CN102439663A - 预记录光学记录介质 - Google Patents

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CN102439663A CN2010800222971A CN201080022297A CN102439663A CN 102439663 A CN102439663 A CN 102439663A CN 2010800222971 A CN2010800222971 A CN 2010800222971A CN 201080022297 A CN201080022297 A CN 201080022297A CN 102439663 A CN102439663 A CN 102439663A
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Abstract

公开了一种耐久的预记录光学记录介质，其中，在由于时间的改变而导致的金属反射膜的特性的改变低。该预记录的光学记录介质(100)包括：基板(101)；信息记录表面，通过岸面(L)和凹坑(P)的组合来在其上记录信息；以及金属反射膜(102)，提供为接触该信息记录表面。该金属反射膜(102)表示为Al100-x-zXxZz(其中，x、z是At％)，其中，X包括至少包含Ti的元素，Z包括至少包含Fe的元素，x＝1.0到3.0，并且z＝0.05到1.0。

Description

预记录光学记录介质
技术领域
本发明涉及一种包括金属反射膜的只读光学记录介质。
背景技术
对于作为光学记录介质的光盘，尤其是只读ROM(只读存储器)盘，可以通过来自单个压模的塑料注射成型(injection molding)，而在短时间中以低成本生产大量的复制基板。因此，将光学记录介质广泛地用作封装介质。
附带地，为了防止著作权侵害，正在考虑一种添加区分每张盘的标识信息的方法。作为添加标识信息的方法，例如，提出了一种将子数据记录到金属反射膜上的方法(例如，参见专利文献1)。
在专利文献1的光盘中，将Ag(银)合金用作该金属反射膜。
由Ag合金形成的金属反射膜，不仅可以使用在记录子数据的专利文献1的只读光学记录介质中，而且可以使用在一般的只读光学记录介质中。
然而，由于银合金作为只读光学记录介质的材料有些昂贵，所以成本增加。
就此，正在考虑使用Al(铝)来代替Ag。
实际上，将Al或Al合金用作一种光学记录介质中的金属反射膜，该光学记录介质使用具有650nm和780nm波长的光来记录/再现信息(例如，参见专利文献2)。
专利文献1：日本专利申请特开第2007-335003号
专利文献2：日本专利申请特开第2003-317318号
发明内容
本发明要解决的问题
然而，对于构成光学记录介质的金属反射膜，使用如现有技术中的光学记录介质中使用的Al或Al合金导致问题，前一种光学记录介质使用具有405nm波长的光来记录/再现信息的，后一种光学记录介质使用具有650nm和780nm波长的光来记录/再现信息。
具体地，相对于具有405nm波长的光的反射率随时间改变而被降低。
而且，当将子数据记录到金属反射膜上并且从该金属反射膜再现时，再现信号输出由于时间改变而变化。
为了解决上述问题，在本发明中，提供了一种耐久的只读光学记录介质，其在由于时间改变而导致的金属反射膜的特性上具有较小变化。
用于解决问题的手段
根据本发明，提供了一种只读光学记录介质，包括：基板；信息记录表面，通过对在该基板上形成的凹坑(pit)和岸面(land)进行组合来构造，并且在其上记录信息；以及金属反射膜，其提供为与该信息记录表面接触，并且由Al100-x-zXxZz表示，其中，x和z每一个表示原子％，X由至少包括Ti的元素构成，Z由至少包括Fe的元素构成，x是1.0到3.0，并且z是0.05到1.0。
利用根据本发明的只读光学记录介质的结构，通过Al100-x-zXxZz表示该金属反射膜，其中，x和z每一个表示原子％，至少包括Ti的X成分的含量是1.0到3.0，并且至少包括Fe的Z成分的含量是0.05到1.0。
相应地，变得可能抑制由于时间改变而导致的金属反射膜的特性(例如，相对于具有405nm波长的光的反射率)的变化。
本发明的效果
根据本发明，变得可能抑制由于时间改变而导致的金属反射膜的特性的变化。
另外，根据本发明，该金属反射膜可以由便宜的材料形成。
因此，根据本发明，可以以低成本来实现一种耐久的只读光学记录介质，该记录介质在由于时间改变而导致的金属反射膜的特性上具有较小变化。
附图说明
图1是根据本发明第一实施例的只读光学记录介质的示意结构图(剖面图)。
图2是Ti-Al基相图。
图3是用于说明根据本发明第二实施例、用于只读光学记录介质的制造方法的实施例的图。
图4是示出根据本发明第二实施例、用于关于只读光学记录介质使用的子数据的记录设备的实施例的结构图。
图5是根据本发明第二实施例、用于将子数据记录到只读光学记录介质上的说明图。
图6是示出根据本发明第二实施例、用于关于只读光学记录介质使用的子数据的再现设备的实施例的结构图。
图7是根据本发明第二实施例、用于从只读光学记录介质中再现子数据的说明图。
图8的A和B是示出根据示例1和2、只读光学记录介质的加速测试之前和之后的反射率的改变的图。
图9的A和B是示出根据比较示例1和2、只读光学记录介质的加速测试之前和之后的反射率的改变的图。
图10是示出根据示例3到7、只读光学记录介质的初始记录敏感度的图。
图11是示出根据示例8到12、只读光学记录介质的初始记录敏感度的图。
图12是示出根据示例13到17、只读光学记录介质的初始记录敏感度的图。
图13是示出根据示例3到7、只读光学记录介质的加速测试之前和之后的子数据再现信号输出的改变的图。
图14是示出根据示例8到12、只读光学记录介质的加速测试之前和之后的子数据再现信号输出的改变的图。
图15是示出了根据示例13到17、只读光学记录介质的加速测试之前和之后的子数据再现信号输出的改变的图。
具体实施方式
在下文中，将描述本发明的最佳模式(在下文中，称作实施例)。
应该注意，将按照以下顺序进行描述。
1.第一实施例
2.第二实施例
3.修改示例
4.示例
<1.第一实施例>
图1示出根据本发明第一实施例只读光学记录介质的示意结构图(剖面图)。
光盘100具有多层结构，其中将金属反射膜102和覆盖层103层叠在基板101上。
作为基板101，例如可以使用由聚碳酸酯形成的塑料基板。
与金属反射膜102接触的基板101的表面具有凹凸剖面形状。凹状剖面部分对应于凹坑(pit)P，而凸状剖面部分对应于岸面(land)L。具体地，激光105从覆盖层103照射到其上的、且朝向激光105的光入射侧突出的凸状剖面部分是岸面L。使用凹坑P和岸面L的组合，更具体地使用凹坑P和岸面L的长度，来记录信息。
将金属反射膜102层叠在其上形成凹坑P和岸面L的基板101的凹凸表面上。然后，将覆盖层103层叠在金属反射膜102上。
作为覆盖层103的材料，例如可以使用聚碳酸酯树脂膜，或通过将紫外线照射到旋转涂敷到预定厚度的紫外线硬化树脂、并使其固化获得的膜。
通过在基板101上进行层叠，金属反射膜102具有与凹坑P和岸面L对应的凹凸剖面形状。
而且，如图1所示，将物镜104收集的激光105经由覆盖层103照射到金属反射膜102上。此时，获得与凹凸形状对应的反射光。
在该实施例中，特别地，金属反射膜102由通过Al100-x-zXxZz(x和z中每个是原子％)表示的Al合金形成。
这里，X包括Ti(钛)，而Z包括Fe(铁)。
另外，将Al合金中X的组成x和Z的组成z设置为处于x＝1.0到3.0和z＝0.05到1.0的范围内。
应该注意，除了作为主成分的Ti之外，X还可以包括W、Ta、V、Mo、Nb、和Zr。除了作为主成分的Fe之外，Z还可以包括Co和Ni。
图2示出Al-Ti基相图。
Ti变得完全溶解在Al中的浓度高达Al 98.5％-Ti 1.5％(每个数字都是原子％)。然而，即使当Ti浓度高于1.5％时，通过均匀地分散TiAl3的金属间化合物，也可能使其像合金一样动作。
此外，将其中可以使得金属反射膜102充分均匀的范围的上限认为是Al97％-Ti 3％(每个数字都是原子％)。
当包括Ti的X的含量x超过3.0原子％时，变得难以使金属反射膜102充分均匀。
而且，当包括Ti的X的含量x下降到1.0原子％以下，或者包括Fe的Z的含量z下降到0.05原子％以下、或超过1.0原子％时，存在这样的担心：可能无法获得金属反射膜102的充分耐久性和特性。
例如，可以通过蒸汽沉积方法或溅射(sputtering)方法来形成金属反射膜102的Al合金。
作为溅射目标，可以使用与该合金具有相同组成的目标。而且，可以同时组合地使用具有多个不同组成的目标，所述组成中的每个都包括合金成分。
特别地，可以有利地将该实施例的光盘100应用于以下光盘，该光盘使用具有405nm波长的光(例如，蓝色激光)，来读出使用凹坑和岸面的组合记录到基板101上的信息。
根据上述该实施例的光盘100，金属反射膜102是通过Al100-x-zXxZz表示的Al合金，其中X包括Ti，Z包括Fe，X的含量x(原子％)是1.0到3.0，而Z的含量z(原子％)是0.05到1.0。因此，可以抑制由于时间改变而导致的金属反射膜102的特性(例如，关于具有相对短波长的光(诸如，具有405nm波长的光)的反射率)的变化。
而且，金属反射膜102可以由作为便宜材料的Al合金形成。
因此，根据该实施例，可以以低成本实现耐久的光盘100，该光盘100具有由于时间改变而导致的金属反射膜102的特性的较少变化。
<2.第二实施例>
将描述根据本发明第二实施例的只读光学记录介质的结构。
该只读光学记录介质的剖面结构与图1所示第一实施例的光盘100的剖面结构相同。
在该实施例中，如第一实施例中，金属反射膜102由通过Al100-x-zXxZz(x和z每个是原子％)表示的Al合金形成。另外，X包括Ti，Z包括Fe，X的含量x(原子％)是1.0到3.0，而Z的含量z(原子％)是0.05到1.0。
在该实施例中，图1所示光盘100的金属反射膜102具有作为可记录金属反射膜的结构，其中记录与通过凹坑和岸面记录的主数据不同的子数据。
当包括Ti的X的含量x超过3.0原子％时，变得难以使金属反射膜102充分均匀。
而且，当包括Ti的X的含量x下降到1.0原子％以下，或者包括Fe的Z的含量z下降到0.05原子％以下时，不能获得充分的记录敏感度。此外，当z超过1.0原子％时，存在这样的担心：可能无法获得用于金属反射膜102的充分耐久性。特别地，在该实施例中存在这样的担心：记录到金属反射膜102上的子数据的再现信号输出可以由于时间改变而变化。
在该实施例中，由于将子数据记录到光盘100的金属反射膜102上，所以用于光盘100的制造方法，不同于没有记录有子数据的通常光学记录介质的制造方法。
这里，将参考图3来描述该实施例的用于只读光学记录介质的制造方法的实施例。
如图3所示，首先执行用户数据格式化步骤S11。例如，使用计算机进行格式化步骤S11。
在格式化步骤S11中，要记录到光盘100上的内容数据(用户数据)经历转换操作，使得获得符合预定标准的格式数据串。而且，实际上，进行将检错码和纠错码添加到用户数据的处理、交织处理等。
接下来，进行可变长度调制步骤S12。在步骤S12中，对在格式化步骤S11中生成的数据串进行可变长度调制处理。
通过可变长度调制步骤S12获得的数据串中的“0”和“1”的图案(pattern)，成为在光盘100上实际形成的凹坑P和岸面L的图案。
如上所述，这里将通过使用户数据经历格式化和可变长度调制处理获得的数据称作主数据。
随后，进行母盘(master)生产步骤S13。使用公知的母盘制作设备进行母盘生产步骤S13。
首先，在母盘生产步骤S13中，在玻璃母盘上形成光阻材料(photoresist)。然后，在旋转地驱动其上形成光阻材料的玻璃母盘，并使其经历显像处理的同时，利用已经根据通过可变长度调制步骤S12生成的主数据调制的激光，来照射该玻璃母盘。作为结果，沿着记录轨道形成凹凸图案。换言之，形成凹坑P和岸面L。
接下来，对于其上形成凹坑和岸面的玻璃母盘执行电解喷镀，并在此之后进行剥离，结果是生成金属母盘D14。
使用如上所述产生的金属母盘D14进行盘形成步骤S15。
在盘形成步骤S15中，首先基于该金属母盘D14形成压模。然后，在将压模放置于成型模具中之后，使用注射成型机器通过诸如聚碳酸酯和丙烯的透明树脂形成基板101。在基板101上，沿着记录轨道，形成与通过可变长度调制步骤S12生成的主数据对应的凹坑和岸面的图案。
然后，使用金属反射膜102的沉积金属合金目标，通过关于基板101的蒸汽沉积、溅射等形成金属反射膜102。在此之后，在金属反射膜102上层叠覆盖层103。作为结果，形成了其上仅仅记录主数据的光盘(主数据记录盘)D16。
随后，进行子数据记录步骤S17。换言之，除了上述通过凹坑P和岸面L记录的主数据之外，还记录子数据。为了记录子数据，使用子数据记录设备50，稍后将描述该子数据记录设备50的细节。
在该情况下，关于子数据，作为要成为其数据内容部分的真实数据的生成，记录了对于其上记录主数据的每个光盘D16唯一的信息，诸如序列号信息。换言之，在子数据记录步骤S17中向每个光盘100添加唯一的标识信息(标识编号)。
此外，作为子数据，例如除了作为真实数据的标识信息之外还添加纠错码。通过添加这样的纠错码，在再现期间，可以对标识信息进行纠错处理。
在由凹坑P和岸面L形成的主数据的特定区段中，通过形成标记来记录子数据，该标记通过将具有记录功率的激光照射到金属反射膜102上的特定位置形成。
尽管在该情况下子数据包括标识信息和纠错码，但是也可以代替地添加其他数据。
(子数据记录设备)
接下来，将描述上述子数据记录设备的实施例，子数据记录设备将子数据记录到第二实施例的只读光学记录介质上，诸如光盘D16。
图4示出表示子数据记录设备的实施例的结构图(框图)。
由于如上所述将对于每个光盘100唯一的标识信息记录为子数据的数据内容，所以子数据记录设备50记录通过图案形成的子数据，图案对要安装(mount)的每个光盘100(D16)不同。
此外，对于子数据，在光盘D16上预先确定用于记录子数据的区段，并且还在那些区段中预先确定插入标记的位置。子数据记录设备50构造为能够在如上所述预先确定的一定位置处记录标记。
首先，在将光盘D16安装在转台(未示出)上的同时，根据预定的旋转驱动系统通过主轴电机51旋转地驱动该光盘D16。光学拾取器OP从如上所述被旋转地驱动的光盘D16中读出记录信号(主数据)。
光学拾取器OP装备有作为激光源的激光二极管LD，在光盘100的记录表面上收集激光、和将激光照射到光盘100的记录表面上的物镜52，检测作为从光盘D16反射的激光的反射光的光电检测器PD等。
由光学拾取器OP的光电检测器PD检测的反射光信息，通过I-V转换电路53转换为电信号，并且在此之后提供到矩阵电路54。矩阵电路54基于来自I-V转换电路53的反射光信息，生成再现信号RF、跟踪误差信号TE、以及聚焦误差信号FE。
伺服电路55基于来自矩阵电路54的跟踪误差信号TE和聚焦误差信号FE，控制从双轴驱动电路56输出的跟踪驱动信号TD和聚焦驱动信号FD。将跟踪驱动信号TD和聚焦驱动信号FD，提供到在光学拾取器OP中保持物镜52的双轴机构(未示出)。然后，基于那些信号，在跟踪方向和聚焦方向驱动物镜52。
在由伺服电路55、双轴驱动电路56、以及双轴机构构成的跟踪伺服/聚焦伺服系统中，伺服电路55基于跟踪误差信号TE和聚焦误差信号FE执行控制。因此，伺服电路55控制照射到光盘D16上的激光的光束点，以跟踪在光盘D16上形成的凹坑串(记录轨道)，并且控制要维持的适当聚焦状态。
此外，将矩阵电路54生成的再现信号RF提供到二进制电路57，以在其中被转换为“0”和“1”的二进制数据。将二进制数据提供到同步检测电路58和PLL(锁相环)电路59。
PLL电路59生成与提供的二进制数据同步的时钟CLK，并将其提供为必需的各部分的操作时钟。特别地，还将时钟CLK提供为二进制电路57、同步检测电路58、地址检测电路60和子数据生成电路61的操作时钟。
同步检测电路58从提供的二进制数据检测插入到每个帧中的同步(sync)图案。具体地，检测在该情况下作为同步图案的9T区段，从而检测帧同步。
将帧同步信号提供到诸如地址检测电路60的必需部分。
地址检测电路60基于作为帧同步信号提供的二进制数据，检测地址信息。将检测到的地址信息提供到控制器(未示出)，并且在查找操作等中使用，该控制器执行子数据记录设备50的总体控制。而且，还将地址信息提供到子数据生成电路61中的记录脉冲生成电路63。
如图所示，子数据生成电路61包括记录脉冲生成电路63、以及RAM(随机存取存储器)62。基于输入的子数据、从地址检测电路60提供的地址信息、以及从PLL电路59提供的时钟CLK，子数据生成电路61生成用于记录要记录的子数据的记录脉冲信号Wrp。
激光功率控制器64基于从子数据生成电路61输出的记录脉冲信号Wrp，来控制光学拾取器OP中激光二极管LD的激光功率。具体地，激光功率控制器64执行控制，使得当记录脉冲信号Wrp处于L(低)电平时，可以获得再现功率的激光输出，并且执行控制，使得当记录脉冲信号Wrp处于H(高)电平时，可以获得记录功率。
通过在激光功率控制器64的控制下照射记录功率的激光，在激光照射部分的金属反射膜102上形成标记。通过如上所述在金属反射膜102上形成的标记，将子数据记录到光盘D16上。
图5是用于由图4所示的子数据生成电路61的操作进行的子数据记录的说明图。
图5示出了其中将“0”和“1”记录为构成子数据的1位代码的情况的示例。
首先，作为表达代码的方法，对于存在于主数据中的预定长度的岸面，将彼此相邻的奇数岸面和偶数岸面认为是一组。然后，对于具有预定长度的相邻奇数和偶数岸面的每个组，当标记记录到奇数岸面上时，记录“0”，而当标记记录到偶数岸面上时，记录“1”。
图5示出其中标记记录到作为具有预定长度的岸面的5T岸面上的示例。应该注意，尽管说明了在具有预定长度的岸面上形成标记的示例，但是也可以在具有预定长度的凹坑上形成标记。
在该情况下，作为与一个地址对应的单元的1地址单元分配为区段，该区段分配给构成子数据的1位代码的记录。
换言之，如图5所示，对于在1地址单元内彼此相邻的、具有预定长度的奇数和偶数岸面的每个组，按照表达相同代码的形式记录标记。具体地，当记录代码“0”时，在1地址单元内仅在具有预定长度的奇数岸面上记录标记。而且，当记录代码“1”时，在1地址单元内仅在具有预定长度的偶数岸面上记录标记。
在再现期间，对于在1地址单元内具有预定长度的奇数和偶数岸面的每个组，对再现信号RF来执行采样，并且从在奇数处采样的再现信号RF的值减去在偶数处采样的再现信号RF的值。换言之，进行“奇-偶”操作。
这里，将讨论一个示例，其中记录的标记的再现信号电平变得高于标记未记录部分的再现信号电平。
在仅在奇数岸面上记录标记的代码“0”的情况下，当进行这种“奇-偶”操作时，对于具有预定长度的相邻岸面的每个组理想地获得正值。换言之，通过积分对如上所述具有预定长度的相邻岸面的每个组计算的“奇-偶”值，可以肯定地获得和检测到正值。
相反地，在仅在偶数岸面上记录标记的代码“1”的情况下，对于具有预定长度的相邻岸面的每个组计算的“奇-偶”值，理想地是负值。因此，通过对该值进行积分，可以肯定地获得和检测到负值。
应该注意，可以将再现信号电平改变为低。在该情况下，仅仅需要改变记录标记的奇数/偶数的分配或操作顺序，使得作为上述操作的结果获得期望的代码。
如上所述，通过对于特定区段重复地记录相同的记录图案，并且在再现期间基于多个相同的记录图案来判断一个值，由于标记的记录而导致的反射率上的变化变得微小。
通过如此地将伴随标记记录的反射率的变化抑制为微小，变得可能防止用于主数据的二进制处理受到记录的标记的影响。
同样，对于构成子数据的其他代码，通过与上述方法相同的方法来记录标记。
具体地，在该情况下，横跨与构成子数据的代码相同数目的地址单元记录子数据。
预先在子数据记录设备50与再现设备之间，确定如上所述的用于记录子数据的区段(在下文中，也称作子数据记录目标区段)。因此，子数据记录设备50构造为横跨作为子数据记录目标区段的多个地址单元，执行上述的标记记录，子数据记录目标区段如上所述已经预先确定。
应该注意，在上述记录方法中，存在这样的可能性：当要记录到具有预定长度的岸面上的标记记录在边缘部分时，可能无法正确地执行主数据的二进制化。换言之，当如上所述在具有预定长度的岸面的边缘部分记录标记时，标记记录部分的反射率趋向于增加很多，结果是可以在二进制化处理中检测到不正确的岸面长度(或凹坑长度)。
在这点上，标记记录在作为记录目标的岸面的中心部分。因此，因为可以照常地获得边缘部分，所以这点也可以防止二进制化处理受到影响。
对于如上所述的记录操作，图4所示的子数据生成电路61的记录脉冲生成电路63，在如图5所示的定时处生成记录脉冲信号Wrp。
具体地，关于代码“0”，生成仅在具有预定长度的奇数岸面的中心部分获得H电平的记录脉冲信号Wrp。
而且，关于代码“1”，生成仅在具有预定长度的偶数岸面的中心部分获得H电平的记录脉冲信号Wrp。
接下来，将描述再现设备的实施例，该再现设备关于光盘100执行再现，在该光盘100上通过在金属反射膜102上形成的标记来记录子数据。
(再现设备)
图6是示出再现设备1的结构的框图。
应该注意，在图6中，仅提取了主要与子数据的再现相关的部分，并且省略了主数据再现系统(具体地，在二进制化处理之后的解调系统)的结构的图示。而且，还省略了关于反转电路15和判断电路16的描述。
在再现设备1中，在将光盘100安装在转台(未示出)上的同时，根据预定的旋转驱动系统，通过主轴电机2旋转地驱动光盘100。该图中的光学拾取器OP从也在该情况下被旋转地驱动的光盘100中，读出记录信号(主数据)。
应该注意，尽管省略了图示，但是该情况下的光学拾取器OP也装备有作为激光源的激光二极管LD，以及在光盘100的记录表面上收集激光、和将激光照射到光盘100的记录表面上的物镜。另外，还提供了保持物镜使得其可以在跟踪和聚焦方向移动的双轴机构、基于来自光盘100的激光照射检测反射光的光电检测器等。
此外，在再现设备1中，照射到光盘100上的激光是基于再现功率。
由光学拾取器OP中的光电检测器检测到的反射光信息，通过I-V转换电路3转换为电信号，并且在此之后提供到矩阵电路4。矩阵电路4基于来自I-V转换电路3的反射光信息生成再现信号RF。
此外，尽管未示出，作为矩阵电路4生成的信号，还存在跟踪误差信号TE和聚焦误差信号FE。将那些信号提供到伺服电路(未示出)，以在跟踪伺服控制操作和聚焦伺服控制操作中使用。
将矩阵电路4生成的再现信号RF提供到稍后要描述的A/D转换器11、以及二进制电路5。
二进制电路5将提供的再现信号RF转换为“0”和“1”的二进制数据。
然后，将二进制数据提供到PLL电路8、同步检测电路9和地址检测电路10。
而且，还将二进制数据提供到稍后要描述的、检测脉冲生成部分12的检测脉冲生成电路12a。
PLL电路8生成与提供的二进制数据同步的时钟CLK，并将其提供为必需的各部分的操作时钟。特别地，尽管未示出，但是还将该情况下的时钟CLK提供到检测脉冲生成电路12a。
同步检测电路9从提供的二进制数据中检测插入每个帧中的同步部分。具体地，检测在该情况下作为同步图案的9T区段，以由此检测帧同步。
将帧同步信号提供到诸如地址检测电路10的必需部分。
地址检测电路10基于帧同步信号，从提供的二进制数据中检测地址信息。将检测到的地址信息提供到执行再现设备1的总体控制的控制器(未示出)，并且使用在查找操作等中。而且，还将地址信息提供到检测脉冲生成部分12的检测脉冲生成电路12a。
应该注意，到目前为止描述的光学拾取器OP、I-V转换电路3、矩阵电路4、二进制电路5、PLL电路8、同步检测电路9、和地址检测电路10是在记录到光盘100上的主数据的再现期间也使用的部分。
换言之，那些部分是在再现子数据中共享主数据再现系统的部分。
在再现作为子数据的标识信息中，检测脉冲生成部分12生成检测脉冲信号Dp，该检测脉冲信号Dp指示对应于与子数据记录设备50共享的标记记录方法的检测点。
检测脉冲生成部分12装备有检测脉冲生成电路12a和RAM 12b。检测脉冲生成电路12a基于在RAM 12b中存储的信息生成检测脉冲信号Dp。然后，将生成的检测脉冲信号Dp提供到A/D转换器11。
将来自矩阵电路4的再现信号RF提供到A/D转换器11。
A/D转换器11在由检测脉冲信号Dp指令的定时采样提供的再现信号RF，并且将该信号的值提供到子数据检测电路13。子数据检测电路13对从A/D转换器11提供的值执行预定操作，并且检测子数据的值。换言之，在该情况下，例如，检测子数据的值，作为执行与上述“奇-偶”操作对应的操作的结果。
将由子数据检测电路13检测的子数据的值提供到ECC(纠错码)电路14。
在该情况下的子数据包括标识信息和纠错码。在ECC电路14中，通过基于子数据中的纠错码进行纠错处理来再现标识信息。
将再现的标识信息提供到图中所示的主机计算机6。
主机计算机6通过将命令传送到执行再现设备1的总体控制的控制器(未示出)，来指令各种操作。例如，传送指令对记录到光盘100上的主数据进行再现的命令。响应于该命令，从光盘100再现的主数据由二进制电路5二进制化，并且经历解调系统(未示出)中的解调(RLL1-7PP解调)、纠错处理等，在此之后以由此地提供到主机计算机6。
而且，主机计算机6装备有网络接口7，用于经由需要的网络执行数据通信。因此，主机计算机6能够经由诸如因特网的预定网络来与外部设备(特别地，图中所示的管理服务器70)执行数据通信。
将参考图7描述用于检测(再现)子数据的值的操作，该操作由具有上述结构的再现设备1进行。
图7示出将“0”和“1”分配到光盘100上的1地址单元作为子数据的1位值的情况的标记记录状态。应该注意，图7示出了在相同的图案中形成作为主数据的凹坑和岸面的情况。
首先，如上所述，作为子数据，将1位信息分配到、并且记录在光盘100上的预定子数据记录目标区段中每个地址单元上。
此外，在该情况下作为表达代码的方法，当将标记记录到具有预定长度的奇数岸面上时，定义“0”，而当将标记记录到偶数岸面上时，定义“1”。换言之，如图7所示，在代码“0”的情况下，仅在地址单元中具有预定长度的岸面之中的奇数岸面上记录标记。而且，在代码“1”的情况下，仅在地址单元中具有预定长度的岸面之中的偶数岸面上记录标记。
这里，例如，记录标记的部分变为反射率微小增加的部分。因此，作为再现信号RF的波形，信号的电平在记录标记的部分增大，如图所示。
在再现子数据中，基于在标记记录部分反射率的这种微小增加来进行判断值的操作。
应该注意，通过如上所述在岸面的中心部分处记录标记，如可以从图7所示的再现信号RF的波形可以看出，电平仅在其上记录标记的岸面的中心部分增加，因而边缘部分的波形照常。作为结果，如上所述可能防止主数据的二进制化受到影响。
这里，根据以上的描述，在代码“0”的情况下，再现信号RF的值仅在具有预定长度的奇数岸面微小地增加。而且，在代码“1”的情况下，再现信号RF的值仅在具有预定长度的偶数岸面微小地增加。
因此，在该情况下，在判断向每个地址单元分配的子数据的值中，仅必须检测在地址单元中具有预定长度的奇数和偶数岸面中，哪些具有再现信号RF的增加值。
例如，可以通过计算与在标记未记录部分的再现信号RF的值之差，来在检测标记记录部分再现信号RF的值的增加。
此时，如上所述当代码是“0”时，仅在奇数岸面上记录标记，而当代码是“1”时，仅在偶数岸面上记录标记，该事实意味着当代码是“0”时，偶数岸面总是变为未记录部分，而当代码是“1”时，奇数岸面总是变为未记录部分。
因而，通过对于相邻的奇数和偶数岸面进行“奇-偶”操作，可能检查出奇数和偶数中的哪一个具有再现信号RF的增加值(记录了标记)。
具体地，当“奇-偶”取正值时，可以看出在奇数岸面增大了再现信号RF的值，并且将标记记录到奇数岸面上。相反地，当“奇-偶”取负值时，可以看出在偶数岸面增大了再现信号的值，并且将标记记录到偶数岸面上。
应该注意，实际上噪声分量叠加在再现信号RF上。在标记记录部分再现信号RF的值的降低是微小的，因而它可能埋没在这种噪声分量中。因此，仅通过对于一组具有预定长度的相邻偶数岸面使用“奇-偶”来执行检测，变得难以肯定地判定该值。
因此，作为用于子数据的再现操作，对如上所述对于相邻奇数和偶数岸面的每个组计算的“奇-偶”值进行积分，并且基于积分值判断向地址单元分配的1位值。可以将该积分值处理为与子数据的再现信号输出成比例的值，并且有时将其表达为“Amp值”。因而，可以更肯定地检测子数据的值。
附带地，对于“奇-偶”计算，必须对在奇和偶岸面(即，具有预定长度的奇数和偶数岸面)的中心部分获得的再现信号RF的值进行采样。作为用于对“奇-偶”计算指令采样定时的信号，图6所示检测脉冲生成部分12生成图中所示的检测脉冲信号Dp。
这里，作为用于如上所述“奇-偶”计算的检测脉冲信号Dp，如从图6可以看出，只需要生成仅在岸面的中心部分获得H电平的信号，所述岸面在主数据中获得并且具有预定长度。
此外，在生成检测脉冲信号Dp中，如在子数据记录设备50中生成记录脉冲信号Wrp一样，只需要基于在光盘100上的子数据记录目标区段中记录的主数据的内容，来生成相关的定时。
应该注意，由于与子数据记录设备50不同，在光盘生产侧不使用再现设备1，所以不能在该设备内部预先存储记录到光盘100上的内容。
在这点上，再现设备1从所安装的光盘100中读出子数据记录目标区段的主数据，并且将该主数据存储在该设备内部，以将其用于生成检测脉冲信号Dp。
作为用于存储由此读出的子数据记录目标区段的主数据的存储器，在再现设备1中提供了图6所示的检测脉冲生成部分12的RAM 12b。作为数据结构，存储了根据每个地址读出的主数据。
在检测脉冲生成电路12a中，基于在RAM 12b中存储的记录目标区段中的主数据的内容，如在生成记录脉冲信号Wrp的情况下，生成其中代码在相关定时变为“1”，而代码在所有其他定时变为“0”的数据串。然后，生成基于由此生成的数据串的检测脉冲信号Dp，并且将其提供到A/D转换器11。通过A/D转换器11在由检测脉冲信号Dp指令的定时采样再现信号RF的值，可以在适当的定时对再现信号RF的值进行采样，如图7所示。
特别地，可以有利地将该实施例的光盘100应用于使用具有405nm波长的光(例如，蓝色激光)的光盘，用于将子数据记录到金属反射膜102上，并且读出记录的主数据和子数据。
根据该实施例，由于将金属反射膜102的组成指定为处于与第一实施例中的范围相同的范围内，所以可以抑制由于时间改变而导致的金属反射膜102的特性(例如，关于具有相对短波长的光(诸如，具有405nm波长的光)的反射率)的变化。
而且，金属反射膜102可以由诸如Al合金的便宜材料形成。
因此，根据该实施例，可以以低成本来实现耐久的光盘100，该光盘100具有由于时间改变而导致的金属反射膜102的特性上的较少变化。
此外，尽管在该实施例中将子数据记录到金属反射膜102上，但是由于将金属反射膜102的组成指定为处于与第一实施例中的范围相同的范围内，所以还可以抑制由于时间改变而导致的子数据的特性的下降。例如，可以抑制由于时间改变而导致的子数据的再现信号输出的下降。
另外，与如上述专利文献1中将Ag合金用于金属反射膜的情况相比，变得可能提高关于子数据的记录的记录敏感度。
作为结果，可以利用相对小的功率记录子数据。因此，例如可以预期以下操作效果：缩短了记录子数据所需的时间，通过抑制在记录子数据时生成的热来抑制基板101和覆盖层103的变化，简化了子数据记录设备的结构，并且减少了功耗。
而且，如在第一实施例中，即使当厚度小于Ag合金时，Al合金也具有关于具有相对短波长的光(诸如，具有405nm波长的光)的高反射率。作为结果，由于用于实现相同反射率的厚度变得小于Ag合金的厚度，所以变得可能缩短沉积时间并且减小材料成本。
<3.修改示例>
以上实施例已经描述了这样的情况：其中通过凹坑来将数据记录到单个信息记录表面上(第二实施例中的主数据)，并且关于该信息记录表面形成单个金属反射膜102。
本发明还可应用于这样的只读光学记录介质：其中提供了两个或多个信息记录表面，并且关于所述信息记录表面中的每个提供金属反射膜。
在生产包括两个或多个信息记录表面的只读光学记录介质的方法中，存在一种使用紫外线硬化树脂在信息记录表面之间形成间隔层的方法。在该情况下，照射紫外线的方向可以依据制造方法而变化。然而，由于当从基板侧照射紫外线时，使用通过在基板上形成的金属反射膜传送的紫外线，所以金属反射膜的UV透射率需要为特定程度或更多。
即使在根据本发明的金属反射膜的组成范围中，也可以利用其中要添加的元素(Ti和Fe)的添加量相对小的组成，来实现特定程度或更多的UV透射率。
由于根据本发明在金属反射膜中，可以利用高记录敏感度和小功率来记录子数据，所以本发明还可应用于其中提供两个或多个信息记录表面的情况。
而且，除了通常的盘状只读光学记录介质之外，本发明的只读光学记录介质还可以采取诸如卡形和棒形的其他形状，只要其包括信息记录表面和与信息记录表面接触的金属反射膜。
<4.示例>
实际上生产出根据本发明的只读光学记录介质，以检查其特性。
【实验1.反射率的时间改变的比较】
为了估计只读光学记录介质的寿命，通过加速测试来比较金属反射膜的反射率的时间改变。
(示例1)
准备盘状基板101，该盘状基板101由聚碳酸酯树脂形成、具有构成在其表面上形成的主数据的凹坑P和岸面L的凹凸图案、并且具有120mm的直径。
在基板101上，通过溅射方法形成了其中Al包括2％的Ti、和0.5％的Fe(每个数字都是原子％)的金属反射膜102。用于溅射方法的条件是3.5kW和1.2秒的沉积时间。
接下来，在金属反射膜102上，形成由紫外线硬化树脂形成的覆盖层103。如上所述生产光盘100，并且将其用作示例1的试样。
(示例2)
除了将用于形成金属反射膜102的溅射方法的条件设置为5.0kW、和1.2秒的沉积时间以外，通过与示例1相同的方法生产光盘100，并由此将其用作示例2的试样。通过将用于溅射方法的条件设置为5.0kW，金属反射膜102比示例1的试样稍厚。
(比较示例1)
除了将与可商业得到的数字多用盘(DVD)中使用的相同Al合金膜用作金属反射膜102以外，通过与示例1相同的方法生产光盘100，并由此将其用作比较示例1的试样。
(比较示例2)
除了将与可商业得到的数字多用盘(DVD)中使用的相同Al合金膜用作金属反射膜102以外，通过与示例2相同的方法生产光盘100，并由此将其用作比较示例2的试样。
(反射率测量)
对于作为示例1和2以及比较示例1和2的试样的光盘100，测量金属反射膜102的反射率。
使用信号评估设备，测量金属反射膜102关于具有405nm波长的光的反射率。对于与光盘100的中心的距离不同的5个区域中的每个区域，在相同区域内的几个点测量反射率。
(加速测试)
随后，在作为试样的光盘100上进行用于检查时间改变的加速测试。在温度：80℃和湿度：85％RH的条件下，进行了240小时的加速测试。
对于已经经历加速测试的试样，通过与在加速测试之前的方法相同的方法来测量金属反射膜102的反射率。
作为测量结果，在图8和9中示出了加速测试之前和之后的试样的反射率的改变。图8A示出了示例1的试样的结果，图8B示出了示例2的试样的结果，图9A示出了比较示例1的试样的结果，而图9B示出了比较示例2的试样的结果。在图8和9中，横坐标轴表示半径，即距光盘100的中心的距离(mm)，而纵坐标轴表示反射率。
如从图9A可以看出，在比较示例1的试样中，从加速测试之前获得的大约45％的反射率，加速测试之后获得的反射率降低了大约10％。
如从图9B可以看出，在比较示例2的试样中，从加速测试之前获得的大约57％的反射率，加速测试之后获得的反射率降低了大约10％。
如从图8A可以看出，在示例1的试样中，从加速测试之前获得的大约45％的反射率，将加速测试之后获得的反射率的降低抑制在3％到5％以内。
如从图8B可以看出，在示例2的试样中，从加速测试之前获得的大约57％的反射率，将加速测试之后获得的反射率的降低抑制在1％到2％以内。
因此，可以看出，可以如示例1和2中利用根据本发明的只读光学记录介质的结构，来抑制反射率的时间改变。
【实验2.在加速测试之后子数据再现信号的信号输出改变】
接下来，比较关于光的金属反射膜的子数据记录敏感度和子数据再现信号的时间改变。
(示例3)
利用被设置为4.0kW的用于溅射方法的条件，除了形成了其中Al包括1.5％的Ti和0.5％的Fe的金属反射膜102以外，通过与示例1相同的方法来生产光盘100，并由此将其用作示例3的试样。
(示例4)
除了将用于溅射方法的条件设置为4.5kW以外，利用与示例3相同的方法来生产光盘100，并由此将其用作示例4的试样。
(示例5)
除了将用于溅射方法的条件设置为5.0kW以外，利用与示例3相同的方法来生产光盘100，并由此将其用作示例5的试样。
(示例6)
除了将用于溅射方法的条件设置为5.5kW以外，利用与示例3相同的方法来生产光盘100，并由此将其用作示例6的试样。
(示例7)
除了将用于溅射方法的条件设置为6.0kW以外，利用与示例3相同的方法来生产光盘100，并由此将其用作示例7的试样。
(示例8)
除了将用于溅射方法的条件设置为4.0kW，并且形成了其中Al包括2.0％的Ti和0.5％的Fe的金属反射膜102以外，通过与示例1相同的方法来生产光盘100，并由此将其用作示例8的试样。
(示例9)
除了将用于溅射方法的条件设置为4.5kW以外，利用与示例8相同的方法来生产光盘100，并由此将其用作示例9的试样。
(示例10)
除了将用于溅射方法的条件设置为5.0kW以外，利用与示例8相同的方法来生产光盘100，并由此将其用作示例10的试样。
(示例11)
除了将用于溅射方法的条件设置为5.5kW以外，利用与示例8相同的方法来生产光盘100，并由此将其用作示例11的试样。
(示例12)
除了将用于溅射方法的条件设置为6.0kW以外，利用与示例8相同的方法来生产光盘100，并由此将其用作示例12的试样。
(示例13)
除了将用于溅射方法的条件设置为4.0kW，并且形成了其中Al包括3.0％的Ti和0.5％的Fe的金属反射膜102以外，通过与示例1相同的方法来生产光盘100，并由此将其用作示例13的试样。
(示例14)
除了将用于溅射方法的条件设置为4.5kW以外，利用与示例13相同的方法来生产光盘100，并由此将其用作示例14的试样。
(示例15)
除了将用于溅射方法的条件设置为5.0kW以外，利用与示例13相同的方法来生产光盘100，并由此将其用作示例15的试样。
(示例16)
除了将用于溅射方法的条件设置为5.5kW以外，利用与示例13相同的方法来生产光盘100，并由此将其用作示例16的试样。
(示例17)
除了将用于溅射方法的条件设置为6.0kW以外，利用与示例13相同的方法来生产光盘100，并由此将其用作示例17的试样。
(在加速测试之前和之后记录敏感度和子数据再现信号的测量)
对于示例3到17中的每个试样测量子数据信号的记录敏感度。
具体地，在子数据记录设备50中，在数值孔径N.A.＝0.85、激光波长λ＝405nm、线性记录速度＝4.9m/s、和标记记录脉冲＝30ns的条件下，将子数据的标记记录到金属反射膜102上。然后，将激光的功率(激光输出)改变到20、22、24、26、28、30、和32(单位是mW)，并且在与试样相同的光盘100上的不同位置记录子数据的标记。
通过对其上已经记录子数据的光盘100再现(读出)子数据，来检查再现信号输出。
接下来，在与示例1相同的条件下，对作为试样的每个只读光学记录介质执行加速测试。
然后，对已经经历加速测试的试样，如在加速测试之前的测量中，再现(读出)在加速测试之前记录的子数据，并且测量再现信号输出。在图10到15中示出了测量结果。
在图10到15中，横坐标轴表示激光的功率(单位是mW)，而纵坐标轴表示Amp值(相对值)。
作为如上所述再现信号RF的值，Amp(幅度)值指示出通过从标记记录部分减去标记未记录部分获得的值的积分值。换言之，当此值增加时，在标记记录部分的再现信号输出的值增加。
图10到12是示出Amp值的图，即关于示例3到17的试样的子数据记录功率的子数据再现信号输出，该图示出了在加速测试之前的记录敏感度。另外，图13到15是示出Amp值的图，即根据记录到示例3到17中的每个试样上的子数据，在加速测试之前和之后的子数据再现信号输出。
从图10到15的结果可以看出，在所有示例中将在加速测试之前和之后，Amp值的变化抑制为2000到3000或者更少，并且提供关于子数据再现信号的时间改变的耐久性。
因此，可以看出，通过如示例3到17中根据本发明的只读光学记录介质的结构，可以抑制子数据再现信号的时间改变。
而且，还可以看出，当Ti的含量增加时，记录子数据的记录功率降低，结果是改善了记录敏感度。
应该注意，当对上述的比较示例1和2的试样进行相同的测量时，由于时间改变而导致Amp值的改变量超出过5000，并且子数据再现信号输出的时间改变变大，即没有提供关于子数据再现信号输出的时间改变的耐久性。
此外，当在将Ag合金用于金属反射膜时进行相同的测量时，Amp值的改变小，并且子数据再现信号的时间改变小。然而，在Ag合金的情况下，与本发明的示例中的Al合金的情况下相比，记录敏感度更小，并且需要更大的功率。
本发明不限于以上实施例和示例，并且可以对本发明进行修改，而不脱离本发明的要旨。
参考标记的描述
1     再现设备
2     主轴电机
3     I-V转换电路
4     矩阵电路
5     二进制电路
6     主机计算机
7     网络接口
8     PLL电路
9     同步检测电路
10    地址检测电路
11    A/D转换器
12    检测脉冲生成部分
13    子数据检测电路
14    ECC电路
15    反转电路
50    子数据记录设备
61    子数据生成电路
70    管理服务器
100   光盘
101   基板
102   金属反射膜
103   覆盖层
104   物镜
105   激光

Claims (4)

1.一种只读光学记录介质，包括：
基板；
信息记录表面，通过对在该基板上形成的凹坑和岸面进行组合来构造，并且在其上记录信息；以及
金属反射膜，提供为与该信息记录表面接触，并且通过Al100-x-zXxZz表示，其中，x和z每个表示原子％，X由至少包括Ti的元素构成，Z由至少包括Fe的元素构成，x是1.0到3.0，并且z是0.05到1.0。
2.根据权利要求1的只读光学记录介质，
其中，通过凹坑和岸面的组合将主数据记录到该信息记录表面上，并且通过标记将子数据记录到该金属反射膜上，通过将记录激光照射到该金属反射膜上形成该标记。
3.根据权利要求1的只读光学记录介质，
其中，通过照射具有405nm波长的光读出记录的信息。
4.根据权利要求2的只读光学记录介质，
其中，通过照射具有405nm波长的光，执行子数据的记录和记录的主数据和子数据的读出。
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