CN102442781B - 一种led封装材料及其制备方法与应用 - Google Patents

一种led封装材料及其制备方法与应用 Download PDF

Info

Publication number
CN102442781B
CN102442781B CN201010298630.3A CN201010298630A CN102442781B CN 102442781 B CN102442781 B CN 102442781B CN 201010298630 A CN201010298630 A CN 201010298630A CN 102442781 B CN102442781 B CN 102442781B
Authority
CN
China
Prior art keywords
led
temperature
sintering
powder
packaged material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201010298630.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102442781A (zh
Inventor
李启智
诸平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xiamen Huahai Optoelectronics Technology Co ltd
Original Assignee
HUIZHOU JINGBAO PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY CO LTD
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by HUIZHOU JINGBAO PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY CO LTD filed Critical HUIZHOU JINGBAO PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY CO LTD
Priority to CN201010298630.3A priority Critical patent/CN102442781B/zh
Publication of CN102442781A publication Critical patent/CN102442781A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102442781B publication Critical patent/CN102442781B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明公开了一种LED封装材料及其制备方法与应用。该LED封装材料由质量百分比80~95%的玻璃微粉和质量百分比5~20%的荧光粉组成,该荧光粉为圆球形的不聚集型荧光粉体。将玻璃微粉和荧光粉作为起始材料,与无水乙醇进行搅拌混合,得到复合粉体;复合粉体过滤,于100~150℃干燥,得到复合粉末,再置于高温高压磨具中,采用连续冲压高温成型技术,之后冷却至室温,得到LED封装材料。该LED封装材料透光率更好、气密性优越,散热性能良好,有利于保护LED芯片的使用性能。

Description

一种LED封装材料及其制备方法与应用
技术领域
本发明特别涉及一种LED封装材料及其制备方法与应用,属于发光材料领域。
背景技术
LED作为一种新型的照明光源以其节能、环保、发光效率高、寿命长等突出优点正越来越广泛地应用于各种场合。采用LED应用在灯具中现在已经可以作为路灯、广告灯等大型、小型灯具使用。
LED发光二极管由于节约能源成为研究和应用的热点。LED发光二极管中的重要部件为芯片。LED封装是指发光芯片的封装,该封装不仅要求能够保护灯芯,而且还要能够透光,因此在LED封装中对封装材料有特殊的要求。过去LED的封装常采用荧光粉与环氧树脂或与有机硅胶进行混合制得的方法。
其中,荧光粉材料是制约LED性能的重要环节。目前用于LED封装材料的荧光粉多选用球磨机制得的荧光粉,此类荧光粉在涂料时,容易从荧光浆料中析出并沉淀,造成涂层不均匀,易导致产生白光的色调漂移,使发光二极管的颜色出现蓝色或黄色斑点。而且,由于现有球磨机制得的荧光粉粒度分布较宽,外貌呈不规格状,容易聚集,这就使得在制备封装材料时,需要与刚玉磨珠一起置于球磨机中球磨混合至少2小时、干燥,然后还需要将干燥后的复合粉体进行目筛,接着进行高温热压、烧结等处理,最后还得将烧结体进行平面磨削、抛光,方可完成制备,具体参阅申请号为200910154360、申请日为2009年11月30日,名称为“一种应用于半导体照明的荧光粉/玻璃复合体及其制备方法”的中国发明专利申请。
采用上述荧光粉进行LED材料的制备,主要存在以下缺点:需要采用球磨机,并与刚玉磨珠进行球磨混合,混合时间过长;需要将干燥后的复合粉体进行目筛,而后还需要进行平面磨削、抛光,整个制备过程工艺复杂、效率低、成本较高。
另一方面,采用环氧树脂的缺陷为:环氧树脂在光线的长期照射、空气当水分、氧气及环境温度的长期影响下,易于老化、裂解、黄变,造成LED芯片的热传导不出来,LED芯片光衰甚至被击穿。而且环氧树脂的透明度为80%左右,光的利用率不高,所以采用环氧树脂封装LED,其发光效率较低,气密性差。
相比于环氧树脂,更为先进的封装是改用耐候性、耐光性更为优秀的硅胶封装,硅胶克服了环氧树脂的大部分缺点,但是仍不能适用于严苛的环境中,如(1)室外使用:如路灯,在高温、紫外线长期照射环境中;(2)应用于以提高主照明LED亮度的紫外光LED芯片中,等等。这是由于硅胶与荧光粉的混合,很难避免分子间造成通路,水汽仍会经由此通路进入,而在使用紫外光作为LED发光源时,硅胶的耐紫外线仍会快速裂解,气密性差。
目前,最为前沿的技术是采用玻璃微粉与荧光粉混合制作LED封装材料,粘连效果更好,气密性能更高,可有效防止采用环氧树脂、硅胶所存在的气密性、透光性不足,是LED封装的理想材料。但鉴于前述荧光粉所存在的不足,其与前述荧光粉混合后,还存在发光效率较低、发光性能不稳定等缺点,不能适应人们对LED高可靠性、超长寿命、高透光率的要求,以及对LED制备、封装方法、效率、成本的要求。
发明内容
本发明的首要目的在于克服现有技术的缺点与不足,提供一种LED封装材料,本发明LED封装材料透光率高、发光性能稳定,而且,气密性好。
本发明的另一目的在于提供所述LED封装材料的制备方法,该方法工艺简单、效率高、成本低。
本发明的再一目的在于提供所述LED封装材料的应用。
本发明的目的通过下述技术方案实现:一种LED封装材料,由以下按质量百分比计的成分组成:
玻璃微粉  80~95%
荧光粉    5~20%;
所述的荧光粉为圆球形的不聚集型荧光粉体。
所述的玻璃微粉是具有以下特点的玻璃微粉:透光率为85~95%,软化温度Tg为300~500℃,烧结温度为350~600℃,粒径为微米、亚微米或纳米级;
所述荧光粉优选采用喷雾热解法或溶胶凝胶法制得,为市售的Y2O3:Eu、Gd2O3:Eu、(Y,Gd)2O3:Eu、(Y,Gd)BO2:Eu、Y3Al5O12:Eu、Sr5(PO4)3Cl:Eu红色荧光粉;或者为Y3Al5O12:Ce、Y2SiO5:Ce、BaAl12O19:Mn蓝色荧光粉,或者为Ce1-xTbxMgAl11O19、Y2SiO3:Tb、Y3Al5O12:Tb绿色荧光粉等。
所述的荧光粉为微米、亚微米或纳米级;优选粒度为0.1μm~8μm的荧光粉。
所述LED封装材料的制备方法,包含以下步骤:
(1)将质量百分比80~95%的玻璃微粉和质量百分比5~20%的荧光粉作为起始材料,与无水乙醇进行搅拌混合,得到复合粉体;
(2)将步骤(1)得到的复合粉体进行过滤,再于100~150℃干燥,得到复合粉末;
(3)将步骤(2)得到的复合粉末置于高温高压模具中,采用连续冲压高温成型技术,具体条件为:于200~1500Kg/m2冲压,在抽真空脱气后,由室温升至烧结温度进行烧结,该烧结温度为Tg+(30~80℃),Tg为玻璃微粉的软化温度;烧结0.5~2小时后退火至100~150℃保温1~3小时以消除应力,之后冷却至室温,得到LED封装材料,该LED封装材料是成型的。
步骤(1)中所述无水乙醇的用量优选为相当于复合粉体质量的20~70%;
步骤(1)中所述搅拌的速度优选为1300~1800rpm;
步骤(3)中所述冲压次数为3~10次。
所述的LED封装材料应用于LED芯片封装,其具体操作如下:
①于LED芯片固晶、焊线完成后,涂布一层薄层透明胶,接着覆盖上述LED封装材料;透明胶的作用是作为密封剂和接着剂;
②加热至100~150℃,使透明胶硬化即可;
步骤①中所述的透明胶,优选透光率为88~92%的光学硅胶;所涂透明胶层的厚度优选为0.5~5μm。
本发明相对于现有技术具有如下的优点及效果:
本发明荧光粉采用圆球形的不聚集型荧光粉体,光学性能更好;在制备LED封装材料过程中,只需要用搅拌机进行高速搅拌,搅拌混合时间短,效率高,而且不需要进过目筛、平面磨削、抛光等处理,加工工艺更为简单、成本更低,所制得的LED封装材料透光率更好,且气密性优越;将制得的LED封装材料应用于LED芯片封装时,只需采用硅胶将LED封装材料粘贴至芯片上,封装操作更为简便,且气密性、透光性更为优越,散热性能良好,寿命长。本发明尤其适用于紫外线LED的封装。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步详细的描述,但本发明的实施方式不限于此。
实施例1
(1)将800g玻璃微粉(透光率为85~95%,软化温度Tg为300℃,烧结温度为350℃)和200g荧光粉(Y2O3:Eu红色荧光粉、BaAl12O19:Mn蓝色荧光粉,Ce1-xTbxMgAl11O19绿色荧光粉,三种荧光粉的质量比为1∶2∶3,且粒径均为0.1~1μm,均荧光粉体为圆球形的不聚集型)作为起始材料,与250g无水乙醇在搅拌机中以1800rpm的速度进行搅拌混合,得到复合粉体;
(2)将步骤(1)得到的复合粉体进行过滤,再于100℃干燥,得到复合粉末;
(3)将步骤(2)得到的复合粉末置于高温高压模具中,采用连续冲压高温成型技术,具体条件为:于200Kg/m2冲压10次,在抽真空脱气后,由室温升至烧结温度进行烧结,该烧结温度为350℃;烧结1小时后退火至150℃保温1小时以消除应力,之后冷却至室温,得到LED封装材料,该LED封装材料是成型的。
(4)于LE D芯片(台湾晶电公司的蓝光LED芯片)固晶、焊线完成后,涂布透光率为88%的光学硅胶,厚度为0.5μm,接着覆盖步骤(3)得到的LED封装材料;
(5)加热至100℃,使透明胶硬化即可得到封装好的LED。
实施例2
(1)将950g玻璃微粉(透光率为85~95%,软化温度Tg为500℃,烧结温度为580℃)和50g荧光粉(市售的舍乙铝石榴石白光系列荧光粉,Y3Al5O12:Eu红色荧光粉、Y2SiO5:Ce蓝色荧光粉、Y3Al5O12:Tb绿色荧光粉,三种荧光粉的质量比为1∶1∶2,且粒径均为2~3μm,荧光粉体均为圆球形的不聚集型)作为起始材料,与430g无水乙醇在搅拌机中以1300rpm的速度进行搅拌混合,得到复合粉体;
(2)将步骤(1)得到的复合粉体进行过滤,再于150℃干燥,得到复合粉末;
(3)将步骤(2)得到的复合粉末置于高温高压模具中,采用连续冲压高温成型技术,具体条件为:于1500Kg/m2冲压3次,在抽真空脱气后,由室温升至烧结温度进行烧结,该烧结温度为580℃;烧结0.5小时后退火至100℃保温3小时以消除应力,之后冷却至室温,得到LED封装材料,该LED封装材料是成型的。
(4)于LED芯片(台湾晶电公司的蓝光LED芯片)固晶、焊线完成后,涂布透光率为92%的光学硅胶,厚度为5μm,接着覆盖步骤(3)得到的LED封装材料;
(5)加热至150℃,使透明胶硬化即可得到封装好的LED。
实施例3
(1)将900g玻璃微粉(透光率为85~95%,软化温度Tg为420℃,烧结温度为450℃)和100g荧光粉(Sr5(PO4)3Cl:Eu红色荧光粉、Y2SiO5:Ce蓝色荧光粉、Y3Al5O12:Tb绿色荧光粉,三种荧光粉的质量比为1∶1∶2,且粒径为2~3μm,荧光粉体均为圆球形的不聚集型)作为起始材料,与700g无水乙醇在搅拌机中以1500rpm的速度进行搅拌混合,得到复合粉体;
(2)将步骤(1)得到的复合粉体进行过滤,再于120℃干燥,得到复合粉末;
(3)将步骤(2)得到的复合粉末置于高温高压模具中,采用连续冲压高温成型技术,具体条件为:于1000Kg/m2冲压5次,在抽真空脱气后,由室温升至烧结温度进行烧结,该烧结温度为450℃;烧结2小时后退火至120℃保温3小时以消除应力,之后冷却至室温,得到LED封装材料,该LED封装材料是成型的。
(4)于LE D芯片(台湾旭明公司的蓝光LED芯片)固晶、焊线完成后,涂布透光率为90%的光学硅胶,厚度为3μm,接着覆盖步骤(3)得到的LED封装材料;
(5)加热至120℃,使透明胶硬化即可得到封装好的LED。
测试结果:
对实施例1~3制备的封装好的LED进行测试:将封装好的LED接500mA、3.2v~3.8v的电源置于85~100℃的烘箱内烘烤,烘烤1000小时后,未观察到实施例1~3制备的封装好的LED芯片存在任何异常,LED依然保持正常工作状态。
对照组:用硅胶和荧光粉组成的LED封装材料对台湾晶电公司的蓝光LED芯片进行封装,其中硅胶采用美国道化学公司所生产的任意一种光学硅胶,荧光粉分别选用BaAl12O19:Mn蓝色荧光粉、Y3Al5O12:Eu红色荧光粉;硅胶和荧光粉分别按质量比8∶2混合,用LED点胶机进行封装,将封装好的LED接500mA、3.2v~3.8v的电源置于85~100℃的烘箱内烘烤,烘烤200小时后,实验发现硅胶和荧光粉组成的封装材料出现烧焦或龟裂,光衰达到30%~50%。
由于玻璃微粉相对于硅胶、环氧树脂具有更好的气密性,因此本发明制备得到LED封装材料气密性更好。实施例1~3制备的LED在烘烤1000小时后,依然正常,说明其寿命更长,发光性能更为稳定。
上述实施例为本发明较佳的实施方式,但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制,其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化,均应为等效的置换方式,都包含在本发明的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种LED封装材料,其特征在于所述的LED封装材料通过如下步骤制备得到:
(1)将800g玻璃微粉和200g荧光粉作为起始材料,与250g无水乙醇以1800rpm的速度进行搅拌混合,得到复合粉体;该玻璃微粉透光率为85~95%,软化温度Tg为300℃,烧结温度为350℃;该荧光粉由Y2O3:Eu红色荧光粉、BaAl12O19:Mn蓝色荧光粉和Ce1-xTbxMgAl11O19绿色荧光粉按质量比1∶2∶3组成,且粒径均为0.1~1μm,荧光粉体均为圆球形的不聚集型;
(2)将步骤(1)得到的复合粉体进行过滤,再于100℃干燥,得到复合粉末;
(3)将步骤(2)得到的复合粉末置于高温高压模具中,采用连续冲压高温成型技术,具体条件为:于200Kg/m2冲压10次,在抽真空脱气后,由室温升至烧结温度进行烧结,该烧结温度为350℃;烧结1小时后退火至150℃保温1小时,之后冷却至室温,得到LED封装材料。
2.权利要求1所述LED封装材料的制备方法,其特征在于包含以下步骤:
(1)将800g玻璃微粉和200g荧光粉作为起始材料,与250g无水乙醇以1800rpm的速度进行搅拌混合,得到复合粉体;该玻璃微粉透光率为85~95%,软化温度Tg为300℃,烧结温度为350℃,该荧光粉由Y2O3:Eu红色荧光粉、BaAl12O19:Mn蓝色荧光粉和Ce1-xTbxMgAl11O19绿色荧光粉按质量比1∶2∶3组成,且粒径均为0.1~1μm,荧光粉体均为圆球形的不聚集型;
(2)将步骤(1)得到的复合粉体进行过滤,再于100℃干燥,得到复合粉末;
(3)将步骤(2)得到的复合粉末置于高温高压模具中,采用连续冲压高温成型技术,具体条件为:于200Kg/m2冲压10次,在抽真空脱气后,由室温升至烧结温度进行烧结,该烧结温度为350℃;烧结1小时后退火至150℃保温1小时,之后冷却至室温,得到LED封装材料。
3.权利要求1所述LED封装材料的应用,其特征在于:所述的LED封装材料应用于LED芯片封装,其具体操作如下:
①于LED芯片固晶、焊线完成后,涂布一层薄层透明胶,接着覆盖上述LED封装材料;
②加热至100~150℃,使透明胶硬化即可。
4.根据权利要求3所述的应用,其特征在于:步骤①中所述的透明胶为透光率为88~92%的光学硅胶;
所述薄层透明胶的厚度为0.5~5μm。
CN201010298630.3A 2010-09-30 2010-09-30 一种led封装材料及其制备方法与应用 Expired - Fee Related CN102442781B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201010298630.3A CN102442781B (zh) 2010-09-30 2010-09-30 一种led封装材料及其制备方法与应用

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201010298630.3A CN102442781B (zh) 2010-09-30 2010-09-30 一种led封装材料及其制备方法与应用

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102442781A CN102442781A (zh) 2012-05-09
CN102442781B true CN102442781B (zh) 2014-07-16

Family

ID=46005772

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201010298630.3A Expired - Fee Related CN102442781B (zh) 2010-09-30 2010-09-30 一种led封装材料及其制备方法与应用

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102442781B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102442778B (zh) * 2010-09-30 2014-06-04 惠州晶宝光电科技有限公司 一种荧光玻璃及其制备方法与应用
CN102730974B (zh) * 2012-06-08 2014-08-13 王双喜 一种用于制备led封装用玻璃荧光层的浆料
CN102732158B (zh) * 2012-06-26 2015-08-19 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 一种固晶胶及led封装方法
CN104124324B (zh) * 2014-08-06 2017-03-01 华中科技大学 一种led封装玻璃及其制备方法和应用
CN105140378A (zh) * 2015-09-15 2015-12-09 易美芯光(北京)科技有限公司 采用玻璃荧光片的led封装结构及工艺
CN105542693A (zh) * 2016-03-15 2016-05-04 重庆信德电子有限公司 Led灯丝的封装材料
CN106206920A (zh) * 2016-08-29 2016-12-07 上海瑞丰光电子有限公司 Led封装结构、封装方法及具有该led封装结构的led灯

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1560186A (zh) * 2004-02-25 2005-01-05 兰州大学 一种真空紫外硼酸盐荧光材料的制备方法
CN101723586A (zh) * 2009-11-30 2010-06-09 浙江大学 一种应用于半导体照明的荧光粉/玻璃复合体及其制备方法
CN102447281A (zh) * 2010-10-08 2012-05-09 高汉军 多功能汽车充电桩

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05121002A (ja) * 1991-10-25 1993-05-18 Nec Corp Ac面放電型プラズマデイスプレイパネル

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1560186A (zh) * 2004-02-25 2005-01-05 兰州大学 一种真空紫外硼酸盐荧光材料的制备方法
CN101723586A (zh) * 2009-11-30 2010-06-09 浙江大学 一种应用于半导体照明的荧光粉/玻璃复合体及其制备方法
CN102447281A (zh) * 2010-10-08 2012-05-09 高汉军 多功能汽车充电桩

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开平5-121002A 1993.05.18

Also Published As

Publication number Publication date
CN102442781A (zh) 2012-05-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102442781B (zh) 一种led封装材料及其制备方法与应用
CN102020851B (zh) 一种光转换柔性高分子材料及其用途
CN101723586B (zh) 一种应用于半导体照明的荧光粉/玻璃复合体及其制备方法
CN106479500B (zh) 一种发光玻璃陶瓷及其制法与在led照明器件中的应用
CN104177079B (zh) 用于白光LED荧光转换的含Sr的Ce:YAG基透明陶瓷及其制备方法
CN102034917A (zh) 光半导体封装材料
CN102412347B (zh) 具荧光粉的基板的制造方法及发光组件的制造方法
CN107602109B (zh) 一种Cr3+掺杂富铝镁铝尖晶石荧光透明陶瓷及其制备方法
CN102442778B (zh) 一种荧光玻璃及其制备方法与应用
CN107265873A (zh) 一种白光led封装用低熔点荧光玻璃片及其制备方法
CN106887486B (zh) 用于白光led器件的条形码结构荧光陶瓷及其制备方法与应用
CN107892487A (zh) 一种基于低熔点硼硅酸盐玻璃粉的远程荧光片的制备方法
CN104177078B (zh) 用于白光LED荧光转换的含Lu的Ce:YAG基透明陶瓷及其制备方法
CN106986626B (zh) 一种羟基磷灰石基荧光陶瓷材料及其制备方法
JP5107882B2 (ja) 光半導体封止用シート
CN107098582B (zh) 一种热稳定性高的硼酸盐基质led用白光发光玻璃及其制备方法
CN112310263B (zh) 一种全光谱led光源
CN109336582A (zh) 一种用于白光led的复合结构荧光陶瓷及其制备方法
CN106058016B (zh) 双层结构远程的荧光体、制备方法及远程led器件
CN106219990B (zh) 用于双层荧光体基层的微晶玻璃及制备方法
CN205282499U (zh) 一种陶瓷荧光基板及发光装置
CN208570650U (zh) Led灯丝灯用封装基板、含有该基板的封装结构
CN115851261A (zh) 高显色指数PoCs荧光体及其制备方法和应用
CN101937963A (zh) Led发光单元及其封装方法
CN102899043A (zh) 稀土离子Dy3+掺杂的Bi4Si3O12白光LED荧光粉材料及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20160818

Address after: 361000 Fujian city of Xiamen province Chinese (Fujian) free trade zone of Xiamen District Road No. 28 building 186 lions fifteen

Patentee after: XIAMEN HUAHAI OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD.

Address before: 516006 Guangdong province Huizhou City Zhongkai high tech Zone Huifeng east two Road No. 16 building 203 room B

Patentee before: Huizhou Jingbao Photoelectric Technology Co.,Ltd.

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20140716

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee