CN102534762A - 一种生长SiC晶体的籽晶粘结方法 - Google Patents

一种生长SiC晶体的籽晶粘结方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102534762A
CN102534762A CN2010105867236A CN201010586723A CN102534762A CN 102534762 A CN102534762 A CN 102534762A CN 2010105867236 A CN2010105867236 A CN 2010105867236A CN 201010586723 A CN201010586723 A CN 201010586723A CN 102534762 A CN102534762 A CN 102534762A
Authority
CN
China
Prior art keywords
seed crystal
sticker
silk screen
holder
crystal holder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2010105867236A
Other languages
English (en)
Inventor
孔海宽
严成锋
忻隽
陈建军
肖兵
陈之战
杨建华
施尔畏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Institute of Ceramics of CAS
Original Assignee
Shanghai Institute of Ceramics of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Institute of Ceramics of CAS filed Critical Shanghai Institute of Ceramics of CAS
Priority to CN2010105867236A priority Critical patent/CN102534762A/zh
Publication of CN102534762A publication Critical patent/CN102534762A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明属于晶体生长领域，涉及一种用于生长高质量SiC晶体的籽晶粘结方法。所述生长高质量SiC晶体的籽晶粘结方法，包括如下步骤：（1）丝网印刷；（2）籽晶粘结；（3）将粘结籽晶和籽晶托的结粘结剂进行固化处理，其中，固化后的粘结剂层的厚度为7-100微米。本发明的生长高质量SiC晶体的籽晶粘结方法，可以确保籽晶与籽晶托之间的粘结剂层厚度分布均匀，避免籽晶由于不均匀机械应力和热应力作用发生开裂，同时，籽晶温度梯度分布均匀，有利于SiC晶体的均匀生长，并进一步提高SiC晶体的质量。

Description

一种生长SiC晶体的籽晶粘结方法
技术领域
本发明属于晶体生长领域，涉及一种用于生长高质量SiC晶体的籽晶粘结方法。
背景技术
微电子、光电子和信息技术等现代工业技术在以硅为代表的第一代和以砷化镓为代表的第二代半导体材料的基础上获得了迅猛发展，广泛应用于航空航天、核能、通信、国防安全等领域。同时，现代工业技术的发展对半导体材料和器件提出了更高的要求。硅和砷化镓等半导体材料受自身结构和性能的限制，不能满足高温、高频、大功率等应用的要求。相比之下，碳化硅晶体(SiC)具有宽带隙、高击穿场强、高热导率、高载流子饱和漂移速度等优点，可以满足高温、高频、大功率、光电子及抗辐射等应用的要求，在航空航天、信息技术、国防安全等领域具有巨大的潜力，是第三代半导体的核心材料。
SiC晶体通常采用物理气相输运法进行生长，其生长室典型结构如图1所示。SiC原料置于生长室下部，籽晶固定在坩埚顶部，固定籽晶的部分通常被称为籽晶托。通过控制生长室温度和压力，使SiC原料从坩埚下部升华，上升至籽晶上进行堆积生长，最终获得SiC单晶。石墨具有良好的高温性能和机械加工性能、并且价格适宜，被广泛用于制作SiC晶体生长用坩埚。
SiC晶体生长是一个复杂的气相输运和结晶过程，影响因素多，其中籽晶固定技术是影响晶体生长过程和结晶质量的关键因素。通常，采用粘结剂将SiC籽晶粘结在籽晶托上的方式固定籽晶。籽晶粘结首先要保证将籽晶稳定的固定在籽晶托上，确保高温环境下晶体生长过程中，籽晶不脱落。另外，籽晶粘结效果对晶体结晶质量也有很大影响，一方面粘结剂涂刷不均匀，容易导致籽晶与籽晶托之间间隙不均匀，使得籽晶不同区域的温度不均匀，影响晶体均匀生长；另一方面，粘结剂固化后会产生机械应力作用于籽晶，粘结剂分布均匀性直接影响机械应力在籽晶不同区域的分布均匀性，同时从室温升至晶体生长温度，不均匀的热应力和机械应力易使籽晶发生变形，从而影响结晶质量，严重时易导致籽晶开裂破坏。籽晶的粘结固定和保护对SiC晶体生长影响显著，据专利WO2008033994A1报道，籽晶背升华会造成籽晶破坏，在晶体中引入大量微管缺陷，要抑制籽晶背升华，需要使籽晶和籽晶托之间保持均匀间隙，同时间隙小于10μm，但专利并未详细介绍相关籽晶粘结固定方法。专利CN101580964A提出对籽晶托进行致密化处理，来抑制籽晶背升华，提高晶体的结晶质量。籽晶粘结固定方法是SiC晶体生长的关键技术，与籽晶保护也密切相关，直接影响晶体的结晶质量，有关SiC晶体直径粘结固定技术尚未见详细报道，解决籽晶粘结固定问题对生长高质量SiC晶体十分重要。
发明内容
为了解决物理气相输运法(PVT)生长SiC晶体中籽晶粘结固定问题，本发明公开了一种生长高质量SiC晶体的籽晶粘结方法，所述方法可均匀粘结固定SiC籽晶，且所述方法的实施可以减少籽晶受热应力和机械应力发生开裂的概率，同时提高籽晶不同区域温度分布均匀性，提高晶体质量和成品率。
为了实现上述目的，本发明采用以下的技术方案来实现：
一种生长高质量SiC晶体的籽晶粘结方法，包括如下步骤：
(1)、丝网印刷：将丝网覆盖在籽晶托或籽晶上，将粘结剂均匀涂刷在丝网覆盖的籽晶托或丝网覆盖的籽晶上，然后将丝网与籽晶托和籽晶分离，得到刷有粘结剂的籽晶托或刷有粘结剂的籽晶。
(2)、籽晶粘结：将未涂刷粘结剂的籽晶紧密粘结在步骤(1)所得的刷有粘结剂的籽晶托上，或者将步骤(1)所得的刷有粘结剂的籽晶紧密粘结在未涂刷粘结剂的籽晶托上，或者将步骤(1)所得的刷有粘结剂的籽晶紧密粘结在步骤(1)所得的刷有粘结剂的籽晶托上；其中，所述粘结剂位于籽晶与籽晶托之间，且籽晶与籽晶托之间的间隙均匀。
(3)、将粘结籽晶和籽晶托的结粘结剂进行固化处理，其中，固化后的粘结剂层的厚度为7-100μm。
所述的丝网印刷，是指将丝网覆盖在籽晶托或籽晶上，用刷子将粘结剂涂刷在丝网覆盖的籽晶托或籽晶上。丝网的厚度可以确保粘结剂涂刷厚度，通过采用不同厚度和目数的丝网，可以调节涂刷粘结剂的厚度，同时丝网厚度一致性确保涂刷的粘结剂厚度均匀性。
所述的籽晶粘结，是指利用丝网印刷方法将粘结剂均匀涂刷在籽晶托上，然后将未涂刷粘结剂的籽晶粘结在已涂刷粘结剂的籽晶托上，或利用丝网印刷方法将粘结剂均匀涂刷在籽晶上，然后将涂刷粘结剂的籽晶粘结在未涂刷粘结剂的籽晶托上，或利用丝网印刷方法将粘结剂分别均匀涂刷在籽晶托和籽晶上，然后将涂刷粘结剂的籽晶粘结在涂刷粘结剂的籽晶托上。其中，籽晶托的直径与籽晶的直径相同或比籽晶直径略大，晶体是在籽晶上延续长大的。
步骤(1)中，所述丝网的目数选自20目、40目、60目、80目、100目或120目等各种目数。所述丝网的规格和尺寸种类繁多，为现有技术中的材质制成的丝网。
所述丝网的目数优选为80目。
所述丝网的材料选自涤纶、尼龙、聚丙烯或不锈钢丝等各种丝网材料。
所述丝网的材料优选为涤纶。
所述丝网的丝径优选为Φ0.02mm～Φ0.2mm，可以根据需涂刷粘接剂层的厚度适当选择不同直径的丝来制作丝网。
步骤(1)中，所述粘结剂选自食用白糖、AB胶或502胶等各种粘结剂。
食用白糖、AB胶、502胶等即为常见粘结剂，经固化处理后，可用于PVT法生长SiC晶体的温度最高可达到3000℃的高温环境。
为使粘结剂能够满足涂刷工艺的要求，可使用加热平台对籽晶托、籽晶和粘结剂进行适当加热，使粘结剂保持一定的流动性，易于涂刷。
步骤(3)中，所述粘结剂的固化温度为120-800℃，固化时间为2-12h。其中，食用白糖作为粘结剂时其固化的温度为120-350℃，所述固化的时间为3h-12h；AB胶和502胶的固化温度均为200-800℃，所述固化的时间均为2h-12h。
较佳的，所述粘结剂的固化温度为160-350℃，固化时间为6-8h。
所述固化后的粘结剂层的厚度优选为7-30μm。所述丝网的目数不同，涂刷粘结剂层的厚度也不同。
所述生长高质量SiC晶体的籽晶粘结方法包括特定的粘结剂固化处理工艺，在使用丝网印刷方法使粘结剂涂刷均匀，将籽晶和籽晶托紧密粘结后，根据不同粘结剂的特性进行必要的后处理，使粘结剂充分固化，实现籽晶与籽晶托的良好粘结。其中，所使用粘结剂的热处理固化工艺是籽晶粘结方法的重要部分，可根据粘结剂的特性和粘结剂所附带的使用说明选择合适的固化温度和固化时间。
粘结剂固化处理工艺根据不同粘接剂的使用说明，采用相应的处理工艺进行固化。
本发明的生长高质量SiC晶体的籽晶粘结方法，可以确保籽晶与籽晶托之间的粘结剂层厚度分布均匀，避免籽晶由于不均匀机械应力和热应力作用发生开裂，同时，籽晶温度梯度分布均匀，有利于SiC晶体的均匀生长，并进一步提高SiC晶体的质量。
对于本发明的构思和方法原理，本领域或相关领域的方法人员看到本专利后可以想到，适当改变粘结剂，或者丝网规格，都可以实现良好的粘结效果。
附图说明
图1是物理气相输运法生长SiC晶体的生长室结构示意图。
其中，1.籽晶托，2.粘结剂，3.籽晶，4.SiC原料，5.石墨坩埚
图2是丝网印刷所使用的丝网和籽晶托示意图。
其中，6.丝网框，7.丝网，8.籽晶托，9.刷子
具体实施方式
下面结合具体实施例进一步阐述本发明，应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的保护范围。
物理气相输运法生长SiC晶体的石墨坩埚结构如图1所示，其中坩埚下部放置SiC原料4，石墨坩埚5顶部的籽晶托1上固定籽晶3，籽晶3通过粘结剂层2粘结在籽晶托1上。
实施例1：
一种生长高质量SiC晶体的籽晶粘结方法，包括如下步骤：
1、将籽晶托进行必要的整平、加工、清洗处理，使用加热平台对籽晶托、籽晶和食用白糖加热到120℃，使白糖熔化成流动性的液态白糖，便于涂刷均匀。
2、采用80目的涤纶材质的丝网7(丝网的丝径为0.05mm)覆盖在籽晶托8上(如图2所示)，在丝网7上涂抹液态白糖后，使用刷子9将液态白糖进行涂刷和刮平，确保液态白糖在涂刷区域均匀分布，最后将丝网与籽晶托分离。
3、将籽晶置于涂有液态白糖的籽晶托上，然后利用自制的金属结构的压力装置(一种金属夹具)对籽晶和籽晶托均匀施加适当压力，使籽晶与籽晶托紧密粘合。
4、将压力装置夹持下的籽晶与籽晶托的置于烘箱中，对粘结剂进行固化处理，所述固化温度为160℃，固化时间为8小时，得到的粘结剂层的厚度约为19μm。
实施例2
一种生长高质量SiC晶体的籽晶粘结方法，包括如下步骤：
1、将籽晶托进行必要的整平、加工、清洗处理，使用加热平台对籽晶托、籽晶和AB胶加热到40℃，使AB胶呈流动态，便于涂刷均匀。
2、采用120目的不锈钢丝材质的丝网7(丝网的丝径为0.02mm)覆盖在籽晶托8上(如图2所示)，在丝网7上涂抹流动态AB胶后，使用刷子9将流动态AB胶进行涂刷和刮平，确保流动态AB胶在涂刷区域均匀分布，最后将丝网与籽晶托分离。
3、将籽晶粘结在涂有流动态AB胶的籽晶托上，然后利用自制的金属结构的压力装置(一种金属夹具)对籽晶和籽晶托均匀施加适当压力，使籽晶与籽晶托紧密粘合。
4、将压力装置夹持下的籽晶与籽晶托的置于烘箱中，对粘结剂进行固化处理，所述固化温度为300℃保温6小时，得到固化的AB胶层的厚度为12μm。
实施例3
一种生长高质量SiC晶体的籽晶粘结方法，包括如下步骤：
1、在常温下(约20-30℃)使用502胶作为粘结剂。
2、将籽晶托进行必要的整平、加工、清洗处理，然后采用40目的不锈钢丝材质的丝网7(丝网的丝径为0.07mm)覆盖在籽晶托8上(如图2所示)，在丝网7上涂抹流动态502胶后，使用刷子9将流动态502胶进行涂刷和刮平，确保流动态502胶在涂刷区域均匀分布，然后迅速将丝网与籽晶托分离。
3、迅速将籽晶粘结在涂有流动态502胶的籽晶托上，然后利用自制的金属结构的压力装置(一种金属夹具)对籽晶和籽晶托均匀施加适当压力，使籽晶与籽晶托紧密粘合。
4、将压力装置夹持下的籽晶与籽晶托的置于烘箱中，对粘结剂进行固化处理，所述固化温度为350℃保温7小时，得到固化的502胶层的厚度为43μm。
实施例4
一种生长高质量SiC晶体的籽晶粘结方法，包括如下步骤：
1、将籽晶托进行必要的整平、加工、清洗处理，使用加热平台对籽晶托、籽晶和食用白糖加热到120℃，使白糖熔化成流动性的液态白糖，便于涂刷均匀。
2、采用20目的聚丙烯材质的丝网(丝网的丝径为0.18mm)覆盖在籽晶上，在丝网上涂抹液态白糖后，使用刷子将液态白糖进行涂刷和刮平，确保液态白糖在涂刷区域均匀分布，最后将丝网与籽晶分离。
3、将涂有液态白糖的籽晶置于籽晶托上，其中涂有液态白糖的籽晶一面与籽晶托粘结，然后利用自制的金属结构的压力装置(一种金属夹具)对籽晶和籽晶托均匀施加适当压力，使籽晶与籽晶托紧密粘合。
4、将压力装置夹持下的籽晶与籽晶托的置于烘箱中，对粘结剂进行固化处理，所述固化温度为160℃，固化时间为8小时，得到的粘结剂层的厚度约为91μm。
实施例5
除丝网(丝网的丝径为0.07mm)的目数为60目、得到的固化白糖层的厚度为30μm外，其余步骤与实施例1相同。
实施例6
除丝网(丝网的丝径为0.03mm)的目数为100目、丝网的材质为尼龙、得到的固化白糖层的厚度为7μm外，其余步骤与实施例1相同。
实施例7
除涂刷白糖粘结剂的籽晶粘结在涂刷白糖粘结剂的籽晶托上进行粘结剂固化处理、丝网(丝网的丝径为0.2mm)的目数为20目、丝网的材质为尼龙、得到的固化白糖层的厚度为100μm外，其余步骤与实施例1相同。
实施例8
一种生长高质量SiC晶体的籽晶粘结方法，包括如下步骤：
1、将籽晶托进行必要的整平、加工、清洗处理，使用加热平台对籽晶托、籽晶和食用白糖加热到120℃，使白糖熔化成流动性的液态白糖，便于涂刷均匀。
2、采用80目的涤纶材质的丝网7(丝网的丝径为0.05mm)覆盖在籽晶托8上(如图2所示)，在丝网7上涂抹液态白糖后，使用刷子9将液态白糖进行涂刷和刮平，确保液态白糖在涂刷区域均匀分布，最后将丝网与籽晶托分离。
3、采用80目的涤纶材质的丝网(丝网的丝径为0.05mm)覆盖在籽晶上，在丝网上涂抹液态白糖后，使用刷子将液态白糖进行涂刷和刮平，确保液态白糖在涂刷区域均匀分布，最后将丝网与籽晶分离。
4、将涂有液态白糖的籽晶一面置于涂有液态白糖的籽晶托上，然后利用自制的金属结构的压力装置(一种金属夹具)对籽晶和籽晶托均匀施加适当压力，使籽晶与籽晶托紧密粘合。
5、将压力装置夹持下的籽晶与籽晶托的置于烘箱中，对粘结剂进行固化处理，所述固化温度为160℃，固化时间为8小时，得到的粘结剂层的厚度约为30μm。

Claims (7)

1.一种生长SiC晶体的籽晶粘结方法，包括如下步骤：
(1)、丝网印刷：将丝网覆盖在籽晶托或籽晶上，将粘结剂均匀涂刷在丝网覆盖的籽晶托或丝网覆盖的籽晶上，然后将丝网与籽晶托和籽晶分离，得到刷有粘结剂的籽晶托或刷有粘结剂的籽晶；
(2)、籽晶粘结：将未涂刷粘结剂的籽晶紧密粘结在步骤(1)所得的刷有粘结剂的籽晶托上，或者将步骤(1)所得的刷有粘结剂的籽晶紧密粘结在未涂刷粘结剂的籽晶托上，或者将步骤(1)所得的刷有粘结剂的籽晶紧密粘结在步骤(1)所得的刷有粘结剂的籽晶托上；其中，所述粘结剂位于籽晶与籽晶托之间，且籽晶与籽晶托之间的间隙均匀；
(3)、将粘结籽晶和籽晶托的粘结剂进行固化处理，其中，固化后的粘结剂层的厚度为7-100μm。
2.如权利要求1所述的生长SiC晶体的籽晶粘结方法，其特征在于，步骤(1)中，所述丝网的目数选自20目、40目、60目、80目、100目或120目。
3.如权利要求1所述的生长SiC晶体的籽晶粘结方法，其特征在于，步骤(1)中，所述丝网的材料选自涤纶、尼龙、聚丙烯或不锈钢丝。
4.如权利要求1所述的生长SiC晶体的籽晶粘结方法，其特征在于，步骤(1)中，所述丝网的丝径为Φ0.02mm～Φ0.2mm。
5.如权利要求1所述的生长SiC晶体的籽晶粘结方法，其特征在于，步骤(1)中，所述粘结剂选自食用白糖、AB胶或502胶。
6.如权利要求1所述的生长SiC晶体的籽晶粘结方法，其特征在于，步骤(3)中，所述粘结剂的固化温度为120-800℃，固化时间为2-12h。
7.如权利要求1所述的生长SiC晶体的籽晶粘结方法，其特征在于，步骤(3)中，所述固化后的粘结剂层的厚度为7-30μm。
CN2010105867236A 2010-12-14 2010-12-14 一种生长SiC晶体的籽晶粘结方法 Pending CN102534762A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010105867236A CN102534762A (zh) 2010-12-14 2010-12-14 一种生长SiC晶体的籽晶粘结方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010105867236A CN102534762A (zh) 2010-12-14 2010-12-14 一种生长SiC晶体的籽晶粘结方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102534762A true CN102534762A (zh) 2012-07-04

Family

ID=46342743

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010105867236A Pending CN102534762A (zh) 2010-12-14 2010-12-14 一种生长SiC晶体的籽晶粘结方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102534762A (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103628141A (zh) * 2013-12-11 2014-03-12 中国电子科技集团公司第二研究所 一种SiC单晶晶体质量均匀化方法
CN106245110A (zh) * 2016-08-30 2016-12-21 河北同光晶体有限公司 一种减少SiC晶体生长中缺陷产生的方法
CN106404473A (zh) * 2015-07-27 2017-02-15 中国石油化工股份有限公司 一种低温常压合成岩盐原油烃包裹体晶体的方法
CN106467981A (zh) * 2016-09-19 2017-03-01 山东天岳晶体材料有限公司 一种粘籽晶的方法和装置
KR20200051373A (ko) * 2018-11-05 2020-05-13 주식회사 엘지화학 SiC 종결정축, SiC 종결정축을 포함하는 실리콘카바이드 단결정의 제조 장치 및 SiC 종결정축의 제조 방법
CN114635185A (zh) * 2022-02-14 2022-06-17 浙江富芯微电子科技有限公司 用于涂覆粘合剂的丝网结构以及使用其固定SiC籽晶的方法
CN115478326A (zh) * 2022-08-24 2022-12-16 浙江富芯微电子科技有限公司 籽晶粘接平整装置及籽晶粘接方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003119098A (ja) * 2001-10-16 2003-04-23 Denso Corp 種結晶の固定方法および固定状態の評価方法
CN101450841A (zh) * 2007-11-29 2009-06-10 比亚迪股份有限公司 在基材上涂覆紫外光固化胶的方法和贴合薄膜的方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003119098A (ja) * 2001-10-16 2003-04-23 Denso Corp 種結晶の固定方法および固定状態の評価方法
CN101450841A (zh) * 2007-11-29 2009-06-10 比亚迪股份有限公司 在基材上涂覆紫外光固化胶的方法和贴合薄膜的方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103628141A (zh) * 2013-12-11 2014-03-12 中国电子科技集团公司第二研究所 一种SiC单晶晶体质量均匀化方法
CN106404473A (zh) * 2015-07-27 2017-02-15 中国石油化工股份有限公司 一种低温常压合成岩盐原油烃包裹体晶体的方法
CN106404473B (zh) * 2015-07-27 2019-10-11 中国石油化工股份有限公司 一种低温常压合成岩盐原油烃包裹体晶体的方法
CN106245110A (zh) * 2016-08-30 2016-12-21 河北同光晶体有限公司 一种减少SiC晶体生长中缺陷产生的方法
CN106245110B (zh) * 2016-08-30 2018-12-28 河北同光晶体有限公司 一种减少SiC晶体生长中缺陷产生的方法
CN106467981A (zh) * 2016-09-19 2017-03-01 山东天岳晶体材料有限公司 一种粘籽晶的方法和装置
KR20200051373A (ko) * 2018-11-05 2020-05-13 주식회사 엘지화학 SiC 종결정축, SiC 종결정축을 포함하는 실리콘카바이드 단결정의 제조 장치 및 SiC 종결정축의 제조 방법
KR102549445B1 (ko) * 2018-11-05 2023-06-28 주식회사 엘지화학 SiC 종결정축, SiC 종결정축을 포함하는 실리콘카바이드 단결정의 제조 장치 및 SiC 종결정축의 제조 방법
CN114635185A (zh) * 2022-02-14 2022-06-17 浙江富芯微电子科技有限公司 用于涂覆粘合剂的丝网结构以及使用其固定SiC籽晶的方法
CN115478326A (zh) * 2022-08-24 2022-12-16 浙江富芯微电子科技有限公司 籽晶粘接平整装置及籽晶粘接方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102534762A (zh) 一种生长SiC晶体的籽晶粘结方法
CN103374750B (zh) 一种PVT法生长SiC晶体的籽晶固定方法
JP7011129B2 (ja) 大口径炭化ケイ素単結晶インゴットの成長方法
WO2009013914A1 (ja) ＳｉＣエピタキシャル基板およびその製造方法
WO2020088233A1 (zh) 无需粘结籽晶的碳化硅单晶生长装置
CN109554759A (zh) 一种碳化硅籽晶的粘接方法以及碳化硅单晶晶锭的制备方法
CN205529143U (zh) 多晶硅铸锭炉及应用于多晶硅铸锭炉内的装置
CN108018601A (zh) 晶体生长装置、生长方法及其应用
JP2008290889A (ja) ＳｉＣ単結晶の製造装置および製造方法
CN106480503B (zh) 一种颗粒状碳化硅单晶的生长方法
CN109989107A (zh) 一种生长高质量SiC晶体的籽晶处理方法
JP2006143511A (ja) 種結晶固定部及び種結晶固定方法
WO2011148843A1 (ja) 炭化珪素基板およびその製造方法
CN208618006U (zh) 一种碳化硅单晶生长装置
US20140158042A1 (en) Apparatus for fabricating ingot
KR101538556B1 (ko) 물리적 체결을 이용한 대구경 단결정 성장장치 및 방법
CN202164388U (zh) 一种SiC单晶生长籽晶粘接压盘
CN105420812B (zh) 一种从籽晶托上剥离碳化硅籽晶的方法
KR20090077446A (ko) 대구경 고품질 탄화규소 단결정의 직경확장을 위한 단결정성장 장치 및 그 방법
KR101897078B1 (ko) 잉곳 제조 장치 및 잉곳 제조 방법
CN108277526A (zh) 一种通过物理气相传输法生长氮化铝单晶的方法
JP2011006302A (ja) 炭化珪素単結晶の製造方法
CN215668287U (zh) 一种碳化硅籽晶的固定结构
EP1130137A4 (en) MATERIAL FOR DRAWING SIC SINGLE CRYSTALS AND METHOD FOR PRODUCING SIC SINGLE CRYSTALS
CN113550002A (zh) 一种碳化硅籽晶的固定方法及固定结构

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20120704