CN102471147A - 带透明导电膜的基板及等离子体显示器面板用基板 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种带透明导电膜的基板，所述带透明导电膜的基板通过在玻璃透明基板上依次层叠以氧化锡(SnO2)为主成分的透明导电膜和含有选自由铟(In)、锡(Sn)、镓(Ga)、锌(Zn)、钛(Ti)和铌(Nb)组成的组中的至少一种金属的氧化物的阻挡层而形成。

Description

带透明导电膜的基板及等离子体显示器面板用基板
技术领域
本发明涉及带透明导电膜的基板以及使用该带透明导电膜的基板的等离子体显示器面板(PDP)用基板。
背景技术
在制作PDP的前面板时，在玻璃基板上依次形成透明导电膜和汇流电极。作为透明导电膜，已知氧化铟系、氧化锌系、氧化铋系。作为氧化铟系，ITO(掺锡氧化铟)特别有名并且得到广泛使用。作为广泛使用ITO的理由，可以列举其低电阻性和良好的图案化性。但是，已知铟的储量少，因此期待开发替代材料。
氧化锡(SnO2)膜是可以期待作为其替代材料的材料。但是，为了赋予氧化锡导电性，需要使用将来可能在环境方面存在担忧的锑作为掺杂剂。在专利文献1中，为了解决该问题提出了一种透明导电膜，该透明导电膜以氧化锡作为主成分，并且含有选自由铌、钨、钽、铋和钼组成的A掺杂剂组中的至少一种元素和铜元素作为掺杂剂。在专利文献1中记载的透明导电膜的情况下，铜元素是作为溅射靶的烧结助剂而含有的成分，赋予氧化锡导电性的是A掺杂剂组的元素。
另外，在专利文献2中，为了解决上述问题提出了一种透明导电膜，该透明导电膜以氧化锡作为主成分，并且含有选自由锌、铌、钛、镁、铝和锆组成的A掺杂剂组中的至少一种元素和选自由钨、钽和钼组成的B掺杂剂组中的至少一种元素作为掺杂剂。
在透明导电膜上形成汇流电极的情况下，在该透明导电膜上涂布含有玻璃粉的银浆后，在500～600℃下进行煅烧(参考专利文献3)。作为银浆中所含的玻璃粉，以往铅系的玻璃粉为主流，但是，由于无铅的要求，将来可能会向含有氧化铋(Bi2O3)作为主成分的铋系玻璃粉转移。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公布第2008-111324号小册子
专利文献2：国际公布第2007-142330号小册子
专利文献3：日本特开2003-162962号公报
发明内容
但是，本发明人发现，使用含有铋系玻璃粉的银浆在以氧化锡为主成分的透明导电膜上形成汇流电极时，所形成的汇流电极与透明导电膜的接触电阻上升。汇流电极与透明导电膜的接触电阻上升时，产生使用其制造的PDP的显示品质下降的问题。
为了解决上述现有技术的问题，本发明的目的在于提供一种带透明导电膜的基板、以及使用该带透明导电膜的基板的PDP用基板，所述带透明导电膜的基板可以防止使用含有铋系玻璃粉的银浆在以氧化锡为主成分的透明导电膜上形成汇流电极时的接触电阻的上升。
本发明人为了实现上述目的进行了广泛深入的研究，结果发现，作为铋系玻璃粉的主成分的氧化铋(Bi2O3)与作为透明导电膜的主成分的氧化锡(SnO2)在银浆煅烧时发生反应而形成Bi2Sn2O7，这一情况是汇流电极形成时汇流电极与透明导电膜的接触电阻上升的原因。
本发明基于上述发现而创立，提供一种带透明导电膜的基板，其通过在玻璃透明基板上依次层叠以氧化锡(SnO2)为主成分的透明导电膜和含有选自由铟(In)、锡(Sn)、镓(Ga)、锌(Zn)、钛(Ti)和铌(Nb)组成的组中的至少一种金属的氧化物的阻挡层而形成。
本发明的带透明导电膜的基板，优选：所述阻挡层包含选自由TiO2、Nb2O5、ITO(掺锡氧化铟)、TZO(锡锌氧化物)和GZO(掺镓氧化锌)组成的组中的任意一种金属氧化物。
本发明的带透明导电膜的基板，优选：所述阻挡层的厚度为1nm～50nm。
本发明的带透明导电膜的基板，优选：所述以氧化锡(SnO2)为主成分的透明导电膜以元素换算含有0.1～10原子％的钽(Ta)作为掺杂剂。
本发明的带透明导电膜的基板，优选：所述透明导电膜的厚度为50nm以上且1μm以下。
另外，本发明提供一种等离子体显示器面板(PDP)用基板，其中，通过在本发明的带透明导电膜的基板的阻挡层上涂布含有铋系玻璃粉的银浆并在500～600℃的温度下煅烧而形成了汇流电极。
发明效果
本发明的带透明导电膜的基板，由于在以氧化锡为主成分的透明导电膜上形成有阻挡层，因此可以防止在使用含有铋系玻璃粉的银浆形成汇流电极时透明导电膜与汇流电极的接触电阻上升。
本发明的带透明导电膜的基板，不会由于在透明导电膜上形成阻挡层而损害透明导电膜的导电性、透明性等特性。
由于本发明的PDP用基板的透明导电膜与汇流电极的接触电阻低，因此可以期待通过使用该基板作为PDP用前面板而制作的PDP具有优良的显示品质。
附图说明
图1是表示本发明的带透明导电膜的基板的基本构成的示意图。
图2是表示实施例中在带透明导电膜的基板的阻挡层上形成汇流电极后的状态的示意图。
图3是实施例1中将汇流电极溶解除去后的表面的状态的SEM照片。
图4是实施例4中将汇流电极溶解除去后的表面的状态的SEM照片。
图5是比较例1中将汇流电极溶解除去后的表面的状态的SEM照片。
具体实施方式
以下，参考附图对本发明进行说明。
图1是表示本发明的带透明导电膜的基板的基本构成的示意图。如图1所示，本发明的带透明导电膜的基板，在玻璃透明基板1上依次层叠有透明导电膜2和阻挡层3。
以下，对带透明导电膜的基板的每个构成进行说明。
[玻璃透明基板]
玻璃透明基板的构成材料可以从作为PDP用的玻璃基板而使用的材料中广泛选择，可以使用各种玻璃材料，如钠钙玻璃、高应变点玻璃和无碱玻璃等。这些当中，特别优选日本专利第2738036号和日本专利第3669022号中记载的玻璃基板用组合物。
玻璃透明基板的光谱透射率在425～475nm、510～560nm和600～650nm的范围内各自优选为80％以上。
玻璃透明基板的大小、厚度没有特别限制，例如，可以优选使用纵向和横向的长度各自为约400～约3000mm的玻璃基板。另外，其厚度优选为0.7～3.0mm，更优选1.5～3.0mm。
[透明导电膜]
本发明中，使用以氧化锡(SnO2)为主成分的透明导电膜。在此，以氧化锡为主成分的透明导电膜，是指以锡元素换算氧化锡的含量为80原子％以上。在此，透明导电膜可以是仅由氧化锡形成的膜，但是为了对氧化锡赋予导电性，通常优选添加掺杂剂。作为出于这样的目的而添加的掺杂剂，可以列举钽(Ta)、钨(W)、铋(Bi)和钼(Mo)等。
另外，作为为了赋予氧化锡导电性而添加的掺杂剂，以往使用铟、锑，但是前者是高价的元素，后者将来可能在环境方面存在担忧，因此优选不在本发明的透明导电膜中使用这两者。因此，本发明的透明导电膜优选实质上不含有铟和锑，它们的含量以元素换算优选为0.1原子％以下。
在为了赋予氧化锡导电性而在以氧化锡为主成分的透明导电膜中含有上述掺杂剂的情况下，该透明导电膜中的掺杂剂含量以元素换算优选为0.1～10原子％，更优选0.5～5原子％。
在以氧化锡为主成分的透明导电膜的成膜中使用的溅射靶中，除了氧化锡以及上述的为了赋予氧化锡导电性而添加的掺杂剂以外，通常还添加烧结助剂。因此，以氧化锡为主成分的透明导电膜通常也含有这样的烧结助剂成分。作为溅射靶中添加的烧结助剂，可以列举铜(Cu)、锌(Zn)、铌(Nb)、钛(Ti)、镁(Mg)、铝(Al)和锆(Zr)等。
以氧化锡为主成分的透明导电膜中烧结助剂成分的含量，以元素换算优选为10原子％以下。另外，以氧化锡为主成分的透明导电膜含有除氧化锡、上述的为了赋予氧化锡导电性而添加的掺杂剂以及烧结助剂成分以外的成分(以下称为“其它成分”)时，其它成分的含量以元素换算优选为10原子％以下。
以氧化锡为主成分的透明导电膜，其比电阻优选为5×10-2Ωcm以下，更优选1×10-2Ωcm以下，更优选0.5×10-2Ωcm以下，进一步优选9×10-3Ωcm以下。
以氧化锡为主成分的透明导电膜，其膜厚优选为1μm以下。如果膜厚为1μm以下，则不存在透明导电膜具有光学缺陷如浊雾(ヘイズ)等的担心。透明导电膜的膜厚更优选为0.4μm以下，进一步优选为0.25μm以下。另外，透明导电膜的膜厚优选为50nm以上。
以氧化锡为主成分的透明导电膜，优选透明性优良，具体而言，优选可见光透射率为80％以上。
为了在玻璃透明基板上形成以氧化锡为主成分的透明导电膜，使用所需组成的溅射靶，具体而言组成与要形成的透明导电膜相同的溅射靶来实施溅射即可。此时，所使用的溅射法没有特别限制，使用直流电源的DC溅射法、DC脉冲溅射法、转换直流电源而使用的AC溅射法或者使用中频电源的MF溅射法，由于容易操作并且在膜厚控制方面有利，因此优选。
但是，以氧化锡为主成分的透明导电膜，也可以使用其它溅射法如使用高频电源的RF溅射法等来形成，也可以使用溅射法以外的成膜方法如CVD法、溶胶凝胶法、PLD法来形成。
通过溅射法形成以氧化锡为主成分的透明导电膜时，优选在氧化性气氛下实施溅射。在此，氧化性气氛，是指包含氧化性气体的气氛，通常为氧化性气体与惰性气体的混合气体气氛。
另外，氧化性气体，是指含有氧原子的气体，如O2、H2O、CO、CO2等。
其中，O2或CO2与氩气(Ar)的混合气体气氛，由于气体组成容易控制并且非常适合得到透明且电阻低的膜，因此优选，特别优选CO2与Ar的混合气体气氛。
O2与Ar的混合气体气氛中的O2浓度为1～10体积％的情况，由于可以得到透明且电阻低的膜，因此优选。
CO2与Ar的混合气体气氛中的CO2浓度为10～50体积％的情况，由于可以得到透明且电阻低的膜，因此优选。
溅射条件根据所使用的溅射法而不同，在磁控DC溅射的情况下，优选在下述条件下实施。
溅射时的功率密度：1～15W/cm2
溅射压力：10-210Pa
成膜温度(基板温度)：室温～300℃
[阻挡层]
作为阻挡层，使用包含选自由铟(In)、锡(Sn)、镓(Ga)、锌(Zn)、钛(Ti)和铌(Nb)组成的组中的至少一种金属的氧化物的阻挡层。通过在以氧化锡为主成分的透明导电膜上设置这样的阻挡层，可以防止汇流电极形成时汇流电极与透明导电膜的接触电阻上升，具体而言，在阻挡层上涂布含有铋系玻璃粉的银浆后在500～600℃下煅烧时汇流电极与透明导电膜的接触电阻上升。
上述组成的阻挡层，具体而言可以列举：TiO2膜、Nb2O5膜、ITO(掺锡氧化铟)膜、TZO(锡锌氧化物)膜和GZO(掺镓氧化锌)膜。
如上所述，汇流电极形成时汇流电极与透明导电膜的接触电阻上升的原因在于，作为铋系玻璃粉的主成分的氧化铋(Bi2O3)与作为透明导电膜的主成分的氧化锡(SnO2)在银浆煅烧时发生反应而形成Bi2Sn2O7。防止汇流电极形成时汇流电极与透明导电膜的接触电阻上升的作用，如下所述，根据构成阻挡层的材料而不同。
在阻挡层为TiO2膜或Nb2O5膜的情况下，结晶的TiO2膜或Nb2O5膜抑制作为铋系玻璃粉的主成分的Bi2O3与作为透明导电膜的主成分的氧化锡(SnO2)的反应。结果，可以抑制Bi2Sn2O7的形成，可以防止汇流电极与透明导电膜的接触电阻上升。另外，虽然TiO2膜或Nb2O5膜为绝缘体，但是由于阻挡层的膜厚如后所述小，因此汇流电极与透明导电膜的接触电阻不会由于在汇流电极与透明导电膜之间存在阻挡层而上升。
另一方面，阻挡层为ITO膜、TZO膜或GZO膜的情况下，虽然抑制Bi2O3与SnO2的反应的效果比TiO2膜或Nb2O5膜弱，但是，由于膜自身的导电性优良，因此作为阻挡层与透明导电膜的膜构成整体的电阻降低(以下，将该作用称为“由阻挡层引起的旁路效应”)。结果，可以防止汇流电极与透明导电膜的接触电阻上升。
上述的阻挡层中，优选ITO膜，这是因为膜自身的导电性优良以及膜的图案化性良好。另外，也优选TZO膜，这是因为虽然膜自身的导电性比ITO膜差，但是由膜厚造成的对电阻值的影响较小、成膜成本比ITO膜低、并且化学稳定性好因此即使用会溶解GZO膜的碱清洗也不溶解等。
阻挡层的厚度优选为1～50nm。如果阻挡层的厚度为上述范围，则防止汇流电极形成时汇流电极与透明导电膜的接触电阻上升的效果优良。阻挡层的厚度小于1nm时，不能防止汇流电极形成时汇流电极与透明导电膜的接触电阻上升。更具体而言，在阻挡层为TiO2膜或NbXO5膜的情况下，阻挡层的厚度小于1nm时，抑制Bi2O3与SnO2的反应的效果不充分，不能防止汇流电极形成时汇流电极与透明导电膜的接触电阻上升。在阻挡层为ITO膜、TZO膜或GZO膜的情况下，阻挡层的厚度小于1nm时，不能通过旁路效应抵消由Bi2Sn2O7的形成所造成的接触电阻增加，不能防止汇流电极形成时汇流电极与透明导电膜的接触电阻上升。
另一方面，阻挡层的厚度即使超过50nm，防止汇流电极形成时汇流电极与透明导电膜的接触电阻上升的效果也不会增大，而且阻挡层厚度的增加还会产生生产节拍时间(takt time)增加、材料成本增加、对后面工序的图案化性产生影响等问题，因此不优选。另外，在阻挡层为TiO2膜或Nb2O5膜的情况下，阻挡层的厚度超过50nm时，也产生由阻挡层自身造成的电阻增加的问题。
阻挡层的厚度更优选为1～30nm。
从导电性、阻挡性、膜的透明性和生产性的平衡来考虑，优选透明导电膜与阻挡层的层叠体的厚度合计为50～1000nm，更优选50～500nm，进一步优选50～200nm。
在透明导电膜上形成的阻挡层，需要具有与透明导电膜同样的光学特性。即，阻挡层需要具有优良的透明性，可见光透射率优选为80％以上。
为了在透明导电膜上形成阻挡层，使用所需组成的溅射靶实施溅射即可。此时，所使用的溅射法没有特别限制，使用直流电源的DC溅射法、DC脉冲溅射法、转换直流电源而使用的AC溅射法或者使用中频电源的MF溅射法，由于容易操作并且在膜厚控制方面有利，因此优选。
但是，阻挡层也可以使用其它溅射法来形成，如使用高频电源的RF溅射法，也可以使用溅射法以外的成膜方法来形成，如CVD法、溶胶凝胶法、PLD法。
通过溅射法形成阻挡层时，优选在氧化性气氛下实施溅射。在此，氧化性气氛，是指包含氧化性气体的气氛，通常为氧化性气体与惰性气体的混合气体气氛。另外，氧化性气体，是指含有氧原子的气体，如O2、H2O、CO、CO2等。
其中，O2或CO2与氩气(Ar)的混合气体气氛，由于气体组成容易控制并且非常适合得到透明且电阻低的膜，因此优选，特别优选CO2与Ar的混合气体气氛。
O2与Ar的混合气体气氛中的O2浓度为1～10体积％的情况，由于可以得到透明的膜，因此优选。
CO2与Ar的混合气体气氛中的CO2浓度为10～50体积％的情况，由于可以得到透明的膜，因此优选。
溅射条件根据所使用的溅射法而不同，在磁控DC溅射法的情况下，可以在与所述的透明导电膜形成时的溅射条件同样的条件下实施。
本发明的PDP用基板，是在上述的本发明的带透明导电膜的基板的阻挡层上以如下所示的工序形成了汇流电极的基板。
首先，在透明导电膜上的要形成汇流电极的部位涂布含有铋系玻璃粉的银浆。出于此目的使用的银浆通常通过将60质量％以上的银粉、1～20质量％的铋系玻璃粉和10～30质量％的有机物粘合剂混合来制作。另外，出于此目的使用的铋系玻璃粉的代表组成如下所示。
SiO2     1～5质量％
B2O3     5～15质量％
Al2O3    3～8质量％
Bi2O3    70～90质量％
银浆的涂布方法没有特别限制，可以使用例如丝网印刷、喷涂法、刮刀涂布法、缝模涂布法等涂布方法。涂布银浆的厚度没有特别限制，可以根据要形成的银电极的厚度适当选择。另外，所形成的银电极的厚度通常在几μm～几十μm的范围内。
然后，通过在500～600℃的温度下煅烧规定时间(例如，5分钟～1小时)，形成汇流电极，得到本发明的PDP用基板。
如上所述，本发明的带透明导电膜的基板，由于在以氧化锡为主成分的透明导电膜上形成有阻挡层，因此可以防止汇流电极形成时汇流电极与透明导电膜的接触电阻上升。因此，可以期待：本发明的PDP用基板中透明导电膜与汇流电极的接触电阻低，使用该基板作为PDP的前面板而制作的PDP发光效率优良。
实施例
以下，使用实施例进一步说明本发明。
(实施例1～5)
在实施例1～5中，以如下所示的工序在玻璃透明基板上形成掺Ta的SnO2膜作为透明导电膜，在该掺Ta的SnO2膜上形成TiO2膜、Nb2O5膜、ITO膜、TZO膜或GZO膜作为阻挡层，然后在该阻挡层上形成汇流电极，然后使用TLM(传输线模型)法求出汇流电极与阻挡层的接触电阻以及方块电阻(シ一ト抵抗)。另外，在此所说的方块电阻，是指包含透明导电膜和阻挡层的层叠体的方块电阻。
[玻璃透明基板]
作为玻璃透明基板，使用PDP用高应变点玻璃基板(旭硝子公司制造的PD200)。
[透明导电膜]
在该基板的上表面在下述条件下形成以氧化锡为主成分并且含有钽作为掺杂剂的膜(掺Ta的SnO2膜)作为透明导电膜。另外，掺Ta的SnO2膜的组成中以钽原子量换算为2.1原子％，膜厚为100nm。
溅射法：磁控DC溅射
溅射靶：掺Ta的SnO2靶(Ta2O3掺杂量为6质量％)
溅射气体：Ar与O2的混合气体(O2：1体积％)
溅射时的功率密度：5W/cm2
溅射压力：0.5Pa
成膜温度(基板温度)：250℃
[阻挡层]
在透明导电膜上，分别在下述条件下形成TiO2膜、Nb2O5膜、ITO膜(SnO2掺杂量为10质量％)、TZO膜(Sn2ZnO3)或GZO(Ga2O3掺杂量为5.7质量％)膜作为阻挡层。
<TiO2膜>
溅射法：磁控DC溅射
溅射靶：Ti靶
溅射气体：Ar与O2的混合气体(O2：10体积％)
溅射时的功率密度：12W/cm2
溅射压力：0.5Pa
成膜温度(基板温度)：室温
膜厚：30nm
<Nb2O5膜>
溅射法：磁控DC溅射
溅射靶：Nb靶
溅射气体：Ar与O2的混合气体(O2：10体积％)
溅射时的功率密度：12W/cm2
溅射压力：0.5Pa
成膜温度(基板温度)：室温
膜厚：30nm
<ITO膜>
溅射法：磁控DC溅射
溅射靶：ITO靶(SnO2掺杂量为10质量％)
溅射气体：Ar
溅射时的功率密度：5W/cm2
溅射压力：0.5Pa
成膜温度(基板温度)：室温
膜厚：30nm
<TZO膜>
溅射法：磁控DC溅射
溅射靶：TZO靶(Sn2ZnO3)
溅射气体：Ar
溅射时的功率密度：2.5W/cm2
溅射压力：0.5Pa
成膜温度(基板温度)：室温
膜厚：30nm
<GZO膜>
溅射法：磁控DC溅射
溅射靶：GZO靶(Ga2O3掺杂量为5.7质量％)
溅射气体：Ar
溅射时的功率密度：5W/cm2
溅射压力：0.5Pa
成膜温度(基板温度)：室温
膜厚：30nm
[汇流电极]
将载体、松油醇、铋系玻璃粉和银粉以铋系玻璃粉为10质量％、银粉为90质量％的方式进行混合得到银浆，将其丝网印刷到阻挡层上。铋系玻璃粉的组成如下所述。
SiO2     1～5质量％
B2O3     5～15质量％
Al2O3    3～8质量％
Bi2O3    70～90质量％
然后，在600℃煅烧1小时，形成汇流电极。另外，如图2所示，在阻挡层3上间隔地形成多个汇流电极4、5。
[TLM法]
根据下式求出接触电阻和方块电阻。
RT＝2×RC+(RSH×1)/W
式中，RT为汇流电极间的电阻，RC为阻挡层与汇流电极间的接触电阻，RSH为方块电阻，1为汇流电极间的距离，W为汇流电极的宽度。
接触电阻和方块电阻的测定结果如下表所示。
(比较例1)
除了不形成阻挡层而直接在透明导电膜上形成汇流电极以外，实施与实施例同样的工序。接触电阻和方块电阻的测定结果如下表所示。
表1
  比较例1   实施例1   实施例2   实施例3   实施例4   实施例5
  阻挡层   无   TiO2   Nb2O5   ITO   TZO   GZO
  RC[Ω]   10.9   5.3   6.5   3.1   7.7   9.2
  RSH[Ω]   580   750   770   180   550   490
从上表可以明确地确认，在以氧化锡为主成分的透明导电膜上形成TiO2膜、Nb2O5膜、ITO膜、TZO膜或GZO膜作为阻挡层的实施例1～5，与未形成阻挡层的比较例1相比接触电阻低，可以防止汇流电极形成时汇流电极与透明导电膜的接触电阻上升。
对于实施例1(阻挡层：TiO2膜)、实施例4(阻挡层：TZO膜)和比较例1(无阻挡层)，用扫描电子显微镜(SEM)拍摄了将汇流电极溶解除去后的表面状态。结果如图3～图5所示。
从图5可以明确，在透明导电膜上未形成阻挡层的比较例1中，确认到造成接触电阻上升的结晶物(Bi2Sn2O7)的生成。
另一方面，从图3可以明确，在透明导电膜上形成TiO2膜作为阻挡层的实施例1中，未观察到结晶物的生成，表明结晶的TiO2膜抑制了作为铋系玻璃粉的主成分的Bi2O3与构成氧化锡膜的SnO2的反应。结果，可以防止汇流电极与透明导电膜的接触电阻上升。
另外，从图4可以明确，在透明导电膜上形成TZO膜作为阻挡层的实施例4中，虽然观察到结晶物的生成，但是由于TZO膜自身的导电性高，因此通过阻挡层的旁路效应，可以防止汇流电极与透明导电膜的接触电阻上升。
参考特定的实施方式详细说明了本发明，但是，对本领域技术人员显而易见的是，在不脱离本发明精神和范围内的情况下可以进行各种变更或修改。
本申请基于2009年8月14日提出的日本专利申请2009-187969，该申请的内容以参考的方式并入本说明书。
产业实用性
本发明的带透明导电膜的基板，由于在以氧化锡为主成分的透明导电膜上形成有阻挡层，因此可以防止使用含有铋系玻璃粉的银浆形成汇流电极时透明导电膜与汇流电极的接触电阻上升。另外，本发明的带透明导电膜的基板，不会由于在透明导电膜上形成阻挡层而损害透明导电膜的特性，如导电性、透明性等。另外，本发明的PDP用基板，由于透明导电膜与汇流电极的接触电阻低，因此可以期待通过使用该基板作为PDP的前面板而制作的PDP具有优良的显示品质。
标号说明
1：玻璃透明基板
2：透明导电膜
3：阻挡层
4、5：汇流电极

Claims (6)

1.一种带透明导电膜的基板，其通过在玻璃透明基板上依次层叠以氧化锡(SnO2)为主成分的透明导电膜和含有选自由铟(In)、锡(Sn)、镓(Ga)、锌(Zn)、钛(Ti)和铌(Nb)组成的组中的至少一种金属的氧化物的阻挡层而形成。
2.如权利要求1所述的带透明导电膜的基板，其中，所述阻挡层包含选自由TiO2、Nb2O5、ITO(掺锡氧化铟)、TZO(锡锌氧化物)和GZO(掺镓氧化锌)组成的组中的任意一种金属氧化物。
3.如权利要求1或2所述的带透明导电膜的基板，其中，所述阻挡层的厚度为1nm～50nm。
4.如权利要求1至3中任一项所述的带透明导电膜的基板，其中，所述以氧化锡(SnO2)为主成分的透明导电膜以元素换算含有0.1～10原子％的钽(Ta)作为掺杂剂。
5.如权利要求1至4中任一项所述的带透明导电膜的基板，其中，所述透明导电膜的厚度为50nm以上且1μm以下。
6.一种等离子体显示器面板(PDP)用基板，其中，通过在权利要求1至5中任一项所述的带透明导电膜的基板的阻挡层上涂布含有铋系玻璃粉的银浆并在500～600℃的温度下煅烧而形成了汇流电极。
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