CN102492068B - 一种大分子单体修饰的量子点、制备方法及其应用 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种大分子单体修饰的量子点,此类量子点以催化链转移聚合制备的大分子单体为配体,具有较窄的荧光发射光谱,发光效率高,稳定性好的特点。本发明的大分子单体修饰的荧光量子点,其粒径为2~20nm,水溶性,量子产率为20~95%,光致发光谱的半峰宽为20~80nm,所述的荧光量子点为ZnxCd1-xS、ZnxCd1-xTe、ZnxCd1-xSe中的一种,其中0≤x≤1;所述的大分子单体作为配体为聚甲基丙烯酸、聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸羟乙酯、聚甲基丙烯酸羟丙酯或聚甲基丙烯酸-b-聚丙烯酸丁酯嵌段共聚物中的一种,大分子单体与金属离子的摩尔比为0.5∶1~5∶1。

Description

一种大分子单体修饰的量子点、制备方法及其应用
技术领域
本发明涉及一种纳米荧光材料、制备方法及其应用,特别涉及一种大分子单体修饰的量子点、制备方法及其应用。
背景技术
量子点(quantum dots,QDs),也称做半导体纳米晶体(nanocrystals,NCs),其直径介于1~12nm之间,通常是一种由II-VI族或III-V族元素组成的半导体纳米颗粒。量子点由于其平均粒径较小、表面原子多、比表面积大、表面能高,而具备一些特殊的物理效应,如小尺寸效应、表面效应、量子尺寸效应、宏观量子隧道效应等,并表现出优良的光学和电学性能。量子点在光电设备、太阳能电池、传感器及生物标记等领域具有广泛的应用前景,因而受到众多科研工作者的青睐,特别是II-VI族半导体纳米晶,其合成方法最成熟,理论研究和应用研究也最深入。量子点的制备方法有很多,可分为固相法、气相法和液相法。其中,液相法是运用最多的方法。液相法主要有有机相合成法,水相合成法以及界面合成法。这些合成方法一般是采用巯基乙酸,巯基乙醇,巯基丙醇,三正辛基膦,三正辛基氧膦等小分子单体作为配体,这些小分子单体包覆在半导体材料的表面,能够稳定纳米粒子,阻止其团簇。
催化链转移聚合是利用钴II肟氟化硼络合物(CoBF)作为催化链转移剂的一种自由基聚合方法。该方法可获得末端含不饱和键的分子量较低的大分子单体,其具有活性较强的端基双键,可以与烯烃类单体通过断裂-加成机理进一步聚合制备嵌段聚合物,此嵌段共聚物依然保留端基双键并维持在较低的分子量。
目前,制约量子点应用与发展的一大难题是其与有机材料杂化过程中容易发生相分离现象,这是无机材料与有机材料的结构差异性导致的。所以,寻找一种简单高效的方法来降低无机纳米晶体与有机材料的边界效应,使这两种材料有效结合,已成为该领域的一大挑战。而用大分子单体代替小分子配体来修饰量子点不失为一种有效的解决方法。因为大分子单体能够赋予无机纳米粒子表面柔性的高分子链,从而有效减缓无机量子点材料与有机材料间的结构差异,可以大大提高了无机/有机杂化材料的稳定性,拓宽量子点的应用前景。
发明内容
本发明的目的是解决现有技术中存在的问题与不足,提供一种大分子单体修饰的荧光量子点,此类量子点以催化链转移聚合制备的大分子单体为配体,具有较窄的荧光发射光谱,发光效率高,稳定性好,可以有效地与有机材料杂化,克服杂化过程中的相分离现象。
本发明的另一目的是提供该大分子单体修饰的荧光量子点的制备方法,该方法是基于微波辅助法合成水相量子点的方法,荧光量子点的粒径大小以及荧光发射可以随着微波合成的时间变化而精确可调。
本发明的再一目的是提供该大分子修饰的荧光量子点的应用,同时提供用所制备的大分子修饰的荧光量子点制造发光器件的方法,所制造的发光器件可以发出明亮的多彩以及白色照明颜色。
本发明是通过以下技术方案实现的:
本发明的大分子单体修饰的荧光量子点,其粒径为2~20nm,水溶性,量子产率为20~95%,光致发光谱的半峰宽为20~80nm,所述的荧光量子点为ZnxCd1-xS、ZnxCd1-xTe、ZnxCd1-xSe中的一种,其中0≤x≤1;或者所述的荧光量子点为CdTe/CdS、CdTe/ZnS、CdS/ZnS、CdTe/CdSe、CdTe/CdS/ZnS、CdTe/CdS/CdS、CdS/CdTe/CdS、CdTe/CdS/ZnS、CdTe/CdSe/CdTe或CdTe/CdSe/ZnS量子点;所述的大分子单体作为配体为聚甲基丙烯酸(PMAA)、聚丙烯酸(PAA)、聚甲基丙烯酸羟乙酯(PHEMA)、聚甲基丙烯酸羟丙酯(PHPMA)或聚甲基丙烯酸-b-聚丙烯酸丁酯(PMAA-b-PBA)嵌段共聚物中的一种,大分子单体与金属离子的摩尔比为0.5∶1~5∶1。
本发明的大分子单体修饰的荧光量子点,其进一步的技术方案是所述的荧光量子点为CdTe、CdS、CdTe/CdS或CdTe/ZnS量子点;所述的大分子单体为聚甲基丙烯酸(PMAA)或聚甲基丙烯酸-b-聚丙烯酸丁酯(PMAA-b-PBA)嵌段共聚物;所述的大分子单体是水溶性的,分子量为1500~3000。
本发明的大分子单体修饰的荧光量子点的制备方法,其包括以下步骤:
a、以三氟化硼乙醚溶液为催化剂,以醋酸钴和丁二酮圬为原料,在乙醚溶液中常温搅拌而制备得CoBF棕色沉淀,再将沉淀经过滤、冰水洗涤、常温干燥、甲醇中重结晶后获得棕色粉末状CoBF催化链转移剂;
b、以CoBF为催化剂,于高纯氮气氛中,通过催化链转移聚合反应获得大分子产物,除去未反应单体和溶剂,获得末端含有双键的大分子单体粉末;
c、将金属盐溶于去离子水后,用步骤b所制得的大分子单体与溶液中金属离子配位,用氢氧化钠水溶液调节其pH后置于微波反应器中在氮气氛围下加热,获得量子点前躯体溶液;
d、将碲氢化钠、硒氢化钠或硫化钠注入热的前躯体溶液中,继续微波辅助加热1~120min,不同时间取样获得具备不同发射荧光的量子点溶液;
e、将量子点溶液用乙醇沉淀,离心,再分散于纯净水中;
f、以步骤e所制得的量子点溶液为母液,重复步骤c、d、e,获得核壳量子点溶液。
本发明的大分子单体修饰的荧光量子点的制备方法,其进一步的技术方案是步骤a中所述的搅拌速度为100~300rpm,所述的重结晶次数为两次以上。
本发明的大分子单体修饰的荧光量子点的制备方法,其进一步的技术方案还可以是步骤b中所述的聚合反应的单体是甲基丙烯酸(MAA)、丙烯酸(AA)、甲基丙烯酸羟乙酯(HEMA)、甲基丙烯酸羟丙酯(HPMA)或丙烯酸丁酯(BA)。
本发明的大分子单体修饰的荧光量子点的制备方法,其进一步的技术方案还可以是步骤b中所述的催化链转移反应温度为40~80℃,反应时间为30~90min,反应的溶剂为丙酮或者异丙醇。
本发明的大分子单体修饰的荧光量子点的制备方法,其进一步的技术方案还可以是步骤c中所述的金属盐为氯化镉、氯化锌或者氯化锌和氯化镉的混合物,金属盐摩尔浓度为5~20mmol/L,大分子单体与金属离子的摩尔比为0.5∶1~5∶1;步骤c中所述的微波反应器功率为900W,加热温度为30~100℃;步骤c中所述的氢氧化钠水溶液的浓度为2mol/L,溶液pH值调至8~12。
本发明的大分子单体修饰的荧光量子点的制备方法,其进一步的技术方案还可以是步骤d中所述的还原反应时间为4~7h,金属离子与碲粉或硒粉的摩尔比为0.5∶1~2∶1;步骤d中所述的绿色荧光量子点取样时间为1~15min,黄色荧光量子点取样时间为30~60min,红色荧光量子点取样时间为60~120min;所述的碲氢化钠、硒氢化钠是通过将碲粉或硒粉在冰浴中用硼氢化钠还原得到。
本发明的大分子单体修饰的荧光量子点的制备方法,其进一步的技术方案还可以是步骤e中所述的离心速度为3000~15000rpm,离心时间为10~30min。
本发明还提供大分子单体修饰的荧光量子点在制造发光器件中的应用,其应用上述量子点制备发光器件是通过以下步骤进行的:
将所制备的量子点按一定的比例与硅胶复配后涂敷在事先固好晶焊好线的LED蓝光芯片上,然后置于真空烘箱中烘烤使其固化,固化后在芯片上盖上透镜,并在透镜内填充满高折射率填充胶,待填充胶固化后制得发光器件。
本发明具有以下有益效果和特点:
1、本发明制备的荧光量子点能够稳定地发射出绿色,黄色,橙色,红色以及白色荧光。
2、本发明制备的量子点是水溶性的,荧光稳定性好,发光效率高,发光颜色随反应时间可调。
3、本发明制备的量子点以大分子单体为配体,与有机材料杂化后性能稳定,不容易发生相分离现象。
4、本发明制备的量子点的粒径大小和荧光性能可以随着反应时间的变化精确可调。
5、本发明制备的量子点可以作为荧光体有效地应用在发光器件中。
6、应用本发明制备的量子点所制造的发光器件可以发出明亮的绿色,黄色,橙色,红色以及白色照明颜色。
7、本发明制备的量子点还可作为纳米墨水用于喷墨打印领域,以及作为分子探针用于生物医药领域。
附图说明
图1为实施例1-3中通过催化链转移聚合制备聚甲基丙烯酸的反应机理
图2为实施例1通过催化连转移聚合法制备的PMAA的分子量分布曲线
图3为实施例1-3制备的三种荧光量子点荧光光谱图(激发电压600V,激发波长450nm)
图4为实施例1-6中制备LED发光器件的结构示意图
图4中:1-散热底座,2-金线,3-量子点及硅胶混合物,4-紫外光,紫光或蓝光芯片,5-取光透镜,6-填充硅胶,7-电极
具体实施方式
以下通过具体实施例说明本发明,但本发明并不仅仅现定于这些实施例。
实施例1
1.催化链转移剂CoBF的制备
将3g醋酸钴和2.5g丁二酮圬加入到250mL预先通氮气2h的乙醚中制得悬浮液,然后加入15mL的三氟化硼乙醚溶液做催化剂,在常温条件下搅拌反应得到棕色的沉淀。沉淀经过滤、冰水洗涤,常温干燥。将干燥后的棕色固体在甲醇中重结晶两次,干燥得棕色粉末CoBF。
2.催化链转移聚合制备末端含有双键的PMAA大分子配体
甲基丙烯酸和蒸馏水经过预先处理以除去溶液中的游离氧。0.3g引发剂VA-044和10mg催化剂CoBF溶于2mL的丙酮,然后加到盛有150mL蒸馏水的三口烧瓶中,5mg的催化剂溶于74g MAA并置于恒压漏斗内,然后抽真空,通入高纯氮,反复循环六次以除去装置内的氧气,密封。当水浴温度恒定在60℃时开始滴加MAA单体,MAA滴加完后,反应1h。反应产物放入表面皿内在常温真空条件下真空干燥48h除去溶剂水和未反应的单体。
3.CdTe量子点溶液的制备
称取0.0227gNaBH4和0.319g Te粉,溶于1g纯净水后于冰浴中反应约5h,得NaHTe。另称取0.1755g PMAA大分子单体溶于30g纯净水置于100mL四口烧瓶中,再向其中滴入溶有0.1142g氯化镉的25g水溶液中,搅拌2h待配体与镉离子充分配位后用2mol/L的NaOH溶液调节pH值至11左右,常温下通N2除氧30min后,置于微波反应器加热至95℃,注入新制的NaHTe,15min后停止反应。再用大量乙醇沉淀所制的CdTe量子点溶液,并在8000rpm的转速下离心15min后再分散。
4.发光器件的制造
取上述制备的量子点溶液与硅胶以10∶90的比例混合后涂覆在已固好晶焊好线的紫光芯片上(发射波长为370nm),并置于150℃真空烘箱中加热60min使硅胶固化。之后在芯片上盖上透镜,并在透镜内填充满高折射率填充胶,再次置于150℃烘箱中加热60min使填充胶固化后,即制得发光器件。
实施例2
1.催化链转移剂CoBF的制备
本实例中催化链转移剂CoBF的制备过程与实施例2中的制备过程相同。
2.催化链转移聚合制备末端含有双键的PMAA大分子配体
甲基丙烯酸和蒸馏水经过预先处理以除去溶液中的游离氧。0.4g引发剂VA-044和10mg催化剂CoBF溶于2mL的丙酮,然后加到盛有150mL蒸馏水的三口烧瓶中,5mg的催化剂溶于74g MAA并置于恒压漏斗内,然后抽真空,通入高纯氮,反复循环六次以除去装置内的氧气,密封。当水浴温度恒定55℃时开始滴加MAA单体,MAA滴加完后,反应1h。反应产物放入表面皿内在常温真空条件下真空干燥48h除去溶剂水和未反应的单体。
3.CdTe量子点溶液的制备
称取0.0227gNaBH4和0.319gTe粉,溶于1g纯净水后于冰浴中反应约5h,得NaHTe。另称取0.1862gPMAA大分子单体溶于30g纯净水置于100mL四口烧瓶中,再向其中滴入溶有0.1142g氯化镉的25g水溶液中,搅拌2h待配体与镉离子充分配位后用2mol/L的NaOH溶液调节pH值至11左右,常温下通N2除氧30min后,置于微波反应器加热至95℃注入新制的NaHTe,45min后停止反应。再用大量乙醇沉淀所制的CdTe量子点溶液,并在8000rpm的转速下离心15min后再分散。
4.发光器件的制造
取上述制备的量子点溶液与硅胶以10∶90的比例混合后涂覆在已固好晶焊好线的紫光芯片上(发射波长为370nm),并置于150℃真空烘箱中加热60min使硅胶固化。之后在芯片上盖上透镜,并在透镜内填充满高折射率填充胶,再次置于150℃烘箱中加热60min使填充胶固化后,即制得发光器件。
实施例3
1.催化链转移剂CoBF的制备
本实例中催化链转移剂CoBF的制备过程与实施例2中的制备过程相同。
2.催化链转移聚合制备末端含有双键的PMAA大分子配体
甲基丙烯酸和蒸馏水经过预先处理以除去溶液中的游离氧。0.3g引发剂VA-044和10mg催化剂CoBF溶于2mL的丙酮,然后加到盛有150mL蒸馏水的三口烧瓶中,5mg的催化剂溶于74g MAA并置于恒压漏斗内,然后抽真空,通入高纯氮,反复循环六次以除去装置内的氧气,密封。当水浴温度恒定65℃时开始滴加MAA单体,MAA滴加完后,反应1h。反应产物放入表面皿内在常温真空条件下真空干燥48h除去溶剂水和未反应的单体。
3.CdTe量子点溶液的制备
称取0.045g NaBH4和0.638gTe粉,溶于1g纯净水后于冰浴中反应约5h,得NaHTe。另称取0.5223gPMAA大分子单体溶于30g纯净水置于100mL四口烧瓶中,再向其中滴入溶有0.2284g氯化镉的25g水溶液中,搅拌2h待配体与镉离子充分配位后用2mol/L的NaOH溶液调节pH值至11左右,常温下通N2除氧30min后,置于微波反应器加热至95℃注入新制的NaHTe,120min后停止反应。再用大量乙醇沉淀所制的CdTe量子点溶液,并在8000rpm的转速下离心15min后再分散。
4.发光器件的制造
取上述制备的量子点溶液与硅胶以20∶80的比例混合后涂覆在已固好晶焊好线的紫光芯片上(发射波长为370nm),并置于150℃真空烘箱中加热60min使硅胶固化。之后在芯片上盖上透镜,并在透镜内填充满高折射率填充胶,再次置于150℃烘箱中加热60min使填充胶固化后,即制得发光器件。
实施例4
1.催化链转移剂CoBF的制备
本实例中催化链转移剂CoBF的制备过程与实施例2中的制备过程相同。
2.催化链转移聚合制备PMAA-b-PBA嵌段共聚物
秤取实例1中制备的40g聚甲基丙烯酸溶解于130mL异丙醇中并置于三口烧瓶内,加入引发剂0.2gAIBN,40gBA单体,然后密封,用液氮冷冻,抽真空通高纯氮6次,解冻至室温,并移入恒温水浴,反应5h。反应结束后冰水冷却终止反应。反应产物在常温真空条件下干燥除去溶剂和未反应的单体。
3.CdS量子点溶液的制备
称取0.3127gPMAA大分子单体溶于20g纯净水置于100mL四口烧瓶中,再向其中滴入溶有0.1142g氯化镉的5g水溶液中,搅拌2h待配体与镉离子充分配位后用2mol/L的NaOH溶液调节pH值至8左右,常温下通N2除氧30min后,置于微波反应器加热至30℃注入溶有0.078g硫化钠的20g水溶液,120min后停止反应。再用大量乙醇沉淀所制的CdS量子点溶液,并在6000rpm的转速下离心15min后再分散。
4.发光器件的制造
取上述制备的量子点溶液与硅胶以10∶90的比例混合后涂覆在已固好晶焊好线的紫光芯片上(发射波长为370nm),并置于150℃真空烘箱中加热60min使硅胶固化。之后在芯片上盖上透镜,并在透镜内填充满高折射率填充胶,再次置于150℃烘箱中加热60min使填充胶固化后,即制得发光器件。
实施例5
1.催化链转移剂CoBF的制备
本实例中催化链转移剂CoBF的制备过程与实施例2中的制备过程相同。
2.催化链转移聚合制备末端含有双键的PMAA大分子配体
本实例中PMAA大分子单体的制备过程与实施例1中的制备过程相同。
3.CdTe/CdS量子点溶液的制备
称取0.3127gPMAA大分子单体溶于20gCdTe量子点溶液置于100mL四口烧瓶中,再向其中滴入溶有0.1142g氯化镉的5g水溶液中,搅拌2h待配体与镉离子充分配位后用2mol/L的NaOH溶液调节pH值至8左右,常温下通N2除氧30min后,置于微波反应器加热至95℃注入溶有0.078g硫化钠的20g水溶液,120min后停止反应。再用大量乙醇沉淀所制的CdTe/CdS核壳量子点溶液,并在6000rpm的转速下离心15min后再分散。
4.发光器件的制造
取上述制备的量子点溶液与硅胶以20∶80的比例混合后涂覆在已固好晶焊好线的紫光芯片上(发射波长为370nm),并置于150℃真空烘箱中加热60min使硅胶固化。之后在芯片上盖上透镜,并在透镜内填充满高折射率填充胶,再次置于150℃烘箱中加热60min使填充胶固化后,即制得发光器件。
实施例6
1、催化链转移剂CoBF的制备
本实例中催化链转移剂CoBF的制备过程与实施例2中的制备过程相同。
2、催化链转移聚合制备PMAA-b-PBA嵌段共聚物
本实例中PMAA-b-PBA嵌段共聚物的制备过程与实施例4中的制备过程相同。
3、CdTe/ZnS量子点溶液的制备
称取0.3127gPMAA大分子单体溶于20gCdTe量子点溶液置于100mL四口烧瓶中,再向其中滴入溶有0.1142g氯化锌的5g水溶液中,搅拌2h待配体与锌离子充分配位后用2mol/L的NaOH溶液调节pH值至8左右,常温下通N2除氧30min后,置于微波反应器加热至95℃注入溶有0.078g硫化钠的20g水溶液,120min后停止反应。再用大量乙醇沉淀所制的CdTe/ZnS量子点溶液,并在6000rpm的转速下离心15min后再分散。
4、发光器件的制造
取上述制备的量子点溶液与硅胶以20∶80的比例混合后涂覆在已固好晶焊好线的紫光芯片上(发射波长为370nm),并置于150℃真空烘箱中加热60min使硅胶固化。之后在芯片上盖上透镜,并在透镜内填充满高折射率填充胶,再次置于150℃烘箱中加热60min使填充胶固化后,即制得发光器件。

Claims (4)

1.一种大分子单体修饰的荧光量子点,其特征在于:大分子单体修饰的荧光量子点的粒径为2~20nm,水溶性,量子产率为20~95%,光致发光谱的半峰宽为20~80nm,所述的荧光量子点为ZnxCd1-xS、ZnxCd1-xTe、ZnxCd1-xSe中的一种,其中0≤x≤1;或者所述的荧光量子点为CdTe/CdS、CdTe/ZnS、CdS/ZnS、CdTe/CdSe、CdTe/CdS/ZnS、CdS/CdTe/CdS、CdTe/CdS/ZnS、CdTe/CdSe/CdTe或CdTe/CdSe/ZnS量子点;所述的大分子单体作为配体为聚甲基丙烯酸、聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸羟乙酯、聚甲基丙烯酸羟丙酯或聚甲基丙烯酸-b-聚丙烯酸丁酯嵌段共聚物中的一种,大分子单体与金属离子的摩尔比为0.5:1~5:1;其所述的大分子单体修饰的荧光量子点的制备方法包括以下步骤:
a、以三氟化硼乙醚溶液为催化剂,以醋酸钴和丁二酮圬为原料,在乙醚溶液中常温搅拌而制备得CoBF棕色沉淀,再将沉淀经过滤、冰水洗涤、常温干燥、甲醇中重结晶后获得棕色粉末状CoBF催化链转移剂;
b、以CoBF为催化剂,于高纯氮气氛中,通过催化链转移聚合反应获得大分子产物,除去未反应单体和溶剂,获得末端含有双键的大分子单体粉末;
c、将金属盐溶于去离子水后,用步骤b所制得的大分子单体与溶液中金属离子配位,用氢氧化钠水溶液调节其pH后置于微波反应器中在氮气氛围下加热,获得量子点前躯体溶液;
d、将碲氢化钠、硒氢化钠或硫化钠注入热的前躯体溶液中,继续微波辅助加热1~120min,不同时间取样获得具备不同发射荧光的量子点溶液;
e、将量子点溶液用乙醇沉淀,离心,再分散于纯净水中;
f、以步骤e所制得的量子点溶液为母液,重复步骤c、d、e,获得核壳量子点溶液。
2.根据权利要求1所述的大分子单体修饰的荧光量子点,其特征在于所述的荧光量子点为CdTe、CdS、CdTe/CdS或CdTe/ZnS量子点;所述的大分子单体为聚甲基丙烯酸或聚甲基丙烯酸-b-聚丙烯酸丁酯嵌段共聚物;所述的大分子单体是水溶性的,分子量为1500~3000。
3.一种大分子单体修饰的荧光量子点的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
a、以三氟化硼乙醚溶液为催化剂,以醋酸钴和丁二酮圬为原料,在乙醚溶液中常温搅拌而制备得CoBF棕色沉淀,再将沉淀经过滤、冰水洗涤、常温干燥、甲醇中重结晶后获得棕色粉末状CoBF催化链转移剂;
b、以CoBF为催化剂,于高纯氮气氛中,通过催化链转移聚合反应获得大分子产物,除去未反应单体和溶剂,获得末端含有双键的大分子单体粉末;
c、将金属盐溶于去离子水后,用步骤b所制得的大分子单体与溶液中金属离子配位,用氢氧化钠水溶液调节其pH后置于微波反应器中在氮气氛围下加热,获得量子点前躯体溶液;
d、将碲氢化钠、硒氢化钠或硫化钠注入热的前躯体溶液中,继续微波辅助加热1~120min,不同时间取样获得具备不同发射荧光的量子点溶液;
e、将量子点溶液用乙醇沉淀,离心,再分散于纯净水中;
f、以步骤e所制得的量子点溶液为母液,重复步骤c、d、e,获得核壳量子点溶液;
其中步骤a中所述的搅拌速度为100~300rpm,所述的重结晶次数为两次以上;步骤b中所述的聚合反应的单体是甲基丙烯酸、丙烯酸、甲基丙烯酸羟乙酯、甲基丙烯酸羟丙酯或丙烯酸丁酯;步骤b中所述的催化链转移反应温度为40~80℃,反应时间为30~90min,反应的溶剂为丙酮或者异丙醇;步骤c中所述的金属盐为氯化镉、氯化锌或者氯化锌和氯化镉的混合物,金属盐摩尔浓度为5~20mmol/L,大分子单体与金属离子的摩尔比为0.5:1~5:1;步骤c中所述的微波反应器功率为900W,加热温度为30~100℃;步骤c中所述的氢氧化钠水溶液的浓度为2mol/L,溶液pH值调至8~12;步骤d中所述的碲氢化钠、硒氢化钠是通过将碲粉或硒粉在冰浴中用硼氢化钠还原得到,其中还原反应时间为4~7h,金属离子与碲粉或硒粉的摩尔比为0.5:1~2:1;步骤d中所述的不同时间取样获得具备不同发射荧光的量子点时绿色荧光量子点取样时间为1~15min,黄色荧光量子点取样时间为30~60min,红色荧光量子点取样时间为60~120min。
4.根据权利要求3所述的大分子单体修饰的荧光量子点的制备方法,其特征在于步骤e中所述的离心速度为3000~15000rpm,离心时间为10~30min。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2905883C (en) * 2013-03-14 2021-09-14 William P. Freeman Alkyl-acid ligands for nanocrystals
CN103293745B (zh) * 2013-05-17 2016-04-20 北京京东方光电科技有限公司 液晶显示屏、显示装置及单色量子点层的制备方法
CN108192499B (zh) * 2017-12-12 2020-06-16 东莞市派乐玛新材料技术开发有限公司 一种含大分子稳定剂的量子点密封胶及其制备方法
CN109932285B (zh) * 2017-12-15 2021-11-23 Tcl科技集团股份有限公司 量子点表面配体含量的测定方法与量子点墨水配制方法
CN109935675A (zh) * 2017-12-18 2019-06-25 Tcl集团股份有限公司 一种量子点照明模组
CN110511334A (zh) * 2018-05-21 2019-11-29 Tcl集团股份有限公司 一种嵌段共聚物、一种复合颗粒
CN110922963A (zh) * 2019-12-12 2020-03-27 泉州装备制造研究所 一种应用于可见光通信的量子点荧光粉及其制备方法
CN111393985B (zh) * 2020-04-03 2021-12-14 佛山市新量子环保材料有限公司 一种改性聚氨酯水性涂料及其制备方法
CN112226232B (zh) * 2020-10-16 2023-01-06 广东广腾达科技有限公司 一种改性量子点、量子点母粒、量子点扩散板及制备方法
CN114479863B (zh) * 2022-01-06 2024-01-30 中国农业科学院烟草研究所(中国烟草总公司青州烟草研究所) 多菌灵分子印迹比率型荧光传感器及其制备方法、应用

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1912047A (zh) * 2006-08-10 2007-02-14 复旦大学 一种微波辅助水溶性聚合物包裹CdTe纳米晶的方法
CN101368943A (zh) * 2007-08-15 2009-02-18 苏州市长三角系统生物交叉科学研究院有限公司 一种量子点生物探针及其制备方法和基于其的微流控蛋白质芯片
EP2309557A1 (en) * 1998-04-01 2011-04-13 Massachusetts Institute of Technology Quantum dot white and colored light emitting diodes

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2309557A1 (en) * 1998-04-01 2011-04-13 Massachusetts Institute of Technology Quantum dot white and colored light emitting diodes
CN1912047A (zh) * 2006-08-10 2007-02-14 复旦大学 一种微波辅助水溶性聚合物包裹CdTe纳米晶的方法
CN101368943A (zh) * 2007-08-15 2009-02-18 苏州市长三角系统生物交叉科学研究院有限公司 一种量子点生物探针及其制备方法和基于其的微流控蛋白质芯片

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Controllable Synthesis of New Polymerizable Macrosurfactants via CCTP and RAFT Techniques and Investigation of Their Performance in Emulsion Polymerization;Li Chen等;《langmuir》;20091124;第26卷(第3期);1724-1733 *
Controllable synthesis of quantum dot–polymer networks with enhanced luminescence via the catalytic chain transfer polymerization (CCTP) technique;ShengYang等;《Journal of Materials Chemistry》;20081023;第18卷;5599-5603 *

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