CN102545814B - 用于制造包括悬浮隔膜的声波谐振器的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种用于制造包括悬浮隔膜的声波谐振器的方法，所述悬浮隔膜包括压电材料层，其特征在于包括如下步骤：‑产生第一堆叠，其包括位于第一衬底的表面之上的至少一个第一压电材料(CPiezo)层；‑产生第二堆叠，其包括至少一个第二衬底；‑在随后的键合步骤之前，通过控制尺寸的粒子的沉积或产生来制造至少一个非键合初始区域，将所述堆叠的其中一个的表面局部赋予投影纳米结构；‑所述两个堆叠的直接键合产生了位于堆叠之间的气泡(CAV)，这是由于非键合初始区域的存在导致的；‑薄化所述第一堆叠以消除至少所述第一衬底。
Description
技术领域
本发明的领域是声波谐振滤波器。
背景技术
在大约过去的十年中射频通信的扩展已经导致了授权频带的拥挤。为了从可用频率范围获益，系统必须包括频带滤波，使用一种窄的过渡频带。只有具有谐振器的滤波器采用SAW(表面波)或者BAW(体声波)技术，利用材料的压电特性，可能会以低损失和减少的拥挤来满足这些规范。现今，用于这些滤波器的压电层是通过沉积(BAW“体声波”滤波器)或者基于固态衬底(SAW“表面声波”滤波器)生产出来的。
一般地，BAW组件的操作原理在附图1中示出，其示出了一种体声波滤波器结构：压电式衬底Spiezo，v被插入在两个金属化M1和M2之间以允许体声波的传播。
下列文献叙述了基于BAW和SAW类型的谐振器的滤波器的完全概述：W.Steichen，S.Ballandras，“Composants acoustiques utilisés pour le filtrage：revues de différentes technologies”(Acoustic components used for filtering：reviews ofvarious technologies)，Editions de Techniques de I’ingenieur，E-2000，31pages，2008.R.Aigner，Bringing BAW technology into volume production：the TenCommandments and the seven deadly sins，Proceedings of the third internationalsymposium on acoustic wave devices for future mobile communication system(2007).J.Kaitila：Review of wave propagation in BAW thin film devices：progressand prospects，Proceedings of the 2007IEEE Ultrasonics Symposium.P.Muralt等：Isthere a better material for thin film BAW applications than AIN，Proceedingsof the 2005IEEE Ultrasonics Symposium.
体声波滤波器已经存在了几十年，位于从几MHz到几十MHz的频率，主要采用阻抗元件或者结构，并且该阻抗元件或结构的侧面耦合在用于窄带应用的石英石上，但是体声波滤波器在射频上的实现只能向前追溯大约十年，追随着Lakin的在压电层使用上的开拓性工作，所述压电层是通过用于此目的阴极溅射沉积而成。安捷伦(Agilent)公司是第一个开发基于电阻元件的RF滤波器的公司，该电阻元件采用氮化铝(AIN)薄膜，所述AIN是沉积的多晶体材料，该公司的“FBAR滤波器”(薄膜体声波谐振器)分支已经引起AVAGO的资产拆分。随着这些技术的发展，大量学术以及工业研究机构已经在急迫的追寻该足迹，引起了最近十年间持续的发明活跃。
通常地，BAW谐振器利用一个薄压电层的厚度方式的谐振，所述薄压电层与所述衬底通过隔膜(membrane)(由AVAGO科技使用的FBAR技术)或者通过布拉格光栅(英飞凌公司所使用的SMR技术)声学隔离。目前，BAW技术使用最广泛的材料是氮化铝(AIN)，其显示了具有约6.5％的压电耦合系数以及还具有低声学和介电损失的优点，因而允许滤波器的综合体具有的通带与被大多数介于2GHz和4GHz之间的通信标准规定的规范相兼容。
尽管如此，一些问题继续困扰具有少数频带的极端约束规范，例如DCS标准。
首先，被AIN所允许的压电耦合系数不允许大于6％的相对通带。这些频带宽度已经需要使用具有很大的声学阻抗(钼或钨制成)的电极，从而可以限制压电层中的弹性能量，以及使用谨慎决定的厚度以便最大化厚度对谐振器的压电耦合系数的影响，如在以下文章中所描述的：R.Aigner，Bringing BAW technology into volume production：theten commandments and the seven deadly sins，Proceedings of the thirdinternational symposium on acoustic wave devices for future mobilecommunication system(2007).J.Kaitila：Review of wave propagation in BAW thinfilm devices：progress and prospects，Proceedings of the 2007IEEE UltrasonicsSymposium。目前，还不存在可靠的解决方案用于在常数损耗下扩展该相对频带。
正在实施研究以发现其他具有更高压电耦合系数的材料，但是必须要指出的是，不存在其他的提供低声学损失以及目前可再生以及均匀地沉积的材料，如在以下文章中描述的：P.Muralt等：Is there a better material for thin film BAW applicationsthan AIN，Proceedings of the 2005IEEE Ultrasonics Symposium。
相反的，单晶硅材料例如铌酸锂或者钽酸锂提供了非常高的机电耦合系数，其允许滤波器产品具有约50％的相对频带宽度。
此后，标准例如DCS也即要求宽通带又要求相邻标准的强抑制。为了同时满足这两个限制，需要使用具有非常大品质系数的谐振器。在过去的十年已经做了大量的工作来提高谐振器的声波限制属性(J.Kaitila：Review of wave propagation in BAW thin filmdevices：progress and prospects，Proceedings of the 2007IEEE UltrasonicsSymposium)。因此，由材料自身而非结构所施加的限制开始显示出来，并且很可能聚合晶体材料最终将不能再应付品质系数的上升，尤其是当面对朝着10GHz的标准的频率上升时。：D.Gachon等在2008European Frequency and Time Forum提出的“Filters using highovertone bulk acoustic resonators on thinned single-crystal piezoelectriclayer”具有的内在品质因数是在1GHz频率之上的几万倍量级，再次，单晶硅材料呈现为一个令人感兴趣的解决方案。
就FBAR类型的谐振器而言，Campanella等人已经生产出FBAR谐振器，基于沉积在铂/钛金属电极上的氮化铝(AIN)的隔膜。这些层位于其上的所使用的衬底是由硅制成，所述硅被反应等离子蚀刻(RIE)以形成一个空腔。(H.Campanella，J.Esteve，E.Martincic，P.nouet，A.Uranga，N.Barniol，IEEE SENSORS 2008)。
作者Pijolat等人已经展示了这种谐振器的生产，是通过将LiNbO3的薄膜转移到硅衬底上，其利用了基于直接键合以及机械薄化的方法(M.Pijolat，S.Loubriat，S.Queste，D.Mercier，A.Reinhardt，E.Defay，C.Deguet，L.Clavelier，H.Moriceau，M.Aid，以及S.Ballandras，Appl.Phys.Lett 95(2009)182106)。
其他作者已经提出使用悬浮的LiNbO3层来制造FBAR结构，并且其在200MHz的电学特性已经实现：Y.Osugi，T.Yoshino，K.Suzuki以及T.Hirai，IEEE 2007。尽管在晶圆上的厚度的不均匀性会对所述品质因子Q有负面影响，LiNbO3的转移层具有的耦合因子Kt2接近所述固态衬底的耦合因子。
其他类型的谐振器(包括SAW谐振器)被有利地制造于悬浮隔膜之上。
目前，已经提出了两种主要的用于转移薄层的技术：一种技术基于光离子的植入(代表性的氢)并且在植入区的层面破裂，以及前面提到的基于键合和机械薄化的技术。这些技术使得将一个单晶硅层转移到一个主衬底上成为可能。这些技术完美的在硅上控制，允许尤其是SOI(绝缘体上硅)压铸模的工业制造。
利用植入/破裂转移的方法被特别的在下述文章中描述：M.Bruel，“Silicon oninsulator material technology”，Electronic letters，31(14)，p1201-1202(1995)，它允许SOI“绝缘体上硅”衬底的生产。
该方法可以被示例性的概括为在附图2中示出的如下四个步骤：
步骤1：供体衬底A(例如硅)中被植入气体种类(例如氢和/或者稀有气体)用以形成一个掩埋脆弱区，用于在该衬底中界定要进行转移的薄膜。
步骤2：所述供体衬底然后在前面限定的薄膜层面例如通过直接键合(也被称为分子键合)与一个接收衬底B结合。
步骤3：此后掩埋通过施加机械应力选择性辅助的热处理的方式在掩埋脆弱区的层面实现破裂步骤。一方面获得固定于所述接收衬底的所述薄膜，以及另一方面获得对应于剥离所述转移的薄膜的所述初始供体衬底A的供体衬底剩余部分。供体衬底剩余部分然后可以被循环用于执行另一个转移。
步骤4：可选择的，可以执行最终的处理，例如一个高温热退火用以巩固所述转移的薄膜和所述接收衬底之间的键合界面。
所述转移薄膜的厚度直接关联于所述离子束植入能量。作为示例，所述转移的硅厚度可以通过采用传统植入机(其植入能量典型的少于250keV)覆盖从几纳米到几微米的范围。
所述转移层在厚度上是统一的且均匀的，因为它们是由一个植入深度而不是机械薄化来定义的。
文献EP0741910提出向提供了空腔的衬底执行薄膜转移。所述空腔是在键合步骤之前通过光刻和蚀刻制造出来的，这因此向之前描述的方法中添加了一个昂贵的步骤。另外，所述空腔能达到的尺寸受限于所述方法的预算。
文献EP0851465提出通过在所述键合界面层面植入将隔膜从它的支撑上局部脱粘(debond)。在这种情况下，强力植入的区域(围绕所述键合界面)经历明显的损害，这可能会导致该材料属性的局部改性。
然而今天，在用于MEMS“微电子机械系统”的大部分组件中，压电材料层是通过PVD“等离子气相沉积”类型的沉积技术生产的以及被制造用于这些组件的层具有的厚度是位于几百纳米到一微米之间的厚度范围内，掌握在该厚度范围内的单晶硅压电以及电伸缩层的制造构成了明显的技术障碍。
发明内容
在该说明书中，本发明的主题是一种用于制造包括隔膜的体声波谐振器的创新性的方法，所述隔膜包括压电材料的细长(slender)层。
更精确的，本发明涉及一种用于制造包括悬浮隔膜的声波谐振器的方法，所述悬浮隔膜包括一个压电材料层，特征在于其包括如下步骤：
-产生第一堆叠，其包括至少位于第一衬底之上的第一压电材料的层；
-产生第二堆叠，其包括至少一个第二衬底；
-在一个随后的键合步骤之前，通过控制尺寸的粒子的沉积或生成来生产至少一个非键合初始区域，将所述堆叠的其中一个的表面局部赋予投影纳米结构；
-所述两个堆叠的直接键合产生了位于堆叠之间的气泡(blister)，这是由于非键合初始区的存在导致的；
-薄化所述第一堆叠以消除至少所述第一衬底。
表述“直接键合”被理解为任何类型的不需要粘性物质的键合。优先的其可以包括通过直接接触的键合，但是它还可以包括通过热压的键合，或者阳极键合，或者其他熔化键合。
因此所述非键合初始区的目的是局部阻止在两个堆叠之间的上述区域或者附近的键合，从而在所述第一压电材料的层以及第二堆叠之间生成气泡，从而允许这两个元件的局部声学去耦(decoupling)。
所述纳米结构具有小于1微米的横向尺寸(在衬底的平面)，并且有利地介于10到100纳米之间。
本发明因此使得能够生产全部位于具有从100微米到1毫米的横向尺寸的晶圆上的悬浮隔膜。
优选的，热处理步骤可以在所述直接键合步骤中或者之后执行，以便促进所述气泡的产生以及/或者生长。典型地，该热处理可以在100℃到500℃的温度区间发生。该步骤还允许一起产生两个或更多连续的气泡以形成一个更大尺寸的气泡。
所述非键合初始区可以是投影纳米结构，即相对于亚微米尺寸的表面的局部突起。所述产生的气泡然后在该纳米结构的任意侧延伸。
根据本发明的一个变形，所述产生该投影纳米结构的步骤是通过光刻以及蚀刻来实现的。
根据本发明的一个变形，所述产生该投影纳米结构的步骤是通过以局部方式来沉积控制尺寸的粒子实现的。
根据本发明的一个变形，所述投影纳米结构具有从约几十纳米到约几百纳米的高度，所述气泡具有约一千微米的直径范围。
应当指出的是，在所述键合步骤之中或者之后执行的热处理还可以使所述投影纳米结构的表面从与其面对的堆叠的表面脱粘成为可能。
同样的，围绕所述投影纳米结构的表面或者面向所述投影纳米结构的表面已经在键合之前准备好以便例如在热处理过程中方便或者适于所述气泡的扩展。
如果期望促进所述气泡的横向扩展的话，该准备可以典型的包括降低亲水性和/或包括提高所述表面的粗糙度，反之亦然。
为了改变所述亲水性，需要依赖例如等离子或者UV/臭氧处理。为了改变所述粗糙度，需要依赖例如化学蚀刻、湿蚀刻或者干蚀刻。
根据本发明的一个变形，所述非键合初始区是通过局部沉积碳氢化合物或者可生成气体副产品的液体或者固体产品而获得的，例如，借助原子力显微镜AFM的针尖。该区域产生了一个非键合区或者气泡，其可以在热处理之后通过非键合区域的压力的影响而在尺寸上增长。
优选的，所述第一堆叠以及/或者第二堆叠在其表面可以包括一个键合层，在该层的层面，执行所述直接键合。
优选的，所述第一堆叠在第一压电材料层和所述可选键合层(或其表面)之间可以包括一个金属层，用作电极。
优先的，所述第一压电材料是单晶体。这样一个层可以通过在适合的衬底上外延生长来获得，或者组成所述第一衬底的表面部分。在这种情况下，所述第一衬底可以是第一压电材料的固态衬底。所述层还可以被沉积在所述第一衬底上。
根据本发明的一个变形，所述方法还包括离子植入步骤以便在所述第一堆叠中创造一个掩埋脆弱区，所述掩埋脆弱区与所述堆叠的表面划定包括至少第一压电材料层的一部分的区域。
根据本发明的该变形，所述薄化然后通过在掩埋脆弱区的层面破裂获得。
根据本发明的另一个变形，所述薄化是通过磨削和抛光获得的。
优选的，所述抛光步骤是一个机械化学抛光步骤(更熟知的是缩略词CMP(化学机械抛光))。所述抛光是借助例如包括磨料(称为“浆”)的方案来执行的，例如基于硅胶。
根据本发明的一个变形，所述压电材料是LiNbO3或者LiTaO3或者更一般地Li(TaxNb1-x)O3。如果所述层被沉积，所述压电材料典型的可以是AIN或者PZT。
根据本发明的一个变形，第二衬底是由硅或者石英或者钻石或者蓝宝石组成的。它可以是单独的或者复合的。
根据本发明的一个变形，至少一个键合层是由电介质材料制成，可以是SiO2。
根据本发明的一个变形，所述方法还包括在所述金属层中的电极限定步骤。
根据本发明的一个变形，所述方法还包括在所述薄化步骤之后的在第一和第二堆叠的最后堆叠的表面生成一个上电极的步骤。
附图说明
在阅读了随后的说明书以及借助附图，可以更好地理解本发明并且其他优点也会变得明显起来，其中：
附图1示出了BAW组件的操作原理，高亮显示体声波的传播；
附图2示出了一个根据现有技术通过植入/破裂转移衬底的方法的各个步骤；
附图3a到3e示出了根据本发明的用于制造FBAR类型的谐振器的示例性方法的各个步骤；
附图4a到4b图示了在所述根据本发明的制造方法的一个步骤中，在热处理操作之前以及之后，所产生的气泡。
附图5示出了根据本发明的方法生成的FBAR类型的谐振器。
附图6示出了没有从所述衬底脱粘的隔膜的电响应(曲线6a)以及悬浮隔膜的响应(曲线6b)。
具体实施方式
一般地，本发明的方法使得生产基于声波的组件成为可能，例如体声波组件以及特别是FBAR谐振器类型的组件，包括具有低电极和高电极的压电材料的悬浮隔膜，从而产生体声波的传播，所述隔膜生成在气泡的表面上，所述气泡是基于通过键合两个支撑件形成的结合而产生的，其中一个支撑件在其表面上包括至少一个非键合初始区，例如投影纳米结构。
所述悬浮材料隔膜包括细长的压电材料层。用于制造这样的隔膜的方法可以基于已知的并且已经掌握的方法，包括压电材料的固态衬底的植入以便在该衬底中生成在该衬底中划分出所述细长的层的掩埋脆弱区，以及然后所述细长压电材料层作为整体从所述压电衬底的分离，这是通过在该破碎区的层面的破裂分离的，例如通过可选地机械力量辅助的热处理。
实施例
固态压电衬底SPiezo(例如LiNbO3，LiTaO3类型，等等)，被选择用于BAW应用(从取向，材料本质的方面，等等)。作为一个变形，固态压电衬底可以是只具有压电材料的浅表层的支撑衬底(例如硅材质)。固态压电衬底优选地包括至少一个金属层CM1的堆叠，意在成为用于最后谐振器的掩埋电极。该金属层可以基于Cu，AlCu，AlSi，W，Mo，Pt，Cr等等。
所述堆叠作为一个整体在之后选择性地被键合层CC1覆盖；键合层可以是例如电介质层，例如在表面的几百nm(例如200nm)的SiO2，为了方便随后的如附图3a所示的直接键合操作。
在所述压电固态衬底中执行(在沉积所述金属以及键合层之前或之后)离子植入操作以便创造掩埋脆弱区Zfr用以在该衬底中划分出要转移的压电材料的薄层。该植入可以在1016到1017at/cm2剂量之间的氢或者氦或者二者的混合的基础上执行，这样做依赖于所选择的压电层的厚度需要50keV到250keV之间的能量，如附图3b中所示出的。
用于键合操作的表面上的键合层(例如由例如SiO2组成的电介质)的沉积是平行于第二衬底S2进行的，如附图3c所示的，第二衬底S2可以是由压电或者非压电材料制成，例如Si，蓝宝石，石英等等。应当指出的是，该层是可选的并且依赖于所述第二衬底的性质。
然后准备所述衬底，例如通过机械化学抛光，以便兼容随后的直接键合步骤。该准备使得获取随后的直接键合所期望的平面度和粗糙度成为可能。
在该步之中/之后，控制尺寸的粒子被沉积/生成于两个键合界面的其中一个上。这些粒子或者μ衬垫(μ-pad)可以，例如，由平版印刷然后蚀刻来生成，或者由以局部方式沉积控制尺寸的粒子来生成。附图3d示出了一种配置，在其中所述μ衬垫μP在层CC1的表面生成。这些粒子是非键合初始区：其在局部阻止两个衬底在该区域的层面和/或这些区域的附近键合。其他类型的非键合初始区将在随后描述。
附图3e示出了在键合阶段之前使两个堆叠接触。
所述两个堆叠在之后通过直接键合被键合，如在下列文章中所显示的：Tong &1999，Q.-Y.Tong，U.Semiconductor wafer bonding：Science andTechnology，Wiley，New York，1999，297pp。该文章主要描述了在键合界面的粒子的动作：作为所述粒子的尺寸(尤其是它的高度)的函数，形成与所述粒子的半径和高度相等的特定的半径和高度的气泡。
当用于铌酸锂(按照对应于所述材料的变形系数以及表面能量)的情形时，通过理论计算以及通过实验发现的所述气泡的半径的大小的量级是协调一致的。
在本发明的情形下，发明人已经发现所述气泡的高度明显的大于所述粒子的高度：所述气泡的直径和高度是由所使用的热预算控制的。
根据本发明的方法，采用热处理(介于100℃和500℃之间，优选地是250℃)以便通过在所述掩埋脆弱区的层面的破裂来初始所述压电材料的薄膜的转移。该热处理也使得增长最初在所述投影纳米结构周围形成的气泡成为可能。在没有粒子的区域，以及引起气泡的区域的外侧，执行对表面的所述直接键合。
额外的例如100℃到500℃之间(优选的是250℃附近)的热预算的应用(一旦已经获得破裂)使得控制所期望的气泡的横向直径成为可能。它还可以使得将所述隔膜从所述投影纳米结构上脱粘成为可能(如在附图4b中示出的)。
该热预算还可以允许两个或更多连续的气泡一起产生以形成更大尺寸的气泡。
还可以沉积另外的密封层来固定所述结构。附图4a和4b因此图示出了(只显示出了所述压电材料层)在所述热处理之前或之后，气泡CAV在纳米结构μP之上的形成导致了所述气泡的扩展。
典型的，对于高度为100nm的粒子，所能得到的最大气泡直径是约1000μm。
可以执行修整过程(例如热处理和/或抛光以获得与后面的组件的生产相兼容的粗糙度)。
因此获得了压电材料CPiezo的细长层，与其他层位于主衬底上。最终的FBAR谐振器通过在形成的气泡CAV的层面沉积上金属电极CM2制作而成，如在附图5中所示出的，此外高亮显示体声波传播的区域ZBAW。
已经在这样的结构上执行电测试用以显示所述悬浮隔膜的谐振压电特性。附图6的曲线示出了根据本发明的方法获得的悬浮隔膜的电响应。曲线6a对应于没有从所述衬底脱粘的压电层的响应，曲线6b涉及所述脱粘的隔膜以及因此涉及所述FBAR谐振器的最终结构。
如上所提到的，其他类型的非键合初始区可以在要结合的一个或两个衬底的表面上生产以便局部排除这两个衬底的直接键合以及因此在所述界面生成使这两个衬底局部声学去耦的气泡。这可以主要涉及位于其表面的碳氢化合物种类或者液态或者固态种类。这些种类可以生成气态副产品。通过合适的热处理，该区域会在所述非键合区域中的压力效应下在尺寸上增长，以便生成悬浮隔膜区域(横向支撑)。对于尺寸的影响，可以参考由Tong和Goesele撰写的文章(书1999第42页)。
在排气的情形中，由F.Rieutord(ECS2010)撰写的文章给出了在给定温度时作为压力(用于传达可用的分子或原子的数目N)的函数的例如气泡(非键合区域)的临界半径尺寸Rc。Rc是所述气泡在给定温度T下稳定时的值。
在所述热处理中，所述压力增长类似于PV＝NRT。所述键合能量可能会在热处理过程中增加并且仍然不够阻止所述区域的打开，因此增加所述非键合区域的横向尺寸r以及它的高度h。
另外，如果r大于例如F.Rieutord(ECS2010)或者Tong和Goesele撰写的文章(书1999第42页)中定义的临界半径，所述非键合区域将不被再吸收。
这些受控的污染物使得导致非键合区域大于临界尺寸成为可能。
在生产中，可能会沉积污染物，其可以通过例如AFM针尖在键合区域的表面排气。
Claims (26)
1.一种用于制造声波谐振器的方法，所述声波谐振器包括悬浮隔膜，所述悬浮隔膜包括压电材料层，其特征在于所述方法包括如下：
-准备第一堆叠，该第一堆叠包括位于第一衬底的表面之上的至少一个第一压电材料层；
-准备第二堆叠，该第二堆叠包括至少一个第二衬底；
-在所述第一堆叠和所述第二堆叠之一的表面上沉积或产生具有控制尺寸的粒子；
-在执行随后的键合之前，在所述第一堆叠和所述第二堆叠之一的所述表面上形成投影纳米结构，其中，投影纳米结构包括非键合初始区域，非键合初始区域包括具有控制尺寸的粒子中的至少一个粒子；
-在将所述第一堆叠和所述第二堆叠直接键合期间或之后，围绕在所述第一堆叠和所述第二堆叠之间的非键合初始区域形成气泡；
-薄化所述第一堆叠以消除至少所述第一衬底。
2.如权利要求1所述的用于制造声波谐振器的方法，其特征在于所述直接键合是通过放置两个堆叠为直接接触、或者通过热压、或者通过阳极键合、或者通过熔化键合来实现的。
3.如权利要求1和2中任意一项所述的用于制造声波谐振器的方法，其特征在于在所述直接键合步骤之中或者之后执行热处理步骤以便提升所述气泡的产生和/或增长。
4.如权利要求1所述的用于制造声波谐振器的方法，其特征在于所述非键合初始区域是投影纳米结构，该投影纳米结构对应于相对于微米尺寸的形成有投影纳米结构的堆叠的表面的局部突起。
5.如权利要求4所述的用于制造声波谐振器的方法，其特征在于产生该投影纳米结构的步骤是通过光刻以及蚀刻来执行的。
6.如权利要求4所述的用于制造声波谐振器的方法，其特征在于产生该投影纳米结构的步骤是通过以局部方式沉积控制尺寸的粒子来执行的。
7.如权利要求4至6中任意一项所述的用于制造声波谐振器的方法，其特征在于所述投影纳米结构具有从几十纳米到几百纳米量级的高度，所述气泡具有一千微米量级的直径范围。
8.如权利要求4至6中任意一项所述的用于制造声波谐振器的方法，其特征在于还包括在键合之前准备围绕所述投影纳米结构的表面或者面向所述投影纳米结构的表面的准备步骤，以便在热处理过程中促进或者适于所述气泡的扩展，所述准备步骤包括降低亲水性和/或改变围绕所述投影纳米结构的表面或者面向所述投影纳米结构的表面的粗糙度。
9.如权利要求8所述的用于制造声波谐振器的方法，其特征在于用于降低所述亲水性的准备步骤是通过等离子或者UV/臭氧处理来执行的。
10.如权利要求8所述的用于制造声波谐振器的方法，其特征在于用于改变所述粗糙度的准备步骤是通过化学刻蚀、湿刻蚀或者干蚀刻来执行的。
11.如权利要求1所述的用于制造声波谐振器的方法，其特征在于所述非键合初始区域是通过局部沉积碳氢化合物或者能够生成气体副产品的液体或者固体产品而获得的。
12.如权利要求11所述的用于制造声波谐振器的方法，其特征在于局部沉积碳氢化合物是借助原子力显微镜的针尖执行的。
13.如权利要求1所述的用于制造声波谐振器的方法，其特征在于所述第一堆叠和/或第二堆叠在其表面包括键合层，在该键合层的层面执行后续的键合步骤。
14.如权利要求1所述的用于制造声波谐振器的方法，其特征在于所述第一堆叠在第一压电材料层和所述键合层之间包括用作电极的金属层。
15.如权利要求1所述的用于制造声波谐振器的方法，其特征在于所述第一压电材料是单晶体。
16.如权利要求1所述的用于制造声波谐振器的方法，其特征在于所述方法还包括离子植入步骤以便在所述第一堆叠中产生掩埋脆弱区，该掩埋脆弱区与所述第一堆叠的表面划定的区域包括第一压电材料层的至少一部分。
17.如权利要求16所述的用于制造声波谐振器的方法，其特征在于所述薄化是通过在所述掩埋脆弱区的层面的破裂获得。
18.如权利要求1所述的用于制造声波谐振器的方法，其特征在于所述薄化是通过机械化学类型的抛光获得的。
19.如权利要求1所述的用于制造声波谐振器的方法，其特征在于所述压电材料是Li(TaxNb1-x)O3。
20.如权利要求1所述的用于制造声波谐振器的方法，特征在于所述方法包括沉积AIN或PZT的压电材料层。
21.如权利要求1所述的用于制造声波谐振器的方法，其特征在于所述第二衬底是由硅、或者石英、或者钻石、或者蓝宝石，或者包括上述材料之一的复合材料组成的。
22.如权利要求1所述的用于制造声波谐振器的方法，其特征在于至少一个键合层是由电介质材料制成。
23.如权利要求1所述的用于制造声波谐振器的方法，其特征在于所述第一堆叠在其表面包括用作电极的金属层。
24.如权利要求14或23所述的用于制造声波谐振器的方法，其特征在于所述方法还包括在所述金属层中的电极限定步骤。
25.如权利要求1所述的用于制造声波谐振器的方法，其特征在于所述方法还包括在所述薄化步骤之后的在第一和第二堆叠形成的堆叠的表面生成上电极的步骤。
26.如权利要求22所述的用于制造声波谐振器的方法，其特征在于所述电介质材料是SiO2。
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