图3是根据本实施例的像素的截面的示意图，图4是像素的顶示图。图5是图3所示的V-V截面中的杂质分布的概念图。图3是图4中的III-III部分的截面图。具有与第一和第二实施例中相同的功能的部分由相同的附图标记表示，并且，它们的详细的描述将被省略。

本实施例与第一和第二实施例之间的不同之处在于：在N型半导体区域110之下设置P型半导体区域301(第四半导体区域)。另一不同之处在于：在P型半导体区域301之下设置包含多个半导体区域的P型半导体区域302(第五半导体区域)。这里，P型半导体区域302包含4个P型半导体区域302a～302d。P型半导体区域的数量不限于此。

P型半导体区域301是高浓度P型半导体区域。P型半导体区域301的杂质浓度比P型阱107的杂质浓度高。P型半导体区域301直接与N型半导体区域110形成PN结(而不隔着P型阱107)。P型半导体区域301中的深度方向的杂质浓度分布可以是在某个深度处具有杂质浓度峰的分布。P型半导体区域301的杂质浓度峰可处于距表面浅于0.5微米的位置处。这是由于，如果所述峰处于距表面浅于0.5微米的位置处，那么低杂质浓度的区域没有被设置在N型半导体区域110和高浓度P型半导体区域301之间。通过该配置，能够以低电压从电荷保持部分102向感测节点104传送电荷。将详细描述这一点。

首先，将描述从电荷保持部分102向感测节点104传送电荷的机制。在将光电转换部分101中产生的信号电荷保持在N型半导体区域110中之前，复位电压经由感测节点104被供给到N型半导体区域110。然后，在感测节点104的电势浮置之后，光电转换部分101中的电荷被传送到N型半导体区域110。然后，电荷依次从电荷保持部分102被传送到感测节点104。以像素行为单位或以多个像素行为单位执行传送。此时，N型半导体区域110处于经由传送部分103供给反向偏压的状态。所述反向偏压导致N型半导体区域110被耗尽，使得电荷被传送。为了将保持于N型半导体区域110中的电荷中的大多数或全部传送到感测节点104，N型半导体区域110的大部分或整个区域需要被耗尽。为了抑制此时的耗尽层的扩展，N型半导体区域110与高浓度P型半导体区域301一起形成PN结(不隔着P型阱107)。这是因为，由于与N型半导体区域110一起形成PN结的P型半导体区域301的杂质浓度高，因此，耗尽层到P型半导体区域301的扩展受到抑制。因此，即使经由传送部分103供给的反向偏置电压低，N型半导体区域110的大部分或整个区域也可被耗尽。

并且，在本实施例中，高浓度P型半导体区域301的杂质浓度比传送路径之下的处于与P型半导体区域301相同的深度处的区域的杂质浓度高。换句话说，高浓度P型半导体区域301不延伸到传送栅电极113之下。通过该配置，可以在不增加供给到传送栅电极113的偏置电压的情况下在传送栅电极113下方的P型阱107中形成传送路径。

并且，在本实施例中，在P型半导体区域301的一部分之下设置P型半导体区域302。P型半导体区域302延伸到传送栅电极113之下和FD 114之下。

P型阱107包含两个区域107a和107b。但是，P型半导体区域302可仅延伸到P型半导体区域301、传送栅电极113和FD 114中的每一个的至少一部分之下。并且，可进一步在区域107b上执行离子注入以形成P型半导体区域。

以电荷保持部分102的端部为基准，包含于P型半导体区域302中的多个半导体区域中的全部或一些的端部从相同像素内的光电转换部分侧偏移。构成光电转换部分101的一部分的N型半导体区域106被设置在偏移部分中。

在本实施例中，在多个像素中的每一个中，P型半导体区域302的光电转换部分侧的端部从光电转换部分101偏移。该配置可关于沿斜方向入射的光具有灵敏度。可以在所有的像素或一些像素中使用这种配置。

下面将参照图4进行描述。附图标记401表示设置构成像素的电路的一部分。具体而言，所述电路包含放大MOS晶体管和复位MOS晶体管等。以下将描述其等效电路的例子。附图标记402表示元件分离区域。设置它以使活性区域相互分离。设置由绝缘膜构成的场区域和由PN结分离部分(PN junction separation)构成的扩散分离中的任一个。附图标记403表示与FD电连接的接触插头。接触插头403电连接FD与放大MOS晶体管的栅极。附图标记404表示设置元件的活性区域。

在图4中，设置P型半导体区域302的区域由虚线(broken line)表示，并且，设置P型半导体区域111和N型半导体区域201的区域由点划线(chain line)表示。从图4可以看出，以电荷保持部分102的端部为基准，P型半导体区域302的端部从相同像素中的光电转换部分侧偏移。如上所述，构成光电转换部分101的一部分的N型半导体区域106被设置在偏移部分中。

图5示出图3中的V-V截面中的杂质浓度分布。纵轴表示通过相反的导电类型的杂质补偿的净杂质浓度(净浓度)。横轴表示相对于设置半导体基板的受光部分的一个主面的深度。P型半导体区域302a～302d中的每一个具有杂质浓度峰。P型半导体区域301和302具有在最接近表面的区域中峰值最高的配置。

如上所述，根据本实施例，除了第一和第二实施例的效果以外，可以获得光电转换部分101的灵敏度增加的效果。

固态图像拾取装置的制造方法

图6A和图6B是用于解释根据本发明的实施例的固态图像拾取装置的制造过程的像素的截面的示意图。在各实施例中具有相同的功能的部分由相同的附图标记表示，并且，它们的详细的描述将被省略。

制造方法的第一特征在于，通过使用同一掩模(第一掩模)形成N型半导体区域110和P型半导体区域301。第二特征在于，通过使用同一掩模形成设置在控制电极112和传送栅电极113之间的间隙部分中的P型半导体区域111和N型半导体区域201。

将参照图6A和图6B给出详细的描述。图6A和图6B仅示出与本实施例有关的部分。可通过使用已知的制造方法制造其它部分中的晶体管等。图6A是形成P型半导体区域301的状态中的像素的截面的示意图。附图标记601表示由光致抗蚀剂形成的掩模图案。

首先，在基板的整个表面之上形成光致抗蚀剂。然后，光致抗蚀剂被曝光，使得在要设置电荷保持部分102中的N型半导体区域110的区域中形成开口。

作为形成N型半导体区域110的第一杂质注入步骤，通过使用在曝光步骤中形成的光致抗蚀剂图案作为掩模图案(第一掩模图案)注入N型杂质离子。作为杂质，可以使用砷或磷。

随后，在没有去除光致抗蚀剂掩模的步骤的情况下，作为形成高浓度P型半导体区域301的第二杂质注入步骤，注入P型杂质。此时，作为杂质，可以使用硼等。然后，执行热处理，以从在离子注入期间出现的晶体缺陷等恢复。以这种方式，通过使用同一掩模图案形成N型半导体区域110和P型半导体区域301。

可以按相反的次序执行用于形成N型半导体区域110的第一杂质注入步骤和用于形成P型半导体区域301的第二杂质注入步骤。

在已形成N型半导体区域110和P型半导体区域301之后，去除光致抗蚀剂掩模601。

然后，通过使用与上述的第一掩模不同的掩模，P型半导体区域302形成为从光电转换部分101偏移。然后，形成控制电极112和传送栅电极113。

下面将参照图6B描述用于形成P型半导体区域111和N型半导体区域201的步骤。

首先，在基板的整个表面之上形成光致抗蚀剂。然后，光致抗蚀剂被曝光以形成光致抗蚀剂掩模(第二掩模)，使得：除了控制电极112和传送栅电极113之间的间隙部分以外，半导体基板被覆盖。为了执行离子注入使得关于控制电极112和传送栅电极113实现自对准，光致抗蚀剂形成为覆盖控制电极112和传送栅电极113的至少一部分以及其它区域。

然后，通过关于控制电极112和传送栅电极113的自对准执行P型杂质的离子注入，以形成P型半导体区域111(第三杂质注入步骤)。然后，在不去除第二掩模的情况下执行N型杂质的离子注入，以形成N型半导体区域201(第四杂质注入步骤)。作为该离子注入的条件，离子注入能量被设为比第一杂质注入步骤中高，使得N型半导体区域201被设置在至少比N型半导体区域110深的位置处。然后，执行热处理以从在离子注入期间出现的晶体缺陷等恢复。

根据上述的制造方法，可以在不必显著地增加制造步骤的情况下形成P型半导体区域301和111与N型半导体区域201。并且，可以减少N型半导体区域110和P型半导体区域301的沿半导体表面的水平方向的位移。因此，可以增加N型半导体区域110和P型半导体区域301直接形成PN结的部分。并且，可以抑制P型半导体区域111和N型半导体区域201的位移，并且，能够抑制各单个像素的传送变化。

可通过使用同一掩模执行第一和第二杂质注入步骤与第三和第四杂质注入步骤中的任一个。

固态图像拾取装置的等效电路

图7是可应用于所有的上述的实施例的固态图像拾取装置的等效电路图。具有该等效电路的固态图像拾取装置可执行全局电子快门操作。

附图标记801表示光电转换部分。这里使用光电二极管。附图标记802表示保持由光电转换部分801产生的信号电荷的电荷保持部分。附图标记803表示放大部分的感测节点。例如，FD和与FD电连接的放大晶体管的栅电极与感测节点对应。附图标记804表示将电荷保持部分802中的电荷传送到放大部分的感测节点803的第一传送部分。附图标记805表示根据需要设置的第二传送部分。第二传送部分805也可用作电荷保持部分802的控制电极。第二传送部分805可以不具有传送功能，并且，可仅具有作为电荷保持部分802中的控制电极的功能。第二传送部分805的功能是将光电转换部分801中的电荷传送到电荷保持部分802。附图标记808表示至少向放大部分的输入部分供给基准电压的复位部分。并且，复位部分808可向电荷保持部分802供给基准电压。附图标记807表示根据需要设置的选择部分。选择部分807使信号线输出相应像素行的信号。附图标记806表示构成放大部分的放大晶体管。放大晶体管806与对于信号线设置的恒流源一起构成源跟随器电路。附图标记809表示控制光电转换部分801和用作溢漏(overflow drain，以下表示为OFD)的电源线之间的连接的电荷输出控制部分。

等效电路不限于此，并且，所述配置的部分可被多个像素共享。并且，等效电路适用于各单个元件的控制布线被固定于恒定电压并且不执行导通的控制的配置。

第二传送部分805可具有埋入沟道MOS晶体管配置，使得由光电转换部分801产生的电荷立即流入电荷保持部分802中。在该配置中，即使在非导通状态中，也存在能量势垒在比表面深的部分处局部地低的部分。在这种情况下，第二传送部分805可进入被供给某个电压而不执行活动控制的状态。即，代替传送部分的功能，可以设置固定电势势垒。

根据这种配置，当光入射到光电转换部分801时通过光电转换产生的信号电荷中的大多数没有在光电转换部分801中蓄积，并且可被传送到电荷保持部分802。因此，可在所有像素的光电转换部分801中使得电荷蓄积时间均匀。并且，当MOS晶体管处于非导通状态时，在沟道的表面上蓄积空穴，并且，相对于表面在预先确定的深度处存在用于传送电荷的沟道。因此，可减小绝缘膜的界面上的暗电流的影响。

从另一观点，在当信号电荷被蓄积于光电转换部分801和电荷保持部分802中时的时间段期间，光电转换部分801和电荷保持部分802之间的电荷路径的电势低于光电转换部分801和OFD区域之间的电荷路径的电势。这里，电势意指关于信号电荷的电势。

并且，从驱动的观点，在一个曝光时间段中从光电转换部分801移动到电荷保持部分802的电荷保持于电荷保持部分802中并且被用作图像信号。即，在光电转换部分801中的一个曝光时间段开始之后，不经历电荷保持部分802的复位操作而从像素读取信号。注意，当捕获一个帧的图像时，在单个光电转换部分801中共同确定一个曝光时间段。

在这种像素配置中，能够以低电压从光电转换部分801向电荷保持部分802传送电荷，当与本发明的实施例组合时，从以低电压增加电荷传送效率的观点看，这是更合适的。

在这种配置中，可以相对容易地执行全局曝光，但是，光电转换部分801中的电荷在从电荷保持部分802到FD区域的传送期间被排出到OFD区域。因此，图像是间歇的。当在这种配置中特别需要图像的连续性时，可通过执行线曝光获得连续的图像。两者可根据需要被切换。

并且，也可在为了增加动态范围在各像素中设置电荷保持部分并且从电荷保持部分向感测节点传送电荷的固态图像拾取装置中实施本发明的实施例。

本发明不限于上述的各单个实施例，并且，在不背离本发明的概念的情况下，各种变更方式是可接受的。例如，本发明的实施例可适用于不包含控制电极112的配置。例如，N型半导体区域110可经由接触插头和开关选择性地与电源连接。

虽然已参照示例性实施例描述了本发明，但应理解，本发明不限于所公开的示例性实施例。所附权利要求的范围应被赋予最宽泛的解释以包含所有的变更方式以及等同的结构和功能。

本申请要求在2009年10月9日提交的日本专利申请No.2009-235089的权益，在此通过引用并入其全部内容。

附图标记列表

101光电转换部分

102电荷保持部分

111P型半导体区域

112控制电极

113传送栅电极

117和201N型半导体区域

Claims (8)

1.一种包括多个像素的固态图像拾取装置，所述多个像素中的每一个包含：

光电转换部分，所述光电转换部分被配置为根据入射光产生电荷；

电荷保持部分，所述电荷保持部分被配置为包含在与所述光电转换部分不同的部分中保持通过所述光电转换部分产生的电荷的第一导电类型的第一半导体区域；和

传送部分，所述传送部分被配置为包含控制所述电荷保持部分和感测节点之间的电势的传送栅电极，

其中，所述电荷保持部分包含隔着绝缘膜被设置在第一半导体区域之上的控制电极，

其中，第二导电类型的第二半导体区域被设置在所述控制电极和所述传送栅电极之间的半导体区域的表面上，

其中，在从所述电荷保持部分延伸到所述感测节点的电荷路径的位置处，第一导电类型的第三半导体区域被设置在第二半导体区域之下，并且，

其中，第三半导体区域被设置在比第一半导体区域深的位置处。

2.根据权利要求1的固态图像拾取装置，其中，第三半导体区域的杂质浓度比第一半导体区域的杂质浓度高。

3.根据权利要求1或2的固态图像拾取装置，其中，第二导电类型的第四半导体区域被设置在第一半导体区域之下以与第一半导体区域一起形成PN结。

4.根据权利要求3的固态图像拾取装置，其中，所述感测节点包含浮置扩散部分，并且其中，第二导电类型的第五半导体区域被设置在比第四半导体区域深的位置处，该第五半导体区域在第四半导体区域的至少一部分、所述浮置扩散部分、以及所述传送栅电极之下延伸。

5.根据权利要求4的固态图像拾取装置，其中，第五半导体区域被配置为包含处于不同的深度处的多个第二导电类型的半导体区域。

6.根据权利要求5的固态图像拾取装置，其中，在像素中的每一个中，与第二半导体区域的光电转换部分侧的端部相比，第五半导体区域的光电转换部分侧的端部处于远离光电转换部分的位置处，并且，

其中，构成光电转换部分的一部分的第一导电类型的半导体区域被设置在第二半导体区域的至少一部分之下。

7.根据权利要求1～6中的任一项的固态图像拾取装置，其中，在所述光电转换部分和所述电荷保持部分之间延伸的电荷路径是埋入沟道。

8.一种根据权利要求1～7中的任一项的固态图像拾取装置的制造方法，其中，通过关于控制电极和传送栅电极以自对准方式使用同一掩模形成第二半导体区域和第三半导体区域。

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