CN102544062A - 基于氮化物的半导体器件及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种基于氮化物的半导体器件及其制造方法。该基于氮化物的半导体器件包括：基板；设置在基板上并在其中产生2维电子气(2DEG)的外延生长层；以及设置在外延生长层上并具有延伸进外延生长层的延伸部的电极结构，其中，外延生长层包括从外延生长层的表面凹入其内的凹部，凹部包括：其中设置有延伸部的第一区域；以及作为除了第一区域之外的区域的第二区域。
Description
相关申请的参考
本申请根据35 U.S.C.条款119要求于2010年12月9日提交的名为“Nitride Based Semiconductor Device And Method For Manufacturing TheSame”的第10-2010-0125288号韩国专利申请的权益，其全部内容结合于此作为参考。
技术领域
本发明涉及一种基于氮化物的半导体器件及其制造方法，更具体地，涉及一种能够在低导通电压下正向操作并且增加反向操作时的耐受电压的基于氮化物的半导体器件及其制造方法。
背景技术
在半导体器件中，肖特基二极管是使用肖特基接触(金属和半导体的结)的器件。在肖特基二极管中，将2维电子气(2DEG)用作电流移动沟道的基于氮化物的半导体器件可被配置为包括诸如蓝宝石基底的基板、设置在基板上的外延生长层以及设置在外延生长层上的肖特基电极和欧姆电极。通常，肖特基电极用作阳极，欧姆电极用作阴极。
然而，具有以上结构的基于氮化物的半导体肖特基二极管在满足低导通电压和低截止电流与增加反向操作时的耐受电压之间具有折衷关系。因此，难以实现在增加通常的基于氮化物的半导体器件反向操作时的耐受电压的同时降低正向导通电压的技术。
发明内容
本发明的目的是提供一种能够在低导通电压下操作的基于氮化物的半导体器件。
本发明的另一目的是提供一种能够增加反向操作时的耐受电压的基于氮化物的半导体器件。
根据本发明示意性实施方式，提供了一种基于氮化物的半导体器件，包括：基底；设置在基底上并且其内产生有2维电子气(2DEG)的外延生长层；以及设置在外延生长层上并具有延伸进外延生长层的延伸部的电极结构，其中，该外延生长层包括从外延生长层的表面凹入其内的凹部，并且该凹部包括：设置有延伸部的第一区域；以及作为除了第一区域之外的区域的第二区域。
电极结构包括肖特基接触外延生长层的肖特基电极，肖特基电极中设置有延伸部。
电极结构包括欧姆接触外延生长层的欧姆电极，并且欧姆电极中设置有延伸部。
延伸部在其侧部处接触所述2维电子气(2DEG)。
外延生长层包括：使用基底作为晶种层(seed layer)而生长在基底上的下氮化物层；以及使用下氮化物层作为晶种层而设置在下氮化物层上并具有比下氮化物层的能带间隙更宽的能带间隙的上氮化物层，其中，延伸部穿过上氮化物层延伸至下氮化物层的内部。
延伸部不接触2维电子气。
外延生长层包括：将基底用作晶种层生长在基底上下氮化物层，；以及将下氮化物层用作晶种层设置在下氮化物层上并具有比下氮化物层的能带间隙更宽的能带间隙的上氮化物层，延伸部延伸进上氮化物层以不接触2维电子气。
与第一区域相比，第二区域被设置为接近欧姆电极。
基于氮化物的半导体器件还包括覆盖第二区域的钝化层。
第二区域用作分散在肖特基电极和外延生长层之间的界面处产生的电场的场板。
电极结构包括：设置为在外延生长层上的一侧处具有板状并且欧姆接触外延生长层的欧姆电极；以及在外延生长层上的另一侧处与欧姆电极相对并且肖特基接触外延生长层的肖特基电极，其中，沿肖特基电极的与欧姆电极相对的侧面局部地设置延伸部。
电极结构可包括：设置在外延生长层的中心区域并且肖特基接触外延生长层的肖特基电极；以及沿外延生长层的边缘区域设置以具有围绕肖特基电极的环状并且欧姆接触外延生长层的欧姆电极，沿肖特基电极的与欧姆电极相对的侧面局部地设置延伸部。
凹部在用于电分离器件的台面处理期间形成。
基底至少包括硅基板、碳化硅基板和蓝宝石基板中的任意一种。
附图说明
图1是示出根据本发明示意性实施方式的基于氮化物的半导体器件的平面图；
图2是沿图1的线I-I’截取的截面图；
图3是沿图1的线II-II’截取的截面图。
图4A至图4C是用于说明根据本发明示意性实施方式的基于氮化物的半导体器件的具体操作过程的示图；
图5是示出根据本发明示意性实施方式的基于氮化物的半导体器件的变形例的示图；
图6是沿图5的线III-III’截取的截面图；
图7是示出根据本发明示意性实施方式的基于氮化物的半导体器件的另一变形例的示图；以及
图8是沿图7的线III-III’截取的截面图。
具体实施方式
本发明的各种优点和特征及其实现方法将通过以下参照附图描述实施方式而变得显而易见。然而，本发明可以多种不同方式修改，当不应限于本文阐述的实施方式。提供这些实施方式，使得本公开透彻和完整，并向本领域的技术人员充分表达本发明的范围。在整个申请文件中，相同的参考标号表示相同的元件。
本文中所使用的术语仅用于描述特定实施方式而不是限制本发明。在本申请文件中，单数形式也包括复数形式，除非明确地指出并非如此。术语“包括(comprise)”以及诸如“包括(comprises)”或“包括(comprising)”的变形应被理解为指包括所述的组成、步骤、操作和/或元件，但不排除任何其他组成、步骤、操作和/或元件。
此外，将参照截面图和/或平面图描述本申请文件中所述的实施方式。在图中，扩大层和区域的厚度用于有效地说明技术内容。因此，示意性示图中的形状可因制造技术和/或容许误差而改变。本发明实施方式并不限于所示的具体形状，而是包括根据制造工艺所产生的形状变化。例如，以直角示出的蚀刻区域可为圆形或可具有一定的曲率。因此，图中所示的区域具有大致的属性，在图中所示的区域的配置用于说明具体形式而不限制本发明的范围。
图1是示出根据本发明示意性实施方式的基于氮化物的半导体器件的平面视图，图2是沿图1的线I-I’截取的截面图。图3是沿图1的线II-II’截取的截面图。
参照图1至图3，根据本发明示意性实施方式的基于氮化物的半导体器件100可被配置为包括基底110、外延生长层120和电极结构130。
基底110可以是用于形成外延生长层120和电极结构130的基底。各种基板可用作基底110。例如，硅基板、碳化硅基板和蓝宝石基板中的任何一种可用作基底110。
外延生长层120可以被配置为包括顺序层叠在基底110上的下氮化物层122和上氮化物层124。上氮化物层124可由具有比下氮化物层122更宽的能带间隙的材料构成。此外，上氮化物层124可由具有与下氮化物层122不同的晶格常数的材料构成。例如，下氮化物层122和上氮化物层124可以是包括基于III族氮化物的材料的层。更具体地，下氮化物层122可由氮化镓(GaN)、氮化铝镓(AlGaN)、氮化铟镓(InGaN)和氮化铟铝镓(InAlGaN)中的任何一种构成，上氮化物层124可由氮化镓(GaN)、氮化铝镓(AlGaN)、氮化铟镓(InGaN)和氮化铟铝镓(InAlGaN)中的另外一种构成。例如，下氮化物层122可以是氮化镓(GaN)层，上氮化物层124可以是氮化铝镓(AlGaN)层。
外延生长层120可由外延生长工艺形成。例如，外延生长层120可通过分子束外延生长工艺、原子层外延生长工艺、流调制有机金属气相外延生长工艺以及混合气相外延生长工艺中的至少任意一种形成。
在外延生长层120中，2维电子气(2DEG)可在下氮化物层122和上氮化物层124之间的边界处产生。在基于氮化物的半导体器件100的开关操作时，电流可流经2维电子气(2DEG)。
在这种情况下，缓冲层(未示出)可介于基底110和外延生长层120之间。缓冲层可以是减少由基底110和外延生长层120之间的晶格失配导致的缺陷的发生的层。为此，缓冲层可具有由异质材料构成的薄膜交替层叠的超晶格层结构。超晶格层可具有绝缘层和半导体层交替生长的多层结构。
电极结构130可设置在半导体层120上。电极结构130可具有欧姆电极132和肖特基电极134。欧姆电极132可欧姆接触半导体层120，肖特基电极134可以是肖特基接触半导体层120的金属层。上述欧姆电极132被用作基于氮化物的半导体器件100的阴极(cathode)，肖特基电极134可用作基于氮化物的半导体器件100的阳极(anode)。
欧姆电极132可设置在半导体层120的一个区域处。欧姆电极132基本上可具有片状。肖特基电极134可设置在半导体层120的与欧姆电极132间隔开的另一区域处。在这种情况下，欧姆电极132的与肖特基电极134相对的侧面(下文中，第一侧面132’)和肖特基电极134的与欧姆电极132相对的侧面(下文中，第二侧面134’)可基本上相互平行。
同时，肖特基电极可具有延伸进外延生长层120以接触2维电子气(2DEG)的结构。例如，肖特基电极134可具有延伸进外延生长层120以接触2维电子气(2DEG)的延伸部136。该延伸部136可具有在与第二侧面134’相邻的区域中基本上向下延伸以面向外延生长层120的结构。
此外，延伸部136可沿第二侧面134’局部地设置。例如，可设置多个延伸部136。在这种情况下，可沿第二侧面134’以预定的间隔相互间隔地设置延伸部136。延伸部136可基本上具有岛形横截面。例如，延伸部136可具有四边形横截面。此外，每个延伸部136穿过其中产生有2维电子气的部分以延伸进下氮化物层122。即，每个延伸部136可还具有从其侧部延伸至下氮化物层122的内部以接触2维电子气(2DEG)的结构。因此，每个延伸部136可具有穿过下氮化物层122和上氮化物层124之间的边界并延伸至下氮化物层122的内部区域的结构。
同时，外延生长层120可形成插入有延伸部136的凹部126，以使延伸部136被设置在外延生长层120中。例如，凹部126可以是插入有延伸部136的槽。当设置多个延伸部136时，也可沿第二侧面134’布置多个凹部126。每个凹部126均可具有岛状横截面。
具有上述结构的凹部126可通过在外延生长层120上执行预定蚀刻处理来形成。作为实例，凹部126可通过执行光刻处理来形成。作为另一个实例，凹部126可在台面处理(mesa process)期间形成。更具体地，基于氮化物的半导体器件在基板级状态中制造，通过使用台面工艺(其为电分离基板上的器件的工艺)，每个基于氮化物的半导体器件可被分为单元器件。可执行台面工艺以在基于氮化物的半导体器件之间的边界处形成预定沟槽。在这种情况下，可控制沟槽深度以暴露外延生长层120的下氮化物层122。因此，由于通过使用用于电分离基于氮化物的半导体器件的台面工艺来形成凹部126，所以根据本发明示意性实施方式的基于氮化物的半导体器件的制造方法可通过台面工艺来形成凹部126，而没有额外执行形成单独的凹部的处理。
延伸部136可被形成为仅覆盖凹部126的一部分。例如，延伸部136覆盖凹部的一些区域以选择性地暴露凹部126的相对更接近欧姆电极132的部分。因此，凹部126可被划分为插入有延伸部136的第一区域126a以及作为除了第一区域126a之外的区域的第二区域126b。第一区域126a和第二区域126b可基于第二侧面134’划分，第二区域126b可设置为比第一区域126a更接近欧姆电极132。
第二区域126b可覆盖有预定绝缘层。例如，基于氮化物的半导体器件100可还包括覆盖第二区域126b的钝化层140。此外，钝化层140可被设置为覆盖在欧姆电极132和肖特基电极134之间暴露的外延生长层120。钝化层140可以是氧化物层和氮化物层中的任意一种。作为一个实例，钝化层140可由氧化硅层、氮化硅层、氧化铝层中的任意一种构成。作为另一实例，钝化层140可由氧化铪层、氮化铪层、硅酸铪层、氧化锆层、硅酸锆层和铝硅酸盐层中的至少一种构成。
同时，例如，本发明示意性实施方式以实例的方式描述了仅电极结构130的肖特基电极134具有延伸进外延生长层120以接触2维电子气(2DEG)的结构。此外，欧姆电极132可具有延伸进外延生长层120以接触2维电子气(2DEG)的结构。在这种情况下，由于欧姆电极132具有接触2维电子气(2DEG)的结构，所以从肖特基电极134至欧姆电极132的电流方向基本上为水平方向，使得电流移动路径可缩短。
具有上述结构的肖特基电极134直接接触限定基于氮化物的半导体器件100的电流移动路径的2维电子气(2DEG)，使得它可具有接近0的电阻值。因此，肖特基电极134可具有与欧姆接触相似的电极特性。在这种情况下，即使在显著低于不接触2维电子气(2DEG)的肖特基电极的电压下也可正向操作基于氮化物的半导体器件100。因此，可减小器件100在正向操作时的导通电压，使得即使在低导通电压下也可操作器件100。
接下来，将详细描述根据本发明示意性实施方式的基于氮化物的半导体器件的具体操作过程。在该配置中，可省略或简化参照图1和图3描述的基于氮化物的半导体器件100的重复描述。
图4A至图4C是用于说明根据本发明示意性实施方式的基于氮化物的半导体器件的具体操作过程的示图。更具体地，图4A是示出在正向驱动根据本发明示意性实施方式的基于氮化物的半导体器件时，施加低于肖特基电极的导通电压的电压时的电流的示图。图4B示出在正向驱动根据本发明示意性实施方式的基于氮化物的半导体器件时，向基于氮化物的半导体器件施加高于肖特基电极的导通电压的电压时的电流的示图。图4C是示出通过向根据本发明示意性实施方式的基于氮化物的半导体器件施加反相驱动电压，由肖特基结的耗尽区域来阻断流经2维电子气的电流的形态的示图。
参照图4A，当在相对低于肖特基电极134的导通电压的电压下正向驱动根据本发明示意性实施方式的基于氮化物的半导体器件时，可选择性地使从肖特基电极134至欧姆电极132的电流经过电极结构130的与2维电子气(2DEG)接触的部分。即，电极结构130和2维电子气(2DEG)的交界处可以是肖特基电极134的延伸部136的侧部。因此，电流可从接触2维电子气(2DEG)的肖特基电极134的延伸部136的侧部经过2维电子气流入欧姆电极132中。
参照图4B，当在高于肖特基电极134的导通电压的电压下正向驱动根据本发明示意性实施方式的基于氮化物的半导体器件时，电流可从肖特基电极134经过电极结构130的与2维电子气(2DEG)接触的部分以及其余部分流入欧姆电极132。即，电流20可从与2维电子气(2DEG)不接触的肖特基电极134经过2维电子气(2DEG)流入欧姆电极132，还存在参照图4A描述的从延伸部136流入欧姆电极132的电流10。
参照图4C，当根据本发明示意性实施方式的基于氮化物的半导体器件在反向驱动时开始被施加电压时，从肖特基电极134流入欧姆电极132的电流可被肖特基电极134的肖特基接触所导致的耗尽区域(DR：depletion region)阻断。此外，当反向电压的幅度增加时，耗尽区域DR扩大，使得电流可被完全阻断。在这种情况下，集中在与外延生长层120接触的肖特基电极134的边界处的电场可通过凹部126分散，从而可在反向操作时增加耐受电压。即，凹部126可用作在反向操作器件时分散集中在肖特基电极134上的电场的场板。
如上所述，根据本发明示意性实施方式的基于氮化物的半导体器件100可被配置为包括基底110、产生2维电子气(2DEG)的外延生长层120、形成在外延生长层120上并具有延伸进外延生长层120以直接接触2维电子气(2DEG)的延伸部136的肖特基电极134。在这种情况下，肖特基电极134的延伸部136接触2维电子气(2DEG)以最小化电流阻值，可使得其操作类似于欧姆接触。因此，根据本发明示意性实施方式的基于氮化物的半导体器件在正向操作时，以比肖特基电极的导通电压低的电压驱动器件时，电流通过电极结构的接触2维电子气的一部分移动，并在以高于导通电压的电压驱动时，电流通过整个肖特基电极和2维电子气之间的接触点移动，从而使得可在低导通电压下进行操作，并增加了正向电流量。
此外，根据本发明示意性实施方式的基于氮化物的半导体器件100包括相互间隔地设置在外延生长层上的欧姆电极132和肖特基电极134。外延生长层120可沿肖特基电极134的与欧姆电极132相对的侧面134’局部地设置凹部126。可设置凹部126作为在反向操作器件100时分散集中在电极结构130的肖特基电极134上的电场的构造。因此，根据本发明示意性实施方式的基于氮化物的半导体器件，在欧姆电极和肖特基电极之间的外延生长层中局部地设置凹部，以通过凹部来分散在反向操作时集中在肖特基电极上的电场，从而使得可增加反向耐受电压。
下文中，将详细描述根据本发明实施方式的基于氮化物的半导体器件的变形例。在该配置中，可省略或简化参照图1和2描述的基于氮化物的半导体器件的重复描述。
图5是示出根据本发明示意性实施方式的基于氮化物的半导体器件的变形例的平面图，图6是沿图5的线III-III’截取的截面图。
参照图5和图6，根据本发明变形例的基于氮化物的半导体器件100a可包括具有不接触2维电子气(2DEG)的延伸部136a的电极结构130a，不同于参照图1所述的基于氮化物的半导体器件100。
更具体地，基于氮化物的半导体器件100a包括基底110、设置在基底110上的外延生长层120以及设置在外延生长层120上的电极结构130a，其中，电极结构130a可包括欧姆电极132和肖特基电极134a。肖特基电极134a设置在外延生长层120上，其中，延伸部136a可具有在不接触2维电子气(2DEG)的条件下延伸进外延生长层120以接近2维电子气(2DEG)的结构。例如，延伸部136a可延伸进上氮化物层124，使得其不接触外延生长层120的下氮化物层122。为此，上氮化物层124可设置有插入有延伸部136a的凹部126。凹部126的未设置延伸部136a的区域可通过覆盖钝化层140来保护。
同时，2维电子气(2DEG)的与延伸部136a相邻的部分与其余部分相比可相对降低2维电子气(2DEG)的浓度。在具有上述结构的基于氮化物的半导体器件100a中，肖特基电极134a的延伸部136a可具有不接触二维电子气(2DEG)的结构。在这种情况下，肖特基电极134a具有低导通阻值，使得它基本上具有与欧姆接触相似的电极特性。在这种情况下，即使在比不接触2维电子气(2DEG)的肖特基电极(的导通电压)显著低的电压下，也可正向操作基于氮化物的半导体器件100a。
图7是示出根据本发明示意性实施方式的基于氮化物的半导体器件的另一变形例的平面图，图8是沿图7的线III-III’截取的截面图。
参照图7和图8，根据本发明另一变形例的基于氮化物的半导体器件100b可包括具有圆形或环形横截面的电极结构130b，不同于参照图1所述的基于氮化物的半导体器件100。
更具体地，基于氮化物的半导体器件100b包括基底110、设置在基底110上的外延生长层120以及设置在外延生长层120上的电极结构130b，其中，电极结构130b可包括设置在外延生长层120的边缘区域的欧姆电极132b以及在外延生长层120的中心区域中的被欧姆电极132b围绕的肖特基电极134b。因此，欧姆电极132b具有围绕肖特基电极134b的环状，肖特基电极134b可具有板状。
同时，肖特基电极134b可具有延伸进外延生长层120的延伸部136b。可设置多个延伸部136b。在这种情况下，延伸部136b可以沿肖特基电极134b的与欧姆电极132b相对的侧面以预定间隔而间隔地设置。外延生长层120可设置有插入有延伸部136b的凹部126，以使延伸部136b被设置在外延生长层120中。凹部126可包括插入有延伸部136b的第三区域127a以及作为除了第三区域127a之外的区域的第四区域127b。第四区域127b可设置有钝化层140。
根据本发明示意性实施方式的基于氮化物的半导体器件包括其内产生有二维电子气的外延生长层和设置在外延生长层上的电极结构，并且电极结构的一部分延伸进外延生长层以接触2维电子气，以最小化通过2维电子气的电流阻值，从而可改善低导通电压下的正向操作。
此外，根据本发明示意性实施方式的基于氮化物的半导体器件在正向操作时，以比肖特基电极的导通电压低的电压驱动时，电流通过电极结构的接触2维电子气的一部分移动，并在以高于导通电压的电压驱动时，电流通过整个肖特基电极和2维电子气之间的接触点移动，从而使得能够在低导通电压下操作，并增加了正向电流量。
此外，根据本发明示意性实施方式的基于氮化物的半导体器件在外延生长层上设置凹部，以通过凹部分散在反向操作时集中在肖特基电极上的电场，从而使得可增加反向耐受电压。
以上详细描述用于说明本发明。此外，上述内容仅用于示出和说明本发明的优选实施方式，本发明可以用在各种其他组合、变化和环境中。换言之，在本实施方式阐述的本发明的构思的范围内、本实施方式阐述的书面公开的等价物的范围和/或现有技术中技术或知识的范围内，修改或更改是可行的。上述实施方式用于说明实现本实施方式的最佳方式。本发明在现有技术中已知的其他形式的实现以及具体应用领域和使用所需的各种修改是可行的。因此，本发明的以上详细说明不旨在通过所示实施方式限制本发明。此外，所附权利要求应理解为包括其他实施方式。
Claims (14)
1.一种基于氮化物的半导体器件，包括：
基底；
外延生长层，设置在所述基底上，并且其内产生有2维电子气(2DEG)；以及
电极结构，设置在所述外延生长层上，并具有延伸进所述外延生长层的延伸部，
其中，所述外延生长层包括凹部，所述凹部从所述外延生长层的表面凹入其内，并且
所述凹部包括：
第一区域，其中设置有所述延伸部；以及
第二区域，所述第二区域是除了所述第一区域之外的区域。
2.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述电极结构包括肖特基接触所述外延生长层的肖特基电极，并且
所述延伸部设置在所述肖特基电极中。
3.根据权利要求2所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述电极结构包括欧姆接触所述外延生长层的欧姆电极，并且
所述延伸部设置在所述欧姆电极中。
4.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述延伸部在其侧部处接触所述2维电子气(2DEG)。
5.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述外延生长层包括：
下氮化物层，使用所述基底作为晶种层而生长在所述基底上；以及
上氮化物层，使用所述下氮化物层作为晶种层而设置在所述下氮化物层上，并具有比所述下氮化物层的能带间隙更宽的能带间隙，
所述延伸部穿过所述上氮化物层延伸至所述下氮化物层的内部。
6.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述延伸部不接触所述2维电子气。
7.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述外延生长层包括：
下氮化物层，使用所述基底作为晶种层而生长在所述基底上；以及
上氮化物层，使用所述下氮化物层作为晶种层而设置在所述下氮化物层上，并具有比所述下氮化物层的能带间隙更宽的能带间隙，
所述延伸部延伸进所述上氮化物层以不接触所述2维电子气。
8.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体器件，其中，与所述第一区域相比，所述第二区域被设置为接近所述欧姆电极。
9.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体器件，还包括覆盖所述第二区域的钝化层。
10.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述第二区域用作分散在所述肖特基电极和所述外延生长层之间的界面处产生的电场的场板。
11.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述电极结构包括：
欧姆电极，设置为在所述外延生长层上的一侧处具有板状，并且欧姆接触所述外延生长层；以及
肖特基电极，在所述外延生长层上的另一侧处与所述欧姆电极相对，并且肖特基接触所述外延生长层，
所述延伸部沿所述肖特基电极的与所述欧姆电极相对的侧面局部地设置。
12.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述电极结构包括：
肖特基电极，设置在所述外延生长层的中心区域，并且肖特基接触所述外延生长层；以及
欧姆电极，沿所述外延生长层的边缘区域设置以具有围绕所述肖特基电极的环状，并且欧姆接触所述外延生长层，
所述延伸部沿所述肖特基电极的与所述欧姆电极相对的侧面局部地设置。
13.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述凹部在用于电分离器件的台面处理期间形成。
14.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述基底至少包括硅基板、碳化硅基板和蓝宝石基板中的任意一种。
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