CN102484497A - 稳频电路、天线装置、及通信终端设备 - Google Patents

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Abstract

稳频电路(25)包括四个线圈状导体(L1～L4)，第一线圈状导体(L1)与第二线圈状导体(L2)串联连接而构成第一串联电路，第三线圈状导体(L3)和第四线圈状导体(L4)串联连接而构成第二串联电路，第一串联电路连接在天线端口与供电端口之间，第二串联电路连接在天线端口与接地之间。卷绕第一线圈状导体(L1)和第二线圈状导体(L2)来构成第一闭合磁路(磁通FP12所示的环路)，卷绕第三线圈状导体(L3)和第四线圈状导体(L4)来构成第二闭合磁路(磁通FP34所示的环路)。

Description

稳频电路、天线装置、及通信终端设备
技术领域
本发明涉及稳频电路，天线装置、通信终端设备，特别涉及装载于便携式电话等通信终端设备的天线装置、组装于该天线装置的稳频电路、及具有该天线装置的通信终端设备。
背景技术
近年来，作为装载于移动通信终端的天线装置，像专利文献1、2、3所记载的那样，提出了利用配置在终端壳体内部的金属体(印刷布线基板的接地板等)作为发射元件的壳体偶极天线。在这种壳体偶极天线中，通过对折叠式或滑动式的便携式通信终端中的两块壳体接地板(主体部壳体的接地板和盖体部壳体的接地板)进行差动供电，能得到与偶极天线相同的性能。此外，由于利用设置于壳体的接地板作为发射元件，因此，无需另外设置专用的发射元件，能实现便携式通信终端的小型化。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本国专利特开2004-172919号公报
专利文献2：日本国专利特开2005-6096号公报
专利文献3：日本国专利特开2008-118359号公报
发明内容
然而，在上述壳体偶极天线中，接地板的阻抗会根据用作为发射元件的接地板的形状、壳体的形状、甚至接近的金属体(接近配置的电子元器件、铰链零部件等)的配置状况等而变化。因此，为了要尽可能地减少高频信号的能量损耗，需要对每一机型设计阻抗匹配电路。此外，在折叠式或滑动式的便携式通信终端中，接地板、阻抗匹配电路的阻抗会根据主体部壳体和盖体部壳体的位置关系(例如，在折叠式中，关闭盖体部的状态和打开盖体部的状态)而变化。因此，为了控制阻抗，有时也需要控制电路等。
本发明的目的在于提供能不受发射体或壳体的形状、接近元器件的配置状况等的影响而使高频信号的频率稳定的稳频电路、天线装置、及通信终端设备。
用于解决技术问题的技术手段
(1)实施方式1的稳频电路的特征在于，
至少包括第一线圈状导体、第二线圈状导体、第三线圈状导体、及第四线圈状导体，
将第一线圈状导体和第二线圈状导体串联连接以构成第一串联电路，
将第三线圈状导体和第四线圈状导体串联连接以构成第二串联电路，
卷绕第一线圈状导体及第二线圈状导体，使得由第一线圈状导体和第二线圈状导体构成第一闭合磁路，
卷绕第三线圈状导体及第四线圈状导体，使得由第三线圈状导体和第四线圈状导体构成第二闭合磁路。
(2)实施方式2的稳频电路的特征在于，
卷绕所述第一线圈状导体、所述第二线圈状导体、所述第三线圈状导体、及所述第四线圈状导体，使得通过所述第一闭合磁路的磁通和通过所述第二闭合磁路的磁通成为彼此相反的方向。
(3)实施方式3的稳频电路的特征在于，
所述第一线圈状导体及所述第三线圈状导体相互磁耦合，
所述第二线圈状导体及所述第四线圈状导体相互磁耦合。
(4)实施方式4的稳频电路的特征在于，
在与天线相连接的天线端口与接地之间连接有电容器。
(5)实施方式5的稳频电路的特征在于，
所述第一线圈状导体、所述第二线圈状导体、所述第三线圈状导体、及所述第四线圈状导体是由共用的多层基板内的导体图案形成的。
(6)实施方式6的稳频电路的特征在于，
所述第一线圈状导体、所述第二线圈状导体、所述第三线圈状导体、及所述第四线圈状导体的各自的卷绕轴朝向所述多层基板的层叠方向，
所述第一线圈状导体和第二线圈状导体的各自的卷绕轴以不同的关系进行并排设置，
所述第三线圈状导体和第四线圈状导体的各自的卷绕轴以不同的关系进行并排设置，
所述第一线圈状导体与第三线圈状导体的各自的卷绕范围在俯视下至少有部分重叠，所述第二线圈状导体与第四线圈状导体的各自的卷绕范围在俯视下至少有部分重叠。
(7)实施方式7的稳频电路的特征在于，
至少包括第一线圈状导体、第二线圈状导体、第三线圈状导体、第四线圈状导体，第五线圈状导体、及第六线圈状导体，
将第一线圈状导体和第二线圈状导体串联连接以构成第一串联电路，
将第三线圈状导体和第四线圈状导体串联连接以构成第二串联电路，
将第五线圈状导体和第六线圈状导体串联连接以构成第三串联电路，
卷绕第一线圈状导体及第二线圈状导体，使得由第一线圈状导体和第二线圈状导体构成第一闭合磁路，
卷绕第三线圈状导体及第四线圈状导体，使得由第三线圈状导体和第四线圈状导体构成第二闭合磁路，
卷绕第五线圈状导体及第六线圈状导体，使得由第五线圈状导体和第六线圈状导体构成第三闭合磁路，
由第一闭合磁路和第三闭合磁路沿层方向夹住第二闭合磁路。
(8)实施方式8的稳频电路的特征在于，
卷绕所述第一线圈状导体、所述第二线圈状导体、所述第三线圈状导体、及所述第四线圈状导体，使得通过所述第一闭合磁路的磁通和通过所述第二闭合磁路的磁通成为彼此相反的方向，
卷绕所述第三线圈状导体、所述第四线圈状导体、所述第五线圈状导体、及所述第六线圈状导体，使得通过所述第二闭合磁路的磁通和通过所述第三闭合磁路的磁通成为彼此相反的方向。
(9)实施方式9的稳频电路的特征在于，
卷绕所述第一线圈状导体、所述第二线圈状导体、所述第三线圈状导体、及所述第四线圈状导体，使得通过所述第一闭合磁路的磁通和通过所述第二闭合磁路的磁通成为彼此相反的方向，
卷绕所述第三线圈状导体、所述第四线圈状导体、所述第五线圈状导体、及所述第六线圈状导体，使得通过所述第二闭合磁路的磁通和通过所述第三闭合磁路的磁通成为彼此相同的方向。
(10)实施方式10的天线装置，
包括稳频电路和天线，所述稳频电路包括与供电电路相连接的供电端口、及与天线相连接的天线端口，所述天线与所述天线端口相连接，其特征在于，包括(1)的稳频电路。
(11)实施方式11的天线装置，
包括稳频电路和天线，所述稳频电路包括与供电电路相连接的供电端口、及与天线相连接的天线端口，所述天线与所述天线端口相连接，其特征在于，包括(7)的稳频电路。
(12)实施方式12的通信终端设备，
包括稳频电路、天线、及供电电路，所述稳频电路包括与供电电路相连接的供电端口、及与天线相连接的天线端口，所述天线与所述天线端口相连接，所述供电电路与所述供电端口相连接，其特征在于，包括(1)的稳频电路。
(13)实施方式13的通信终端设备，
包括稳频电路、天线、及供电电路，所述稳频电路包括与供电电路相连接的供电端口、及与天线相连接的天线端口，所述天线与所述天线端口相连接，所述供电电路与所述供电端口相连接，其特征在于，包括(7)的稳频电路。
根据本发明，能不受发射体或壳体的形状、接近元器件的配置状况等的影响，稳定高频信号的频率。
附图说明
图1(A)是本发明的稳频电路、具备该稳频电路的天线装置及移动通信终端的简要结构图。图1(B)是作为比较例的天线装置及移动通信终端的简要结构图。
图2是作为本发明的稳频电路的比较例的稳频电路35的电路图。
图3(A)是作为图2所示的比较例的稳频电路35的等效电路图，图3(B)是其变形电路图。
图4是本发明的稳频电路的基本形式的电路图。
图5(A)是图4所示的稳频电路的基本形式的等效电路图，图5(B)是其变形电路图。
图6(A)是本发明的稳频电路的基本形式的反射特性S11和通过特性S21，图6(B)是比较例的稳频电路的反射特性S11和通过特性S21。
图7是实施方式1的稳频电路25的电路图。
图8是表示在多层基板上构成实施方式1的稳频电路25的情况下、各层的导体图案的例子的图。
图9表示通过由形成于图8所示的多层基板的各层上的导体图案所形成的线圈状导体的、主要的磁通。
图10是表示实施方式1的稳频电路25的四个线圈状导体L1～L4的磁耦合的关系的图。
图11是将线圈状导体L1～L4的线圈状导体彼此的耦合系数设定为规定值时的、从供电电路来观察供电端口所得到的输入阻抗表示在史密斯图上的图。
图12是表示呈现负电感的稳频电路的发射体和供电电路的电感匹配的图。
图13是表示实施方式2的稳频电路的结构的图，是表示将该稳频电路构成于多层基板的情况下的、各层的导体图案的例子的图。
图14是表示通过由形成于图13所示的多层基板的各层上的导体图案所形成的线圈状导体的、主要的磁通的图。
图15是表示实施方式2的稳频电路的四个线圈状导体L1～L4的磁耦合的关系的图。
图16是实施方式3的稳频电路25A的电路图。
图17(A)是表示稳频电路的反射特性的图，图17(B)是表示将该稳频电路的天线端口与电容器相连接的状态下的反射特性的图。
图18(A)是发射体的阻抗轨迹。图18(B)是表示将稳频电路的天线端口与电容器相连接的状态下的反射特性的图。
图19(A)是在实施方式3的稳频电路与图18所示的特性的发射体相连接的状态下、从稳频电路的供电端口来进行观察时的阻抗轨迹。图19(B)是从稳频电路的供电端口来进行观察时的反射特性S11和通过特性S21的频率特性图。
图20是表示构成于多层基板上的、实施方式4的稳频电路的各层的导体图案的例子的图。
图21是表示实施方式4的稳频电路的四个线圈状导体L1～L4的磁耦合的关系的图。
图22是表示作为图2所示的比较例的稳频电路35的频率特性的图。
图23是表示实施方式3所示的稳频电路25A的频率特性的图。
图24是实施方式5的稳频电路的电路图。
图25是表示在多层基板上构成实施方式5的稳频电路的情况下、各层的导体图案的例子的图。
图26是表示实施方式5所示的稳频电路的频率特性的图。
图27(A)是表示作为图2所示的比较例的稳频电路35的反射特性的图。图27(B)是表示实施方式3所示的稳频电路25A的反射特性的图。图27(C)是表示实施方式5的稳频电路的反射特性的图。
图28是实施方式6的稳频电路的电路图。
图29是表示在多层基板上构成实施方式6的稳频电路的情况下、各层的导体图案的例子的图。
图30是实施方式7的稳频电路的电路图。
图31是表示在多层基板上构成实施方式7的稳频电路的情况下、各层的导体图案的例子的图。
附图标记
Ca 电容器
CM12、CM34、CM56 闭合磁路
CM36、CM16 闭合磁路
FP12、FP13、FP24、FP34 磁通
L1 第一线圈状导体
L2 第二线圈状导体
L3 第三线圈状导体
L4 第四线圈状导体
L5 第五线圈状导体
L6 第六线圈状导体
11 发射体
11D 发射体
25 稳频电路
26  第一串联电路
27  第二串联电路
28  第三串联电路
30  供电电路
41  供电端子
42  接地端子
43  天线端子
51a～51h 层
61～65  导体图案
66  导体图案
71～75  导体图案
81～83  导体图案
具体实施方式
在示出本发明的稳频电路的具体实施方式前，说明本发明的稳频电路的目的和作用效果。
图1(A)是本发明的稳频电路、具备该稳频电路的天线装置、及移动通信终端的简要结构图。图1(B)是作为比较例的天线装置及移动通信终端的简要结构图。
图1(B)表示由供电电路30供电的发射体11D的结构。现有的天线设计方法存在以下设计上的限制，即，必须预先决定产品外观设计，并设计发射体11，使其收纳于外观设计。设计天线的目标在于以下两点：
(1)提高发射效率。使尽可能多的电力发射到空间中。
(2)进行频率调整。获取用于向天线输入电力的匹配。，但若设计成收纳于组装目标的尺寸和形状受限的壳体的天线，则上述天线的发射效率和频率调整常常处于折衷(trade-off)关系。
图1(A)所示的本发明的稳频电路25包括供电端口和天线端口，供电端口与供电电路30相连接，天线端口与发射体11相连接。该稳频电路25与发射体11构成天线装置。且由包含该天线装置和供电电路30的电路构成移动通信终端。
通过使用本发明的稳频电路25，从而使发射体为能减小发射体间、发射体-接地间的电容耦合的形状，并使发射体仅专注于提高发射效率，而由稳频电路25来进行频率调整。因而，不再受到上述折衷关系的限制，天线的设计变得极为容易，并能大幅缩短开发期间。
图2是作为本发明的稳频电路的比较例的稳频电路35的电路图。稳频电路35包括与供电电路30相连接的一次侧串联电路36、以及与该一次侧串联电路进行电磁场耦合的二次侧串联电路37。一次侧串联电路36是第一线圈状导体L1和第二线圈状导体L2的串联电路，二次侧串联电路37是第三线圈状导体L3和第四线圈状导体L4的串联电路。
一次侧串联电路36的一端与供电电路30相连接，二次侧串联电路37的一端与发射体11相连接。一次侧串联电路36的另一端及二次侧串联电路37的另一端接地。
图3(A)是作为图2所示的比较例的稳频电路35的等效电路图，图3(B)是其变形电路图。此处，电感器Lp是一次侧串联电路的电感，电感器Ls是二次侧串联电路的电感，电感器M表示互感。若用k来表示Lp和Ls的耦合系数，则
Figure BPA00001514054000081
阻抗Zd是供电电路30的阻抗，阻抗Za是发射体11的阻抗
图4是本发明的稳频电路的基本形式的电路图。电感器La连接在供电电路30和发射体11之间，电感器Lb连接在发射体11与接地之间。
图5(A)是图4所示的稳频电路的基本形式的等效电路图，图5(B)是其变形电路图。
在图2所示的比较例的稳频电路中，一次侧串联电路36和二次侧串联电路37构成变压器部。若以图3所示的等效电路来表示，则该变压器部的阻抗变换比为Lp∶Ls。
另一方面，在图4所示的本发明的稳频电路的基本形式中，如图5(B)所示的等效电路那样，阻抗变换比为：
(La+M+Lb+M)∶(-M+Lb+M)＝
(La+Lb+2M)∶Lb。若用k来表示La和Lb的耦合系数，则互感
Figure BPA00001514054000082
若增大互感M，则与比较例的稳频电路相比，能获得较大的阻抗变换比。因此，与比较例的稳频电路相比，能够减小供电电路侧的电感器La的值。另外，由于图4所示的供电电路30和接地间的电感为La+Lb+2M，因此，即使La减小，仍然具有相对于接地而言、不易视为“短路”的优点。由此，能够减小电感器La的电感值，因而能够实现小型化、低损耗化。由此，该稳频电路能够作为阻抗变换电路起作用。
图6(A)是本发明的稳频电路的基本形式(参照图4)的反射特性S11和通过特性S21，图6(B)是比较例的稳频电路的反射特性S11和通过特性S21。对于所需的电感器，比较例中，Lp＝25nH，Ls＝8.7nH，与此相对，本发明的稳频电路的基本形式中，La＝5.6nH，Lb＝13nH。由此，能够以较小的电感来进行匹配，因此，能够减小结构。因此，能够减小导体图案所引起的损耗，并减小通过损耗。此处，若将电感器的Q值设为75，则通过损耗能够改善12.5％左右。
另外，由于无需增大所需的电感值，因此，不仅能降低成本，还能提高变压器部的自谐振频率。即，变压器部的自谐振频率取决于
Figure BPA00001514054000091
从而能够通过减小L来提高自谐振频率。在自谐振频率下，能量会封闭，变压器部不作为变压器起作用，因此，因自谐振频率升高而使得作为变压器起作用的频带扩大。
《实施方式1》
图7是实施方式1的稳频电路25的电路图。稳频电路25包括与供电电路30相连接的第一串联电路26、以及与该第一串联电路26进行电磁场耦合的第二串联电路27。第一串联电路26是第一线圈状导体L1和第二线圈状导体L2的串联电路，第二串联电路27是第三线圈状导体L3和第四线圈状导体L4的串联电路。在天线端口与供电端口之间，连接有第一串联电路26，在天线端口与接地之间，连接有第二串联电路27。
图8是表示在多层基板上构成实施方式1的稳频电路25的情况下、各层的导体图案的例子的图。各层由磁性体片材构成，各层的导体图案在图8所示的取向时形成于磁性体片材的背面，但用实线来表示各导体图案。另外，线状的导体图案具有规定的线宽，但这里用简单的实线来表示。
在图8所示的范围内，在第一层51a的背面形成有导体图案73，在第二层51b的背面形成有导体图案72、74，在第三层51c的背面形成有导体图案71、75。在第四层51d的背面形成有导体图案63，在第五层51e的背面形成有导体图案62、64，在第六层51f的背面形成有导体图案61、65。在第七层51g的背面形成有导体图案66，在第八层51h的背面形成有供电端子41、接地端子42、及天线端子43。沿图8中的纵向延伸的虚线是通孔电极，在层间对导体图案彼此进行连接。这些通孔电极实际上是具有规定的直径尺寸的圆柱形的电极，但这里用简单的虚线来表示。
在图8中，利用导体图案63的右半部分和导体图案61、62，来构成第一线圈状导体L1。另外，利用导体图案63的左半部分和导体图案64、65，来构成第二线圈状导体L2。另外，利用导体图案73的右半部分和导体图案71、72，来构成第三线圈状导体L3。另外，利用导体图案73的左半部分和导体图案74、75，来构成第四线圈状导体L4。各线圈状导体L1～L4的卷绕轴朝向多层基板的层叠方向。而且，第一线圈状导体L1和第二线圈状导体L2的卷绕轴以不同的关系进行并排设置。同样地，第三线圈状导体L3和第四线圈状导体L4各自的卷绕轴以不同的关系进行并排设置。而且，第一线圈状导体L1与第三线圈状导体L3的各自的卷绕范围在俯视下至少有部分重叠，第二线圈状导体L2与第四线圈状导体L4的各自的卷绕范围在俯视下至少有部分重叠。在该例子中，几乎完全重叠。这样，用8字形结构的导体图案来构成四个线圈状导体。此外，只要各线圈状导体至少包括一个环状导体即可，可以是在一个平面上卷绕多匝环状导体，或堆叠多层的一匝或多匝的环状导体。
此外，也可以用电介质片材来构成各层。但是，若使用相对介电常数较高的磁性体片材，则能进一步提高线圈状导体间的耦合系数。
图9表示通过由形成于图8所示的多层基板的各层上的导体图案所形成的线圈状导体的、主要的磁通。磁通FP12通过由导体图案61～63所形成的第一线圈状导体L1、以及由导体图案63～65所形成的第二线圈状导体L2。另外，磁通FP34通过由导体图案71～73所形成的第三线圈状导体L3、以及由导体图案73～75所形成的第四线圈状导体L4。另外，环状导体图案75和63、71和63通过各自的电容而耦合。即，这些线圈状导体L1和L3、L2和L4分别通过磁场及电场而耦合。因此，若L1中流过电流，则在L3激励出感应电流及因电场耦合而生成的电流，且因L1和L3是以反向进行卷绕的，因此，感应电流和因电场耦合而生成的电流沿相同方向流动，因而，能量传递效率提高。线圈状导体L2和L4的关系也是相同的。
图10是表示实施方式1的稳频电路25的四个线圈状导体L1～L4的磁耦合的关系的图。这样，卷绕第一线圈状导体L1和第二线圈状导体L2，使得由该第一线圈状导体L1和第二线圈状导体L2构成第一闭合磁路(磁通FP12所示的环路)，卷绕第三线圈状导体L3和第四线圈状导体L4，使得由第三线圈状导体L3及第四线圈状导体L4构成第二闭合磁路(磁通FP34所示的环路)。如上所述地卷绕四个线圈状导体L1～L4，使得通过第一闭合磁路的磁通FP12和通过第二闭合磁路的磁通FP34是彼此相反的方向。图10中的双点划线的直线表示使上述两个磁通FP12和FP34不进行耦合的磁垒。如上所示，在线圈状导体L1和L3之间、及L2和L4之间产生磁垒。
接下来，示出实施方式1的稳频电路25的作用效果。
稳频电路25主要有以下两个作用。
(1)随着天线的小型化，天线的阻抗减小至例如3～20Ω左右。稳频电路利用其变压器功能来进行阻抗的实部R的匹配。
(2)发射体基本上是电感性的，阻抗的频率特性是向右上升的特性，但稳频电路作为负电感起作用，通过将稳频电路与发射体进行组合，从而能够缓和天线的阻抗(jx)的斜率。
接下来说明稳频电路作为负电感起作用这一点。
图11是将上述线圈状导体L1～L4的线圈状导体彼此的耦合系数设定为规定值时的从供电电路来观察供电端口所得到的反射特性表示在史密斯图上的图。此处，各耦合系数如下所示。
L1-L2  k≈0.3
L3-L4  k≈0.3
L1-L3  k≈0.8
L2-L4  k≈0.8
由此，通过使L1和L3、L2和L4进行强耦合(k＝0.8左右)，使L1和L2、L3和L4进行弱耦合(K＝0.3左右)，从而使得因耦合而产生的互感M的值保持较大的值不变，而L1、L2、L3、L4的有效值减小。因此，耦合系数等效为1以上，稳频电路的阻抗相当于负电感。即，能形成超材料(metamaterial)结构。
此外，L1和L2的耦合及L3和L4的耦合(横向彼此的线圈状导体间的耦合)分别是电感值减小的磁耦合，但L1和L3的耦合及L2和L4的耦合(纵向彼此的线圈状导体间的耦合)不受上述横向彼此的线圈状导体间的耦合的影响，因此，推测会产生上述新的效果。
在图11中，标记m9是在频率820MHz时的输入阻抗(S(1，1)＝0.358+j0.063)，标记m10是在频率1.99GHz时的输入阻抗(S(1，1)＝0.382-j0.059)。由此，获得在频率较低的频带具有感应性、在频率较高的频带具有电容性、且实数分量(电阻分量)连续变化的负电感。
图12是表示呈现上述负电感的稳频电路的发射体和供电电路的电感匹配的图。在图12中，横轴是频率，纵轴是电抗jx。发射体本身具有电感，与接地之间具有电容。因此，发射体的阻抗jxa由jxa＝ωL-1/ωC来表示。图12中的曲线RI表示该发射体的阻抗jxa。发射体的谐振频率是jxa＝0时的频率。另一方面，稳频电路的阻抗是负电感，因此，像曲线(直线)SI所示的那样呈现向右下降的特性。因此，基于稳频电路和发射体的天线装置的阻抗(从供电端口来观察时的阻抗)为曲线(直线)AI所示那样的斜率较小的频率特性。
此处，若用R表示偏离该谐振频率时的发射体的阻抗的实部，将满足jx＝R的关系的频率设为f1，则频率f1是所输入的电力中一半进行了反射、一半被发射(3dB下陷)的频率。因此，假设阻抗的实部为-R，将满足jx＝-R的频率设为f2，则能够将频率f2～f1的带宽定义为天线的带宽(半峰全宽)。
若包含稳频电路和发射体的天线装置的阻抗的斜率变缓，则满足jx＝R的频率高于上述f1，满足jx＝-R的频率低于上述f2。因此，天线的带宽(下陷3dB的频带)变宽。即，在整个宽频带上能获得阻抗匹配。这是负电感所带来的效果。
《实施方式2》
图13是表示实施方式2所涉及的稳频电路的结构的图，是表示在多层基板上构成该稳频电路的情况下的、各层的导体图案的例子的图。各层的导体图案在图13所示的取向时形成于背面，但用实线来表示各导体图案。另外，线状的导体图案具有规定的线宽，但这里用简单的实线来表示。
在图13所示的范围内，在第一层51a的背面形成有导体图案73，在第二层51b的背面形成有导体图案72、74，在第三层51c的背面形成有导体图案71、75。在第四层51d的背面形成有导体图案63，在第五层51e的背面形成有导体图案62、64，在第六层51f的背面形成有导体图案61、65。在第七层51g的背面形成有导体图案66，在第八层51h的背面形成有供电端子41、接地端子42、及天线端子43。沿图13中的纵向延伸的虚线是通孔电极，在层间对导体图案彼此进行连接。这些通孔电极实际上是具有规定的直径尺寸的圆柱形的电极，但这里用简单的虚线来表示。
在图13中，利用导体图案63的右半部分和导体图案61、62，来构成第一线圈状导体L1。另外，利用导体图案63的左半部分和导体图案64、65，来构成第二线圈状导体L2。另外，利用导体图案73的右半部分和导体图案71、72，来构成第三线圈状导体L3。另外，利用导体图案73的左半部分和导体图案74、75，来构成第四线圈状导体L4。
图14是表示通过由形成于图13所示的多层基板的各层上的导体图案所形成的线圈状导体的、主要的磁通的图。图15是表示实施方式2的稳频电路的四个线圈状导体L1～L4的磁耦合的关系的图。如磁通FP12所示，构成由第一线圈状导体L1和第二线圈状导体L2所形成的闭合磁路，如磁通FP34所示，构成由第三线圈状导体L3和第四线圈状导体L4所形成的闭合磁路。另外，如磁通FP13所示，构成由第一线圈状导体L1和第三线圈状导体L3所形成的闭合磁路，如磁通FP24所示，构成由第二线圈状导体L2和第四线圈状导体L4所形成的闭合磁路。此外，也构成由四个线圈状导体L1～L4所形成的闭合磁路FPall。
由于利用该实施方式2的结构，线圈状导体L1与L2、L3与L4的电感值也会因各自的耦合而减小，因此，实施方式2所示的稳频电路也能起到与实施方式1的稳频电路25相同的效果。
《实施方式3》
在实施方式3中，示出对实施方式1、实施方式2所示的稳频电路的天线端口设置附加电路的例子。
图16是实施方式3所涉及的稳频电路25A的电路图。稳频电路25A包括与供电电路30相连接的一次侧串联电路26、以及与该一次侧串联电路26进行电磁场耦合的第二串联电路27。一次侧串联电路26是第一线圈状导体L1和第二线圈状导体L2的串联电路，第二串联电路27是第三线圈状导体L3和第四线圈状导体L4的串联电路。在天线端口与供电端口之间，连接有第一串联电路26，在天线端口与接地之间，连接有第二串联电路27。而且，在天线端口与接地之间，连接有电容器Ca。
图17(A)是表示实施方式1所示的稳频电路的反射特性的图，图17(B)是表示将该稳频电路的天线端口与规定电容的电容器相连接的状态下的反射特性的图。此处，将从700MHz～2.30GHz为止进行频率扫描时的轨迹表示在史密斯图上。反射特性S11是来自供电端口的反射特性的轨迹，反射特性S22是来自天线端口的反射特性的轨迹。
此处，各标记与频率的对应关系如下所示。
(m9，m17)：824.0MHz
(m14，m18)：960.0MHz
(m15，m19)：1.710GHz
(m16，m20)：1.990GHz
若将稳频电路的天线端口与规定电容的电容器进行并联连接，则从稳频电路的天线端口来观察时的反射特性S22的轨迹会移动到史密斯图的等效电导曲线(equivalent conductance curve)，从图17(A)所示的状态变化到图17(B)所示的状态。即，描绘出随着频率上升、从感应性向电容性(从史密斯图的上半圆向下半圆的方向)变化的轨迹。由此，明显地显现出稳频电路的负电感特性。
图18(A)是发射体的阻抗轨迹。此处，各标记与频率的对应关系如下所示。
m10：824.0MHz
m11：960.0MHz
m12：1.710GHz
m13：1.990GHz
图18(B)是表示将稳频电路的天线端口与规定电容的电容器相连接的状态下的反射特性(S22)的图。该图与图17(B)所示的相同。若对比图18(A)和图18(B)，可知，随着频率上升，发射体的阻抗向右上方移动，稳频电路的阻抗向右下方移动。
图19(A)是在实施方式3的稳频电路与图18所示的特性的发射体相连接的状态下、从稳频电路的供电端口来进行观察时的阻抗轨迹。图19(B)是从稳频电路的供电端口来进行观察时的反射特性S11和通过特性S21的频率特性图。
由此，通过将阻抗随着频率上升而向右上方移动的发射体、与阻抗随着频率上升而向右下方移动的稳频电路相连接，从而从稳频电路的供电端口来进行观察时的阻抗在史密斯图的中央附近旋转。即，可知在较宽的频带(700MHz～2.3GHz)上获得阻抗匹配。
《实施方式4》
图20是表示构成于多层基板上的、实施方式4的稳频电路的各层的导体图案的例子的图。各层由磁性体片材构成，各层的导体图案在图20所示的取向时形成于磁性体片材的背面，但用实线来表示各导体图案。另外，线状的导体图案具有规定的线宽，但这里用简单的实线来表示。
在图20所示的范围内，在第一层51a的背面形成有导体图案73，在第二层51b的背面形成有导体图案72、74，在第三层51c的背面形成有导体图案71、75。在第四层51d的背面形成有导体图案61、65，在第五层51e的背面形成有导体图案62、64，在第六层51f的背面形成有导体图案63。在第七层51g的背面，形成有供电端子41、接地端子42、以及天线端子43。沿图20中的纵向延伸的虚线是通孔电极，在层间对导体图案彼此进行连接。这些通孔电极实际上是具有规定的直径尺寸的圆柱形的电极，但这里用简单的虚线来表示。
在图20中，利用导体图案63的右半部分和导体图案61、62，来构成第一线圈状导体L1。另外，利用导体图案63的左半部分和导体图案64、65，来构成第二线圈状导体L2。另外，利用导体图案73的右半部分和导体图案71、72，来构成第三线圈状导体L3。另外，利用导体图案73的左半部分和导体图案74、75，来构成第四线圈状导体L4。
图21是表示实施方式4的稳频电路的四个线圈状导体L1～L4的磁耦合的关系的图。这样，利用第一线圈状导体L1和第二线圈状导体L2，来构成第一闭合磁路(磁通FP12所示的环路)。另外，利用第三线圈状导体L3和第四线圈状导体L4，来构成第二闭合磁路(磁通FP34所示的环路)。通过第一闭合磁路的磁通FP12与通过第二闭合磁路的磁通FP34的方向为彼此相反的方向。
这里，若将第一线圈状导体L1和第二线圈状导体L2表示为“一次侧”，将第三线圈状导体L3和第四线圈状导体L4表示为“二次侧”，则如图20所示，由于一次侧之中的接近二次侧的一方与供电电路相接，因此，能提高一次侧之中的二次侧附近的电位，从而能利用从供电电路流出的电流，使感应电流也流过二次侧。因此，会产生如图21所示的磁通。
由于利用该实施方式4的结构，线圈状导体L1与L2、L3与L4的电感值也会因各自的耦合而减小，因此，该实施方式4所示的稳频电路也能起到与实施方式1的稳频电路25相同的效果。
《实施方式5》
在实施方式5中，示出用于将变压器部的自谐振点的频率提高得比实施方式1～实施方式4所示的变压器部更高的结构例。
在图2所示的稳频电路35中，利用由一次侧串联电路36和二次侧串联电路37所形成的电感、以及在一次侧串联电路36与二次侧串联电路37之间所产生的电容，通过LC谐振而产生自谐振。
图22是表示作为图2所示的比较例的稳频电路35的频率特性的图。在图22中，曲线S21示出了从供电端口向天线端口的通过特性，S11示出了供电端口侧的反射特性。以椭圆围住的区域表示因自谐振而使得电力不能通过的频域。在本例中，在1.3～1.5GHz的频带，反射较大，通过损耗较大，因此，在该频带，电力几乎不能通过。
图23是表示实施方式3所示的稳频电路25A的频率特性的图。在该稳频电路25A中，能够减小变压器部的电感，因此，能够提高自谐振点的频率。根据图23的特性，能够使用2.0GHz以下的频带。在图23中，以椭圆围住的区域表示因自谐振而使得电力不能通过的频域。自谐振点的频率在图的范围外。在本例中，在2.3GHz以上的频带，反射较大，通过损耗较大，因此，在该频带，电力几乎不能通过。
图24是实施方式5所涉及的稳频电路的电路图。该稳频电路包括连接于供电电路30与天线11之间的第一串联电路26、连接于供电电路30与天线11之间的第三串联电路28、以及连接于天线11与接地之间的第二串联电路27。
第一串联电路26是由第一线圈状导体L1和第二线圈状导体L2经串联连接而形成的电路。第二串联电路27是由第三线圈状导体L3和第四线圈状导体L4经串联连接而形成的电路。第三串联电路28是由第五线圈状导体L5和第六线圈状导体L6经串联连接而形成的电路。
在图24中，框M12表示线圈状导体L1与L2之间的耦合，框M34表示线圈状导体L3与L4之间的耦合，框M56表示线圈状导体L5与L6之间的耦合。另外，框M135表示线圈状导体L1、L3、及L5之间的耦合。同样地，框M246表示线圈状导体L2、L4、及L6之间的耦合。
图25是表示在多层基板上构成实施方式5所涉及的稳频电路的情况下、各层的导体图案的例子的图。各层由磁性体片材构成，各层的导体图案在图25所示的取向时形成于磁性体片材的背面，但用实线来表示各导体图案。另外，线状的导体图案具有规定的线宽，但这里用简单的实线来表示。
在图25所示的范围内，在第一层51a的背面形成有导体图案82，在第二层51b的背面形成有导体图案81、83，在第三层51c的背面形成有导体图案72。在第四层51d的背面形成有导体图案71、73，在第五层51e的背面形成有导体图案61、63，在第六层51f的背面形成有导体图案62。在第七层51g的背面，分别形成有供电端子41、接地端子42、以及天线端子43。沿图25中的纵向延伸的虚线是通孔电极，在层间对导体图案彼此进行连接。这些通孔电极实际上是具有规定的直径尺寸的圆柱形的电极，但这里用简单的虚线来表示。
在图25中，利用导体图案62的右半部分和导体图案61，来构成第一线圈状导体L1。另外，利用导体图案62的左半部分和导体图案63，来构成第二线圈状导体L2。另外，利用导体图案71和导体图案72的右半部分，来构成第三线圈状导体L3。另外，利用导体图案72的左半部分和导体图案73，来构成第四线圈状导体L4。另外，利用导体图案81和导体图案82的右半部分，来构成第五线圈状导体L5。另外，利用导体图案82的左半部分和导体图案83，来构成第六线圈状导体L6。
在图25中，椭圆形虚线表示闭合磁路。闭合磁路CM12与线圈状导体L1、L2交链。另外，闭合磁路CM34与线圈状导体L3、L4交链。此外，闭合磁路CM56与线圈状导体L5、L6交链。这样，利用第一线圈状导体L1和第二线圈状导体L2来构成第一闭合磁路CM12，利用第三线圈状导体L3和第四线圈状导体L4来构成第二闭合磁路CM34，利用第五线圈状导体L5和第六线圈状导体L6来构成第三闭合磁路CM56。在图25中，双点划线的平面是线圈状导体L1与L3、L3与L5、L2与L4、以及L4与L6在所述三个闭合磁路之间进行耦合而沿彼此相反的方向产生磁通、由此等效产生的两个磁垒(magnetic barrier)MW。换而言之，用这两个磁垒MW，分别将由线圈状导体L1、L2所形成的闭合磁路的磁通、由线圈状导体L3、L4所形成的闭合磁路的磁通、以及由线圈状导体L5、L6所形成的闭合磁路的磁通进行封闭。
这样，形成由第一闭合磁路CM12和第三闭合磁路CM56沿层方向夹住第二闭合磁路CM34的结构。利用该结构，第二闭合磁路CM34被两个磁垒夹住而完全封闭(提高了封闭的效果)。即，能起到作为耦合系数非常大的变压器的作用。
因此，能一定程度地拓宽所述闭合磁路CM12与CM34之间、以及CM34与CM56之间。这里，若由线圈状导体L1、L2所形成的串联电路与由线圈状导体L5、L6所形成的串联电路进行并联连接，将并联连接而成的电路称为一次侧电路，将由线圈状导体L3、L4所形成的串联电路称为二次侧电路，则通过拓宽所述闭合磁路CM12与CM34之间、以及CM34与CM56之间，能减小分别产生于第一串联电路26与第二串联电路27之间、以及第二串联电路27与第三串联电路28之间的电容。即，决定自谐振点的频率的LC谐振电路的电容分量会减小。
另外，根据实施方式5，由于采用将由线圈状导体L1、L2形成的第一串联电路26与由线圈状导体L5、L6形成的第三串联电路28进行并联连接的结构，因此，决定自谐振点的频率的LC谐振电路的电感分量会减小。
这样，决定自谐振点的频率的LC谐振电路的电容分量和电感分量都会减小，从而能将自谐振点的频率确定为离使用频带足够远的、较高的频率。
图26是表示实施方式5所示的稳频电路的频率特性的图。在该稳频电路中，自谐振点的频率是图外的高频，因此，能够用于例如0.7～2.5GHz的宽频带。
图27(A)是表示作为图2所示的比较例的稳频电路35的反射特性的图。图27(B)是表示实施方式3所示的稳频电路25A的反射特性的图。图27(C)是表示实施方式5的稳频电路的反射特性的图。此处，将从700MHz～2.50GHz为止进行频率扫描时的轨迹表示在史密斯图上。反射特性S11是来自供电端口的反射特性的轨迹，反射特性S22是来自天线端口的反射特性的轨迹。
此处，各标记与频率的对应关系如下所示。
(m1，m5)：824.0MHz
(m2，m6)：960.0MHz
(m3，m7)：1.710GHz
(m4，m8)：1.960GHz
如图27(A)所示，作为图2所示的比较例的稳频电路35中，由于L性、C性都很强，因此，轨迹非常大，具有自谐振点。在图27(A)中，圆形标记的位置是自谐振点。
如图27(B)所示的那样，可知在实施方式3所示的稳频电路25A中，通过减小L性，自谐振点(在短路侧与jx＝0相交的点)消失。
如图27(C)所示那样，可知在实施方式5所示的稳频电路中，通过减小C性，轨迹进一步减小且远离短路的位置。
《实施方式6》
在实施方式6中，示出用于利用与实施方式5不同的结构、将变压器部的自谐振点的频率提高得比实施方式1～实施方式4所示的变压器部要高的结构例。
图28是实施方式6所涉及的稳频电路的电路图。该稳频电路包括连接于供电电路30与天线11之间的第一串联电路26、连接于供电电路30与天线11之间的第三串联电路28、以及连接于天线11与接地之间的第二串联电路27。
第一串联电路26是由第一线圈状导体L1和第二线圈状导体L2经串联连接而形成的电路。第二串联电路27是由第三线圈状导体L3和第四线圈状导体L4经串联连接而形成的电路。第三串联电路28是由第五线圈状导体L5和第六线圈状导体L6经串联连接而形成的电路。
在图28中，框M12表示线圈状导体L1与L2之间的耦合，框M34表示线圈状导体L3与L4之间的耦合，框M56表示线圈状导体L5与L6之间的耦合。另外，框M135表示线圈状导体L1、L3、及L5之间的耦合。同样地，框M246表示线圈状导体L2、L4、及L6之间的耦合。
图29是表示在多层基板上构成实施方式6所涉及的稳频电路的情况下、各层的导体图案的例子的图。各层由磁性体片材构成，各层的导体图案在图29所示的取向时形成于磁性体片材的背面，但用实线来表示各导体图案。另外，线状的导体图案具有规定的线宽，但这里用简单的实线来表示。
与图25所示的稳频电路的不同之处在于由导体图案81、82、83所形成的线圈状导体L5、L6的极性。在图29的例子中，闭合磁路CM36与线圈状导体L3、L5、L6、L4交链。因而，在线圈状导体L3、L4与L5、L6之间，不会产生等效的磁垒。其他结构与实施方式5所示的结构相同。
根据实施方式6，产生图29所示的闭合磁路CM12、CM34、CM56，并产生闭合磁路CM36，从而由线圈状导体L3、L4所形成的磁通会被由线圈状导体L5、L6所形成的磁通吸入。因此，即使是实施方式6的结构，磁通也不易泄漏，其结果是，能起到作为耦合系数非常大的变压器的作用。
即使是实施方式6，决定自谐振点的频率的LC谐振电路的电容分量和电感分量也都会减小，从而能将自谐振点的频率确定为离使用频带足够远的、较高的频率。
《实施方式7》
在实施方式7中，示出用于利用与实施方式5和实施方式6不同的结构、将变压器部的自谐振点的频率提高得比实施方式1～实施方式4所示的变压器部要高的其他结构例。
图30是实施方式7所涉及的稳频电路的电路图。该稳频电路包括连接于供电电路30与天线11之间的第一串联电路26、连接于供电电路30与天线11之间的第三串联电路28、以及连接于天线11与接地之间的第二串联电路27。
图31是表示在多层基板上构成实施方式7所涉及的稳频电路的情况下、各层的导体图案的例子的图。各层由磁性体片材构成，各层的导体图案在图31所示的取向时形成于磁性体片材的背面，但用实线来表示各导体图案。另外，线状的导体图案具有规定的线宽，但这里用简单的实线来表示。
与图25所示的稳频电路的不同之处在于由导体图案61、62、63所形成的线圈状导体L1、L2的极性、以及由导体图案81、82、83所形成的线圈状导体L5、L6的极性。在图31的例子中，闭合磁路CM16与所有的线圈状导体L1～L6都交链。因而，在这种情况下不会产生等效的磁垒。其他结构与实施方式5和实施方式6所示的结构相同。
根据实施方式7，产生图31所示的闭合磁路CM12、CM34、CM56，并产生闭合磁路CM16，从而由线圈状导体L1～L6所形成的磁通不易泄漏，其结果是，能起到作为耦合系数较大的变压器的作用。
即使是实施方式7，决定自谐振点的频率的LC谐振电路的电容分量和电感分量也都会减小，从而能将自谐振点的频率确定为离使用频带足够远的、较高的频率。
《实施方式8》
本发明的通信终端设备包括实施方式1～实施方式7所示的稳频电路、发射体、以及与稳频电路的供电端口相连接的供电电路。供电电路包括高频电路，所述高频电路包括天线开关、发送电路、以及接收电路。通信终端设备采用在此之外还包括调制解调电路、基带电路的结构。

Claims (13)

1.一种稳频电路，其特征在于，
至少包括第一线圈状导体、第二线圈状导体、第三线圈状导体、及第四线圈状导体，
将第一线圈状导体和第二线圈状导体串联连接以构成第一串联电路，
将第三线圈状导体和第四线圈状导体串联连接以构成第二串联电路，
卷绕第一线圈状导体及第二线圈状导体，使得由第一线圈状导体和第二线圈状导体构成第一闭合磁路，
卷绕第三线圈状导体及第四线圈状导体，使得由第三线圈状导体和第四线圈状导体构成第二闭合磁路。
2.如权利要求1所述的稳频电路，其特征在于，
卷绕所述第一线圈状导体、所述第二线圈状导体、所述第三线圈状导体、及所述第四线圈状导体，使得通过所述第一闭合磁路的磁通和通过所述第二闭合磁路的磁通成为彼此相反的方向。
3.如权利要求1所述的稳频电路，其特征在于，
所述第一线圈状导体及所述第三线圈状导体相互磁耦合，
所述第二线圈状导体及所述第四线圈状导体相互磁耦合。
4.如权利要求1～3的任一项所述的稳频电路，其特征在于，
在与天线相连接的天线端口与接地之间连接有电容器。
5.如权利要求1～4的任一项所述的稳频电路，其特征在于，
所述第一线圈状导体、所述第二线圈状导体、所述第三线圈状导体、及所述第四线圈状导体是由共用的多层基板内的导体图案形成的。
6.如权利要求5所述的稳频电路，其特征在于，
所述第一线圈状导体、所述第二线圈状导体、所述第三线圈状导体、及所述第四线圈状导体的各自的卷绕轴朝向所述多层基板的层叠方向，
所述第一线圈状导体和第二线圈状导体的各自的卷绕轴以不同的关系进行并排设置，
所述第三线圈状导体和第四线圈状导体的各自的卷绕轴以不同的关系进行并排设置，
所述第一线圈状导体与第三线圈状导体的各自的卷绕范围在俯视下至少有部分重叠，所述第二线圈状导体与第四线圈状导体的各自的卷绕范围在俯视下至少有部分重叠。
7.一种稳频电路，其特征在于，
至少包括第一线圈状导体、第二线圈状导体、第三线圈状导体、第四线圈状导体，第五线圈状导体、及第六线圈状导体，
将第一线圈状导体和第二线圈状导体串联连接以构成第一串联电路，
将第三线圈状导体和第四线圈状导体串联连接以构成第二串联电路，
将第五线圈状导体和第六线圈状导体串联连接以构成第三串联电路，
卷绕第一线圈状导体及第二线圈状导体，使得由第一线圈状导体和第二线圈状导体构成第一闭合磁路，
卷绕第三线圈状导体及第四线圈状导体，使得由第三线圈状导体和第四线圈状导体构成第二闭合磁路，
卷绕第五线圈状导体及第六线圈状导体，使得由第五线圈状导体和第六线圈状导体构成第三闭合磁路，
由第一闭合磁路和第三闭合磁路沿层方向夹住第二闭合磁路。
8.如权利要求7所述的稳频电路，其特征在于，
卷绕所述第一线圈状导体、所述第二线圈状导体、所述第三线圈状导体、及所述第四线圈状导体，使得通过所述第一闭合磁路的磁通和通过所述第二闭合磁路的磁通成为彼此相反的方向，
卷绕所述第三线圈状导体、所述第四线圈状导体、所述第五线圈状导体、及所述第六线圈状导体，使得通过所述第二闭合磁路的磁通和通过所述第三闭合磁路的磁通成为彼此相反的方向。
9.如权利要求7所述的稳频电路，其特征在于，
卷绕所述第一线圈状导体、所述第二线圈状导体、所述第三线圈状导体、及所述第四线圈状导体，使得通过所述第一闭合磁路的磁通和通过所述第二闭合磁路的磁通成为彼此相反的方向，
卷绕所述第三线圈状导体、所述第四线圈状导体、所述第五线圈状导体、及所述第六线圈状导体，使得通过所述第二闭合磁路的磁通和通过所述第三闭合磁路的磁通成为彼此相同的方向。
10.一种天线装置，
包括稳频电路和天线，所述稳频电路包括与供电电路相连接的供电端口、及与天线相连接的天线端口，所述天线与所述天线端口相连接，其特征在于，
所述稳频电路至少包括第一线圈状导体、第二线圈状导体、第三线圈状导体、及第四线圈状导体，
将第一线圈状导体和第二线圈状导体串联连接以构成第一串联电路，
将第三线圈状导体和第四线圈状导体串联连接以构成第二串联电路，
第一串联电路连接在天线端口和供电端口之间，
第二串联电路连接在天线端口和接地之间，
卷绕第一线圈状导体及第二线圈状导体，使得由第一线圈状导体和第二线圈状导体构成第一闭合磁路，
卷绕第三线圈状导体及第四线圈状导体，使得由第三线圈状导体和第四线圈状导体构成第二闭合磁路。
11.一种天线装置，
包括稳频电路和天线，所述稳频电路包括与供电电路相连接的供电端口、及与天线相连接的天线端口，所述天线与所述天线端口相连接，其特征在于，
所述稳频电路至少包括第一线圈状导体、第二线圈状导体、第三线圈状导体、第四线圈状导体，第五线圈状导体、及第六线圈状导体，
将第一线圈状导体和第二线圈状导体串联连接以构成第一串联电路，
将第三线圈状导体和第四线圈状导体串联连接以构成第二串联电路，
将第五线圈状导体和第六线圈状导体串联连接以构成第三串联电路，
第一串联电路及第三串联电路相互并联地连接在天线端口与供电端口之间，
第二串联电路连接在天线端口和接地之间，
卷绕第一线圈状导体及第二线圈状导体，使得由第一线圈状导体和第二线圈状导体构成第一闭合磁路，
卷绕第三线圈状导体及第四线圈状导体，使得由第三线圈状导体和第四线圈状导体构成第二闭合磁路，
卷绕第五线圈状导体及第六线圈状导体，使得由第五线圈状导体和第六线圈状导体构成第三闭合磁路，
由第一闭合磁路和第三闭合磁路沿层方向夹住第二闭合磁路。
12.一种通信终端设备，
包括稳频电路、天线、及供电电路，所述稳频电路包括与供电电路相连接的供电端口、及与天线相连接的天线端口，所述天线与所述天线端口相连接，所述供电电路与所述供电端口相连接，其特征在于，
所述稳频电路至少包括第一线圈状导体、第二线圈状导体、第三线圈状导体、及第四线圈状导体，
将第一线圈状导体和第二线圈状导体串联连接以构成第一串联电路，
将第三线圈状导体和第四线圈状导体串联连接以构成第二串联电路，
第一串联电路连接在天线端口和供电端口之间，
第二串联电路连接在天线端口和接地之间，
卷绕第一线圈状导体及第二线圈状导体，使得由第一线圈状导体和第二线圈状导体构成第一闭合磁路，
卷绕第三线圈状导体及第四线圈状导体，使得由第三线圈状导体和第四线圈状导体构成第二闭合磁路。
13.一种通信终端设备，
包括稳频电路、天线、及供电电路，所述稳频电路包括与供电电路相连接的供电端口、及与天线相连接的天线端口，所述天线与所述天线端口相连接，所述供电电路与所述供电端口相连接，其特征在于，
所述稳频电路至少包括第一线圈状导体、第二线圈状导体、第三线圈状导体、第四线圈状导体，第五线圈状导体、及第六线圈状导体，
将第一线圈状导体和第二线圈状导体串联连接以构成第一串联电路，
将第三线圈状导体和第四线圈状导体串联连接以构成第二串联电路，
将第五线圈状导体和第六线圈状导体串联连接以构成第三串联电路，
第一串联电路及第三串联电路相互并联地连接在天线端口与供电端口之间，
第二串联电路连接在天线端口和接地之间，
卷绕第一线圈状导体及第二线圈状导体，使得由第一线圈状导体和第二线圈状导体构成第一闭合磁路，
卷绕第三线圈状导体及第四线圈状导体，使得由第三线圈状导体和第四线圈状导体构成第二闭合磁路，
卷绕第五线圈状导体及第六线圈状导体，使得由第五线圈状导体和第六线圈状导体构成第三闭合磁路，
由第一闭合磁路和第三闭合磁路沿层方向夹住第二闭合磁路。
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