CN102472792B - 集成电路电流测定用装置及集成电路电流测定用适配器 - Google Patents

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Abstract

一种集成电路电流测定用装置，安装在IC与基板之间，将IC的各个端子分别与对应的基板的各个端子电连接，特别是对于成为测定对象的IC的端子，在IC的端子与对应的基板的端子之间的电连接路径上内插入电阻。并且，该集成电路电流测定用装置具有对于内插的各个电阻用来测定其两端的电位差的端子。因此，测定流过IC的端子的电流的测定者将该IC电流测定用装置安装在测定对象的IC与基板之间，对与想要测定的IC的端子对应的内插电阻的两端的电位差进行计测，从而能够测定流过IC的端子的电流。

Description

集成电路电流测定用装置及集成电路电流测定用适配器
技术领域
本发明涉及用来对流过IC(集成电路，Integrated Circuit)的电流进行测定的IC电流测定用装置。
背景技术
公知有对动作中的IC所消耗的电流进行测定的技术。
例如，专利文献1中公开了如下技术：将对IC侧电源和基板侧电源进行分离的适配器插入到IC与基板之间，在与IC侧电源连接的适配器上的正极试验端子和与基板侧电源连接的适配器上的负极试验端子之间连接电流计，由此测定该IC消耗的电流的总量。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特开平5-134002号公报
发明概要
发明要解决的课题
然而，在上述的现有技术中，虽然能够用所连接的电流计测定流过IC的电流的总量，但无法测定分别流过IC所具备的多个端子的电流。
发明内容
本发明鉴于上述问题而提出，目的在于提供一种IC电流测定用装置，用来测定流过IC的端子的电流，安装在IC与基板之间，能够相互独立地分别测定流过IC的多个端子的电流。
解决课题所采用的手段
为解决上述课题，本发明的IC电流测定用装置，用来测定流过IC的端子的电流，安装在该IC与基板之间，其特征在于，具备：多个IC侧端子，用来与上述IC的多个端子分别进行连接；多个基板侧端子，用来与上述基板的多个端子分别进行连接，并分别与对应的IC侧端子电连接；第1元件，根据在IC侧第1端子与对应于该IC侧第1端子的基板侧端子之间流过的电流而产生电位差；第2元件，根据在IC侧第2端子与对应于该IC侧第2端子的基板侧端子之间流过的电流而产生电位差；第1引出端子，将上述第1元件产生的电位差向外部输出；以及第2引出端子，将上述第2元件产生的电位差向外部输出。
发明效果
具备上述构成的本发明的IC电流测定用装置，利用第1引出端子来测定第1元件产生的电位差，从而能够测定在IC侧第1端子与对应于该IC侧第1端子的基板侧端子之间流过的电流，利用第2引出端子来测定第2元件产生的电位差，从而能够测定在IC侧第2端子与对应于该IC侧第2端子的基板侧端子之间流过的电流。
因此，具有能够相互独立地测定流过IC侧第1端子的电流与流过IC侧第2端子的电流的效果。
附图说明
图1是IC电流测定用装置100的剖面图。
图2是从上方观察IC电流测定用装置100的俯视图。
图3是将IC电流测定用装置100的俯视图的一部分放大后的放大俯视图。
图4是表示对所测定的电流进行傅立叶变换而得到的特性的图。
图5是第1变形IC电流测定用装置500的剖面图。
图6是从上方观察第2变形IC电流测定用装置600的俯视图。
图7是第3变形IC电流测定用装置700的剖面图。
图8是第4变形IC电流测定用装置800的剖面图。
图9是第5变形IC电流测定用装置900的剖面图。
图10是在电流路径的附近形成的电磁波接收元件的立体图。
图11是第6变形IC电流测定用装置1100的剖面图。
图12是第7变形IC电流测定用装置1200的剖面图。
图13是加高基板1300的剖面图。
图14是IC电流测定用装置1400的剖面图。
具体实施方式
<实施方式1>
以下，作为本发明IC电流测定用装置的一实施方式，说明对流过利用BGA(Ball Grid Array)封装而封装的具备5×5共计25个端子的IC的各个电源端子的电流进行测定的IC电流测定用装置。
该IC电流测定用装置安装在IC与基板之间，从而使各个IC端子和对应的各个基板端子电连接，特别是对于电源端子，在IC的电源端子和对应的基板的电源端子之间的各个电流路径中内插有1Ω的电阻。
并且，该IC电流测定用装置具备对各个内插电阻测定其两端的电位差的端子。
因此，对流过IC的电源端子的电流进行测定的测定者，在测定对象IC与基板之间安装该IC电流测定用装置，对与想要测定的电源端子对应的内插电阻的两端的电位差进行计测，由此能够测定流过动作中的IC的电源端子的电流。
以下，参照附图来说明本实施方式1的IC电流测定用装置的构成。
<构成>
图1是被安装在IC101与基板102之间的状态下的IC电流测定用装置100的剖面图。
IC101具备通过BGA封装而封装的5×5共计25个IC端子，是在内部具有例如以667MHz动作的电路的IC，在图1所示的剖面上，具备IC端子180～IC端子184。
图1所示的剖面上的IC端子之中，IC端子181和IC端子183是电源端子，IC端子182是接地端子。
若还包括图1中未图示的，则IC101的25个IC端子之中，8个是电源端子，8个成为接地端子。
基板102是具备与IC101的IC端子分别对应的25个基板端子的基板，在图1所示的剖面上具备基板端子185～基板端子189。
基板端子各自的相对位置关系与对应的IC端子各自的相对位置一致。
图1所示的剖面上的基板端子之中，基板端子186和基板端子188是电源端子，基板端子187是接地端子。
若还包括图1中未图示的，则基板102的25个基板端子之中，8个是电源端子，8个成为接地端子。
基板102还在电源端子附近具有与该电源端子连接的旁路电容，在图1所示的剖面上，在作为电源端子的基板端子186的附近，具有与基板端子186连接的旁路电容148，在作为电源端子的基板端子188的附近，具有与基板端子188连接的旁路电容149。
IC电流测定用装置100通过将布线层120、部件内置层110和布线层130层叠而得的层叠基板来形成，在图1所示的剖面上，在IC电流测定用装置100的IC101侧的主表面，具备IC侧端子121～IC侧端子125和引出端子126～引出端子129，在IC电流测定用装置100的基板102侧的主表面，具备基板侧端子131～基板侧端子135。
若还包括图1中未图示的，则IC电流测定用装置100在IC电流测定用装置100的IC101侧的主表面具备25个IC侧端子和16个引出端子，在基板102侧的主表面具备25个基板侧端子。
部件内置层110是包含贯通在IC101侧的主表面和基板102侧的主表面之间的多个导电性(例如，铜制)通孔和1Ω的电阻元件而形成的、例如厚度为0.6mm例如热固化性树脂制的基板，在图1所示的剖面上，具有通孔111、通孔112、电阻元件113、通孔114、电阻元件115、通孔116和通孔117。
部件内置层110所包含的电阻元件是例如尺寸为0.6mm×0.3mm×0.3mm的片电阻，在市面上很便宜，能容易地得到。
布线层120将第1基板120a、第2基板120b和第3基板120c层叠而形成，具有金属(例如，铜)布线和导电性(例如，铜制)接触孔，是将IC侧端子或引出端子与部件内置层110所包含的通孔的上端或电阻元件的上端电连接的布线层，例如厚度为0.3mm。
通孔与接触孔在实质上是相同的，但此处将包含在布线层120与布线层130中的称为接触孔，将包含在部件内置层110中的称为通孔。
此外，在第2基板120b与第3基板120c之间，形成有由金属(例如铜)薄板构成的第1接地平面140。
通过在第2基板120b与第3基板120c之间形成第1接地平面140，第1基板120a与第2基板120b之间的布线和第1接地平面成为电容耦合的状态，第3基板120c的背面的布线和第1接地平面成为电容耦合的状态。
布线层130将第4基板130a、第5基板130b和第6基板130c层叠而形成，具有金属(例如，铜)布线和导电性(例如，铜制)接触孔，是将基板侧端子与在部件内置层110中含有的通孔的下端或电阻元件的下端电连接的布线层，例如厚度为0.3mm。
此外，在第4基板130a与第5基板130b之间，形成有由金属(例如铜)薄板构成的第2接地平面141。
通过在第4基板130a与第5基板130b之间形成第2接地平面141，第4基板130a表面的布线和第1接地平面成为电容耦合的状态，第5基板130b与第6基板130c之间的布线和第2接地平面成为电容耦合的状态。
IC侧端子121～IC侧端子125配置在IC电流测定用装置100的IC101侧的主表面，是用来分别与对应的IC端子180～IC端子184连接的端子，分别经由焊料190～焊料194与IC端子180～IC端子184连接。
图1未图示的IC侧端子也与IC侧端子121～IC侧端子125同样，配置在IC电流测定用装置100的IC101侧的主表面，是用来分别与对应的IC端子连接的端子，分别经由焊料与对应的IC端子连接。
图1所示的剖面上的IC侧端子之中，IC侧端子122和IC侧端子124是电源端子，IC侧端子123是接地端子。
基板侧端子131～基板侧端子135配置在IC电流测定用装置100的基板102侧的主表面，是用来分别与对应的基板端子185～基板端子189连接的端子，分别经由焊料195～焊料199与基板端子185～基板端子189连接。
图1未图示的基板侧端子也与基板侧端子131～基板侧端子135同样，配置在IC电流测定用装置100的基板102侧的主表面，是用来分别与对应的基板端子连接的端子，分别经由焊料与对应的基板端子连接。
此外，基板侧端子分别配置在与对应的IC侧端子对置的位置。
图1所示的剖面上的基板侧端子之中，基板侧端子132与基板侧端子134是电源端子，基板侧端子133是接地端子。
引出端子126与引出端子127配置在IC电流测定用装置100的IC101侧的主表面，是用来测定电阻元件113的上端与下端之间的电位差的端子，引出端子128与引出端子129配置在IC电流测定用装置100的IC101侧的主表面，是用来测定电阻元件115的上端与下端之间的电位差的端子。
图1未图示的引出端子也与引出端子126～引出端子129同样，配置在IC电流测定用装置100的IC101侧的主表面，是用来测定对应的电阻元件的上端与下端之间的电位差的端子。
对于1个电阻元件，对应有2个引出端子。
<端子间的连接>
IC侧端子之中，既不是电源端子也不是接地端子的各个端子经由以直线状配置的第1基板120a的接触孔、第2基板120b的接触孔、第3基板120c的接触孔、部件内置层1 10的通孔、第4基板130a的接触孔、第5基板130b的接触孔和第6基板130c的接触孔，与对应的各个基板侧端子连接。
例如，图1所示的剖面上的既不是电源端子也不是接地端子的端子即IC侧端子121，利用以直线状纵向层叠的接触孔所形成的布线路径165而与通孔111的上端连接，通孔111的下端利用以直线状纵向层叠的接触孔所形成的布线路径173而与基板侧端子131连接。
IC侧端子之中的接地端子分别经由以直线状配置的第1基板120a的接触孔、第2基板120b的接触孔、第3基板120c的接触孔、部件内置层110的通孔、第4基板130a的接触孔、第5基板130b的接触孔和第6基板130c的接触孔，与对应的基板侧端子之中的各个接地端子连接，此外，第1接地平面140与第2接地平面141连接。
例如，图1所示的剖面上的接地端子即IC侧端子123，利用以直线状纵向层叠的接触孔所形成的布线路径166而与第1接地平面140和通孔114的上端连接，通孔114的下端利用以直线状纵向层叠的接触孔所形成的布线路径174而与第2接地平面141和作为接地端子的基板侧端子133连接。
IC侧端子之中的电源端子分别经由以直线状配置的第1基板120a的接触孔、第2基板120b的接触孔、第3基板120c的接触孔、部件内置层110的电阻元件、第4基板130a的接触孔、第5基板130b的接触孔和第6基板120c的接触孔，与对应的基板侧端子之中的各个电源端子连接。
并且，IC端子之中的各个电源端子的对应的电阻元件的上端经由第3基板120c的接触孔、第2基板120b的接触孔、第1基板120a与第2基板120b之间的布线、以及第1基板120a的接触孔，与2个引出端子对之中的一个引出端子连接，对应的电阻元件的下端经由第4基板130a的表面的布线、部件内置层1 10的通孔、第3基板120c的背面的布线、第3基板120c的接触孔、第2基板120b的接触孔、以及第1基板120a的接触孔，与2个引出端子对之中的另一个引出端子连接。
例如，图1所示的剖面上的电源端子即IC侧端子124，利用由接触孔与布线形成的布线路径163，与电阻元件115的上端和引出端子128连接，电阻元件115的下端利用由接触孔与布线形成的布线路径172，与通孔116的下端和基板侧端子134连接，通孔116的上端利用由接触孔与布线形成的布线路径164与引出端子129连接。
图2是从上方观察IC电流测定用装置100的俯视图。该图所示的与包含将点A和点B连结起来的线段在内的IC电流测定用装置100的IC101侧的主表面垂直的平面，成为图1所示的IC电流测定用装置100的剖面。
在IC电流测定用装置100的IC101侧的主表面，具有IC侧端子121～IC侧端子125、IC侧端子201～IC侧端子220共计25个IC侧端子，以及引出端子126～引出端子129、引出端子231～引出端子242共计16个引出端子。
IC侧端子之中，IC侧端子201、205、207、209、122、124、216、220是电源端子，IC侧端子202、204、208、211、215、123、216、220是接地端子。
引出端子126和引出端子127是用来对与作为电源端子的IC侧端子122连接的电阻元件的两端的电位差进行测定的端子，引出端子128和引出端子129是用来对与作为电源端子的IC侧端子124连接的电阻元件的两端的电位差进行测定的端子，引出端子231和引出端子232是用来对与作为电源端子的IC侧端子201连接的电阻元件的两端的电位差进行测定的端子，引出端子233和引出端子234是用来对与作为电源端子的IC侧端子205连接的电阻元件的两端的电位差进行测定的端子，引出端子235和引出端子236是用来对与作为电源端子的IC侧端子207连接的电阻元件的两端的电位差进行测定的端子，引出端子237和引出端子238是用来对与作为电源端子的IC侧端子209连接的电阻元件的两端的电位差进行测定的端子，引出端子239和引出端子240是用来对与作为电源端子的IC侧端子216连接的电阻元件的两端的电位差进行测定的端子，引出端子241和引出端子242是用来对与作为电源端子的IC侧端子220连接的电阻元件的两端的电位差进行测定的端子。
IC电流测定用装置100的各个侧面与安装了IC101的状态下的IC101的对应的侧面的距离是1.5mm。
图3是将图2的区域250的部分放大后的放大俯视图。
该图中用虚线表示的是在IC电流测定用装置100的内部包含的布线及通孔等，为了方便，似乎是从IC电流测定用装置100的外部能够看到地进行说明，然而实际上从IC电流测定用装置100的外部无法直接观察。
布线301是将IC侧端子124和引出端子128连结起来的布线之中的、形成于第1基板120a(参照图1)和第2基板120b(参照图1)之间的布线，回避在IC侧端子125之下配置的接触孔而进行布线。
布线302是将通孔116的上端和引出端子129连结起来布线之中的、形成在第3基板120c(参照图1)的背面的布线，回避在IC侧端子125之下配置的接触孔而进行布线。
<使用IC电流测定用装置100的电流测定方法>
若电流流过电阻元件，则在该电阻元件的两端产生与该电流相应的电位差。
这里，内插在IC电流测定用装置100中的电阻元件的电阻值是1Ω，因此电阻元件的两端的电位差v(V)直接表示出流过该电阻元件的电流i(A)。
因此，对流过IC101的电源端子的电流进行测定的电流测定者，例如使用差分有源探测器，例如用频谱分析器来取得与作为测定对象的IC101的电源端子对应的电阻元件的两端的电位差、即与该电阻元件对应的成对的引出端子间的电位差，从而能够测定流过该电源端子的电流。
<使用IC电流测定用装置100测定的电流的具体例>
所测定的电流包含各种各样的频率成分。
通过对所测定的电流进行傅立叶变换，能够视觉确认该电流所包含的频率成分。
市面上的频谱分析器之中，有些具有将规定时间测定出的电流根据该电流所包含的频率而进行傅立叶变换后输出的功能。
图4表示利用IC电流测定用装置100将规定时间(例如1秒)所测定的IC101的电源端子的电流根据频率而进行傅立叶变换从而得到的、对IC的电源端子供给的电流的频率特性。
流过电源端子的电流包含各种各样的频率成分。
图4(a)表示流过例如与作为电源端子的IC侧端子122(参照图2)对应的IC端子(以下称为IC电源端子A)的电流的频率特性。
如该图所示，在频率成分为667MHz的位置形成第1峰值401，在667MHz的整数倍的频率成分的位置形成第2峰值402～第5峰值405。
由此可知，IC101中，经由IC电源端子A向IC101内的以667MHz动作的电路供给电流。
图4(b)表示流过例如与作为电源端子的IC侧端子220(参照图2)对应的IC端子(以下称为IC电源端子B)的电流的频率特性。
如该图所示，在频率成分为667MHz的位置形成第1峰值411，在667MHz的整数倍的频率成分的位置形成第2峰值412～第5峰值415。
此外，第1峰值411～第5峰值415相对于图4A的第1峰值401～第5峰值405而言强度分别减小。
由此可知，IC101中，经由IC电源端子B向IC101内的以667MHz动作的电路供给电流，但与IC电源端子A相比，其供给电流量少。
图4(c)表示流过例如与作为电源端子的IC侧端子205(参照图2)对应的IC端子(以下称为IC电源端子C)的电流的频率特性。
如该图所示，在频率成分为667MHz的整数倍的频率成分的位置没有形成峰值。
由此可知，IC101中，不经由IC电源端子C向IC101内的以667MHz动作的电路供给电流。
根据上述的IC电流测定用装置100，对于动作中的IC101的各个电源端子，能够相互独立地测定流过其电源端子的电流。
<实施方式2>
以下，作为本发明IC电流测定用装置的一实施方式，对将实施方式1的IC电流测定用装置100的一部分变形而得到的实施方式2的第1变形IC电流测定用装置进行说明。
IC电流测定用装置100中，引出端子的对用来对电阻元件的上端的电位和下端的电位之间的差进行测定，而第1变形IC电流测定用装置中，引出端子的对用来对电阻元件的上端的电位和接地电位之间的差进行测定。
以下，对于本实施方式2的第1变形IC电流测定用装置的构成，以与实施方式1的IC电流测定用装置100的不同点为中心，参照附图进行说明。
图5是安装在IC101与基板102之间的状态下的第1变形IC电流测定用装置500的剖面图。
第1变形IC电流测定用装置500是从IC电流测定用装置100变形而得到的，布线层120变形为布线层520，部件内置层110变形为部件内置层510，布线层130变形为布线层530，从而引出端子的对之中的外周侧的引出端子成为接地电位。
布线层520是将布线层120的一部分布线路径变形而得到的，成对的引出端子之中的外周侧的端子变形为与第1接地平面140连接。
在图5所示的剖面上，引出端子126与第1接地平面140连接，引出端子129与第1接地平面140连接。
部件内置层510是将部件内置层110的一部分变形而得到的，从部件内置层110中去除了用来将电阻元件的基板102侧的一端与引出端子电连接的通孔。
在图5所示的剖面上，从部件内置层110中去除了通孔112(参照图1)和通孔116(参照图1)。
布线层530是将布线层130的一部分布线路径变形而得到的，从布线层130中去除了用来将电阻元件的基板102侧的一端与引出端子电连接的布线路径。
在图5所示的剖面上，从布线层130中去除了将通孔112(参照图1)的下端与电阻元件113(参照图1)的下端连接的布线，以及将通孔116(参照图1)的下端与电阻元件115(参照图1)的下端连接的布线。
采用该第1变形IC电流测定用装置500，对流过IC101的电源端子的电流进行测定的电流测定者，对与成为测定对象的IC101的电源端子对应的电阻元件的上端与接地平面140之间的电位差使用例如能够测定2端子间的电压的差动探测器，能够测定与该电阻元件对应的成对的测定用电源端子间的电位。
接地平面140的电位是与基板102的接地电位相同的电位，电阻元件的下端的电位是与基板102的电源电位相同的电位，因此从内插的电阻的上端与接地平面140之间的电位差中减去电源电位与接地电位之间的电位差，从而能够求出电阻元件的上端与下端之间的电位差。
因此，对流过IC101的电源端子的电流进行测定的电流测定者，能够对流过成为测定对象的IC101的电源端子的电流进行测定。
根据上述的第1变形IC电流测定用装置500，与实施方式1的IC电流测定用装置100相比，能够减少内插的通孔的数量。
<实施方式3>
以下，作为本发明IC电流测定用装置的一实施方式，说明将实施方式2的第1变形IC电流测定用装置500的一部分变形而得到的实施方式3的第2变形IC电流测定用装置。
第1变形IC电流测定用装置500中，引出端子的对之中的外周侧的引出端子是用来测定接地电位的引出端子，而第2变形电流测定用装置中，代替用来测定接地电位的引出端子，而变形为在IC101侧的主表面上配置用来测定接地电位的直线状的电极。
以下，对于本实施方式3的第2变形IC电流测定用装置的构成，以与实施方式2的第1变形IC电流测定用装置的不同点为中心，参照附图进行说明。
图6是从上方观察第2变形IC电流测定用装置600的俯视图。
第2变形IC电流测定用装置600是从第1变形IC电流测定用装置500变形而得到的，去除了所有用来测定接地电位的引出端子，取而代之，追加了用来测定接地电位的第1电极610、用来测定接地电位的第2电极620、用来测定接地电位的第3电极630和用来测定接地电位的第4电极。
第1电极610是经由接触孔611～接触孔615与接地平面140连接的直线状的电极，第2电极620是经由接触孔621～接触孔625与接地平面140连接的直线状的电极，第3电极630是经由接触孔631～接触孔635与接地平面140连接的直线状的电极，第4电极640是经由接触孔641～接触孔645与接地平面140连接的直线状的电极。
根据上述的第2变形IC电流测定用装置600，与第1变形IC电流测定用装置500相比，由于用来测定接地电位的电极成为直线状，因此放置外部的测定装置的探测器等的位置的自由度提高。
<实施方式4>
以下，作为本发明IC电流测定用装置的一实施方式，说明将实施方式1的IC电流测定用装置100的一部分变形而得到的实施方式4的第3变形IC电流测定用装置。
IC电流测定用装置100中，引出端子的对用来对指定的电阻元件的上端的电位和该电阻元件的下端的电位之间的差进行测定，而第4变形IC电流测定用装置中，所有的电阻元件的下端互相通过布线而连接从而成为相同电位，引出端子的对用来对指定的电阻元件的上端的电位和所有的电阻元件共通的下端的电位之间的差进行测定。
以下，对于本实施方式4的第3变形IC电流测定用装置的构成，以与实施方式1的IC电流测定用装置100之间的不同点为中心，参照附图进行说明。
图7是安装在IC101与基板102之间的状态下的第3变形IC电流测定用装置700的剖面图。
第3变形IC电流测定用装置700是从IC电流测定用装置100变形而得到的，布线层120变形为布线层720，部件内置层110变形为部件内置层710，布线层130变形为布线层730，引出端子的对之中的外周侧的引出端子成为电阻元件共通的下端的电位。
布线层730是将布线层130的一部分布线路径变形而得到的，基板侧端子之中的电源端子全部相互连接。
在图7所示的剖面上，作为电源端子的基板侧端子132与作为电源端子的基板侧端子134经由布线703连接。
部件内置层710是将部件内置层110的一部分变形而得到的，从部件内置层110中，将用来电连接电阻元件的基板102侧的一端与引出端子的通孔除了1个之外全部去除。
在图7所示的剖面上，去除了通孔116(参照图1)。
布线层720是将布线层120的一部分布线路径变形而得到的，成对的引出端子之中的外周侧的端子全部连接到与电阻元件的基板102侧的一端连接的通孔的上端。
在图7所示的剖面上，引出端子126与通孔112的上端经由布线路径701而连接，引出端子129与通孔112的上端经由布线路径702而连接。
根据上述的第3变形IC电流测定用装置700，与实施方式1的IC电流测定用装置100相比，能够减少内插的通孔的数量。
<实施方式5>
以下，作为本发明IC电流测定用装置的一实施方式，说明将实施方式1的IC电流测定用装置100的一部分变形而得到的实施方式5的第4变形IC电流测定用装置。
第4变形IC电流测定用装置相对于IC电流测定用装置100，在引出端子与电阻元件的上端之间的布线路径上、以及引出端子与电阻元件的下端之间的布线路径上，分别插入反射抑制用电阻元件。
该反射抑制用电阻元件用来抑制作为测定对象的电流所含的交流成分在引出端子反射从而产生的反射波。
以下，对于本实施方式5的第4变形IC电流测定用装置的构成，以与实施方式1的IC电流测定用装置100之间的不同点为中心，参照附图进行说明。
图8是安装在IC101与基板102之间的状态下的第4变形IC电流测定用装置800的剖面图。
第4变形IC电流测定用装置800是从IC电流测定用装置100变形而得到的，布线层120变形为布线层820，部件内置层110变形为部件内置层810，布线层130变形为布线层830，从而相对于IC电流测定用装置100，在引出端子与电阻元件的上端之间的布线路径上、以及引出端子与电阻元件的下端之间的布线路径上，分别插入反射抑制用电阻元件。
部件内置层810是将部件内置层110的一部分变形而得到的，追加了电阻元件的上端与引出端子之间的布线路径上的反射抑制用电阻元件、以及电阻元件的下端与引出端子之间的布线路径上的反射抑制用电阻元件，且部分通孔的位置发生了移动。
在图8所示的剖面上，追加了反射抑制用电阻元件821～反射抑制用电阻元件824，通孔112(参照图1)移动到通孔811，通孔116(参照图1)移动到通孔812。
反射抑制用电阻元件821～反射抑制用电阻元件824分别是例如电阻值为100Ω、尺寸为0.6mm×0.3mm×0.3mm的片电阻，在市面上较便宜，能够容易地得到。
布线层830是将布线层130的一部分变形而得到的，在电阻元件的上端和引出端子之间的布线路径上追加了反射抑制用电阻元件，在电阻元件下端和引出端子之间的布线路径上追加了反射抑制用电阻元件，以及，将部分通孔的位置进行了移动，从而布线路径的一部分变形。
在图8所示的剖面上，对布线路径171追加了将电阻元件113的下端与反射抑制用电阻元件821的下端连接的路径，对布线路径172追加了将电阻元件115的下端与反射抑制用电阻元件823的下端连接的路径，并追加了将反射抑制用电阻元件822的下端与通孔811的下端连接的布线路径871，追加了将反射抑制用电阻元件824的下端与通孔812的下端连接的布线路径872，去除了将电阻元件113的下端和通孔112(参照图1)的下端连接的布线路径，去除了将电阻元件115的下端和通孔116(参照图1)的下端连接的布线路径。
布线层820是将布线层120的一部分变形而得到的，在电阻元件的上端和引出端子之间的布线路径上追加了反射抑制用电阻元件，在电阻元件下端和引出端子之间的布线路径上追加了反射抑制用电阻元件，以及将部分通孔的位置进行了移动，从而这些布线路径的一部分变形。
在图8所示的剖面上，对布线路径162追加了将电阻元件113的上端和反射抑制用电阻元件822的上端连接的路径，并追加了将通孔811的上端和引出端子126连接的布线路径861，追加了将反射抑制用电阻元件821的上端和引出端子127连接的布线路径862，对布线路径163追加了将电阻元件115的上端和反射抑制用电阻元件824的上端连接的路径，并追加了将通孔812的上端和引出端子129连接的布线路径864，追加了将反射抑制用电阻元件823的上端和引出端子128连接的布线路径863，去除了布线路径162(参照图1)之中向引出端子127的路径，去除了通孔112(参照图1)的上端和引出端子126之间的布线路径161(参照图1)，去除了布线路径163(参照图1)之中向引出端子128的路径，去除了通孔116(参照图1)的上端和引出端子129之间的布线路径164(参照图1)。
根据上述的第4变形IC电流测定用装置800，与实施方式1的IC电流测定用装置100相比，能够抑制测定对象的电流所含的交流成分在引出端子反射从而产生的反射波。
<实施方式6>
以下，作为本发明IC电流测定用装置的一实施方式，说明将实施方式1的IC电流测定用装置100的一部分变形而得到的实施方式6的第5变形IC电流测定用装置。
IC电流测定用装置100通过对流过测定对象的端子的电流的电流路径上的电阻元件的上端与下端之间的电位差进行测定，来测定流过该电流路径的电流，而第5变形IC电流测定用装置不在电流路径上插入电阻元件，而是在电流路径的附近，形成用来接收因流过电流路径的电流的变动而产生的电磁波的电磁波接收元件，通过测定该电磁波接收元件的两端的电位，来测定流过该电流路径的电流。
以下，对于本实施方式6的第5变形IC电流测定用装置的构成，以与实施方式1的IC电流测定用装置100之间的不同点为中心，参照附图进行说明。
图9是安装在IC101与基板102之间的状态下的第5变形IC电流测定用装置900的剖面图。
第5变形IC电流测定用装置900是从IC电流测定用装置100变形而得到的，布线层120变形为布线层920，部件内置层110变形为部件内置层910，布线层130变形为布线层930，从而IC侧端子之中的各个电源端子与对应的基板侧端子之中的各个电源端子不经电阻元件连接，并且，变形为，引出端子的对用来测定在测定对象的电流路径附近形成的线圈的两端的电位差。
部件内置层910是将部件内置层110的一部分变形而得到的，从部件内置层110中，将电阻元件替换为通孔，并去除了用来将电阻元件的下端和引出端子连接的通孔，在测定对象的电流路径的通孔附近形成了电磁波接收元件。
图10是表示在电流路径的附近形成的电磁波接收元件的结构的立体图。
电流路径1000是由通孔和接触孔等形成的成为测定对象的电流的电流路径。
如该图所示，由通孔1001～通孔1006、在布线层920的背面形成的布线1012、布线1013、以及在布线层930的表面形成的布线1021～布线1023，来形成作为电磁波接收元件的线圈。
例如，通孔1002与电流路径1000之间的距离为0.3mm，例如，通孔1004与电流路径1000之间的距离为0.3mm，例如，通孔1006与电流路径1000之间的距离为0.3mm，例如，通孔1001与电流路径1000之间的距离为0.6mm，例如，通孔1003与电流路径1000之间的距离为0.6mm，例如，通孔1005与电流路径1000之间的距离为0.6mm。
该线圈根据因流过电流路径1000的电流变化而发生的磁场1010的变动，在其两端产生电位差。
以下，再次回到图9继续说明部件内置层910。
在图9所示的剖面上，追加电磁波接收元件901和电磁波接收元件902，电阻元件113(参照图1)变更为通孔923，电阻元件115(参照图1)变更为通孔925，将通孔112(参照图1)和通孔116(参照图1)去除。
布线层920是将布线层120的部分布线路径变形而得到的，将引出端子变形为与电磁波接收元件的端子连接。
在图9所示的剖面上，追加了电磁波接收元件901的一个端子与引出端子126之间的布线路径911，追加了电磁波接收元件901的另一个端子与引出端子127之间的布线路径912，追加了电磁波接收元件902的一个端子与引出端子128之间的布线路径914，追加了电磁波接收元件902的另一个端子与引出端子129之间的布线路径913，去除了将引出端子126与通孔112(参照图1)的上端连接的布线路径161(参照图1)，去除了布线路径162(参照图1)之中的向引出端子127的路径，去除了将引出端子129与通孔116(参照图1)的上端连接的布线路径164(参照图1)，去除了布线路径163(参照图1)之中的向引出端子129的路径。
布线层930是将布线层130的部分布线路径变形而得到的，随着电阻元件的下端与引出端子之间的布线路径的去除而将部分布线路径去除。
在图9所示的剖面上，去除了布线路径171(参照图1)之中的向通孔112(参照图1)的下端的路径，去除了布线路径172(参照图1)之中的向通孔116(参照图1)的下端的路径。
根据上述的第5变形IC电流测定用装置，通过测定在物理上与作为测定对象的电流的电流路径非接触的电磁波接收元件所产生的电位差，从而能够测定电流。
<实施方式7>
以下，作为本发明IC电流测定用装置的一实施方式，说明将实施方式1的IC电流测定用装置100的一部分变形而得到的实施方式7的第6变形IC电流测定用装置。
第6变形IC电流测定用装置与实施方式5的第4变形IC电流测定用装置800同样地，对于IC电流测定用装置100，分别在引出端子与电阻元件的上端之间的布线路径上、以及引出端子与电阻元件的下端之间的布线路径上，插入了反射抑制用电阻元件。
实施方式5的第4变形IC电流测定用装置800是将反射抑制用电阻元件利用在部件内置层810(参照图8)中包含的电阻元件来实现的情况的例子，而本实施方式7的第6变形IC电流测定用装置是将反射抑制用电阻元件利用在布线层内形成的形成电阻来实现的情况的例子。
以下，对于本实施方式7的第6变形IC电流测定用装置的构成，以与实施方式1的IC电流测定用装置100之间的不同点为中心，参照附图进行说明。
图12是安装在IC101与基板102之间的状态下的第6变形IC电流测定用装置1200的剖面图。
第6变形IC电流测定用装置1200是从IC电流测定用装置100变形而得到的，布线层120变形为布线层320，部件内置层110变形为部件内置层310，布线层130变形为布线层330，从而对于IC电流测定用装置100，分别在引出端子与电阻元件的上端之间的布线路径上、以及引出端子与电阻元件的下端之间的布线路径上，插入了反射抑制用电阻元件。
部件内置层310是将部件内置层110的部分通孔的位置移动而变形来的。
在图12所示的剖面上，通孔112(参照图1)移动到通孔1212，通孔116(参照图1)移动到通孔1216。
布线层320是将布线层120的一部分变形而得到的，在电阻元件的上端与引出端子之间的布线路径上追加了反射抑制用电阻元件，且部分通孔的位置进行了移动，随之布线路径的一部分得到变形。
在图12所示的剖面上，在将电阻元件113的上端与引出端子127连接的布线路径上追加了反射抑制用电阻元件1230，在将电阻元件115的上端与引出端子128连接的布线路径上追加了反射抑制用电阻元件1210。
反射抑制用电阻元件1210与反射抑制用电阻元件1230分别是例如将铜布线用激光微调法进行微调而形成的形成电阻，电阻值例如为100Ω。
布线层330是将布线层130的一部分变形而得到的，在电阻元件的下端与引出端子之间的布线路径上追加了反射抑制用电阻元件，并将部分通孔的位置进行了移动，随之布线路径的一部分得到变形。
在图12所示的剖面上，在将电阻元件113的上端与引出端子127连接的布线路径上追加了反射抑制用电阻元件1230，在将电阻元件115的上端与引出端子129连接的布线路径上追加了反射抑制用电阻元件1210。
反射抑制用电阻元件1210与反射抑制用电阻元件1230分别是将例如铜布线用激光微调法进行微调而形成的形成电阻，电阻值例如为100Ω。
根据上述的第6变形IC电流测定用装置1200，即使在部件内置层310中不具备部件反射抑制用电阻元件，也与实施方式5的第4变形IC电流测定用装置800同样地，与实施方式1的IC电流测定用装置100相比，能够抑制作为测定对象的电流所含的交流成分在引出端子反射而产生的反射波。
<实施方式8>
以下，作为本发明IC电流测定用装置的一实施方式，说明在实施方式1的IC电流测定用装置100(参照图1)的基板102侧主表面上安装的加高(嵩上げ)基板。
该加高基板的主表面是与IC101的主表面大致相同的矩形，即是宽度与高度分别与IC101的主表面的宽度与高度大致相同的矩形，具有厚度例如约2mm的大致长方体的外观，以安装在IC电流测定用装置100的基板102侧主表面的状态与基板102连接而使用。由此，在IC电流测定用装置100与基板102之间形成例如约2mm的间隙。
图13是安装在IC电流测定用装置100的基板102侧主表面、且与基板102进行了连接的状态下的加高基板1300的剖面图。
加高基板1300，在图13所示的剖面上，在IC电流测定用装置100侧的主表面具备表面侧端子395～表面侧端子399，在基板102侧的主表面具备背面侧端子385～背面侧端子389。
若还包括图13未图示的，则加高基板1300在IC电流测定用装置100侧的主表面具备25个表面侧端子，在基板102侧的主表面具备25个基板侧端子。
25个表面侧端子分别与对应的各个基板侧端子例如利用铜制的接触孔而电连接。
在图13所示的剖面中，表面侧端子395～表面侧端子399分别经由焊料195～焊料199与对应的基板侧端子131～基板侧端子135连接，背面侧端子385～背面侧端子389分别经由焊料375～焊料379与对应的基板端子185～基板端子189连接。
图13未图示的表面侧端子也分别经由焊料与对应的基板侧端子连接，图13未图示的背面侧端子也分别经由焊料与对应的基板端子连接。
根据上述的加高基板1300，以安装在IC电流测定用装置100的基板102侧主表面的状态与基板102连接，从而在IC电流测定用装置100与基板102之间形成间隙。由此，即使在由于存在配置于基板102的主表面上的电子部件而无法将IC电流测定用装置100直接与基板102连接的情况下，也能够通过在IC电流测定用装置100与基板102之间安装加高基板1300，从而经由加高基板1300使IC电流测定用装置100与基板102连接。
<补充>
以上，作为本发明的IC电流测定用装置的一实施方式，作为实施方式1～实施方式6，根据6个IC电流测定用装置的例子进行了说明，但也可以按如下那样进行变形，本发明当然不限于上述实施方式所示的IC电流测定用装置。
(1)实施方式1中，说明了IC电流测定用装置100用来对流过由BGA封装而封装的具备5×5共计25个端子的IC101的端子的电流进行测定，但测定对象的IC不一定限于由BGA封装而封装，例如也可以由所谓QFP(Quad Flat Pakage)的除BGA封装以外的方法进行封装，此外，不一定限于具备5×5共计25个端子的IC，例如也可以是具备20×10共计100个端子的IC。
(2)实施方式1中，说明了IC电流测定用装置100对流过IC101的电源端子的每个端子的电流进行测定，但测定对象的端子不一定限于电源端子，例如，也可以是接地端子、数字信号输出端子、数字信号输入端子、模拟信号输入端子、模拟信号输出等电源端子以外的端子。
(3)实施方式1中，说明了部件内置层110所含的电阻元件的电阻值为1Ω、尺寸为0.6mm×0.3mm×0.3mm的片电阻，但电阻元件的电阻值不一定限于1Ω，尺寸也不一定限于0.6mm×0.3mm×0.3mm，也不一定限于片电阻。
作为电阻元件，可以考虑市面上的0.4mm×0.2mm×0.2mm尺寸的例如4Ω的片电阻，例如镍铬合金(nichrome)线等电阻值高的金属布线等。
(4)实施方式1中，说明了部件内置层110所含的电阻元件将部件内置层110的IC101侧的主表面与基板102侧的主表面贯通，但只要配置在测定对象的端子的布线路径上，则电阻元件不必将IC101侧的主表面与基板102侧的主表面贯通。
图11是将IC电流测定用装置100的一部分变形、部件布线层所含的电阻元件配置在相对于将对应的IC侧端子与对应的基板侧端子连结起来的线段成直角的朝向的第6变形IC电流测定用装置1 100的剖面图。
该图中，电阻元件11配置在相对于将IC侧端子122与基板侧端子132连结起来的线段成直角的朝向，电阻元件17配置在相对于将IC侧端子124与基板侧端子134连结起来的线段成直角的朝向。
IC侧端子122与基板侧端子132经由布线路径61、通孔13、布线路径71、电阻元件11和布线路径171而连接，IC侧端子124与基板侧端子134经由布线路径63、通孔15、布线路径72、电阻元件17和布线路径172而连接。
(5)实施方式1中，说明了IC电流测定用装置100通过焊料与IC101连接，但只要IC侧端子的每一个分别与对应的IC101的端子电连接，则不一定限于通过焊料连接。
例如，可以考虑将IC侧端子的每一个经由分别与对应的IC101端子电连接的插座而连接的例子等。
同样，实施方式1中，说明了IC电流测定用装置100通过焊料与基板102连接，但只要基板侧端子的每一个分别与对应的基板102的端子电连接，则不一定限于通过焊料连接。
例如，可以考虑将基板侧端子的每一个经由分别与对应的基板102端子电连接的插座而连接的例子等。
(6)实施方式5中，说明了部件内置层810所含的反射抑制用电阻元件的电阻值是100Ω，但只要是在引出端子为开放端的情况下能够抑制来自引出端子的反射波的电阻值、或者是在有外部测定设备与引出端子连接的状态下能够抑制来自测定端子的反射波或来自外部设备的反射波的电阻值，则反射抑制用电阻元件的电阻值不一定限于100Ω。
作为电阻元件，可以考虑市面上的尺寸为0.4mm×0.2mm×0.2mm的片电阻，例如镍铬合金线等电阻值高的金属布线等。
(7)实施方式5中，说明了部件内置层810所含的反射抑制用电阻元件是尺寸为0.6mm×0.3mm×0.3mm的片电阻，但反射抑制用电阻元件的尺寸不一定限于0.6mm×0.3mm×0.3mm，也不一定限于片电阻。
(8)实施方式6中，说明了电磁波接收元件是线圈的例子，但只要是例如在作为测定对象的电流路径的附近(例如0.3mm)与该电流路径平行地配置的金属(例如铜)布线这样的、在与作为测定对象的电流路径之间具有互感从而与流过作为测定对象的电流路径的电流的变化所引起的磁场变动相应地产生可测定的电位差，则不一定限于线圈。
(9)实施方式7中，说明了布线层内所含的反射抑制用电阻元件是将铜布线用激光微调法进行微调从而形成的形成电阻，但只要是将布线进行加工而形成的电阻，则不一定限于将铜布线用激光微调法进行微调而形成的形成电阻，例如也可以是进行了将铜布线替换为钨等高电阻金属的加工而形成的形成电阻。
(10)以下，进一步说明本发明一实施方式的IC电流测定用装置的构成以及其变形例和各效果。
(a)本发明一实施方式的IC电流测定用装置是用于测定流过IC的端子的电流的安装在该IC与基板之间的IC电流测定用装置，其特征在于，具备：用来分别与上述IC的多个端子进行连接的多个IC侧端子；用来分别与上述基板的多个端子进行连接的、分别与对应的IC侧端子电连接的多个基板侧端子；根据在IC侧第1端子与对应于该IC侧第1端子的基板侧端子之间流过的电流而产生电位差的第1元件；根据在IC侧第2端子与对应于该IC侧第2端子的基板侧端子之间流过的电流而产生电位差的第2元件；用于将上述第1元件产生的电位差输出到外部的第1引出端子；以及用于将上述第2元件输出的电位差输出到外部的第2引出端子。
具备上述的构成的IC电流测定用装置，通过利用第1引出端子来测定第1元件产生的电位差，能够测定在IC侧第1端子与对应于该IC侧第1端子的基板侧端子之间流过的电流，通过利用第2引出端子来测定第2元件产生的电位差，能够测定在IC侧第2端子与对应于该IC侧第2端子的基板侧端子之间流过的电流。
因此，具有能够相互独立地测定流过IC侧第1端子的电流与流过IC侧第2端子的电流的效果。
图14是上述的变形例的IC电流测定用装置1400的剖面图。
该IC电流用测定装置1400，在图14所示的剖面上，在IC侧的主表面具备IC侧端子1421～IC侧端子1425、第1引出端子1401和第2引出端子1402，在基板侧的主表面具备基板侧端子1431～基板侧端子1435，在内部具备第1元件1413和第2元件1415。
IC侧端子1421～IC侧端子1425是用来分别与IC的多个端子进行连接的端子。作为IC侧端子1421～IC侧端子1425的各自的一例，实现为实施方式1(参照图1)中的IC侧端子121～IC侧端子125。
基板侧端子1431～基板侧端子1435是用来分别与基板的多个端子进行连接的端子，分别与对应的IC侧端子1421～IC侧端子1425电连接。作为基板侧端子1431～基板侧端子1435各自的一例，实现为实施方式1(参照图1)中的基板侧端子131～基板侧端子135。
第1元件1413是根据在IC侧端子1422与基板侧端子1432之间流过的电流而产生电位差的元件，作为一例，实现为实施方式1(参照图1)中的电阻元件113。
第2元件1415是根据在IC侧端子1424与基板侧端子1434之间流过的电流而产生电位差的元件，作为一例，实现为实施方式1(参照图1)中的电阻元件115。
第1引出端子1401是用来将第1元件1413产生的电位差输出到外部的端子，作为一例，实现为实施方式1(参照图1)中的引出端子127。
第2引出端子1402是用来将第2元件1415产生的电位差输出到外部的端子，作为一例，实现为实施方式1(参照图1)中的引出端子128。
(b)此外，也可以是，上述第1元件是连接在上述IC侧第1端子与对应于该IC侧第1端子的基板侧端子之间的电阻元件，上述第2元件是连接在上述IC侧第2端子与对应于该IC侧第2端子的基板侧端子之间的电阻元件，上述第1引出端子与上述第1元件的IC侧端子侧的一端连接，上述第2引出端子与上述第2元件的IC侧端子侧的一端连接。
通过采用这样的构成，具有能够使第1元件和第2元件为比较廉价而容易得到的电阻元件的效果。
(c)此外，也可以是，上述IC电流测定用装置，具有第1主表面和平行于该第1主表面的第2主表面，具备经由内部布线而与上述第1元件的基板侧端子侧的一端进行连接的第3引出端子，和经由内部布线而与上述第2元件的基板侧端子侧的一端进行连接的第4引出端子，上述多个IC侧端子配置在上述第1主表面，上述多个基板侧端子配置在上述第2主表面的与对应的IC侧端子对置的位置，上述第1元件配置在上述IC侧第1端子与对应于该IC侧第1端子的基板侧端子之间，上述第2元件配置在上述IC侧第2端子与对应于该IC侧第2端子的基板侧端子之间，上述第1引出端子经由内部布线而与上述第1元件的IC侧端子侧的一端进行连接，上述第2引出端子经由内部布线而与上述第2元件的IC侧端子侧的一端进行连接。
通过采用这样的构成，IC侧第1端子与对应于该IC侧第1端子的基板侧端子之间的电流路径成为将IC侧第1端子与基板侧第1端子连结起来的最短路径，IC侧第2端子与对应于该IC侧第2端子的基板侧端子之间的电流路径成为将IC侧第2端子与基板侧第2端子连结起来的最短路径。
因此，抑制了电流测定对象的电流路径的寄生电阻的增加和寄生电感的增加，从而具有降低对高频电流的影响而能够使系统动作稳定的效果。
(d)此外，也可以是，将上述第1引出端子、上述第2引出端子、上述第3引出端子以及上述第4引出端子配置在上述第1主表面之中的、在对上述IC进行安装时不会被该IC覆盖的位置。
通过采用这样的构成，由于第1引出端子、第2引出端子、第3引出端子和第4引出端子被配置在容易通过目视而识别的位置，因此具有利用测定器对这些端子的电位进行测定的测定者能够容易地使这些端子与测定器的探测器接触的效果。
(e)此外，也可以是，具备作为电阻元件的第3元件和作为电阻元件的第4元件，上述第1引出端子经由上述第3元件和内部布线而与上述第1元件的IC侧端子侧的一端进行连接，上述第2引出端子经由上述第4元件和内部布线而与上述第2元件的IC侧端子侧的一端进行连接。
通过采用这样的构成，具有抑制流过第1元件的电流的交流成分的一部分在第1引出端子反射而产生的反射波的效果，以及抑制流过第2元件的电流的交流成分的一部分在第2引出端子反射而产生的反射波的效果。
(f)此外，也可以是，上述第3元件与上述第4元件分别是对布线进行加工而形成的形成电阻元件。
通过采用这样的构成，具有能够将第3元件与第4元件形成在形成有布线的布线层区域的效果。
(g)此外，也可以是，上述IC电流测定用装置具有主表面，并具备用来与上述基板的接地布线进行连接的基板侧接地端子，以及与上述基板侧接地端子电连接的1个以上的IC侧接地端子，上述IC侧接地端子之中的至少1个、上述多个IC侧端子、上述第1引出端子以及上述第2引出端子被配置在上述主表面，上述IC侧接地端子之中的至少1个与上述第1引出端子之间的距离为1.5mm以下，上述IC侧接地端子之中的至少1个与上述第2引出端子之间的距离为1.5mm以下。
通过采用这样的构成，第1引出端子与接地端子之中的至少1个相互为1.5mm以下，因此，利用市面上的差动探测器、频谱分析器的探测器等，能够比较容易地测定第1引出端子的电位与接地电位之间的电位差。
同样，第2引出端子与接地端子之中的至少1个相互为1.5mm以下，因此，利用市面上的差动探测器、频谱分析器的探测器等，能够比较容易地测定第1引出端子的电位与接地电位之间的电位差。
(h)此外，也可以是，上述IC侧第1端子是用来与上述IC的第1电源端子进行连接的端子，上述IC侧第2端子是用来与上述IC的第2电源端子进行连接的端子，并具备与上述第1元件的基板侧端子侧的一端及上述第2元件的基板侧端子侧的一端电连接的第3引出端子。
通过采用这样的构成，第3引出端子兼用作用来测定第1元件的基板侧端子侧的一端的电位的端子以及用来测定第2元件的基板侧端子侧的一端的电位的端子，因此，与不兼用这些端子而设置互不相同的2个端子的构成相比，具有能够减少端子数的效果。
(i)此外，也可以是，上述第1元件是接收由于上述IC侧第1端子与对应于该IC侧第1端子的基板侧端子之间流过的电流而产生的电磁波的电磁波接收元件，上述第2元件是接收由于上述IC侧第2端子与对应于该IC侧第2端子的基板侧端子之间流过的电流而产生的电磁波的电磁波接收元件。
通过采用这样的构成，能够使IC侧第1端子和对应于该IC侧第1端子的基板侧端子、与第1元件之间的电流路径成为相互在物理上非接触的关系，此外，能够使IC侧第2端子和对应于该IC侧第2端子的基板侧端子、与第2元件之间的电流路径成为相互在物理上非接触的关系。
因此，与根据电流而产生电位差的元件在物理上与电流路径接触的构成相比，具有能够抑制由于根据电流而产生电位差的元件与电流路径之间的物理接触而引起的对电流路径的影响的效果。
(j)此外，也可以是，具备第3引出端子与第4引出端子，上述第1元件是在上述第1引出端子与上述第3引出端子之间连接的线圈，且距在上述IC侧第1端子与对应于该IC侧第1端子的基板端子之间的电流路径的距离在用于接收该IC侧第1端子与对应于该IC侧第1端子的基板侧端子之间流过的电流所产生的电磁波的规定距离以下，上述第2元件是在上述第2引出端子与上述第4引出端子之间连接的线圈，且距上述IC侧第2端子与对应于该IC侧第2端子的基板端子之间的电流路径的距离在用来接收该IC侧第2端子与对应于该IC侧第2端子的基板侧端子之间流过的电流所产生的电磁波的规定距离以下。
这里，规定距离是指，在与成为测定对象的电流路径之间具有互感、根据流过成为测定对象的电流路径的电流的变化而产生的磁场变动、产生可测定的电位差的距离。
通过采用这样的构成，第1元件与第2元件能够有效地接收成为测定对象的电流所产生的磁场变动，因此具有能够使IC电流测定用装置小型化的效果。
(k)此外，也可以是，上述第2主表面是矩形。
通过采用这样的构成，具有能够以比较简单的方法来形成第2主表面的效果。
(l)本发明一实施方式的IC电流测定用适配器，被安装在IC电流测定用装置与基板之间，经由该IC电流测定用装置的上述多个基板侧端子的各个端子与上述基板的多个端子的各个端子之间的连接而成，其特征在于，是具有第3主表面与平行于该第3主表面的第4主表面的大致长方体，用来与上述多个基板侧端子分别进行连接的多个第1适配器端子被配置在上述第3主表面，用来与上述基板的多个端子分别进行连接的、与互相对应的上述第1适配器端子连接的多个第2适配器端子被配置在上述第4主表面，上述第3主表面的宽度和高度分别小于上述第2主表面的宽度和高度。
具备上述构成的IC电流测定用适配器通过被安装在IC电流测定用装置与基板之间，在IC电流测定用装置与基板之间形成间隙。由此，即使在由于存在配置在基板的主表面上的电子部件而无法使IC电流测定用装置直接与基板连接的情况下，也能够通过在IC电流测定用装置与基板之间安装IC电流测定用适配器，经由IC电流测定用适配器而使IC电流测定用装置与基板连接。
工业实用性
本发明能够用于对流过IC的端子的电流进行测定。
附图标记说明
100  IC电流测定用装置
101  IC(集成电路)
102  基板
110  部件内置层
111，112，114，116，117  通孔
113，115  电阻元件
120  布线内置层
121～125 IC侧端子
126～129  引出端子
130  布线内置层
131～135  基板侧端子
140  第1接地平面
141  第2接地平面
148，149  旁路电容
158，159  基板内布线路径
161～167，171～175  布线路径
180～184  IC101的端子
185～189  基板102的端子
190～199  焊料

Claims (11)

1.一种集成电路电流测定用装置，其特征在于，用来测定流过集成电路的端子的电流，被安装在该集成电路与基板之间，具备：
多个集成电路侧端子，用来与上述集成电路的多个端子分别连接；
多个基板侧端子，用来与上述基板的多个端子分别连接，并分别与对应的集成电路侧端子电连接；
第1元件，根据在集成电路侧第1端子与对应于该集成电路侧第1端子的基板侧端子之间流过的电流而产生电位差；
第2元件，根据在集成电路侧第2端子与对应于该集成电路侧第2端子的基板侧端子之间流过的电流而产生电位差；
第1引出端子，用来将上述第1元件所产生的电位差向外部输出；以及
第2引出端子，用来将上述第2元件所产生的电位差向外部输出。
2.如权利要求1所述的集成电路电流测定用装置，其特征在于，
上述第1元件是连接在上述集成电路侧第1端子与对应于该集成电路侧第1端子的基板侧端子之间的电阻元件，
上述第2元件是连接在上述集成电路侧第2端子与对应于该集成电路侧第2端子的基板侧端子之间的电阻元件，
上述第1引出端子与上述第1元件的集成电路侧端子侧的一端连接，
上述第2引出端子与上述第2元件的集成电路侧端子侧的一端连接。
3.如权利要求2所述的集成电路电流测定用装置，其特征在于，
上述集成电路电流测定用装置具有第1主表面和平行于该第1主表面的第2主表面，
上述集成电路电流测定用装置具备：
第3引出端子，经由内部布线而与上述第1元件的基板侧端子侧的一端连接；以及
第4引出端子，经由内部布线而与上述第2元件的基板侧端子侧的一端连接；
上述多个集成电路侧端子配置在上述第1主表面，
上述多个基板侧端子配置在上述第2主表面的与对应的集成电路侧端子对置的位置，
上述第1元件配置在上述集成电路侧第1端子与对应于该集成电路侧第1端子的基板侧端子之间，
上述第2元件配置在上述集成电路侧第2端子与对应于该集成电路侧第2端子的基板侧端子之间，
上述第1引出端子经由内部布线而与上述第1元件的集成电路侧端子侧的一端连接，
上述第2引出端子经由内部布线而与上述第2元件的集成电路侧端子侧的一端连接。
4.如权利要求3所述的集成电路电流测定用装置，其特征在于，
上述第1引出端子、上述第2引出端子、上述第3引出端子和上述第4引出端子配置在上述第1主表面的、在对上述集成电路进行安装的情况下不被该集成电路覆盖的位置。
5.如权利要求2所述的集成电路电流测定用装置，其特征在于，具备：
第3元件，为电阻元件；以及
第4元件，为电阻元件；
上述第1引出端子经由上述第3元件及内部布线而与上述第1元件的集成电路侧端子侧的一端连接，
上述第2引出端子经由上述第4元件及内部布线而与上述第2元件的集成电路侧端子侧的一端连接。
6.如权利要求5所述的集成电路电流测定用装置，其特征在于，
上述第3元件和上述第4元件分别是通过对布线进行加工而形成的形成电阻元件。
7.如权利要求2所述的集成电路电流测定用装置，其特征在于，
上述集成电路电流测定用装置具有主表面，
上述集成电路电流测定用装置具备：
基板侧接地端子，用来与上述基板的接地布线连接；以及
1个以上的集成电路侧接地端子，与上述基板侧接地端子电连接；
上述集成电路侧接地端子中的至少1个、上述多个集成电路侧端子、上述第1引出端子以及上述第2引出端子被配置在上述主表面，
上述集成电路侧接地端子中的至少1个与上述第1引出端子之间的距离为1.5mm以下，
上述集成电路侧接地端子中的至少1个与上述第2引出端子之间的距离为1.5mm以下。
8.如权利要求2所述的集成电路电流测定用装置，其特征在于，
上述集成电路侧第1端子是用来与上述集成电路的多个端子中的第1电源端子连接的端子，
上述集成电路侧第2端子是用来与上述集成电路的多个端子中的第2电源端子连接的端子，
上述集成电路电流测定用装置具备第3引出端子，该第3引出端子与上述第1元件的基板侧端子侧的一端及上述第2元件的基板侧端子侧的一端电连接。
9.如权利要求1所述的集成电路电流测定用装置，其特征在于，
上述第1元件是电磁波接收元件，接收在上述集成电路侧第1端子与对应于该集成电路侧第1端子的基板侧端子之间流过的电流所产生的电磁波，
上述第2元件是电磁波接收元件，接收在上述集成电路侧第2端子与对应于该集成电路侧第2端子的基板侧端子之间流过的电流所产生的电磁波。
10.如权利要求8所述的集成电路电流测定用装置，其特征在于，具备：
第3引出端子；以及
第4引出端子；
上述第1元件是连接在上述第1引出端子与上述第3引出端子之间的线圈，且距离上述集成电路侧第1端子与对应于该集成电路侧第1端子的基板端子之间的电流路径的距离为：用于接收在该集成电路侧第1端子与对应于该集成电路侧第1端子的基板侧端子之间流过的电流所产生的电磁波的规定距离以下，
上述第2元件是连接在上述第2引出端子与上述第4引出端子之间的线圈，且距离上述集成电路侧第2端子与对应于该集成电路侧第2端子的基板端子之间的电流路径的距离为：用于接收在该集成电路侧第2端子与对应于该集成电路侧第2端子的基板侧端子之间流过的电流所产生的电磁波的规定距离以下。
11.如权利要求3所述的集成电路电流测定用装置，其特征在于，
上述第2主表面是矩形。
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