CN102465214A

CN102465214A - 电子部件用钛铜

Info

Publication number: CN102465214A
Application number: CN2011103340463A
Authority: CN
Inventors: 堀江弘泰; 江良尚彦
Original assignee: JX Nippon Mining and Metals Corp
Current assignee: JX Nippon Mining and Metals Corp
Priority date: 2010-10-29
Filing date: 2011-10-28
Publication date: 2012-05-23
Also published as: JP2012097305A; JP5718021B2; KR20120046049A; TW201217550A

Abstract

本发明涉及电子部件用钛铜，其提供具有优异的强度及弯曲加工性的钛铜。一种铜合金，其是含有2.0～4.0质量%的Ti，进而含有总计为0.01～0.15重量%的选自Fe、Co、Ni、Cr、V、Nb、Mo、Mn、Zr、Si、Mg、B、及P中的一种以上，且剩余部分由铜及不可避免的杂质构成的电子部件用铜合金，其中，轧制面的X射线衍射积分强度满足以下的（1）及（2）的关系。（1）30≤（I/I₀｛220｝）/（I/I₀｛200｝）≤95、（2）0.36≤2×（I/I₀｛111｝）＋（I/I₀｛311｝）≤0.48。

Description

电子部件用钛铜

技术领域

本发明涉及适合作为连接器等电子部件用构件的钛铜及其制造方法。

背景技术

近年来，以便携终端等为代表的电子仪器的小型化日益推进，因此其中所使用的连接器的窄间距化及扁平化的趋势显著。越是小型的连接器引脚宽度越窄，形成折叠越小的加工性状，因此对于所使用的构件要求为得到必要的弹性所需的高强度以及能够耐受严苛的弯曲加工的优异的弯曲加工性。从这点来讲，含有钛的铜合金（以下称为“钛铜”）的强度较高，应力缓和特性在铜合金中最为优异，因此特别是作为要求强度的信号系统端子用构件，一直以来都在使用。

钛铜是时效固化型的铜合金。经过固溶处理形成作为溶质原子的Ti的过饱和固溶体，如果由该状态在低温下实施较长时间的热处理，则通过调幅分解，母相中Ti浓度周期性变动的调制结构生长，强度得到提高。此时的问题在于，强度和弯曲加工性是相反的特性。即，如果使强度提高，则弯曲加工性受损，相反地，如果重视弯曲加工性，则无法获得所需的强度。一般来讲，越是提高冷轧的轧制加工率，则所引入的位错量越多而位错密度越高，因而有助于析出的核生成位点增加，可以提高时效处理后的强度，但是如果轧制加工率过于提高，则弯曲加工性变差。因此，实现强度及弯曲加工性的兼顾成为问题。

因此，提出了通过添加Cr、Zr、Ni、Fe等的第三元素，从而促进晶粒的细微化来进行钛铜的特性改良（例如：日本特开平6-248375号公报、日本特开2004-231985号公报、及日本特开2009-084592号公报）。

专利文献1：日本特开平6-248375号公报

专利文献2：日本特开2004-231985号公报

专利文献3：日本特开2009-084592号公报。

发明内容

随着在钛铜中添加的这些第三元素的量的増加，Ti的固溶限度温度升高，容易析出粗大的第2相粒子，所以以往是通过进行两次固溶处理来弥补这个缺点的。即，通过在提高的温度下实施第一次固溶处理来使Ti充分固溶，通过第二次固溶处理得到细微的重结晶组织。

但是，认为实施两次固溶处理的情况相应地生产时间、生产成本、能耗提高，所以从考虑工业性生产的角度出发，认为若能够以一次固溶处理就完成则是有利的。因此，本发明的课题在于提供仅实施一次固溶处理就可以进行制造，同时强度和弯曲加工性的平衡优异的钛铜。另外，本发明的另一课题在于提供制造这样的钛铜的方法。

本发明人为了解决上述课题，经深入研究得知，在严格抑制第三元素的添加量的情况下，在一次固溶处理中可以同时进行固溶及重结晶，与以相同的第三元素添加量而得到的钛铜的特性相比，进行一次固溶处理的情况更为优异。并且，对如此得到的钛铜的轧制面通过X射线衍射测定（XRD）来研究晶体取向，发现了显示出特征性的峰。

基于上述观点而完成的本发明的一个方面是一种铜合金，其是含有2.0～4.0质量%的Ti，进而含有总计为0.01～0.15重量%的选自Fe、Co、Ni、Cr、V、Nb、Mo、Mn、Zr、Si、Mg、B及P中的一种以上，且剩余部分由铜及不可避免的杂质构成的电子部件用铜合金，

如果将来自轧制面的｛200｝晶面的X射线衍射积分强度相对于纯铜标准粉末的｛200｝晶面的X射线衍射积分强度之比记作I/I₀｛200｝，将来自轧制面的｛220｝晶面的X射线衍射积分强度相对于纯铜标准粉末的｛220｝晶面的X射线衍射积分强度之比记作I/I₀｛220｝，将来自轧制面的｛311｝晶面的X射线衍射积分强度相对于纯铜标准粉末的｛311｝晶面的X射线衍射积分强度之比记作I/I₀｛311｝，将来自轧制面的｛111｝晶面的X射线衍射积分强度相对于纯铜标准粉末的｛111｝晶面的X射线衍射积分强度之比记作I/I₀｛111｝，则满足以下（1）及（2）的关系。

（1）　30≤（I/I₀｛220｝）/（I/I₀｛200｝）≤95

（2）　0.36≤2×（I/I₀｛111｝）＋（I/I₀｛311｝）≤0.48

本发明涉及的铜合金的一个实施方式中，还满足以下（3）的关系。

（3）　1.02≤（I/I₀｛111｝）/（I/I₀｛200｝）≤2.00

本发明的另一个方面是铜合金压延制品，其主要由上述铜合金构成。

本发明的进而另一个方面是电子部件，其具备上述铜合金。

本发明的进而另一个方面是连接器，其具备上述铜合金。

本发明的进而另一个方面是本发明的铜合金的第一制造方法，其包括：

对于电子部件用铜合金原料，加热到比730～880℃下Ti的固溶限度与添加量相同的温度高出0～20℃的温度，进行固溶处理，所述电子部件用铜合金原料含有2.0～4.0质量%的Ti，进而含有总计为0.01～0.15重量%的选自Fe、Co、Ni、Cr、V、Nb、Mo、Mn、Zr、Si、Mg、B及P中的一种以上，且剩余部分由铜及不可避免的杂质构成，

继固溶处理之后，进行轧制加工率5～40%的最终冷轧，

继最终冷轧之后，在材料温度300～500℃下进行0.1～15小时的时效处理，

并且固溶处理仅实施一次。

本发明的进而另一个方面是本发明的铜合金的第二制造方法，其包括：

继固溶处理之后，使材料温度为300℃以上且低于700℃来加热0.001～12小时，进行时效处理，

继时效处理之后，进行轧制加工率5～40%的最终冷轧，

并且固溶处理仅实施一次。

本发明涉及的钛铜的强度及弯曲加工性优异，同时通过实施一次固溶处理就可以制造，所以工业性生产价值高。

具体实施方式

＜Ti含量＞

如果Ti不足2.0质量%，则无法充分地获得由形成钛铜固有的调制结构所带来的强化机构，所以无法获得足够的强度，相反地如果超过4.0质量%，则容易析出粗大的TiCu₃，存在强度及弯曲加工性变差的趋势。因此，本发明涉及的铜合金中，Ti含量为2.0～4.0质量%，优选2.7～3.5质量%。这样，通过使Ti的含量适当，可以同时实现适合于电子部件用的强度及弯曲加工性。

＜第3元素＞

如果将规定的第3元素添加在钛铜中，则即使在Ti充分地固溶的高温下进行固溶处理，晶粒也容易细微化，具有使强度提高的效果。另外，规定的第3元素会促进调制结构的形成。进而，还具有抑制Ti-Cu系的稳定相急剧粗大化的效果。因此，能获得钛铜固有的时效固化能力。

在钛铜中，上述效果最高的是Fe。并且，对于Mn、Mg、Co、Ni、Si、Cr、V、Nb、Mo、Zr、B及P，也可以期待与Fe水平相当的效果，即使单独添加也表现出效果，也可以复合添加2种以上。

这些元素总计含有0.01质量%以上时表现出其效果，但如果总计超过0.15质量%则在一次固溶处理中难以兼顾充分的固溶和适当的重结晶粒子的出现，存在强度和弯曲加工性的平衡变差的趋势。因此，作为第3元素组，可以含有总计为0.01～0.15质量%的选自Mn、Fe、Mg、Co、Ni、Cr、V、Nb、Mo、Zr、Si、B及P中的一种或两种以上，优选总计含有0.01～0.08质量%。

＜X射线衍射的积分强度＞

对于本发明涉及的钛铜，如果将来自轧制面的｛200｝晶面的X射线衍射积分强度相对于纯铜标准粉末的｛200｝晶面的X射线衍射积分强度之比记作I/I₀｛200｝，将来自轧制面的｛220｝晶面的X射线衍射积分强度相对于纯铜标准粉末的｛220｝晶面的X射线衍射积分强度之比记作I/I₀｛220｝，将来自轧制面的｛311｝晶面的X射线衍射积分强度相对于纯铜标准粉末的｛311｝晶面的X射线衍射积分强度之比记作I/I₀｛311｝，将来自轧制面的｛111｝晶面的X射线衍射积分强度相对于纯铜标准粉末的｛111｝晶面的X射线衍射积分强度之比记作I/I₀｛111｝，则满足以下（1）及（2）的关系，

（1）　30≤（I/I₀｛220｝）/（I/I₀｛200｝）≤95

（2）　0.36≤2×（I/I₀｛111｝）＋（I/I₀｛311｝）≤0.48。

｛200｝晶面主要是由固溶处理而生长的晶体取向，在紧接固溶处理之后（I/I₀｛220｝）/（I/I₀｛200｝）形成不足10左右的相当小的值。与此相对，如果在固溶处理后实施冷轧，则｛220｝晶面根据冷轧的轧制加工率而生长，（I/I₀｛220｝）/（I/I₀｛200｝）变大。因此，（I/I₀｛220｝）/（I/I₀｛200｝）从一方面来讲可以说是评价冷轧程度的指标。如果（I/I₀｛220｝）/（I/I₀｛200｝）过小，则无法获得足够的强度，另一方面，如果（I/I₀｛220｝）/（I/I₀｛200｝）过高，则此次弯曲加工性变差。如果考虑到强度和弯曲加工性的平衡，则优选30≤（I/I₀｛220｝）/（I/I₀｛200｝）≤95，更优选40≤（I/I₀｛220｝）/（I/I₀｛200｝）≤70。

另外，对于添加了第三元素的钛铜来讲，以往由于为了得到所需的强度和弯曲加工性而实施2次固溶处理，所以第二次固溶处理后｛200｝晶面过度生长。然后，如果实施冷轧，则发生｛111｝晶面→｛311｝晶面的晶体取向的旋转，所以根据冷轧的轧制加工率｛111｝晶面及｛311｝晶面依次生长，最终在｛220｝晶面的取向增大，但是以往固溶处理后在｛200｝晶面的取向大，所以即使在冷轧后处于该过渡阶段的在｛111｝晶面及｛311｝晶面的取向残留较多，2×（I/I₀｛111｝）＋（I/I₀｛311｝）＞0.48。

另一方面，本发明涉及的钛铜由于仅实施一次固溶处理，所以固溶处理后的｛200｝晶面的生长程度小。所以，在冷轧后，在｛220｝晶面的取向是支配性的，在｛111｝晶面及｛311｝晶面的取向的残留少。典型的是，本发明涉及的钛铜满足2×（I/I₀｛111｝）＋（I/I₀｛311｝）≤0.48，优选满足2×（I/I₀｛111｝）＋（I/I₀｛311｝）≤0.45。然而，如果固溶处理不充分，则2×（I/I₀｛111｝）＋（I/I₀｛311｝）变得过小，无法获得良好的弯曲加工性。因此，优选满足0.36≤2×（I/I₀｛111｝）＋（I/I₀｛311｝），更优选满足0.38≤2×（I/I₀｛111｝）＋（I/I₀｛311｝）。I/I₀｛111｝乘以2进行加权是由于紧接固溶处理后的｛200｝晶面的生长程度越高，则残留的｛111｝晶面也越容易大量残留，因果关系大的缘故。

另外，本发明涉及的铜合金优选的实施方式中，进一步满足以下（3）的关系。

（3）　1.02≤（I/I₀｛111｝）/（I/I₀｛200｝）≤2.00

（I/I₀｛111｝）/（I/I₀｛200｝）可以说表示由固溶处理后的冷轧产生的从｛200｝晶面向｛111｝晶面的旋转的容易性。虽然理由尚未确定，但是通过使（I/I₀｛111｝）/（I/I₀｛200｝）为该范围，强度和弯曲加工性的平衡进一步提高。更优选1.10≤（I/I₀｛111｝）/（I/I₀｛200｝）≤1.50。为了使（I/I₀｛111｝）/（I/I₀｛200｝）在该范围，如后所述，有效的是在固溶处理后、实施冷轧之前实施规定的热处理。

＜用途＞

本发明涉及的铜合金可以作为各种铜合金压延制品，例如板、条、管、棒及线来提供。本发明涉及的钛铜没有限定，但是可以适合用作开关、连接器、插座、端子、继电器等电子部件的材料。

＜制法＞

本发明涉及的钛铜可以通过仅实施一次固溶处理，并在后续的工序中实施适当的热处理及冷轧来制造。下面，按照每个工序依次说明适合的制造例。

1）锭料制造

经熔化及铸造而成的锭料的制造是在基本上真空或惰性气体气氛中进行的。若在熔化中具有添加元素的熔化残留，则不会有效地对强度的提高起作用。因此，为了消除熔化残留，对于Fe、Cr等高熔点的第3元素，从添加开始就进行充分地搅拌，而且必须保持一定时间。另一方面，由于Ti在Cu中比较容易熔化，所以可以在第3元素熔化后再添加。因此，理想的是，在Cu中添加选自Fe、Co、Ni、Cr、V、Nb、Mo、Mn、Zr、Si、Mg、B及P中的一种或两种以上以使其总计含有0.01～0.15质量%，接着，添加Ti以使其含有2.0～4.0质量%，从而制造锭料。

2）匀质化退火及热轧

锭料制造时产生的凝固偏析、晶析物粗大，所以通过匀质化退火尽可能使其固溶在母相中而减小，优选尽可能消除。这是由于其具有防止弯曲裂纹的效果。

具体来讲，优选在锭料制造工序后，在加热至900～970℃进行3～24小时匀质化退火，然后实施热轧。为了防止液体金属脆性，优选热轧前及热轧中为960℃以下，且从原始厚度到整体的轧制加工率为90%的过程为900℃以上。并且，为了在每个过程引起适度的重结晶并有效地降低Ti的偏析，可以以每个过程的轧制量为10～20mm来实施。

3）中间轧制

在固溶处理前实施中间轧制。越是提高中间轧制中的轧制加工率，则越可以均匀且微细地控制固溶处理中的重结晶粒子。其中，如果使加工度过高而进行最终的固溶处理，则重结晶集合组织生长，产生塑性各向异性，有可能会损害加压成型性。因此，中间轧制的轧制加工率优选70～99%。轧制加工率定义为｛（（轧制前的厚度-轧制后的厚度）/轧制前的厚度）×100%｝。

4）固溶处理

在中间轧制后，进行一次固溶处理。在固溶处理中，理想的是使析出物完全地固溶，但是如果加热到直至其完全消除的高温，则晶粒容易粗大化，所以使加热温度为第二相粒子组成的固溶限度附近的温度（Ti的添加量在2.0～4.0质量%的范围，Ti的固溶限度与添加量相等的温度是730～840℃左右，例如Ti的添加量为3.2质量%时，为800℃左右）。并且，若快速加热到该温度、并使冷却速度也加快，则抑制粗大的第二相粒子的发生。因此，典型地是，加热到730～880℃下Ti的固溶限度与添加量相同的温度以上，更为典型的是加热到比730～880℃下Ti的固溶限度与添加量相同的温度高出0～20℃的温度，优选加热到高出0～10℃的温度。在本发明中，仅实施一次固溶处理，但由于第三元素的添加量少，所以固溶充分地进行，还可获得细微的重结晶粒子。

另外，固溶处理的加热时间短可以抑制晶粒的粗大化。加热时间可以为例如30～90秒，典型的是可以为30～60秒。在此时即使产生第2相粒子，只要其细微且均匀地分散，对强度和弯曲加工性几乎是无害的。然而，存在粗大的粒子在最终的时效处理中进一步生长的趋势，因此在此时的第2相粒子即便生成也必须尽量使其减少、减小。

5）固溶处理后的工序（冷轧→时效处理的方式）

继固溶处理之后，可以按顺序进行最终的冷轧及时效处理。通过最终的冷加工可以提高钛铜的强度。该冷轧中的轧制加工率会影响前述的晶体取向的积分强度。为了满足本发明中规定的各种晶体取向的积分强度，使轧制加工率为5～40%，优选10～30%，进一步优选15～25%。

在上述冷轧后，进行时效处理。时效处理在惯例的条件下进行即可，但是例如优选在材料温度为300～500℃下加热0.1～15小时，更优选在材料温度350～450℃下加热0.5～8小时。

5’）固溶处理后的工序（时效处理→冷轧的方式）

优选的是，继固溶处理之后，按顺序进行时效处理及最终的冷轧。以往的惯例是在最终的固溶处理后首先进行冷轧，但通过在最终的固溶处理后，不进行冷轧而直接进行时效处理，并在此之后进行冷轧，容易实现1.02≤（I/I₀｛111｝）/（I/I₀｛200｝）≤2.00的范围，强度及弯曲加工性的平衡提高。

如果热处理固溶处理后的钛铜，则随着调制结构的生长，导电率上升，所以退火的程度可以将退火前后的导电率的变化作为指标。根据本发明人的研究，理想的是，热处理在使导电率上升0.5～8%IACS，优选上升1～4%IACS的条件下进行。与这种导电率上升相对应的具体热处理条件是，使材料温度为300℃以上且低于700℃加热0.001～12小时的条件。

优选在以下任意一种条件下进行热处理。

・使材料温度为300℃以上且低于400℃加热0.5～3小时

・使材料温度为400℃以上且低于500℃加热0.01～0.5小时

・使材料温度为500℃以上且低于600℃加热0.001～0.01小时

・使材料温度为600℃以上且低于700℃加热0.001～0.005小时

另外，更优选在以下任意一种条件下进行热处理。

・使材料温度为350℃以上且低于400℃加热1～3小时

・使材料温度为400℃以上且低于500℃加热0.2～0.5小时

・使材料温度为500℃以上且低于550℃加热0.005～0.01小时

・使材料温度为550℃以上且低于600℃加热0.001～0.005小时

・使材料温度为600℃以上且低于650℃加热0.0025～0.005小时

在上述时效处理后，进行最终的冷轧。通过最终的冷加工可以提高钛铜的强度。该冷轧中的轧制加工率会影响前述的晶体取向的积分强度。为了满足在本发明中规定的各种晶体取向的积分强度，使轧制加工率为5～40%、优选10～30%、更优选15～25%。

工序5’）中的最终冷轧后，根据需要还可以进行消除应力退火、时效处理。时效处理的条件可以是惯用的条件，但是如果以与以往相比较轻的程度进行时效处理，则强度和弯曲加工性的平衡进一步提高。具体来讲，优选在材料温度为300～400℃下加热3～12小时的条件下进行时效处理。

更优选在以下任意一种条件下进行时效处理。

・使材料温度为340℃以上且低于360℃加热5～8小时

・使材料温度为360℃以上且低于380℃加热4～7小时

・使材料温度为380℃以上且低于400℃加热3～6小时

更进一步优选在以下任意一种条件下进行时效处理。

・使材料温度为340℃以上且低于360℃加热6～7小时

・使材料温度为360℃以上且低于380℃加热5～6小时

・使材料温度为380℃以上且低于400℃加热4～6小时

需要说明的是，若是本领域技术人员，则可以认识到在上述各工序的期间，可以适当地进行用于除去表面的氧化皮的研磨、抛光、喷砂酸洗等工序。

实施例

以下，将本发明的实施例与比较例一起示出，但是这些实施例是为了更好地理解本发明及其优点而提供的，并非有意限定发明。

在制造本发明例的铜合金时，从添加作为活性金属的Ti来作为第2成分开始，在熔制中使用真空熔化炉。另外，为了防止除本发明中规定的元素之外的杂质元素的混入所致的预料之外的副作用的产生于未然，严格选用纯度较高的原料来使用。

首先，以表1中示出的组成在Cu中各自添加Mn、Fe、Mg、Co、Ni、Cr、V、Nb、Mo、Zr、Si、B及P后，各自添加该表中示出的组成的Ti。为了使添加元素没有熔化残留，对于添加后的保持时间也要充分考虑，之后在Ar气氛中将它们注入铸模，各自制造约2kg的锭料。

对上述锭料，进行在950℃下加热3小时的匀质化退火后，在900～950℃下进行热轧，得到板厚10mm的热轧板。在经刮削去氧化皮后，进行冷轧制成条坯的板厚（1.5mm），利用试验片进行条坯的第1次固溶处理。第1次固溶处理的条件为在850℃下加热7.5分钟。需要说明的是，在发明例中不进行第1固溶处理。接着，在中间冷轧中调节中间的板厚并进行冷轧以使最终板厚为0.25mm，然后插入可以快速加热的退火炉中进行最终的固溶处理，之后进行水冷。此时的加热条件是，以材料温度为Ti的固溶限度与添加量相同的温度（在Ti浓度3.2质量%条件下约为800℃、在Ti浓度2.0质量%条件下约为730℃、在Ti浓度4.0质量%条件下约为840℃、在Ti浓度2.9质量%条件下约为790℃）为基准，在表1中记载的加热条件下各保持1分钟。接着，在Ar气氛中、在表1中记载的条件下进行第一时效处理。经酸洗去氧化皮后，在表1中记载的条件下进行最终冷轧，最后在表1中记载的各加热条件下进行时效处理，制成发明例和比较例的试验片。根据试验片的不同省略了紧接固溶处理后的时效处理。

[表1]

对于得到的各试验片，在以下的条件下进行特性评价。结果示于表2。

＜强度＞

以拉伸方向与轧制方向相平行的方式，使用压锻机制作JIS 13 B号试验片。按照JIS-Z 2241进行该试验片的拉伸试验，测定轧制平行方向的屈服强度σ 0.2 （YS）。

＜弯曲加工性＞

按照JIS H 3130，进行Badway（弯曲轴与轧制方向为同一方向）的W弯曲试验，测定不产生裂纹的最小半径（MBR）与板厚（t）之比MBR/t值。

＜X射线衍射测定＞

对于各试验片，使用理学电机社制型号rint　Ultima2000的X射线衍射装置，在以下的测定条件下取得轧制面的衍射强度曲线，测定｛111｝晶面、｛200｝晶面、｛220｝晶面、｛311｝晶面的积分强度I。在同样的测定条件下，对于纯铜粉标准试样，求出｛111｝晶面、｛200｝晶面、｛220｝晶面、｛311｝晶面的积分强度I₀，计算I/I₀｛111｝、I/I₀｛200｝、I/I₀｛220｝、I/I₀｛311｝，求出（I/I₀｛220｝）/（I/I₀｛200｝）、2×（I/I₀｛111｝）＋（I/I₀｛311｝）及（I/I₀｛111｝）/（I/I₀｛200｝）。

・靶：Cu管球

・管电压：40kV

・管电流：40mA

・扫描速度：5°/min

・采样步宽：0.02°

・测定范围（2θ）：60°～80°

[表2]

＜考察＞

No.2及3是发明例，可知强度和弯曲加工性平衡性良好地得到提高。另外，No.12及13是在固溶处理后进行时效处理的发明例，可知强度和弯曲加工性的平衡进一步得到提高。另外，No.15是Fe浓度为0.08质量%的发明例，No.16是Ti浓度下限值的发明例，No.17是Ti浓度上限值的发明例，No.18是降低了最终冷轧的轧制加工率的发明例，No.19是提高了最终冷轧的轧制加工率的发明例，No.20是未实施第二时效处理的发明例。

另一方面，No.1及11是Fe浓度过低的比较例。No.4、5及14是Fe浓度过高的比较例。特别地，No.14相当于Fe浓度为0.2质量%并进行两次固溶处理的现有例，但是可以理解在发明例中获得与其匹敌的强度及弯曲加工性的平衡。No.6～10是实施了两次固溶处理的比较例，通过与发明例相比，可以充分地理解本发明的强度及弯曲加工性的平衡的提高效果。No.23是最终冷轧的轧制加工率过低的比较例，No.24是最终冷轧的轧制加工率过高的比较例。

Claims

1.铜合金，其是含有2.0～4.0质量%的Ti，进而含有总计为0.01～0.15重量%的选自Fe、Co、Ni、Cr、V、Nb、Mo、Mn、Zr、Si、Mg、B及P中的一种以上，且剩余部分由铜及不可避免的杂质构成的电子部件用铜合金，其中，

如果将来自轧制面的｛200｝晶面的X射线衍射积分强度相对于纯铜标准粉末的｛200｝晶面的X射线衍射积分强度之比记作I/I₀｛200｝，将来自轧制面的｛220｝晶面的X射线衍射积分强度相对于纯铜标准粉末的｛220｝晶面的X射线衍射积分强度之比记作I/I₀｛220｝，将来自轧制面的｛311｝晶面的X射线衍射积分强度相对于纯铜标准粉末的｛311｝晶面的X射线衍射积分强度之比记作I/I₀｛311｝，将来自轧制面的｛111｝晶面的X射线衍射积分强度相对于纯铜标准粉末的｛111｝晶面的X射线衍射积分强度之比记作I/I₀｛111｝，则满足以下（1）及（2）的关系，

（1）　30≤（I/I₀｛220｝）/（I/I₀｛200｝）≤95

（2）　0.36≤2×（I/I₀｛111｝）＋（I/I₀｛311｝）≤0.48。

2.根据权利要求1所述的铜合金，其进一步满足以下（3）的关系，

（3）　1.02≤（I/I₀｛111｝）/（I/I₀｛200｝）≤2.00。

3.铜合金压延制品，其主要由权利要求1或2所述的铜合金构成。

4.电子部件，其具备权利要求1或2所述的铜合金。

5.连接器，其具备权利要求1或2所述的铜合金。

6.权利要求1或2所述的铜合金的制造方法，其包括：

继固溶处理之后，进行轧制加工率为5～40%的最终冷轧，

继最终冷轧之后，在材料温度为300～500℃下进行0.1～15小时的时效处理，

并且仅实施一次固溶处理。

7.权利要求1或2所述的铜合金的制造方法，其包括：

继时效处理之后，进行轧制加工率为5～40%的最终冷轧，

并且仅实施一次固溶处理。