CN102533470A - 一种硅片清洗液 - Google Patents
一种硅片清洗液 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102533470A CN102533470A CN2011104483816A CN201110448381A CN102533470A CN 102533470 A CN102533470 A CN 102533470A CN 2011104483816 A CN2011104483816 A CN 2011104483816A CN 201110448381 A CN201110448381 A CN 201110448381A CN 102533470 A CN102533470 A CN 102533470A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cleaning liquid
- silicon wafer
- silicon chip
- cleaning
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
本发明一种硅片清洗液,由表面活性剂、乙醇、氟化氢、EDTA二钠、三乙醇胺、柠檬酸、去离子水,进行搅拌混合,形成清洗液,本发明制备方法简单,对环境无不利影响,且表面去污力强,可保持清洁度的持续性,对于多晶硅片等物料具有良好的清洁效果,并且提高了清洗速度和耐用性能;本发明通过乙醇对硅片表面有机沾污进行清洗,另外,通过氟化氢对氧化层进行清洗,从而,使硅片的清洗更加彻底,且对金属离子有较强的清洗作用,从而,提高了硅片的后续使用性能。
Description
技术领域
本发明涉及一种清洗液,特别涉及一种用于清洗硅片的清洗液,并提供该清洗液的制备方法,属于硅片加工的技术领域。
背景技术
硅片是一种硅材料通过加工切成一片一片而形成的。从而硅材料到可使用的硅片要经过切割、清洗等多道工序。随着社会的发展,硅片的使用越来越多,硅片的加工也受取更多的关注。
清洗作为硅片的一个生产工序之一,其清洗的好坏对硅片的使用性能有着很大的影响。清洗的主要目的是为了清洗掉切割过程中的产生的砂粒、残留的切削磨料、金属离子及指纹等,使硅片表面达到无腐蚀氧化、无残留等技术指标。传统的硅片清洗,由于各方法不一样,采用的清洗液也不一样。大多采用盐酸进行清洗,盐酸为强腐蚀性物质,处理过后很难处理,如随意倒放,容易引起污染。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种硅片清洗液,该清洗液表面去污力强,可保持清洁度的持续性,具有良好的清洁效果,并且该清洗液对环境无不利影响;另外,提供了本清洗液的制备方法,该制备方法操作简单、方便。
为了解决上述技术问题,本发明一种硅片清洗液,由以下成分组成(按重量份数计):
上述的硅片清洗液,其中,所述表面活性剂脂肪醇聚环氧乙烷醚、烷基酚聚环氧乙烷醚、十二烷基苯磺酸钠、十二烷基二醇酰胺或甲氧基脂肪酰胺基苯磺酸钠。
上述的硅片清洗液,其中,所述乙醇的浓度为90-100%(质量百分比)。
上述的硅片清洗液,其中,所述柠檬酸的浓度为10%(质量百分比)。
本发明可实现以下有益效果:本发明制备方法简单,对环境无不利影响,且表面去污力强,可保持清洁度的持续性,对于多晶硅片等物料具有良好的清洁效果,并且提高了清洗速度和耐用性能;本发明通过乙醇对硅片表面有机沾污进行清洗,另外,通过氟化氢对氧化层进行清洗,从而,使硅片的清洗更加彻底,且对金属离子有较强的清洗作用,从而,提高了硅片的后续使用性能。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步说明。
为了解决上述技术问题,本发明一种硅片清洗液,由以下成分组成(按重量份数计):
所述表面活性剂脂肪醇聚环氧乙烷醚、烷基酚聚环氧乙烷醚、十二烷基苯磺酸钠、十二烷基二醇酰胺或甲氧基脂肪酰胺基苯磺酸钠。
所述乙醇的浓度为90-100%(质量百分比)。
所述柠檬酸的浓度为10%(质量百分比)。
实施例一
将表面活性剂15份、乙醇5份、氟化氢2份、EDTA二钠2份、三乙醇胺3份、柠檬酸0.5份、去离子水余量,进行搅拌混合,形成清洗液。乙醇的浓度为90%,柠檬酸的浓度为10%。
性能指标:清洗硅片1000片,清洗洁净度达到98.9%。
实施例二
将表面活性剂20份、乙醇6份、氟化氢3份、EDTA二钠2份、三乙醇胺4份、柠檬酸1份、去离子水余量,进行搅拌混合,形成清洗液。乙醇的浓度为98%,柠檬酸的浓度为10%。
性能指标:清洗硅片1000片,清洗洁净度达到99.9%。
实施例三
将表面活性剂30份、乙醇5份、氟化氢2份、EDTA二钠2份、三乙醇胺3份、柠檬酸0.5份、去离子水余量,进行搅拌混合,形成清洗液。乙醇的浓度为100%,柠檬酸的浓度为10%。
性能指标:清洗硅片1000片,清洗洁净度达到99.6%。
本发明制备方法简单,对环境无不利影响,且表面去污力强,可保持清洁度的持续性,对于多晶硅片等物料具有良好的清洁效果,并且提高了清洗速度和耐用性能;本发明通过乙醇对硅片表面有机沾污进行清洗,另外,通过氟化氢对氧化层进行清洗,从而,使硅片的清洗更加彻底,且对金属离子有较强的清洗作用,从而,提高了硅片的后续使用性能,本清洗液对硅片进行清洗可提高硅片的良率,提高硅片的成品率,降低企业消耗的成本。
最后有必要在此说明的是,上述说明并非是对本发明的限制,本发明也并不限于上述举例,本领域的技术人员,在本发明的实质范围内,作出的变化、改型、添加或替换,都应属于本发明的保护范围。
Claims (4)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2011104483816A CN102533470A (zh) | 2011-12-29 | 2011-12-29 | 一种硅片清洗液 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2011104483816A CN102533470A (zh) | 2011-12-29 | 2011-12-29 | 一种硅片清洗液 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102533470A true CN102533470A (zh) | 2012-07-04 |
Family
ID=46341515
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2011104483816A Pending CN102533470A (zh) | 2011-12-29 | 2011-12-29 | 一种硅片清洗液 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102533470A (zh) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102744230A (zh) * | 2012-07-26 | 2012-10-24 | 浙江矽盛电子有限公司 | 一种粘污太阳能硅片的清洗方法 |
CN103571665A (zh) * | 2013-10-31 | 2014-02-12 | 合肥中南光电有限公司 | 一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂及其制备方法 |
CN103774239A (zh) * | 2013-11-13 | 2014-05-07 | 河南科技学院 | 一种单晶硅硅片清洗制绒工艺 |
CN104498209A (zh) * | 2014-12-31 | 2015-04-08 | 镇江市港南电子有限公司 | 一种新型特效硅片清洗液 |
CN105441200A (zh) * | 2015-12-04 | 2016-03-30 | 三达奥克化学股份有限公司 | 半导体硅片脱胶清洗液及生产方法 |
TWI626305B (zh) * | 2015-09-23 | 2018-06-11 | 慧盛材料美國責任有限公司 | 清潔配方 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1052138A (zh) * | 1989-12-02 | 1991-06-12 | 山东大学 | 一种用于电子工业的清洗剂及其制备方法 |
CN1124285A (zh) * | 1995-11-23 | 1996-06-12 | 山东大学 | 半导体工业用清洗剂 |
CN101255386A (zh) * | 2008-04-07 | 2008-09-03 | 大连三达奥克化学股份有限公司 | 半导体硅片化学机械抛光用清洗液 |
CN101265441A (zh) * | 2008-05-09 | 2008-09-17 | 大连三达奥克化学股份有限公司 | 多晶硅片水基清洗剂 |
CN101265439A (zh) * | 2008-05-09 | 2008-09-17 | 大连三达奥克化学股份有限公司 | 单晶硅片水基清洗剂 |
CN101275105A (zh) * | 2007-03-30 | 2008-10-01 | 上海超日太阳能科技股份有限公司 | 一种太阳能硅片清洗剂 |
CN101503650A (zh) * | 2008-05-29 | 2009-08-12 | 深圳深爱半导体有限公司 | 硅片清洗液及其清洗方法 |
CN101722159A (zh) * | 2009-12-04 | 2010-06-09 | 北京有色金属研究总院 | 一种使用稀释的氢氟酸对硅片进行清洗的工艺 |
-
2011
- 2011-12-29 CN CN2011104483816A patent/CN102533470A/zh active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1052138A (zh) * | 1989-12-02 | 1991-06-12 | 山东大学 | 一种用于电子工业的清洗剂及其制备方法 |
CN1124285A (zh) * | 1995-11-23 | 1996-06-12 | 山东大学 | 半导体工业用清洗剂 |
CN101275105A (zh) * | 2007-03-30 | 2008-10-01 | 上海超日太阳能科技股份有限公司 | 一种太阳能硅片清洗剂 |
CN101255386A (zh) * | 2008-04-07 | 2008-09-03 | 大连三达奥克化学股份有限公司 | 半导体硅片化学机械抛光用清洗液 |
CN101265441A (zh) * | 2008-05-09 | 2008-09-17 | 大连三达奥克化学股份有限公司 | 多晶硅片水基清洗剂 |
CN101265439A (zh) * | 2008-05-09 | 2008-09-17 | 大连三达奥克化学股份有限公司 | 单晶硅片水基清洗剂 |
CN101503650A (zh) * | 2008-05-29 | 2009-08-12 | 深圳深爱半导体有限公司 | 硅片清洗液及其清洗方法 |
CN101722159A (zh) * | 2009-12-04 | 2010-06-09 | 北京有色金属研究总院 | 一种使用稀释的氢氟酸对硅片进行清洗的工艺 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102744230A (zh) * | 2012-07-26 | 2012-10-24 | 浙江矽盛电子有限公司 | 一种粘污太阳能硅片的清洗方法 |
CN103571665A (zh) * | 2013-10-31 | 2014-02-12 | 合肥中南光电有限公司 | 一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂及其制备方法 |
CN103774239A (zh) * | 2013-11-13 | 2014-05-07 | 河南科技学院 | 一种单晶硅硅片清洗制绒工艺 |
CN103774239B (zh) * | 2013-11-13 | 2016-08-17 | 河南科技学院 | 一种单晶硅硅片清洗制绒工艺 |
CN104498209A (zh) * | 2014-12-31 | 2015-04-08 | 镇江市港南电子有限公司 | 一种新型特效硅片清洗液 |
TWI626305B (zh) * | 2015-09-23 | 2018-06-11 | 慧盛材料美國責任有限公司 | 清潔配方 |
US10233413B2 (en) | 2015-09-23 | 2019-03-19 | Versum Materials Us, Llc | Cleaning formulations |
CN105441200A (zh) * | 2015-12-04 | 2016-03-30 | 三达奥克化学股份有限公司 | 半导体硅片脱胶清洗液及生产方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102533470A (zh) | 一种硅片清洗液 | |
CN109576077B (zh) | 光学玻璃清洗剂 | |
CN105039006B (zh) | 一种用于太阳能级硅片的清洗剂及其制备方法 | |
CN103589538B (zh) | 一种太阳能硅片的清洗液及其使用方法 | |
CN102952650B (zh) | 一种太阳能电池硅片清洗剂及其清洗工艺 | |
CN106222756A (zh) | 用于金刚线切割单晶硅片制绒的添加剂及其应用方法 | |
CN103537453B (zh) | 一种蓝宝石衬底晶片抛光后的超声清洗方法 | |
CN103710179B (zh) | 一种太阳能单晶硅片清洗剂 | |
CN102888193A (zh) | 一种led衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液及其制备方法 | |
CN102021070B (zh) | 水溶性单晶硅片或多晶硅片切削液 | |
CN102304444A (zh) | 环保型太阳能级硅片水基清洗剂 | |
CN102311863A (zh) | 晶片切割方法及用于该方法的组合物 | |
CN103333748A (zh) | 一种硅片清洗液、制备方法、用途和硅片清洗方法 | |
CN103774239B (zh) | 一种单晶硅硅片清洗制绒工艺 | |
CN106350296B (zh) | 一种高效环保led芯片清洗剂及使用方法 | |
CN104893848A (zh) | 一种易降解环保型硅片清洗剂及其制备方法 | |
CN103792128A (zh) | 一种显示双相不锈钢的两相晶界的方法 | |
CN106939182A (zh) | 一种水性金刚线硅片切割液及其制作方法 | |
CN104830549B (zh) | 一种用于玻璃丝印后脱垢的清洗剂 | |
CN104934339A (zh) | 一种晶体硅片位错检测方法 | |
CN101912855A (zh) | 蓝宝石衬底材料抛光后表面洁净方法 | |
KR101956388B1 (ko) | 사파이어 웨이퍼 세정제 조성물 | |
CN102965668B (zh) | 用于加工不锈钢板材8k镜面的抛光液 | |
CN105441200A (zh) | 半导体硅片脱胶清洗液及生产方法 | |
CN103695190B (zh) | 硅片清洗液 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20120704 |