CN111662703B - 一种CuInS2/ZnS/ZnS/ZnS多层核壳结构绿色荧光量子点及其制备方法 - Google Patents

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本发明公开了提出一种CuInS2/ZnS/ZnS/ZnS核壳结构绿色荧光量子点及其制备方法。本发明将铜源、铟源、烷基硫醇和非极性溶剂混合均匀得到阳离子前驱体溶液,采用烷基胺‑硫粉前驱体用作硫源,采用注入法在低温下制备CuInS2量子点;然后在CuInS2量子点溶液中加入Zn前驱体溶液,制备CuInS2/ZnS核壳结构量子点;经过三次包覆,得到CuInS2/ZnS/ZnS/ZnS核壳结构绿色荧光量子点。本发明采用一种烷基胺‑硫粉前驱体用作硫源,在低温条件下制备CuInS2/ZnS/ZnS/ZnS核壳结构绿色荧光量子点,量子点荧光量子产率达到85%。

Description

一种CuInS2/ZnS/ZnS/ZnS多层核壳结构绿色荧光量子点及其 制备方法
技术领域:
本发明涉及半导体纳米材料的制备技术领域,具体涉及一种CuInS2/ZnS/ZnS/ZnS多层核壳结构绿色荧光量子点及其制备方法。
背景技术:
量子点是颗粒尺寸小于其玻尔半径(约10nm)的半导体纳米晶,由于具有分立的能量状态,其导带电子、价带空穴的运动被限制在三维势阱中,显示出许多奇异的物理特性。早期对半导体量子点的研究是从Ⅱ-Ⅵ族和Ⅲ-Ⅴ族元素开始,其中对Ⅱ-Ⅵ族量子点的研究比较深入,包括CdSe,CdTe量子点荧光量子产率已经超过80%,一些甚至已经达到95%以上。这些量子点具有荧光产率高(达到90%以上)、半峰宽窄(<30nm)等诸多优点,已经被证明具有非常好的性能,逐渐进入了实用阶段。然而含有毒性大的重金属元素是这类量子点的缺点,其应用将受到极大的限制。
CuInS2量子点具有不含重金属元素、无毒的特点,是荧光量子点领域的研究热点。目前制备CuInS2量子点大多使用硫醇作为硫源,而硫醇-金属配位中间体需在170℃以上才能分解产生具有反应活性的硫源,因此在合成CuInS2量子点时需要高温(一般在220-250℃),一般所制备的CuInS2量子点粒径偏大。此外,通过表面包覆ZnS,进一步降低表面缺陷,提高荧光量子产率。然而目前的CuInS2/ZnS核壳结构量子点大多可发射黄光或者黄绿光,很难得到荧光量子产率高且发射峰位在520-530nm左右的绿光,这主要与所制备的CuInS2量子点粒径偏大有关。
发明内容:
本发明的目的是提供一种CuInS2/ZnS/ZnS/ZnS多层核壳结构绿色荧光量子点及其制备方法,本发明采用烷基胺-硫粉前驱体用作硫源,在低温条件下制备CuInS2量子点,所制备的量子点尺寸较小,三层包覆ZnS后,表面缺陷大大降低,可以得到CuInS2/ZnS/ZnS/ZnS核壳结构绿色荧光量子点,量子点荧光量子产率达到85%。
本发明是通过以下技术方案予以实现的:
本发明的目的是提出一种CuInS2/ZnS/ZnS/ZnS核壳结构绿色荧光量子点的制备方法,包括如下步骤:
(1)将硫粉和烷基胺混合均匀得到硫粉-烷基胺前驱体溶液,其中,硫粉与烷基胺的摩尔比为1:5~50;将铜源、铟源、烷基硫醇和非极性溶剂混合均匀得到阳离子前驱体溶液,其中,铜源、铟源的量以Cu:In的摩尔比为1:1~8来确定,阳离子前驱体溶液中铜源浓度为0.008~0.08mol/L,烷基硫醇和铜源的摩尔比为80~320:1;将阳离子前驱体溶液在80~120℃下混合搅拌,继续升温至110~170℃,并在此温度条件下将硫粉-烷基胺前驱体溶液注入阳离子前驱体溶液中,保证S/Cu的摩尔比为8~32:1,搅拌反应1~60min,得到CuInS2量子点溶液;
(2)在步骤(1)得到的CuInS2量子点溶液中加入Zn前驱体溶液,Zn:Cu摩尔比为13~55:1,升温至240℃保温反应1~4h,冷却终止反应;总共重复3次,得到CuInS2/ZnS/ZnS/ZnS核壳结构量子点溶液;
(3)在步骤(2)得到CuInS2/ZnS/ZnS/ZnS核壳结构量子点溶液中加入溶剂,离心分离纯化,得到所述CuInS2/ZnS/ZnS/ZnS核壳结构绿色荧光量子点。
优选地,上述制备方法,具体包括如下步骤:
(1)将硫粉和烷基胺混合均匀得到硫粉-烷基胺前驱体溶液,其中,硫粉与烷基胺的摩尔比为1:5~50;将铜源、铟源、烷基硫醇和非极性溶剂混合均匀得到阳离子前驱体溶液,其中,铜源、铟源的量以Cu:In的摩尔比为1:1~8来确定,阳离子前驱体溶液中铜源浓度为0.008~0.08mol/L,烷基硫醇和铜源的摩尔比为80~320:1;将阳离子前驱体溶液在100℃下混合搅拌10min,然后继续升温至110~170℃,并在此温度条件下将硫粉-烷基胺前驱体溶液注入阳离子前驱体溶液中,保证S/Cu的摩尔比为8~32:1,搅拌反应1~60min,得到CuInS2量子点溶液;
(2)在步骤(1)得到的CuInS2量子点溶液中加入Zn前驱体溶液,Zn:Cu摩尔比为13~55:1,升温至240℃保温反应1~4h,冷却终止反应,得到CuInS2/ZnS核壳结构量子点溶液;在得到的CuInS2/ZnS核壳结构量子点溶液中加入Zn前驱体溶液,Zn:Cu摩尔比为13~55:1,升温至240℃保温反应1~4h,冷却终止反应,得到CuInS2/ZnS/ZnS核壳结构量子点溶液;在得到的CuInS2/ZnS/ZnS核壳结构量子点溶液中加入Zn前驱体溶液,Zn:Cu摩尔比为13~55:1,升温至240℃保温反应1~4h,冷却终止反应,得到CuInS2/ZnS/ZnS/ZnS核壳结构量子点溶液;
(3)在步骤(2)得到CuInS2/ZnS/ZnS/ZnS核壳结构量子点溶液中加入乙醇或丙酮,离心分离纯化,得到所述的CuInS2/ZnS/ZnS/ZnS核壳结构绿色荧光量子点。
优选地,步骤(1)所述的将阳离子前驱体溶液在100℃下混合搅拌10min,然后继续升温至130℃,并在此温度条件下将硫粉-烷基胺前驱体溶液注入阳离子前驱体溶液中。铜源、铟源的量以Cu:In的摩尔比为1:4~8来确定。
优选地,步骤(1)所述的非极性溶剂为十六烯或十八烯。
优选地,步骤(1)所述的铜源选自氯化亚铜、碘化亚铜和醋酸亚铜中的一种。
优选地,步骤(1)所述的铟源选自醋酸铟、硝酸铟和氯化铟中的一种。
优选地,步骤(1)所述的烷基硫醇选自辛硫醇、十二硫醇和十六硫醇中的一种。
优选地,步骤(1)所述的烷基胺选自油胺、十二胺和十六胺中的一种。
优选地,步骤(2)所述的Zn前驱体选自硬脂酸锌、醋酸锌和氧化锌中的一种。
本发明还保护通过上述制备方法制备得到的CuInS2/ZnS/ZnS/ZnS多层核壳结构绿色荧光量子点,所述的多层核壳结构绿色荧光量子点的荧光光谱范围为530~545nm。
优选地,所述的多层核壳结构绿色荧光量子点的荧光光谱范围为530~535nm。
本发明的有益效果在于:
(1)采用烷基胺-硫粉前驱体作为硫源代替烷基硫醇作为硫源,从而可以在低温下(100-160℃)制备获得粒径较小CuInS2量子点,经过多次包覆,得到绿色荧光量子点;
(2)采用CuInS2/ZnS/ZnS/ZnS多层核壳结构,减少了表面缺陷,提高了量子点的荧光量子产率,量子点荧光量子产率高达85%。
附图说明:
图1为本发明制备得到的CuInS2/ZnS/ZnS/ZnS核壳结构示意图。
具体实施方式:
以下是对本发明的进一步说明,而不是对本发明的限制。实施例1~34制备得到的CuInS2/ZnS/ZnS/ZnS核壳结构示意图如图1所示。
实施例1:
一种CuInS2/ZnS/ZnS/ZnS核壳结构绿色荧光量子点,由如下步骤制备得到:
(1)将0.8mmol的硫粉溶解于6.0mmol油胺中得到硫-油胺前驱体溶液;将0.075mmol的碘化亚铜、0.3mmol的醋酸铟溶解到16mmol的十二硫醇和5mL十八烯(溶剂)组成的混合溶液中,使碘化亚铜浓度为0.008mol/L,边搅拌边抽真空,通氮气,重复三次,最后在氮气的保护下先升温到100℃,待溶液变澄清后,继续升温到130℃,在此温度注入硫-油胺前驱体溶液,在此温度下保温反应5min,冷却终止反应,得到CuInS2量子点溶液。量子点尺寸大小为1.8nm。
(2)在步骤(1)制备所得的CuInS2量子点溶液中加入2mmol硬脂酸锌,升温至240℃反应2h,终止反应,得到CuInS2/ZnS核壳结构量子点溶液,荧光量子产率为40%;在CuInS2/ZnS核壳结构量子点溶液中再次加入2mmol硬脂酸锌,升温至240℃反应2h,得到CuInS2/ZnS/ZnS核壳结构量子点溶液,荧光量子产率为76%;最后在CuInS2/ZnS/ZnS的核壳结构量子点溶液中加入2mmol硬脂酸锌,升温至240℃反应4h,终止反应,得到CuInS2/ZnS/ZnS/ZnS核壳结构量子点溶液,荧光量子产率为85%;
(3)在步骤(2)得到CuInS2/ZnS/ZnS/ZnS核壳结构量子点溶液中加入乙醇,离心分离纯化,得到CuInS2/ZnS/ZnS/ZnS核壳结构绿色荧光量子点。
实施例2:
与实施例1相同,不同之处在于:
步骤(1)中,将0.4mmol的硫粉溶于3mmol十二胺中作为前驱体溶液,步骤(1)中:将0.0375mmol的碘化亚铜、0.15mmol的醋酸铟溶解到7.425mmol的十二硫醇(硫源和配位稳定剂)、5mL十八烯(溶剂)组成的混合溶液中,使碘化亚铜浓度为0.004mol/L,反应后得到CuInS2量子点溶液。
实施例3:
与实施例1相同,不同之处在于:
步骤(1)中,将8mmol的硫粉溶于6.0mmol十六胺中作为前驱体溶液,步骤(1)中:将0.75mmol的碘化亚铜、3mmol的醋酸铟溶解到160mmol的十二硫醇(硫源和配位稳定剂)、5ml十八烯(溶剂)组成的混合溶液中,使碘化亚铜浓度为0.08mol/L,反应后得到CuInS2量子点溶液。
实施例4~34:
实施例4~34的反应步骤与实施例1相同,反应条件和反应结果如表1所示,表1为实施例1~34反应条件和制备得到的CuInS2/ZnS/ZnS/ZnS多层核壳型量子点的荧光发射峰峰位以及对应的荧光量子产率。
表1中荧光量子产率的计算方法如下:
采用稀溶液荧光参比计算法对所制CuInS2/In2S3/ZnS核壳结构量子点的荧光量子产率进行测量,该方法采用荧光分光光度计和紫外-可见分光光度计,具体的步骤如下:(1)测量出待测样品和标准样品的在特定波长下的吸光度;(2)在特定波长下,在同样的激发条件下,分别测得待测样品和标准样品的荧光发射谱;(3)通过下式计算待测物质的量子产率:
上式中ΦU和Φs分别表示待测样品和标准样品的量子产率,IU和IS分别表示待测样品和标准样品的发射谱的积分面积,AU和AS分别表示待测样品和标准样品在对应激发光下的吸光度,二者的值都少于0.05,nu和ns分别表示待测样品和标准样品所用溶剂的折射率,待测样品的溶剂为正己烷(nu=1.388),标准样品的溶剂为乙醇(ns=1.3614),标准样品为罗丹明6G(Rh-6G)。
表1
对比例1:
采用DDT作为硫源的CuInS2/ZnS QDs的典型合成方法,以Cu/In摩尔比为1:4为例,将0.075mmol CuI(0.095g),0.3mmol In(OAc)3与5.0mL的十八烯在室温条件下装入50mL反应器中。随后,在抽真空的同时,将反应温度升温至100℃,并在此温度下继续抽真空10min以去除残留空气和水分,随后吹填N2后再抽约3min,反复操作三次。最后回填N2后,将该混合物的温度升至220℃,并在该温度下,将16mmol的十二硫醇快速注入上述混合物中。在此温度下保温反应5min,冷却终止反应,得到CuInS2量子点溶液(量子点平均粒径为2nm)。在所制备的CuInS2量子点溶液中加入2mmol硬脂酸锌,升温至240℃反应2h,终止反应,得到CuInS2/ZnS核壳结构量子点溶液,荧光量子产率达到56%;在所制备的CuInS2/ZnS核壳结构量子点溶液中再次加入2mmol硬脂酸锌,升温至240℃反应2h,得到CuInS2/ZnS/ZnS核壳结构量子点溶液,荧光量子产率达到65%,最后在所制备的CuInS2/ZnS/ZnS的核壳结构量子点溶液中加入2mmol硬脂酸锌,升温至240℃反应4h,终止反应,得到CuInS2/ZnS/ZnS/ZnS核壳结构量子点溶液;量子点荧光发射峰在570nm,荧光量子产率67%。
本发明提出一种合成CuInS2量子,通过构造CuInS2/ZnS/ZnS/ZnS多层核壳结构荧光量子点,以CuInS2为核,ZnS为包覆三层壳层。采用CuInS2/ZnS/ZnS/ZnS多层核壳结构,减少了表面缺陷,提高了量子点的荧光量子产率,量子点荧光量子产率高达85%。
以上仅是本发明的优选实施方式,应当指出的是,上述优选实施方式不应视为对本发明的限制,本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明的精神和范围内,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (1)

1.一种CuInS2/ZnS/ZnS/ZnS核壳结构绿色荧光量子点,其特征在于,多层核壳结构绿色荧光量子点的荧光光谱范围为530~535 nm;所述的CuInS2/ZnS/ZnS/ZnS核壳结构绿色荧光量子点的制备方法,具体包括如下步骤:
(1)将硫粉和烷基胺混合均匀得到硫粉-烷基胺前驱体溶液,其中,硫粉与烷基胺的摩尔比为1:7.5~50;将铜源、铟源、烷基硫醇和非极性溶剂混合均匀得到阳离子前驱体溶液,其中,铜源、铟源的量以Cu:In的摩尔比为1:4~8来确定,阳离子前驱体溶液中铜源浓度为0.008~0.08 mol/L,烷基硫醇和铜源的摩尔比为80~320:1;将阳离子前驱体溶液在100℃下混合搅拌10 min,然后继续升温至130℃,并在此温度条件下将硫粉-烷基胺前驱体溶液注入阳离子前驱体溶液中,保证S/Cu的摩尔比为80:7.5,搅拌反应1~60 min,得到 CuInS2量子点溶液,所述的非极性溶剂为十六烯或十八烯,所述的铜源选自氯化亚铜、碘化亚铜和醋酸亚铜中的一种,所述的铟源选自醋酸铟、硝酸铟和氯化铟中的一种,所述的烷基硫醇选自辛硫醇、十二硫醇和十六硫醇中的一种,所述的烷基胺选自油胺、十二胺和十六胺中的一种;
(2)在步骤(1)得到的CuInS2量子点溶液中加入Zn前驱体溶液,Zn:Cu摩尔比为13~55:1,升温至240℃保温反应1~4 h,冷却终止反应,得到CuInS2/ZnS核壳结构量子点溶液;在得到的CuInS2/ZnS核壳结构量子点溶液中加入Zn前驱体溶液,Zn:Cu摩尔比为13~55:1,升温至240℃保温反应1~4 h,冷却终止反应,得到CuInS2/ZnS/ZnS核壳结构量子点溶液;在得到的CuInS2/ZnS/ZnS核壳结构量子点溶液中加入Zn前驱体溶液,Zn:Cu摩尔比为13~55:1,升温至240℃保温反应1~4 h,冷却终止反应,得到CuInS2/ZnS /ZnS/ZnS核壳结构量子点溶液,所述的Zn前驱体选自硬脂酸锌、醋酸锌和氧化锌中的一种;
(3)在步骤(2)得到CuInS2/ZnS /ZnS/ZnS核壳结构量子点溶液中加入乙醇或丙酮,离心分离纯化,得到所述的CuInS2/ZnS/ZnS/ZnS核壳结构绿色荧光量子点。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230359029A1 (en) * 2022-05-06 2023-11-09 Meta Platforms, Inc. Tunable Florescent Quantum Dot System for Eye Tracking with Virtual Reality and Augmented Reality Applications

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102041555A (zh) * 2011-01-14 2011-05-04 南开大学 一种CuInS2纳米晶材料的制备方法
CN103265949A (zh) * 2013-04-28 2013-08-28 温州大学 一种单核AgInS2量子点的制备方法
CN103582690A (zh) * 2011-06-07 2014-02-12 拜耳技术工程(上海)有限公司 一种制备核壳纳米粒子及其溶液的方法
CN103980890A (zh) * 2014-03-14 2014-08-13 辽宁大学 一种ⅰ-ⅲ-ⅵ族三元半导体纳米晶发光薄膜制备方法
CN108998002A (zh) * 2018-07-12 2018-12-14 苏州星烁纳米科技有限公司 量子点的制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102041555A (zh) * 2011-01-14 2011-05-04 南开大学 一种CuInS2纳米晶材料的制备方法
CN103582690A (zh) * 2011-06-07 2014-02-12 拜耳技术工程(上海)有限公司 一种制备核壳纳米粒子及其溶液的方法
CN103265949A (zh) * 2013-04-28 2013-08-28 温州大学 一种单核AgInS2量子点的制备方法
CN103980890A (zh) * 2014-03-14 2014-08-13 辽宁大学 一种ⅰ-ⅲ-ⅵ族三元半导体纳米晶发光薄膜制备方法
CN108998002A (zh) * 2018-07-12 2018-12-14 苏州星烁纳米科技有限公司 量子点的制备方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Formation of High-Quality I-III-VI Semiconductor Nanocrystals by Tuning Relative Reactivity of Cationic Precursors;Renguo Xie et al.;《J. AM. CHEM. SOC.》;20090330;第131卷;第5691-5697页 *
High-Efficiency Cu-In-S Quantum-Dot-Light-Emitting Device Exceeding 7%;Jong-Hoon Kim et al.;《Chem. Mater.》;20160810;第28卷;第6329-6335页 *
Preparation of a photo-degradation- resistant quantum dot-polymer composite plate for use in the fabrication of a high-stability white-light-emitting diode;Eun-Pyo Jang et al.;《Nanotechnology》;20130108;第24卷;第045607(1-9)页 *

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