KR101204609B1 - 질화물계 반도체 소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 질화물계 반도체 소자에 관한 것으로, 본 발명에 따른 질화물계 반도체 소자는 베이스 기판, 베이스 기판 상에 배치된 반도체막, 그리고 반도체막 상에 배치되는 전극 구조체를 포함하되, 전극 구조체는 반도체막과 오믹 접합(ohmic contact)을 이루는 제1 오믹 전극, 반도체막과 오믹 접합을 이루며 제1 오믹 전극으로부터 이격되는 제2 오믹 전극, 그리고 반도체막과 쇼트키 접합(schottky contact)을 이루며 제2 오믹 전극을 덮는 쇼트키 전극부를 포함한다.

Description

질화물계 반도체 소자{NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 질화물계 반도체 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 낮은 온(on) 전압으로 순방향 동작이 가능하고, 역방향 동작시의 내압을 높일 수 있는 질화물계 반도체 소자에 관한 것이다.
반도체 소자들 중 쇼트키 다이오드는 금속과 반도체의 접합인 쇼트키 접합(schottky cantact)을 이용하는 소자이다. 쇼트키 다이오드들 중 2차원 전자 가스(2-Dimensional Electorn Gas:2DEG)를 전류 이동 채널(channel)로 사용하는 질화물계 반도체 소자가 있다. 이와 같은 질화물계 반도체 소자는 사파이어 기판과 같은 베이스 기판, 베이스 기판 상에 형성된 에피성장막, 그리고 에피 성정막 상에 형성된 쇼트키 전극 및 오믹 전극을 갖는다. 보통 상기 쇼트키 전극은 양극(anode)으로 사용되고, 상기 오믹 전극은 음극(cathode)으로 사용된다.
그러나, 이러한 구조의 질화물계 반도체 쇼트키 다이오드는 낮은 온-전압 및 온 전류를 만족시키는 것과 역방향 동작시의 내압을 높이는 것이 서로 트레이드 오프(trade-off) 관계에 있다. 이에 따라, 일반적인 질화물계 반도체 소자는 역방향 동작시의 내압을 높이면서, 순방향 온 전압을 낮추는 것이 기술적으로 매우 어렵다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 낮은 온 전압으로 동작이 가능한 질화물계 반도체 소자를 제공하는 것에 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 역방향 동작시의 내압을 증가시킬 수 있는 질화물계 반도체 소자를 제공하는 것에 있다.
본 발명에 따른 질화물계 반도체 소자는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 배치된 반도체막, 그리고 상기 반도체막 상에 배치되는 전극 구조체를 포함하되, 상기 전극 구조체는 상기 반도체막과 오믹 접합(ohmic contact)을 이루는 제1 오믹 전극, 상기 반도체막과 오믹 접합을 이루며, 상기 제1 오믹 전극으로부터 이격되는 제2 오믹 전극, 그리고 상기 반도체막과 쇼트키 접합(schottky contact)을 이루며, 제2 오믹 전극을 덮는 쇼트키 전극부를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 쇼트키 전극부는 상기 제1 오믹 전극에 대향되는 상기 제2 오믹 전극의 측면에 비해, 상기 제1 오믹 전극에 가깝도록 연장되어 상기 반도체막과 쇼트키 접합을 이루는 연장부를 가질 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 연장부는 복수개가 제공되되, 복수의 상기 연장부들은 상기 제1 오믹 전극에 대향되는 상기 제2 오믹 전극의 측면을 따라 일정 간격이 이격되어 배치될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1 오믹 전극에 대향되는 상기 연장부들과 상기 제2 오믹 전극의 측면은 요철 구조를 이루고, 상기 연장부들은 상기 요철 구조의 철부로 제공될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 연장부들은 상기 제2 오믹 전극의 측면이 국부적으로 노출되도록, 상기 제1 오믹 전극에 대향되는 상기 제2 오믹 전극의 측면을 덮을 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1 오믹 전극은 상기 소자의 음극 구조물로 사용되고, 상기 제2 오믹 전극 및 상기 쇼트키 전극은 상기 소자의 양극 구조물로 사용될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 베이스 기판은 실리콘 기판, 실리콘 카바이드 기판, 그리고 사파이어 기판 중 적어도 어느 하나일 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 반도체막은 상기 베이스 기판을 시드층(seed layer)으로 하여, 상기 베이스 기판 상에 성장된 하부 질화막 및 상기 하부 질화막을 시드층으로 하여 상기 하부 질화막 상에 형성되며, 상기 하부 질화막에 비해 넓은 에너지 밴드 갭을 갖는 상부 질화막을 포함하고, 상기 하부 질화막과 상기 상부 질화막 사이에는 2차원 전자 가스(2-Dimensional Electorn Gas:2DEG)가 생성될 수 있다.
본 발명에 따른 질화물계 반도체 소자는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 형성되는 반도체막, 그리고 상기 반도체막 상에 형성된 전극 구조체를 포함하되, 상기 전극 구조체는 상기 반도체막과 오믹 접합되는 음극 구조물 및 상기 반도체막과 쇼트키 접합되는 쇼트키 전극과 상기 반도체막과 오믹 접합되는 오믹 전극을 갖는 양극 구조물을 포함하고, 상기 쇼트키 전극은 상기 오믹 전극에 비해 상기 음극 구조물에 가깝도록 연장된 연장부를 가질 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 연장부는 복수개가 제공되고, 복수의 상기 연장부들은 상기 음극 구조물에 대향되는 상기 오믹 전극의 측면을 따라 일정 간격으로 이격되어 배치될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 오믹 전극은 상기 양극 구조물의 온 전압을 낮추기 위한 것일 수 있다.
삭제
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 연장부는 상기 음극 구조물에 대향되는 상기 오믹 전극의 측면이 국부적으로 노출되도록 상기 음극 구조물에 대향되는 상기 오믹 전극의 측면을 덮을 수 있다.
본 발명에 따른 질화물계 반도체 소자는 순방향 동작시 쇼트키 접합의 온(on) 전압에 비해 낮은 전압으로 구동되는 경우 오믹 접합을 통한 전류가 흐르고, 쇼트키 접합의 온 전압 이상인 경우에는 오믹 접합과 쇼트키 접합을 통한 전류가 흐르게 되어, 낮은 온 전압으로 동작이 가능할 수 있어, 스위칭 동작 효율을 향상시키고, 순방향 전류량을 증가시킬 수 있다.
본 발명에 따른 질화물계 반도체 소자는 양극 구조물로 사용되는 쇼트키 전극부의 내부에 오믹 접합을 삽입시켜, 역방향 동작시 상기 쇼트키 전극부에 집중되는 전계를 분산시킬 수 있어, 역방향 동작시의 내압을 높일 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 질화물계 반도체 소자를 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 I-I'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 실시예에 따른 질화물계 반도체 소자의 세부 동작 과정을 설명하기 위한 도면들이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 질화물계 반도체 소자의 일 변형예를 보여주는 평면도이다.
도 6은 도 5에 도시된 Ⅲ-Ⅲ'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 질화물계 반도체 소자의 다른 변형예를 보여주는 평면도이다.
도 8은 도 7에 도시된 Ⅳ-Ⅳ'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 질화물계 반도체 소자의 또 다른 변형예를 보여주는 평면도이다.
도 10은 도 9에 도시된 Ⅴ-Ⅴ'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 질화물계 반도체 소자의 또 다른 변형예를 보여주는 평면도이다.
도 12는 도 11에 도시된 Ⅵ-Ⅵ'선을 따라 절단한 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면들과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있다. 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공될 수 있다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다
본 명세서에서 사용된 용어들은 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 단계는 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprise)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
또한, 본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 평면도들을 참고하여 설명될 것이다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 예를 들면, 직각으로 도시된 식각 영역은 라운드지거나 소정 곡률을 가지는 형태일 수 있다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이며 발명의 범주를 제한하기 위한 것이 아니다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 소자 및 그 제조 방법을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 질화물계 반도체 소자를 보여주는 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 I-I'선을 따라 절단한 단면도이다. 그리고, 도 3은 도 1에 도시된 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 질화물계 반도체 소자(100)는 베이스 기판(110), 반도체막(120), 그리고 전극 구조체(130)를 포함할 수 있다.
상기 베이스 기판(110)은 상기 반도체막(120) 및 상기 전극 구조체(130)의 형성을 위한 기초물(base)일 수 있다. 상기 베이스 기판(110)으로는 다양한 종류의 기판이 사용될 수 있다. 예컨대, 상기 베이스 기판(110)으로는 실리콘 기판, 실리콘 카바이드 기판, 그리고 사파이어 기판 중 어느 하나가 사용될 수 있다.
상기 반도체막(120)은 상기 베이스 기판(110) 상에 형성된 소정의 반도체로 이루어진 막일 수 있다. 예컨대, 상기 반도체막(120)은 상기 베이스 기판(110)을 시드층으로 이용하는 에피택시얼 성장 공정을 수행하여 형성된 질화막일 수 있다. 상기 반도체막(120)은 상기 베이스 기판(110) 상에 차례로 적층된 하부 질화막(122) 및 상부 질화막(124)을 포함할 수 있다. 상기 상부 질화막(124)은 상기 하부 질화막(122)에 비해 넓은 에너지 밴드 갭을 갖는 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 상부 질화막(124)은 상기 하부 질화막(122)에 비해 상이한 격자 상수를 갖는 물질로 이루어질 수 있다.
예컨대, 상기 하부 질화막(122) 및 상기 상부 질화막(124)은 Ⅲ-질화물계 물질을 포함하는 막일 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 하부 질화막(122)은 갈륨 질화물(GaN), 알루미늄 갈륨 질화물(AlGaN), 인듐 갈륨 질화물(InGaN), 그리고 인듐 알루미늄 갈륨 질화물(InAlGaN) 중 어느 하나로 형성되고, 상기 상부 질화막(124)은 갈륨 질화물(GaN), 알루미늄 갈륨 질화물(AlGaN), 인듐 갈륨 질화물(InGaN), 그리고 인듐 알루미늄 갈륨 질화물(InAlGaN) 중 다른 하나로 형성될 수 있다. 일 예로서, 상기 하부 질화막(122)은 갈륨 질화막(GaN)이고, 상기 상부 질화막(124)은 알루미늄 갈륨 질화막(AlGaN)일 수 있다.
상기와 같은 반도체막(120)의 내부에는 상기 하부 질화막(122)과 상기 상부 질화막(124) 간의 경계에 2차원 전자 가스(2-Dimensional Electorn Gas:2DEG)가 생성될 수 있다. 상기 질화물계 반도체 소자(100)의 스위칭 동작시 전류의 흐름은 상기 2차원 전자 가스(2DEG)를 통해 이루어질 수 있다.
상기 베이스 기판(110)과 상기 반도체막(120) 사이에는 버퍼층(미도시됨)이 개재될 수 있다. 상기 버퍼층은 상기 베이스 기판(110)과 상기 반도체막(120) 간의 격자 불일치로 인한 결함의 발생을 감소시키기 위한 막일 수 있다. 이를 위해, 상기 버퍼층은 이종 재질의 박막이 교대로 적층된 초격자층(super-lattice layer) 구조를 가질 수 있다. 상기 초격자층은 인슐레이터층(insulator layer)과 반도체층(semiconductor layer)이 교대로 성장된 다층 구조를 가질 수 있다.
상기 전극 구조체(130)는 상기 반도체막(120) 상에 배치될 수 있다. 상기 전극 구조체(130)는 오믹 전극부(132) 및 쇼트키 전극부(136)를 가질 수 있다. 상기 오믹 전극부(132)는 상기 반도체막(120)과 오믹 컨택(ohmic contact)을 이루고, 상기 쇼트키 전극부(136)는 상기 반도체막(120)과 쇼트키 컨택(schottky contact)을 이루는 금속막일 수 있다.
상기 오믹 전극부(132)는 제1 오믹 전극(133) 및 제2 오믹 전극(134)을 가질 수 있다. 상기 제1 오믹 전극(133)은 상기 반도체막(120)의 일측 영역에 배치될 수 있다. 상기 제1 오믹 전극(133)은 플레이트 형상을 가질 수 있다. 상기 제2 오믹 전극(134)은 상기 반도체막(120)의 타측 영역에서 상기 제1 오믹 전극(133)과 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제2 오믹 전극(134)은 플레이트 형상을 가질 수 있다. 여기서, 상기 제2 오믹 전극(134)에 대향되는 상기 제1 오믹 전극(133)의 측면(이하, '제1 측면'이라함, 133')과 상기 제1 오믹 전극(133)에 대향되는 제2 오믹 전극(134)의 측면(이하, 제2 측면, 134')은 대체로 평행할 수 있다.
상기 쇼트키 전극부(136)는 상기 반도체막(120)의 상기 타측 영역에서 상기 제2 오믹 전극(134)을 덮을 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 쇼트키 전극부(136)은 상기 제2 오믹 전극(134)의 상부면을 덮도록 제공될 수 있다. 이에 더하여, 상기 쇼트키 전극부(136)은 상기 제1 오믹 전극(133)을 향해 연장되는 연장부(137)를 가질 수 있다. 상기 연장부(137)의 하부면은 상기 에피 성장막(120)과 쇼트키 접합을 이룰 수 있다. 또한, 상기 연장부(137)는 상기 제1 오믹 전극(133)의 제1 측면(133')과 대향되는 측면(이하, '제3 측면'이라함, 137')을 가질 수 있다. 상기 제3 측면(137')은 상기 제2 측면(134')에 비해 상기 제1 오믹 전극(133)에 가깝도록, 상기 연장부(137)는 연장될 수 있다.
여기서, 상기 제1 오믹 전극(133)은 상기 질화물계 반도체 소자(100)의 음극 구조물(cathode structure)을 구성할 수 있다. 또한, 상기 쇼트키 전극부(136)는 상기 제2 오믹 전극(134)과 함께, 상기 소자(100)의 양극 구조물(anode structure)을 구성할 수 있다.
한편, 상기 쇼트키 전극부(136)는 상기 제2 오믹 전극(134)의 제2 측면(134')이 국부적으로 상기 제1 오믹 전극(133)을 향해 노출되도록, 상기 제2 오믹 전극(134)을 덮을 수 있다. 예컨대, 상기 쇼트키 전극부(136)의 연장부(137)는 복수개가 제공될 수 있다. 상기 연장부(137)가 복수개가 제공되는 경우, 상기 연장부들(137)은 상기 제2 측면(134')과 평행하는 방향으로 일정간격이 이격되면서 일렬로 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 연장부들(137)은 상기 제2 측면(134')의 부분 영역을 선택적으로 덮도록 하여, 상기 제2 측면(134')을 국부적으로 노출시킬 수 있다. 이 경우, 상기 제2 측면(134')의 상기 제1 오믹 전극(133)을 향해 노출되는 부분은 섬(island) 형상을 가질 수 있다. 일 예로서, 상기 제2 측면(134')의 노출면은 삼각형 및 사각형과 같은 다각형 또는 일부 곡면을 갖는 변형된 형태의 다각형을 가질 수 있다.
상기와 같은 구조의 전극 구조체(130)는 상기 쇼트키 전극부(136)의 내부에 복수의 제2 오믹 전극들(134)이 구비된 양극 구조물을 가질 수 있다. 상기 제2 오믹 전극들(134)에 의해, 상기 쇼트키 전극부(136)의 온(on) 전압은 낮아질 수 있다. 더 구체적으로, 상기 반도체막(120)과 오믹 접합을 이루는 제2 오믹 전극들(134)에 의해, 상기 양극 구조물의 쇼트키 접합의 온 전압은 실질적으로 0에 가깝게 낮아질 수 있다. 이에 따라, 상기 소자(100)의 순방향 동작시의 온 전압은 감소될 수 있으며, 이에 따라 상기 소자(100)는 낮은 온 전압에서도 동작이 가능할 수 있다.
계속해서, 본 발명의 실시예에 따른 질화물계 반도체 소자의 세부 동작 과정을 상세히 설명한다. 여기서, 앞서 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 질화물계 반도체 소자(100)에 대해 중복되는 내용은 생략하거나 간소화될 수 있다.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 실시예에 따른 질화물계 반도체 소자의 세부 동작 과정을 설명하기 위한 도면들이다. 보다 구체적으로, 도 4a는 본 발명의 실시예에 따른 질화물계 반도체 소자의 순방향 구동시, 쇼트키 전극의 온 전압에 비해 낮은 전압이 인가된 경우의 전류 흐름을 보여주는 도면이다. 도 4b는 본 발명의 실시예에 따른 질화물계 반도체 소자의 순방향 구동시, 쇼트키 전극의 온 전압에 비해 높은 전압이 인가되는 경우의 전류 흐름을 보여주는 도면이다. 도 4c 및 도 4d는 본 발명의 실시예에 따른 질화물계 반도체 소자의 역방향 구동 전압이 인가되어 쇼트키 접합의 공핍영역에 의해 2차원 전자 가스를 통한 전류 흐름이 차단되는 과정을 설명하기 위한 도면들이다.
도 4a를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 질화물계 반도체 소자는 쇼트키 전극부(136)의 온(on) 전압에 비해, 낮은 전압으로 순방향 구동되는 경우, 전류 흐름은 상기 제2 오믹 전극(134)의 오믹 접합을 통해서만 선택적으로 흐를 수 있다. 즉, 상기 쇼트키 전극부(136)의 쇼트키 접합의 온 전압에 비해, 낮은 전압으로 순방향 동작되는 경우, 상기 쇼트키 전극부(136)를 통한 전류 흐름은 발생되지 않고, 상기 제2 오믹 전극(134)을 통한 전류(10)만이 선택적으로 흐를 수 있다. 이때, 상기 전류(10)는 상기 제2 오믹 전극(134)의 제2 측면(134') 중 상기 연장부(137)에 의해 국부적으로 노출되는 영역을 통해, 흐를 수 있다.
도 4b를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 질화물계 반도체 소자는 쇼트키 전극부(136)의 온 전압 이상의 전압으로 순방향 구동되는 경우, 전류 흐름은 상기 제2 오믹 전극(134)의 오믹 접합을 통한 전류(10)와 더불어, 상기 쇼트키 전극부(136)의 쇼트키 접합을 통한 전류(20)를 포함할 수 있다. 즉, 상기 쇼트키 전극부(136)의 쇼트키 접합의 온 전압 이상의 전압으로 순방향 구동되는 경우, 상기 제2 오믹 전극(134) 및 상기 쇼트키 전극부(136)를 통해 전류(10, 20)가 흐를 수 있다. 이때, 상기 쇼트키 접합을 통한 전류(20)는 상기 쇼트키 전극부(136)의 연장부(137)를 통해, 흐를 수 있다.
도 4c를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 질화물계 반도체 소자는 역방향 구동시 전압을 인가하기 시작하면, 상기 쇼트키 전극부(136)의 쇼트키 컨택의 의해 발생되는 공핍 영역(Depletion Region:DR1)에 의해, 제2 오믹 전극(134)을 통한 전류(10)의 흐름이 차단될 수 있다. 더 나아가, 상기 역방향 전압의 크기가 증가하면, 도 4d에 도시된 바와 같이, 확장된 공핍 영역(DR2)에 의해, 나머지 쇼트키 전극부(136)를 통한 전류(20)의 흐름이 차단될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 질화물계 반도체 소자(100)는 베이스 기판(110) 상에 형성된 반도체막(120) 및 상기 반도체막(120) 상에 형성된 전극 구조체(130)를 포함하되, 상기 전극 구조체(130)는 양극으로 사용되는 쇼트키 전극부(134)에 상기 반도체막(120)과 오믹 접합을 이루는 제2 오믹 전극들(134)을 삽입시킨 구조를 가질 수 있다. 이 경우, 상기 쇼트키 전극부(134)의 쇼트키 접합에 비해 낮은 온 전압에서는 상기 제2 오믹 전극들(134)을 통한 전류(10)가 발생되고, 상기 쇼트키 접합의 이상의 온 전압에서는 상기 제2 오믹 전극들(134)을 통한 전류(10)와 더불어, 상기 쇼트키 전극부(136)를 통한 전류(20)가 발생될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 질화물계 반도체 소자는 순방향 동작시 쇼트키 접합의 온(on) 전압에 비해 낮은 전압으로 구동되는 경우 오믹 접합을 통한 전류가 흐르고, 쇼트키 접합의 온 전압 이상인 경우에는 오믹 접합과 쇼트키 접합을 통한 전류가 흐르게 되어, 낮은 온 전압으로 동작이 가능할 수 있어, 스위칭 동작 효율을 향상시키고, 순방향 전류량을 증가시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 질화물계 반도체 소자(100)는 양극 구조물에 쇼트키 접합과 더불어 상기 쇼트키 접합 내에 오믹 접합을 구비함으로써, 역방향 동작시 상기 쇼트키 전극부(136)에 집중되는 전계를 낮출 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 질화물계 반도체 소자는 양극 구조물로 사용되는 쇼트키 전극부의 내부에 오믹 접합을 삽입시켜, 역방향 동작시 상기 쇼트키 전극부에 집중되는 전계를 분산시킬 수 있어, 역방향 동작시의 내압을 높일 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 질화물계 반도체 소자의 제조 방법의 변형예들에 대해 상세히 설명한다. 여기서, 앞서 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 질화물계 반도체 소자(100)에 대해 중복되는 내용은 생략하거나 간소화될 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 질화물계 반도체 소자의 일 변형예를 보여주는 평면도이고, 도 6은 도 5에 도시된 Ⅲ-Ⅲ'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 일 변형예에 따른 질화물계 반도체 소자(100a)는 앞서 도 1을 참조하여 설명한 질화물계 반도체 소자(100)에 비해, 상이한 구조의 양극 구조물을 갖는 전극 구조체(130a)를 구비할 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 질화물계 반도체 소자(100a)는 베이스 기판(110), 상기 베이스 기판(110) 상에 형성되며 내부에 2차원 전자 가스(2DEG)가 생성되는 반도체막(120), 그리고 상기 반도체막(120) 상에서 서로 이격되어 배치되는 음극 구조물 및 양극 구조물을 포함할 수 있다. 상기 음극 구조물은 제1 오믹 전극(133)을 포함하고, 상기 양극 구조물은 제2 오믹 전극(134) 및 상기 쇼트키 전극부(136a)를 포함할 수 있다. 상기 제1 오믹 전극(133) 및 상기 제2 오믹 전극(134)은 상기 반도체막(120)과 오믹 접합을 이루는 오믹 전극부(132)를 이룰 수 있다.
여기서, 상기 쇼트키 전극부(136a)는 상기 제1 오믹 전극(133)과 상기 제2 오믹 전극(134) 사이에서, 상기 제2 오믹 전극(134)의 측부에 배치될 수 있다. 상기 쇼트키 전극부(136a)는 복수개로 제공될 수 있으며, 이 경우 상기 쇼트키 전극부들(136a) 각각은 섬(island) 형상의 횡단면을 가질 수 있다. 상기 쇼트키 전극부들(136a)은 상기 제2 오믹 전극(134)의 상기 제1 오믹 전극(133)에 대향되는 측면 상에서 일정 간격이 이격되어 일렬로 배치될 수 있다. 상기와 같은 구조의 쇼트키 전극부들(136a)에 의해, 상기 양극 구조물은 상기 음극 구조물에 대향되는 측면이 대체로 요철 구조를 가질 수 있으며, 상기 쇼트키 전극부들(136a)은 상기 요철 구조의 철부로 제공될 수 있다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 질화물계 반도체 소자의 다른 변형예를 보여주는 평면도이고, 도 8은 도 7에 도시된 Ⅳ-Ⅳ'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 본 발명의 다른 변형예에 따른 질화물계 반도체 소자(100b)는 앞서 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 질화물계 반도체 소자(100)에 비해, 상이한 양극 구조물을 갖는 전극 구조체(130b)를 구비할 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 질화물계 반도체 소자(100b)는 베이스 기판(110), 상기 베이스 기판(110) 상에 형성되며 내부에 2차원 전자 가스(2DEG)가 생성되는 반도체막(120), 그리고 상기 반도체막(120) 상에 형성된 음극 구조물 및 양극 구조물을 포함할 수 있다. 상기 음극 구조물은 제1 오믹 전극(133)을 포함하고, 상기 양극 구조물은 제3 오믹 전극(134b) 및 상기 쇼트키 전극부(136b)를 포함할 수 있다. 상기 제1 오믹 전극(133)과 상기 제3 오믹 전극(134b)은 상기 에피 성장막(120)과 오믹 접합을 이루는 오믹 전극부(132b)를 구성할 수 있다.
상기 쇼트키 전극부(136b)는 상기 제3 오믹 전극(134b)을 덮도록 구성될 수 있다. 예컨대, 상기 쇼트키 전극부(136b)는 상기 제3 오믹 전극(134b)의 상부면을 덮는 부분과 더불어, 상기 제1 오믹 전극(133)에 대향되는 상기 제3 오믹 전극(134b)의 측면(이하, '제4 측면'이라함, 134b')을 덮는 부분, 그리고 상기 제4 측면(134b')의 반대편 면을 덮는 부분으로 이루어진 연장부(137b)을 가질 수 있다. 상기 연장부(137b)에 의해, 상기 쇼트키 전극부(136b)는 상기 제3 오믹 전극(134b)의 상부면 및 양측면을 덮는 구조를 가질 수 있다.
여기서, 상기 연장부(137b)는 상기 제4 측면(134b')이 국부적으로 노출되도록, 상기 제4 측면(134b')을 덮을 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 연장부(137b)는 복수개가 제공될 수 있으며, 이 경우 상기 연장부들(137b)은 상기 제4 측면(134b')을 따라 일정 간격이 이격되면서 일렬로 배치될 수 있다. 상기와 같은 구조의 상기 연장부들(137b)에 의해, 상기 양극 구조물은 상기 음극 구조물에 대향되는 측면이 대체로 요철 구조를 가질 수 있으며, 상기 연장부들(137b)은 상기 요철 구조의 철부로 제공될 수 있다. 이에 더하여, 상기 제4 측면(134b')은 상기 요철 구조의 요부 영역을 통해 국부적으로 상기 제1 오믹 전극(133)을 향해 노출될 수 있다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 질화물계 반도체 소자의 또 다른 변형예를 보여주는 평면도이고, 도 10은 도 9에 도시된 Ⅴ-Ⅴ'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 본 발명의 다른 변형예에 따른 질화물계 반도체 소자(100c)는 앞서 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 질화물계 반도체 소자(100)에 비해, 원 또는 링(ring) 형상의 횡단면을 갖는 전극 구조체(130c)를 구비할 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 질화물계 반도체 소자(100c)는 베이스 기판(110), 상기 베이스 기판(110) 상에 형성된 반도체막(120), 그리고 상기 반도체막(120) 상에 형성된 음극 구조물 및 양극 구조물을 포함할 수 있다. 상기 음극 구조물은 제4 오믹 전극(133c)을 포함하고, 상기 양극 구조물은 제5 오믹 전극(134c) 및 상기 쇼트키 전극부(136c)를 포함할 수 있다. 상기 제4 오믹 전극(133c)과 상기 제5 오믹 전극(134c)은 상기 에피 성장막(120)과 오믹 접합을 이루는 오믹 전극부(132c)를 구성할 수 있다.
상기 제5 오믹 전극(134c)은 상기 반도체막(120)의 중앙 영역에 배치되고, 상기 제4 오믹 전극(133c)은 상기 제5 오믹 전극(134c)으로부터 이격되어, 상기 제5 오믹 전극(134c)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제4 오믹 전극(133c)은 링(ring) 형상을 가질 수 있다.
상기 쇼트키 전극부(136c)는 상기 제5 오믹 전극(134c)의 상부면을 덮는 부분 및 상기 제4 오믹 전극(133c)에 대향되는 상기 제5 오믹 전극(134c)의 측면(이하, '제5 측면'이라함, 134c')을 덮는 연장부(137c)를 가질 수 있다. 상기 연장부(137c)는 복수개가 제공될 수 있으며, 이 경우 상기 연장부들(137c)은 상기 제5 측면(134c')을 따라 일정 간격이 이격되면서 배치될 수 있다. 상기와 같은 구조의 상기 연장부들(137c)에 의해, 상기 양극 구조물은 상기 음극 구조물에 대향되는 측면이 대체로 요철 구조를 가질 수 있으며, 상기 연장부들(137c)은 상기 요철 구조의 철부로 제공될 수 있다. 이에 더하여, 상기 제5 측면(134c')은 상기 요철 구조의 요부 영역을 통해 국부적으로 상기 제4 오믹 전극(133c)을 향해 노출될 수 있다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 질화물계 반도체 소자의 또 다른 변형예를 보여주는 평면도이고, 도 12는 도 11에 도시된 Ⅵ-Ⅵ'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 11 및 도 12를 참조하면, 본 발명의 다른 변형예에 따른 질화물계 반도체 소자(100d)는 앞서 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 질화물계 반도체 소자(100)에 비해, 원 또는 링(ring) 형상의 횡단면을 갖는 전극 구조체(130d)를 구비할 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 질화물계 반도체 소자(100d)는 베이스 기판(110), 상기 베이스 기판(110) 상에 형성된 반도체막(120), 그리고 상기 반도체막(120) 상에 형성된 음극 구조물 및 양극 구조물을 포함할 수 있다. 상기 음극 구조물은 제6 오믹 전극(133d)을 포함하고, 상기 양극 구조물은 제7 오믹 전극(134d) 및 상기 쇼트키 전극부(136d)를 포함할 수 있다. 상기 제6 오믹 전극(133d)과 상기 제7 오믹 전극(134d)은 상기 에피 성장막(120)과 오믹 접합을 이루는 오믹 전극부(132d)를 구성할 수 있다.
상기 제7 오믹 전극(134d)은 상기 반도체막(120)의 중앙 영역에 배치되고, 상기 제6 오믹 전극(133d)은 상기 제7 오믹 전극(134d)으로부터 이격되어, 상기 제7 오믹 전극(134d)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제6 오믹 전극(133d)은 상기 반도체막(120)의 가장자리 영역에서 링(ring) 형상을 갖도록 제공될 수 있다.
여기서, 상기 제7 오믹 전극(134d)은 상기 반도체막(120)의 중앙 영역에서 링(ring) 형상을 갖도록 제공될 수 있다. 상기 제7 오믹 전극(134d)은 복수개가 제공될 수도 있으며, 이 경우 상기 제7 오믹 전극들(134d)은 서로 상이한 직경을 갖도록 제공되어, 나이테 문양을 이루도록 배치될 수 있다.
상기 쇼트키 전극부(136d)는 상기 제7 오믹 전극(134d)을 덮도록 제공될 수 있다. 예컨대, 상기 쇼트키 전극부(136d)는 상기 제7 오믹 전극(134d)의 상부면을 덮는 부분 및 상기 제6 오믹 전극(133d)에 대향되는 상기 제7 오믹 전극(134d)의 측면(이하, '제6 측면'이라함, 134d')을 덮는 연장부(137d)를 가질 수 있다. 상기 연장부(137d)는 복수개가 제공될 수 있으며, 이 경우 상기 연장부들(137d)은 상기 제6 측면(134d')을 따라 일정 간격이 이격되면서 배치될 수 있다. 상기와 같은 구조의 상기 연장부들(137d)에 의해, 상기 양극 구조물은 상기 음극 구조물에 대향되는 측면이 대체로 요철 구조를 가질 수 있으며, 상기 연장부들(137d)은 상기 요철 구조의 철부로 제공될 수 있다. 이에 더하여, 상기 제6 측면(134d')은 상기 요철 구조의 요부 영역을 통해 국부적으로 상기 제6 오믹 전극(133d)을 향해 노출될 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
100 : 질화물계 반도체 소자
110 : 베이스 기판
120 : 반도체막
122 : 하부 질화막
124 : 상부 질화막
130 : 전극 구조체
132 : 오믹 전극부
133 : 제1 오믹 전극
134 : 제2 오믹 전극
136 : 쇼트키 전극부

Claims (18)

  1. 베이스 기판;
    상기 베이스 기판 상에 배치된 반도체막; 및
    상기 반도체막 상에 배치되는 전극 구조체;를 포함하되,
    상기 전극 구조체는:
    상기 반도체막과 오믹 접합(ohmic contact)을 이루는 제1 오믹 전극;
    상기 반도체막과 오믹 접합을 이루며, 상기 제1 오믹 전극으로부터 이격되는 제2 오믹 전극; 및
    상기 반도체막과 쇼트키 접합(schottky contact)을 이루며, 제2 오믹 전극을 덮는 쇼트키 전극부;를 포함하고,
    상기 쇼트키 전극부는 상기 제1 오믹 전극에 대향되는 상기 제2 오믹 전극의 측면에 비해, 상기 제1 오믹 전극에 가깝도록 연장되어 상기 반도체막과 쇼트키 접합을 이루는 연장부를 갖되,
    상기 연장부는 복수개가 제공되되,
    복수의 상기 연장부들은 상기 제1 오믹 전극에 대향되는 상기 제2 오믹 전극의 측면을 따라 일정 간격이 이격되어 배치되는 질화물계 반도체 소자.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 오믹 전극에 대향되는 상기 연장부들과 상기 제2 오믹 전극의 측면은 요철 구조를 이루고,
    상기 연장부들은 상기 요철 구조의 철부로 제공되는 질화물계 반도체 소자.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 연장부들은 상기 제2 오믹 전극의 측면이 국부적으로 노출되도록, 상기 제1 오믹 전극에 대향되는 상기 제2 오믹 전극의 측면을 덮는 질화물계 반도체 소자.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 오믹 전극은 상기 소자의 음극 구조물로 사용되고,
    상기 제2 오믹 전극 및 상기 쇼트키 전극은 상기 소자의 양극 구조물로 사용되는 질화물계 반도체 소자.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 베이스 기판은 실리콘 기판, 실리콘 카바이드 기판, 그리고 사파이어 기판 중 적어도 어느 하나인 질화물계 반도체 소자.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체막은:
    상기 베이스 기판을 시드층(seed layer)으로 하여, 상기 베이스 기판 상에 성장된 하부 질화막; 및
    상기 하부 질화막을 시드층으로 하여 상기 하부 질화막 상에 형성되며, 상기 하부 질화막에 비해 넓은 에너지 밴드 갭을 갖는 상부 질화막을 포함하고,
    상기 하부 질화막과 상기 상부 질화막 사이에는 2차원 전자 가스(2-Dimensional Electorn Gas:2DEG)가 생성되는 질화물계 반도체 소자.
  9. 베이스 기판;
    상기 베이스 기판 상에 형성되는 반도체막; 및
    상기 반도체막 상에 형성된 전극 구조체를 포함하되,
    상기 전극 구조체는:
    상기 반도체막과 오믹 접합되는 음극 구조물; 및
    상기 반도체막과 쇼트키 접합되는 쇼트키 전극과 상기 반도체막과 오믹 접합되는 오믹 전극을 갖는 양극 구조물을 포함하고,
    상기 쇼트키 전극은 상기 오믹 전극에 비해 상기 음극 구조물에 가깝도록 연장된 연장부를 갖되,
    상기 연장부는 복수개가 제공되고,
    복수의 상기 연장부들은 상기 음극 구조물에 대향되는 상기 오믹 전극의 측면을 따라 일정 간격으로 이격되어 배치되는 질화물계 반도체 소자.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 오믹 전극은 상기 양극 구조물의 온 전압을 낮추기 위한 것인 질화물계 반도체 소자.
  11. 삭제
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 연장부는 상기 음극 구조물에 대향되는 상기 오믹 전극의 측면이 국부적으로 노출되도록 상기 음극 구조물에 대향되는 상기 오믹 전극의 측면을 덮는 질화물계 반도체 소자.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 연장부는 상기 음극 구조물과 상기 오믹 전극 사이에서 상기 오믹 전극의 측부에 배치되는 질화물계 반도체 소자.
  14. 제 9 항에 있어서,
    상기 오믹 전극은 상기 반도체막의 중앙 영역에 배치되고,
    상기 음극 구조물은 상기 반도체막의 가장자리 영역에 배치되어 상기 오믹 전극을 둘러싸도록 배치되며,
    상기 연장부는 상기 오믹 전극의 가장자리 영역을 따라 배치되는 질화물계 반도체 소자.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 연장부는 복수개가 제공되되,
    상기 연장부들은 상기 오믹 전극의 가장자리 영역을 따라 일정간격이 이격되어 배치되는 질화물계 반도체 소자.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 오믹 전극은 링(ring) 형상을 갖는 질화물계 반도체 소자.
  17. 제 9 항에 있어서,
    상기 베이스 기판은 실리콘 기판, 실리콘 카바이드 기판, 그리고 사파이어 기판 중 적어도 어느 하나인 질화물계 반도체 소자.
  18. 제 9 항에 있어서,
    상기 반도체막은:
    상기 베이스 기판을 시드층(seed layer)으로 하여, 상기 베이스 기판 상에 성장된 하부 질화막; 및
    상기 하부 질화막을 시드층으로 하여 상기 하부 질화막 상에 형성되며, 상기 하부 질화막에 비해 넓은 에너지 밴드 갭을 갖는 상부 질화막을 포함하고,
    상기 하부 질화막과 상기 상부 질화막 사이에는 2차원 전자 가스(2-Dimensional Electorn Gas:2DEG)가 생성되는 질화물계 반도체 소자.
KR1020100125287A 2010-12-09 2010-12-09 질화물계 반도체 소자 KR101204609B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101963227B1 (ko) * 2012-09-28 2019-03-28 삼성전자주식회사 파워 스위칭 소자 및 그 제조방법
KR102316224B1 (ko) * 2015-07-21 2021-10-26 한국전자통신연구원 브릿지 다이오드 및 그 제조방법
CN107104046B (zh) * 2016-02-23 2020-06-09 北京大学 氮化镓肖特基二极管的制备方法
GB2564482B (en) * 2017-07-14 2021-02-10 Cambridge Entpr Ltd A power semiconductor device with a double gate structure
US11955478B2 (en) 2019-05-07 2024-04-09 Cambridge Gan Devices Limited Power semiconductor device with an auxiliary gate structure
CN113964210A (zh) * 2021-09-13 2022-01-21 西安电子科技大学 一种低开启电压氧化镓功率二极管及其制备方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4875660B2 (ja) 2002-04-30 2012-02-15 古河電気工業株式会社 Ｉｉｉ−ｖ族窒化物半導体装置
US7382001B2 (en) * 2004-01-23 2008-06-03 International Rectifier Corporation Enhancement mode III-nitride FET
US8174048B2 (en) * 2004-01-23 2012-05-08 International Rectifier Corporation III-nitride current control device and method of manufacture
JP2008108870A (ja) * 2006-10-25 2008-05-08 Sharp Corp 整流器
US8076699B2 (en) * 2008-04-02 2011-12-13 The Hong Kong Univ. Of Science And Technology Integrated HEMT and lateral field-effect rectifier combinations, methods, and systems
US7898004B2 (en) * 2008-12-10 2011-03-01 Transphorm Inc. Semiconductor heterostructure diodes

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