CN103649762A - 电流传感器用基板以及电流传感器 - Google Patents

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Abstract

在具备具有U字型的电流路径的一次导体的电流传感器中降低制造成本。电流传感器(200)具备：一次导体(210)，其具有U字型的电流路径(210A)；支承部(220A)，其用于支承磁电变换元件(230A)；以及引线端子(220B)，其与支承部(210A)相连接，其中，电流路径(210A)形成为俯视观察时不与支承部(220A)重叠且侧视观察时高度与支承部(220A)不同。

Description

电流传感器用基板以及电流传感器
技术领域
本发明涉及一种电流传感器用基板以及电流传感器，更详细地说，涉及一种具备了具有U字形的电流路径的一次导体的电流传感器用基板以及电流传感器。
背景技术
以往，作为测量流过导体的电流的电流传感器，已知一种对由于流过测量电流而在周围产生的磁通量进行检测的方法。例如，存在在流过测量电流的一次导体附近配置磁电变换元件的方法。
图1(与专利文献1的图7对应)示出以往的电流传感器的一例。在导电性夹具204形成U字形的电流导体部204a，将霍尔元件208配置于该U字形的内侧。U字形内侧的中心附近磁通量密度高，因此测量灵敏度提高。
专利文献1：国际公开第2006/130393号小册子
发明内容
发明要解决的问题
然而，关于图1所述的电流传感器，需要分开设置导电性夹具204而与引线端子202a～202d进行结合等，制造上费工夫，会招致成本增加。
本发明是鉴于这种问题点而完成的，其第一目的在于，在具备具有U字形的电流路径的一次导体的电流传感器中降低制造成本。另外，第二目的在于提供一种该电流传感器用的基板。
用于解决问题的方案
为了达到这种目的，本发明的第一方式是一种电流传感器用基板，其特征在于，具备：一次导体，其具有U字形的电流路径；支承部，其用于支承磁电变换元件；以及引线端子，其与上述支承部相连接，其中，上述电流路径俯视观察时不与上述支承部重叠且侧视观察时高度与上述支承部不同。
另外，本发明的第二方式的特征在于，在第一方式中，也可以上述引线端子经由台阶与上述支承部相连接。
另外，本发明的第三方式的特征在于，在第一或第二方式中，也可以上述支承部具有缺口部，上述电流路径被配置为俯视观察时在上述缺口部内。
另外，本发明的第四方式的特征在于，在第一至第三方式中，也可以上述一次导体具有与上述电流路径相连接的台阶部。
本发明的第五方式的特征在于，在第一至第四方式中的任一方式中，也可以还具备被配置成俯视观察时与上述U字形的电流路径重叠的磁性体材料。
本发明的第六方式的特征在于，在第一至第五方式中的任一方式中，也可以还具备被配置成夹持上述U字形的电流路径的磁性体材料。
另外，本发明的第七方式也可以是一种电流传感器，具备：第一至第四方式中的任一方式的电流传感器用基板；以及IC芯片，其具有磁电变换元件，该磁电变换元件被配置于上述电流传感器用基板的上述支承部，对由流过上述电流传感器用基板的上述电流路径的电流产生的磁通量进行检测。
另外，本发明的第八方式的特征在于，在第七方式中，也可以上述磁电变换元件被配置为俯视观察时在上述U字形的电流路径的上述U字形的内侧。
本发明的第九方式也可以是一种电流传感器，具备：第五或者第六方式的电流传感器用基板；以及IC芯片，其具有磁电变换元件，该磁电变换元件被配置于上述电流传感器用基板的上述支承部，对由流过上述电流传感器用基板的上述电流路径的电流产生的磁通量进行检测，上述磁电变换元件被配置为俯视观察时在上述U字形的电流路径的上述U字形的内侧。
本发明的第十方式的特征在于，在第九方式中，也可以上述磁性材料形成为在上述IC芯片的与配置了上述U字形的电流路径一侧的面相反的面侧覆盖上述磁电变换元件的一部分或者整体。
本发明的第十一方式的特征在于，在第九或者第十方式中，也可以上述磁性材料远离上述一次导体地形成在上述支承部上。
本发明的第十二方式的特征在于，在第九至第十一方式中的任一方式中，也可以上述磁性材料由磁性体镀膜或者磁性体薄片构成。
本发明的第十三方式的特征在于，在第七至第十二方式中的任一方式中，也可以上述IC芯片侧视观察时从上述支承部突出。
本发明的第十四方式的特征在于，在第十三方式中，也可以上述IC芯片俯视观察时与上述电流路径重叠，上述磁电变换元件被配置为俯视观察时在上述U字形的电流路径的上述U字形的内侧。
本发明的第十五方式的特征在于，在第十三或者第十四方式中，也可以上述IC芯片以侧视观察时与上述U字形的电流路径隔着规定间隔的方式进行配置。
本发明的第十六方式的特征在于，在第十三至第十五方式中的任一方式中，也可以上述一次导体没有支承上述IC芯片。
本发明的第十七方式的特征在于，在第七至第十二方式中的任一方式中，也可以上述电流传感器用基板的上述支承部具有缺口部，上述电流传感器用基板的上述U字形的电流路径被配置为俯视观察时在上述缺口部内且与上述IC芯片重叠。
本发明的第十八方式的特征在于，在第七至第十七方式中的任一方式中，也可以上述磁电变换元件为霍尔元件。
本发明的第十九方式的特征在于，在第七至第十八方式中的任一方式中，也可以上述IC芯片还具备第二磁电变换元件，该第二磁电变换元件被配置在上述电流路径的U字形的外侧且接近上述电流路径的位置。
本发明的第二十方式的特征在于，在第七至第十九方式中的任一方式中，也可以上述磁电变换元件为包含信号处理电路的霍尔IC或者磁阻IC。
本发明的第二十一方式的特征在于，在第七至第二十方式中的任一方式中，也可以还具备绝缘部件，该绝缘部件形成在上述电流传感器用基板的一次导体与上述IC芯片之间。
本发明的第二十二方式的特征在于，在第二十一方式中，也可以上述绝缘部件为绝缘带。
发明的效果
根据本发明，具备具有U字形的电流路径的一次导体、用于支承磁电变换元件的支承部以及具有与支承部相连接的引线端子的信号端子侧部件，将U字形的电流路径设计成俯视观察时不与支承部重叠且侧视观察时高度与支承部不同，由此将电流传感器用基板和电流传感器的结构设为抑制了部件件数的简单的结构，能够降低制造成本。
附图说明
图1是表示以往的电流传感器的图。
图2是表示第一实施方式所涉及的电流传感器的图。
图3A是图2的电流传感器的侧视图。
图3B是沿着图2的IIIB-IIIB线的截面图。
图4A是用于说明实施方式1所涉及的电流传感器的制造方法的图。
图4B是用于说明实施方式1所涉及的电流传感器的制造方法的图。
图4C是用于说明实施方式1所涉及的电流传感器的制造方法的图。
图5A是用于说明实施方式1所涉及的电流传感器的制造方法的图。
图5B是用于说明实施方式1所涉及的电流传感器的制造方法的图。
图5C是用于说明实施方式1所涉及的电流传感器的制造方法的图。
图6A是表示实施方式1所涉及的电流传感器的变形方式的图。
图6B是表示实施方式1所涉及的电流传感器的变形方式的图。
图7是表示沿着图6A的VII-VII线的截面图的图。
图8是表示第二实施方式所涉及的电流传感器的图。
图9A是图8的电流传感器的侧视图。
图9B是图8的电流传感器的截面图。
图10是表示第三实施方式所涉及的电流传感器的图。
图11A是图10的电流传感器的侧视图。
图11B是图10的电流传感器的截面图。
图12是表示第四实施方式所涉及的电流传感器的一例的图。
图13是图12的电流传感器的侧视图。
图14是表示第五实施方式所涉及的电流传感器的一例的图。
图15是图14的电流传感器的侧视图。
图16是表示第五实施方式所涉及的电流传感器的一例的图。
图17是图16的电流传感器的侧视图。
具体实施方式
下面，参照附图详细说明本发明的实施方式。
(第一实施方式)
图2示出第一实施方式所涉及的电流传感器。电流传感器200具备：一次导体210，其具有U字形的电流路径210A；信号端子侧部件220(以下，简称为“部件220”)，其具有用于支承霍尔元件等磁电变换元件230A的支承部220A以及引线端子220B_1、220B_2；以及IC芯片230，其具有磁电变换元件230A，该磁电变换元件230A被配置在支承部220A，对从流过电流路径210A的电流产生的磁通量进行检测。用树脂240塑封一次导体210、部件220以及IC芯片230来形成电流传感器200。除了IC芯片230和树脂240以外的部分为电流传感器用基板。
引线端子220B_1表示与支承部220A相连接的引线端子，引线端子220B_2表示没有与支承部220A相连接的引线端子。此外，在与引线端子220B_1、220B_2共通的说明中各引线端子仅以引线端子220B进行参照。
电流路径210A以俯视观察时不与支承部220A重叠地方式接近支承部220A地进行配置。另外，根据图3A的侧视图和图3B的截面图可知，支承部220A与电流路径210A被配置成侧视观察时支承部220A的载置IC芯片230一侧的面的平坦部分与电流路径210A的接近IC芯片230一侧的面的平坦部分的高度不同。
支承部220A与引线端子220B_1通过金属材料一体形成，而并非是分开的部件。即，支承部220A与引线端子220B_1物理上为一体，物理上、电气上均连接。
如上所述，在U字形内侧的中心附近磁通量密度高而电流检测灵敏度提高，因此磁电变换元件230A被配置为俯视观察时在电流路径210A的U字形的内侧。另外，IC芯片230侧视观察时从支承部220A突出，俯视观察时与电流路径210A重叠。
在本实施方式所涉及的电流传感器200中，部件220在支承部220A与引线端子220B之间具有台阶部220C。例如通过部件220的成型能够设置20μm～100μm左右的台阶部220C，由此，在电流路径210A与IC芯片230之间得到间隙。该间隙保证一次导体210与IC芯片230之间的高绝缘耐压，能够维持封装内部的高绝缘耐压。当不存在台阶部220C时，一次导体210的导电路径210A与IC芯片230接触，即使在IC芯片230的背面预先粘贴绝缘片，绝缘耐压也低，容易绝缘击穿。另外，还考虑预先在一次导体210上粘贴绝缘片，但是招致工序的复杂化，在要求抑制制造成本的状况下实现性低。
在此，参照图4A～4C和图5A～5C说明实施方式1所涉及的电流传感器200的制造方法。首先，从一个金属板制作形成有期望的图案的引线框。图4A示出与一个电流传感器对应的一部分。接着，通过加压加工等实施成型，由此将台阶部220C设置于部件220(图4B)。然后，在将IC芯片230焊接到支承部220B之后，对引线端子220A与IC芯片230进行引线接合(图4C)。最后，用树脂240来塑封一次导体210、部件220以及IC芯片230，进行引线切割，通过成型来形成一次导体端子210B和引线端子(信号端子)220B。图5A为俯视图，图5B为主视图，图5C为右侧视图。
这样，与以往相比，第一实施方式所涉及的电流传感器200除了部件件数得到抑制而制造成本降低以外，还能够保证一次导体210与IC芯片230之间的高绝缘耐压。
图6A示出第一实施方式所涉及的电流传感器200的变形方式。电流传感器600除了IC芯片630以外与电流传感器200相同。将IC芯片630设置成以下结构：在配置于支承部220A时，第一磁电变换元件630A被配置为俯视观察时在电流路径210A的U字形的内侧，并且第二磁电变换元件630B被配置在电流路径210A的U字形的外侧且接近电流路径210A的位置处。图7示出沿着图6A的VII-VII线的截面图。将由于电流流过一次导体210而产生的第一磁电变换元件630A的位置的磁通量密度设为B1s，将第二磁电变换元件630B的位置的磁通量密度设为B2s。当将由于外来磁噪声而产生的磁通量密度分别设为B1n、B2n时，第一磁电变换元件630A、第二磁电变换元件630B的输出Vo1、Vo2成为如下。
Vo1=k1×(B1s+B1n)+Vu1
Vo2=k2×(-B2s+B2n)+Vu2
其中，k1、k2为各个灵敏度系数，Vu1、Vu2为各个偏移值。
在此，双方的磁电变换元件的特性的偏差极小，k1=k2=k、Vu1=Vu2成立，双方的磁电变换元件的距离近，因此当近似为B1n=B2n时，成为
Vo=Vo1-Vo2=k×(B1s+B2s)
由外来磁场引起的噪声被消除，并且得到比仅是U字形内侧的第一磁电变换元件630A的情况更大的信号，因此使灵敏度提高。
另外，图6B示出作为第一实施方式所涉及的电流传感器200的另一个变形方式而使用了三个磁电变换元件的例子。电流传感器700除了IC芯片730以外与电流传感器200相同。将IC芯片730设计成以下结构：在配置于支承部220A时，第一磁电变换元件730A被配置为俯视观察时在电流路径210A的U字形的内侧，并且第二磁电变换元件730B和第三磁电变换元件730C被配置在电流路径210A的U字形的两端的外侧且接近电流路径210A的位置处。当将由于电流流过一次导体210而产生的第三磁电变换元件730C的位置的磁通量密度设为B3s、将由于外来磁噪声而在第三磁电变换元件730C的位置处产生的磁通量密度设为B3n时，成为
Vo=Vo1-(Vo2+Vo3)/2=k×(B1s+(B2s+B3s)/2)，
与两个的情况同样地由外来磁场引起的噪声被消除且灵敏度也提高，并且即使在一次导体210与IC芯片730的位置关系在三个磁电变换元件的配置方向上产生偏差的情况下，也能够极力抑制输出Vo的变动水平。
另外，作为U字形电流路径的一个方式，也可以在电流路径210A中例如使用C字形、V字形或者与这些字形类似形状的电流路径。
(第二实施方式)
图8示出第二实施方式所涉及的电流传感器。电流传感器800与第一实施方式的电流传感器200的不同点在于，代替IC芯片230侧视观察时从支承部220A突出，部件220的支承部820A具有缺口部820A’，电流路径210A被配置为俯视观察时在缺口部820A’内。因而，IC芯片230并不突出，但是，俯视观察IC芯片230与电流路径210A重叠。图9A示出侧视图，图9B示出截面图。与第一实施方式相比，侧视观察时高度不同的电流路径210A被配置为俯视观察时在缺口部820A’内，因此引线框的冲压模具的加工变得复杂一些，但是IC芯片内的磁电变换元件的配置产生自由度，能够配置于IC芯片的更内侧，因此能够降低由应力引起的对偏移的影响。另外，支承部与IC芯片的粘接面积增加，因此能够更稳定地支承IC芯片。
此外，与第一实施方式同样地，还能够将IC芯片230设为具有两个磁电变换元件的IC芯片630、具有三个磁电变换元件的IC芯片730。
(第三实施方式)
图10示出第三实施方式所涉及的电流传感器。电流传感器1000与第一实施方式的电流传感器200的不同点在于，并非是在部件220具有台阶部，而是一次导体210在与电流路径210A邻接的位置具有台阶部210C。IC芯片230侧视观察时从支承部220A突出，俯视观察时与电流路径210A重叠。图11A示出侧视图，图11B示出截面图。
此外，与第一实施方式同样地，也可以将IC芯片230设为具有两个磁电变换元件的IC芯片630、具有三个磁电变换元件的IC芯片730。
(第四实施方式)
接着，作为电流传感器的一个实施方式，参照图12和图13说明提高电流检测灵敏度且还能够抑制外部磁场的侵入的电流传感器。本实施方式的电流传感器的整体结构与图2示出的第一实施方式大致相同，具有磁性材料的结构与第一实施方式不同。
下面，以与第一实施方式的差异为中心说明本实施方式中的电流传感器的结构。
图12示出第四实施方式所涉及的电流传感器的结构例。如图12所示，在该电流传感器500A中，与图2示出的电流传感器同样地，例如具备：一次导体210，其具有U字形的电流路径210A和导体端子210B；部件220，其具有用于支承磁电变换元件230A的支承部520A和引线端子220B；以及IC芯片230，其具有磁电变换元件230A。用树脂240A塑封一次导体210、部件220以及IC芯片230。
另一方面，与图2示出的电流传感器不同，在本实施方式中，在IC芯片230上形成有由磁性材料构成的磁性材料薄片540。另外，与图2示出的电流传感器不同，支承部520A还构成为支承由铁氧体等的磁性材料构成的磁性材料薄片550。在本实施方式中，支承部520A例如具有两个台阶部521A、521B。在后述的图13中说明台阶部521A、521B的形状。
磁性材料薄片540、550被配置成使由流过一次导体210的电流路径210A的电流产生的磁通量收敛于磁电变换元件230A的感磁部。
此外，通过从电流传感器500A的上述各结构要素中去除IC芯片230和树脂240A，电流传感器500A成为电流传感器用基板。
图13是图12的电流传感器500A的侧视图。在该电流传感器500A中，支承部520A的台阶部521A形成为使支承部520A的中央部向上方突出，台阶部521B形成为使支承部520A的前端部向一次导体210下方突出。
而且，在该支承部520A的下部形成有磁性材料薄片550。换言之，磁性材料薄片550从一次导体210分离而形成于支承部520A。
通过上述电流传感器500A的结构，由于形成有磁性材料薄片540、550，因此当电流流过一次导体210的电流路径时，由电流产生的磁通量容易收敛于磁电变换元件230A的感磁部。因而，电流传感器500A的电流检测灵敏度提高。
另外，通过形成磁性材料薄片540、550，抑制外部磁场侵入电流传感器500A。
(第五实施方式)
接着，参照图14和图15说明第五实施方式。
在图12和图13示出的第四实施方式中，形成有两个磁性材料薄片540、550。本实施方式是一种通过仅形成一个磁性体薄片540来提高电流检测灵敏度并且还能够抑制外部磁场的侵入的电流传感器。
图14示出第五实施方式所涉及的电流传感器的结构例。与图12示出的电流传感器同样地，本实施方式的电流传感器500B具备：一次导体210，其具有例如U字形的电流路径210A；部件220，其具有用于支承磁电变换元件230A的支承部520B和引线端子220B；以及IC芯片230，其具有磁电变换元件230A。另外，与图12示出的电流传感器同样地，在IC芯片230上形成有由磁性材料构成的磁性材料薄片540。用树脂240A塑封一次导体210、部件220以及IC芯片230。
另一方面，与图12示出的电流传感器不同，本实施方式的支承部520B例如仅具有一个台阶部521A。
此外，通过从电流传感器500B的上述各结构要素去除IC芯片230和树脂240A，电流传感器500B成为电流传感器用基板。
图15是图14的电流传感器500B的侧视图。与图13示出的电流传感器同样地，在该电流传感器500B中，支承部520B的台阶部521A形成为使支承部520B的中央部向上方突出。另外，与图13示出的电流传感器同样地，磁性材料薄片540被配置在IC芯片230上，以使由流过一次导体210的电流路径210A的电流产生的磁通量收敛于磁电变换元件230A的感磁部。
通过上述电流传感器500B的结构，由于形成有磁性材料薄片540，因此当电流流过一次导体210的电流路径时，由电流产生的磁通量容易收敛于磁电变换元件230A的感磁部。因而，电流传感器500B的电流检测灵敏度提高。
另外，通过形成磁性材料薄片540，抑制来自封装上表面的外部磁场侵入电流传感器500B。
(第六实施方式)
接着，参照图16和图17说明第六实施方式。
在图12和图13示出的第四实施方式中，形成有两个磁性材料薄片540、550。本实施方式是一种通过仅形成一个磁性体薄片550来提高电流检测灵敏度并且还能够抑制外部磁场的侵入的电流传感器。
图16示出第六实施方式所涉及的电流传感器的结构例。与图12示出的电流传感器同样地，本实施方式的电流传感器500C具备：一次导体210，其具有例如U字形的电流路径210A；部件220，其具有用于支承磁电变换元件230A的支承部520A和引线端子220B；以及IC芯片230，其具有磁电变换元件230A。另外，与图12示出的电流传感器同样地，在支承部520A的下部形成有由磁性材料构成的磁性材料薄片540。用树脂240A塑封一次导体210、部件220以及IC芯片230。
此外，通过从电流传感器500C的上述各结构要素去除IC芯片230和树脂240A，电流传感器500C成为电流传感器用基板。
图17是图16的电流传感器500C的侧视图。与图13示出的电流传感器同样地，在该电流传感器500C中，支承部520A的台阶部521A形成为使支承部520A的中央部向上方突出，台阶部521B形成为使支承部520A的前端部向一次导体210下方突出。另外，与图13示出的电流传感器同样地，磁性材料薄片550被配置在支承部520A的下部，以使由流过一次导体210的电流路径210A的电流产生的磁通量收敛于磁电变换元件230A的感磁部。
通过上述电流传感器500C的结构，由于形成有磁性材料薄片550，因此当电流流过一次导体210的电流路径时磁阻下降，由一次导体电流产生的磁通量增加。因此，电流传感器500C的电流检测灵敏度提高。
另外，通过形成磁性材料薄片550，抑制来自封装背面的外部磁场侵入电流传感器500C。
(变形例)
上述各实施方式所涉及的电流传感器仅是例示，能够进行以下示出的变更。
在各实施方式的电流传感器500A、500B、500C中，例如以具有U字形的电流路径210A的一次导体210为例进行了说明，但是作为电流路径210A的其它形状的例子，只要能够实现电流传感器的功能即可，例如也可以具有其它形状等。
在各实施方式的电流传感器500A、500B、500C中，对应用了具有一个磁电变换元件的IC芯片230的情况进行了说明，但是作为IC芯片的例子，例如也可以具有两个以上的磁电变换元件。在该情况下，优选将磁性材料配置成使磁通量收敛于各磁电变换元件的感磁部。
在各实施方式的电流传感器500A、500B、500C中，对应用了由磁性材料构成的磁性体薄片540、550的情况进行了说明，但是作为磁性材料的结构例，例如也可以是形成于IC表面等的磁性体镀膜等。
在各实施方式的电流传感器500A、500B、500C中，优选在一次导体210与IC芯片230之间以覆盖一次导体210的方式形成绝缘部件。例如绝缘部件是由耐压良好的片材构成的绝缘带，优选在该绝缘带的单面涂敷粘接剂。
各实施方式的电流传感器500A、500B、500C的各支承部520A、520B具有台阶部，但是，关于台阶部的形状，能够改变支承部的高度即可，能够进行变更。另外，关于台阶部的个数，能够实现电流传感器的功能即可，也可以是三个以上。
各实施方式的磁电变换元件也可以是包含信号处理电路的霍尔IC或者磁阻IC。
附图标记说明
200：电流传感器；210：一次导体；210A：电流路径；210B：一次导体端子；210C：台阶部；220：信号端子侧部件；220A：支承部；220B、220B_1、220B_2：引线端子；220C：台阶部；230：IC芯片；230A：磁电变换元件；500A、500B、500C：电流传感器；520A、520B：台阶部；630：IC芯片；630A：第一磁电变换元件；630B：第二磁电变换元件；800：电流传感器；820A：支承部；820A’：缺口部；1000：电流传感器。

Claims (22)

1.一种电流传感器用基板，其特征在于，具备：
一次导体，其具有U字形的电流路径；
支承部，其用于支承磁电变换元件；以及
引线端子，其与上述支承部相连接，
其中，上述U字形的电流路径形成为俯视观察时不与上述支承部重叠且侧视观察时高度与上述支承部不同。
2.根据权利要求1所述的电流传感器用基板，其特征在于，
上述引线端子经由台阶与上述支承部相连接。
3.根据权利要求1或者2所述的电流传感器用基板，其特征在于，
上述支承部具有缺口部，
上述U字形的电流路径被配置为俯视观察时在上述缺口部内。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的电流传感器用基板，其特征在于，
上述一次导体具有与上述U字形的电流路径相连接的台阶部。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的电流传感器用基板，其特征在于，
还具备被配置成俯视观察时与上述U字形的电流路径重叠的磁性体材料。
6.根据权利要求5所述的电流传感器用基板，其特征在于，
还具备被配置成夹持上述U字形的电流路径的磁性体材料。
7.一种电流传感器，具备：
根据权利要求1～4中的任一项所述的电流传感器用基板；以及
IC芯片，其具有磁电变换元件，该磁电变换元件被配置于上述电流传感器用基板的上述支承部，对由流过上述电流传感器用基板的上述U字形的电流路径的电流产生的磁通量进行检测。
8.根据权利要求7所述的电流传感器，其特征在于，
上述磁电变换元件被配置为俯视观察时在上述U字形的电流路径的上述U字形的内侧。
9.一种电流传感器，其特征在于，具备：
根据权利要求5或者6所述的电流传感器用基板；以及
IC芯片，其具有磁电变换元件，该磁电变换元件被配置于上述电流传感器用基板的上述支承部，对由流过上述电流传感器用基板的上述电流路径的电流产生的磁通量进行检测，
上述磁电变换元件被配置为俯视观察时在上述U字形的电流路径的上述U字形的内侧。
10.根据权利要求9所述的电流传感器，其特征在于，
上述磁性材料形成为在上述IC芯片的与配置了上述U字形的电流路径一侧的面相反的面侧覆盖上述磁电变换元件的一部分或者整体。
11.根据权利要求9或者10所述的电流传感器，其特征在于，
上述磁性材料远离上述一次导体地形成在上述支承部上。
12.根据权利要求9～11中的任一项所述的电流传感器，其特征在于，
上述磁性材料由磁性体镀膜或者磁性体薄片构成。
13.根据权利要求7～12中的任一项所述的电流传感器，其特征在于，
上述IC芯片侧视观察时从上述支承部突出。
14.根据权利要求13所述的电流传感器，其特征在于，
上述IC芯片俯视观察时与上述电流路径重叠，上述磁电变换元件被配置为俯视观察时在上述U字形的电流路径的上述U字形的内侧。
15.根据权利要求13或者14所述的电流传感器，其特征在于，
上述IC芯片以侧视观察时与上述U字形的电流路径隔着规定间隔的方式进行配置。
16.根据权利要求13～15中的任一项所述的电流传感器，其特征在于，
上述一次导体没有支承上述IC芯片。
17.根据权利要求7～12中的任一项所述的电流传感器，其特征在于，
上述电流传感器用基板的上述支承部具有缺口部，
上述电流传感器用基板的上述U字形的电流路径被配置为俯视观察时在上述缺口部内且与上述IC芯片重叠。
18.根据权利要求7～17中的任一项所述的电流传感器，其特征在于，
上述磁电变换元件为霍尔元件。
19.根据权利要求7～18中的任一项所述的电流传感器，其特征在于，
上述IC芯片还具备第二磁电变换元件，该第二磁电变换元件被配置在上述电流路径的U字形的外侧且接近上述电流路径的位置。
20.根据权利要求7～19中的任一项所述的电流传感器，其特征在于，
上述磁电变换元件为包含信号处理电路的霍尔IC或者磁阻IC。
21.根据权利要求7～20中的任一项所述的电流传感器，其特征在于，
还具备绝缘部件，该绝缘部件形成在上述电流传感器用基板的一次导体与上述IC芯片之间。
22.根据权利要求21所述的电流传感器，其特征在于，
上述绝缘部件为绝缘带。
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