CN101265441A - 多晶硅片水基清洗剂 - Google Patents

多晶硅片水基清洗剂 Download PDF

Info

Publication number
CN101265441A
CN101265441A CNA2008100113199A CN200810011319A CN101265441A CN 101265441 A CN101265441 A CN 101265441A CN A2008100113199 A CNA2008100113199 A CN A2008100113199A CN 200810011319 A CN200810011319 A CN 200810011319A CN 101265441 A CN101265441 A CN 101265441A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon chip
agent
polycrystal silicon
cleaning agent
base cleaning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2008100113199A
Other languages
English (en)
Inventor
张魁兰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dalian Sandaaoke Chemistry Co Ltd
Original Assignee
Dalian Sandaaoke Chemistry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dalian Sandaaoke Chemistry Co Ltd filed Critical Dalian Sandaaoke Chemistry Co Ltd
Priority to CNA2008100113199A priority Critical patent/CN101265441A/zh
Publication of CN101265441A publication Critical patent/CN101265441A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Detergent Compositions (AREA)

Abstract

本发明公开一种多晶硅片水基清洗剂,是浅黄色透明液体,有如下组分和重量百分配比:表面活性剂20~40、溶剂5~15、光亮剂10~20、分散剂(TD-1、TD-2)10~18、pH调节剂15~20、去离子水30~40。是利用表面活性剂的复配性能,提高了表面去污力及保持清洁度的持续性,同时可使硅片洗后无水痕,更加光亮,对于多晶硅片等物料具有良好的清洁效果,并且提高了清洗速度和耐用性能。配制浓度低、用料少,不仅降低了用户的使用成本,还减少了污水排放,达到了节能减排的目的。

Description

多晶硅片水基清洗剂
技术领域:
本发明涉及一种硅片超声波清洗剂,尤其是一种可提高去垢能力、清洗速度以及耐用性能的多晶硅片水基清洗剂。
背景技术:
硅片首先是将硅棒切割成片状,经过研磨、抛光、腐蚀等工序,以获得平整光洁的表面,然后再经过清洗、氧化、光刻、外延生长、固态扩散等复杂的加工过程,才能形成半导体材料。其中的清洗主要是去除切割过程中产生的沙粒、残留的水溶性线切割悬浮液、金属离子、指纹等,清洗效果将直接影响硅片的质量,必需满足除垢彻底、无腐蚀氧化、无残留等技术要求。目前,随着太阳能电池的日益增长率,清洗液的需求量也在逐年递增,但是,迄今为止还没有专用于多晶硅片的超声波清洗液。现有清洗液存在着去垢能力差、清洗速度慢以及耐用性能不强的缺点,导致作业用清洗剂浓度高、用量大,直接提高了生产成本,同时换槽频繁、次数多,增加了污水排放量,不利于环境保护。
发明内容:
本发明是为了解决现有技术所存在的上述技术问题,提供一种可提高去垢能力、清洗速度以及耐用性能的多晶硅片水基清洗剂。
本发明的技术解决方案是:一种多晶硅片水基清洗剂,其特征在于是浅黄色透明液体,有如下组分和重量百分配比:
表面活性剂  20~40
溶剂        5~15
光亮剂      10~20
分散剂      10~18
PH调节剂    15~20
去离子水    30~40。
所述的表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯醚、烷醇酰胺、聚季胺盐、改性聚胺阳离子中的一种或两种。
所述的脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚为8~9个碳的伯醇或仲醇,乙氧基为8~10个,丙氧基为3~6。
所述脂肪醇聚氧乙烯醚为8~14个碳的醇,乙氧基为3~6个。
所述烷醇酰胺为16~18个碳的月桂基或椰子油基。
所述的溶剂为乙醇、萜烯、C8~C12醇混合脂、低碳醇混合脂中的一种或两种。
所述PH调节剂为单乙醇胺、碳酸钠、乳酸、柠檬酸、羟基乙酸的一种或三种。
所述的光亮剂为甲基甘氨酸钾、改性马来酸和丙烯酸聚合物、改性聚合物钠的一种或两种。
本发明是利用表面活性剂的复配性能,提高了表面去污力及保持清洁度的持续性,同时可使硅片洗后无水痕,更加光亮,对于多晶硅片等物料具有良好的清洁效果,并且提高了清洗速度和耐用性能。配制浓度低、用料少,不仅降低了用户的使用成本,还减少了污水排放,达到了节能减排的目的。
具体实施方式:
原料及重量百分比如下:一种多晶硅片水基清洗剂,其特征在于是浅黄色透明液体,有如下组分和重量百分配比:表面活性剂20~40、溶剂5~15、光亮剂10~20、分散剂(TD-1、TD-2)10~18、PH调节剂15~20、去离子水30~40。
所述的表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯醚、烷醇酰胺、聚季胺盐、改性聚胺阳离子中的一种或两种。
所述的脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚为8~9个碳的伯醇或仲醇,乙氧基为8~10个,丙氧基为3~6。
所述脂肪醇聚氧乙烯醚为8~14个碳的醇,乙氧基为3~6个。
所述烷醇酰胺为16~18个碳的月桂基或椰子油基。
所述的溶剂为乙醇、萜烯、C8~C12醇混合脂TC-800,低碳醇混合脂TY-609中的一种或两种。
所述PH调节剂为单乙醇胺、碳酸钠、乳酸、柠檬酸、羟基乙酸的一种或三种。
所述的光亮剂为甲基甘氨酸钾、改性马来酸和丙烯酸聚合物、改性聚合物钠的一种或两种。
各原料可在重量范围内进行选择,使重量之和为100%,配制产品的外观为浅黄色透明液体。
适用本发明清洗工艺如下:
清洗产品:切割后的多晶硅片。
使用药剂:本发明实施例。
使用浓度:按3%配比,清洗槽约130升,实际使用量为4升。
清洗时间:300S
使用温度:60~65℃左右。
在用量及其他清洗条件相同时,通过多次清洗,得出以下数据:
  清洗剂   原清洗剂   本发明实施例
  清洗数量   5000片   8000片以上
通过以上数据可以看出本发明的耐用性能与现有技术相比大大提高。清洗后的残液颜色加深,说明清洗液得到了充分的利用,清洗剂成本支出大幅下降。大大减少了换槽次数,污水排放量大幅减少,达到了节能减排的目的。溶垢力更强,可在短时间内彻底清除硅片表面的铁离子和各种杂质,使硅片洗后无水痕,而且更加光亮。

Claims (8)

1.一种多晶硅片水基清洗剂,其特征在于是浅黄色透明液体,有如下组分和重量百分配比:
表面活性剂 20~40
溶剂       5~15
光亮剂     10~20
分散剂     10~18
PH调节剂   15~20
去离子水   30~40。
2.根据权利要求1所述的多晶硅片水基清洗剂,其特征在于:所述的表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯醚、烷醇酰胺、聚季胺盐、改性聚胺阳离子中的一种或两种。
3.根据权利要求1所述的多晶硅片水基清洗剂,其特征在于:所述的脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚为8~9个碳的伯醇或仲醇,乙氧基为8~10个,丙氧基为3~6。
4.根据权利要求2或3所述的多晶硅片水基清洗剂,其特征在于:所述脂肪醇聚氧乙烯醚为8~14个碳的醇,乙氧基为3~6个。
5.根据权利要求4所述的多晶硅片水基清洗剂,其特征在于:所述烷醇酰胺为16~18个碳的月桂基或椰子油基。
6.根据权利要求1所述的多晶硅片水基清洗剂,其特征在于:所述的溶剂为乙醇、萜烯、C8~C12醇混合脂、低碳醇混合脂中的一种或两种。
7.根据权利要求1所述的多晶硅片水基清洗剂,其特征在于:所述PH调节剂为单乙醇胺、碳酸钠、乳酸、柠檬酸、羟基乙酸的一种或三种。
8.根据权利要求1所述的多晶硅片水基清洗剂,其特征在于:所述的光亮剂为甲基甘氨酸钾、改性马来酸和丙烯酸聚合物、改性聚合物钠的一种或两种。
CNA2008100113199A 2008-05-09 2008-05-09 多晶硅片水基清洗剂 Pending CN101265441A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNA2008100113199A CN101265441A (zh) 2008-05-09 2008-05-09 多晶硅片水基清洗剂

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNA2008100113199A CN101265441A (zh) 2008-05-09 2008-05-09 多晶硅片水基清洗剂

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101265441A true CN101265441A (zh) 2008-09-17

Family

ID=39988133

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2008100113199A Pending CN101265441A (zh) 2008-05-09 2008-05-09 多晶硅片水基清洗剂

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101265441A (zh)

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102533470A (zh) * 2011-12-29 2012-07-04 镇江市港南电子有限公司 一种硅片清洗液
CN103484261A (zh) * 2012-06-13 2014-01-01 浙江瑞翌新材料科技有限公司 一种太阳能硅片清洗剂
CN103525576A (zh) * 2013-10-30 2014-01-22 合肥市华美光电科技有限公司 一种水基乙醇电路板清洗剂及其制备方法
CN103555445A (zh) * 2013-10-30 2014-02-05 合肥市华美光电科技有限公司 一种水基抗菌电路板清洗剂及其制备方法
CN103571640A (zh) * 2013-10-31 2014-02-12 合肥中南光电有限公司 一种水基led芯片清洗剂及其制备方法
CN103571664A (zh) * 2013-10-31 2014-02-12 合肥中南光电有限公司 一种环保太阳能硅片清洗剂及其制备方法
CN103571644A (zh) * 2013-10-31 2014-02-12 合肥中南光电有限公司 一种水基硅片清洗剂及其制备方法
CN104862093A (zh) * 2015-04-28 2015-08-26 苏州永创达电子有限公司 一种酸性超声波清洗剂
CN106148028A (zh) * 2016-07-29 2016-11-23 烟台新时代健康产业日化有限公司 一种具有高效清洁功能的组合物
CN106350302A (zh) * 2016-08-24 2017-01-25 安徽正田能源科技有限公司 一种硅片加工用胶水清除剂及其制备方法
CN106350269A (zh) * 2016-08-24 2017-01-25 安徽正田能源科技有限公司 一种硅片表面污渍分解剂及其加工方法
CN106479700A (zh) * 2016-10-12 2017-03-08 佛山迅拓奥科技有限公司 一种半导体硅材料研磨液清洗剂及其制备方法
CN106833954A (zh) * 2017-01-23 2017-06-13 常州时创能源科技有限公司 单晶硅片制绒预清洗液的添加剂及其应用
CN106964593A (zh) * 2017-04-17 2017-07-21 安徽路明光电科技有限公司 一种led灯硅片电路板的清洗方法
CN109294758A (zh) * 2018-08-31 2019-02-01 浙江帝恒实业有限公司 一种新能源汽车用清洗剂及其制备方法
CN111254003A (zh) * 2018-11-30 2020-06-09 洛阳阿特斯光伏科技有限公司 一种切割过程中使用的冷却液及其制备方法和用途
CN113430069A (zh) * 2020-03-23 2021-09-24 上海新阳半导体材料股份有限公司 一种低羟胺水基清洗液、其制备方法及应用

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102533470A (zh) * 2011-12-29 2012-07-04 镇江市港南电子有限公司 一种硅片清洗液
CN103484261A (zh) * 2012-06-13 2014-01-01 浙江瑞翌新材料科技有限公司 一种太阳能硅片清洗剂
CN103525576A (zh) * 2013-10-30 2014-01-22 合肥市华美光电科技有限公司 一种水基乙醇电路板清洗剂及其制备方法
CN103555445A (zh) * 2013-10-30 2014-02-05 合肥市华美光电科技有限公司 一种水基抗菌电路板清洗剂及其制备方法
CN103571640A (zh) * 2013-10-31 2014-02-12 合肥中南光电有限公司 一种水基led芯片清洗剂及其制备方法
CN103571664A (zh) * 2013-10-31 2014-02-12 合肥中南光电有限公司 一种环保太阳能硅片清洗剂及其制备方法
CN103571644A (zh) * 2013-10-31 2014-02-12 合肥中南光电有限公司 一种水基硅片清洗剂及其制备方法
CN104862093A (zh) * 2015-04-28 2015-08-26 苏州永创达电子有限公司 一种酸性超声波清洗剂
CN106148028A (zh) * 2016-07-29 2016-11-23 烟台新时代健康产业日化有限公司 一种具有高效清洁功能的组合物
CN106350269A (zh) * 2016-08-24 2017-01-25 安徽正田能源科技有限公司 一种硅片表面污渍分解剂及其加工方法
CN106350302A (zh) * 2016-08-24 2017-01-25 安徽正田能源科技有限公司 一种硅片加工用胶水清除剂及其制备方法
CN106479700A (zh) * 2016-10-12 2017-03-08 佛山迅拓奥科技有限公司 一种半导体硅材料研磨液清洗剂及其制备方法
CN106833954A (zh) * 2017-01-23 2017-06-13 常州时创能源科技有限公司 单晶硅片制绒预清洗液的添加剂及其应用
CN106833954B (zh) * 2017-01-23 2020-08-11 常州时创能源股份有限公司 单晶硅片制绒预清洗液的添加剂及其应用
CN106964593A (zh) * 2017-04-17 2017-07-21 安徽路明光电科技有限公司 一种led灯硅片电路板的清洗方法
CN106964593B (zh) * 2017-04-17 2019-09-17 安徽一路明光电科技有限公司 一种led灯硅片电路板的清洗方法
CN109294758A (zh) * 2018-08-31 2019-02-01 浙江帝恒实业有限公司 一种新能源汽车用清洗剂及其制备方法
CN111254003A (zh) * 2018-11-30 2020-06-09 洛阳阿特斯光伏科技有限公司 一种切割过程中使用的冷却液及其制备方法和用途
CN111254003B (zh) * 2018-11-30 2022-03-11 洛阳阿特斯光伏科技有限公司 一种切割过程中使用的冷却液及其制备方法和用途
CN113430069A (zh) * 2020-03-23 2021-09-24 上海新阳半导体材料股份有限公司 一种低羟胺水基清洗液、其制备方法及应用

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101265441A (zh) 多晶硅片水基清洗剂
CN101265439A (zh) 单晶硅片水基清洗剂
CN105296177B (zh) 一种多功能表面清洁剂及其制备方法
CN101538512B (zh) 水基清洗剂
CN100575471C (zh) 一种环保多功能除油去污剂
CN100497571C (zh) 太阳能硅晶片清洗剂
CN103590044B (zh) 一种金属抛光剂
CN103484261B (zh) 一种太阳能硅片清洗剂
CN106086910A (zh) 一种环保型水基酸洗剂
CN108286052B (zh) 一种生物降解水基型金属清洗剂及其制备方法与应用
CN107057878A (zh) 一种环保型光学玻璃清洗剂及其制备方法
CN104053762A (zh) 酸性衣物洗涤剂组合物
CN103710720B (zh) 一种长寿命的水基除油防锈清洗剂
CN106567088A (zh) 一种环保的工业用重油清洗剂
CN108546450A (zh) 环保型水基油墨清洗剂及其制备方法
CN102952650A (zh) 一种太阳能电池硅片清洗剂及其清洗工艺
CN110106035A (zh) 一种电子空气净化装置模块环保水基清洗剂及其制备工艺
CN107603771A (zh) 一种浓缩洗衣液及制备方法
CN105887098B (zh) 一种多功能绿色水基通用型金属清洗剂及其制备方法
CN107699387A (zh) 一种清洗剂及制备方法
CN101096619A (zh) 一种陶瓷清洗液
CN101445768A (zh) 含有脂肪酸甲酯磺酸盐的液体洗涤剂
CN102251249B (zh) 一种用于钴基合金的高效缓蚀清洗剂
CN112962102A (zh) 清洗剂及其制备方法和应用
CN101768527B (zh) 一种去油污无磷洗衣粉

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Open date: 20080917