CN101151664B - 光盘记录介质、用于该记录介质的再现装置和方法以及记录装置和方法 - Google Patents

Abstract

通过凹坑和平台的组合将主数据记录在光盘(100)的衬底(101)的一侧上。对反射薄膜(102)和涂覆层(103)分层以覆盖在衬底上形成凹坑和平台的表面。通过以记录功率将激光束照射到反射膜形成的标记来记录副数据。在根据合法光盘(其中在具有标记的部分处的再现信号电平增加)制造的伪造盘中，执行标记记录，从而在具有标记的部分处的再现信号电平降低，并且在具有标记的部分处的再现信号的极性在合法盘与伪造盘之间是不同的。而且，通过再现装置检测光盘上记录的副数据，并且判断所检测的副数据具有用合法极性再现的值，从而判断该盘是合法盘还是伪造盘。

Description

光盘记录介质、用于该记录介质的再现装置和方法以及记录装置和方法

技术领域

本发明涉及光盘记录介质、用于该光盘记录介质的播放装置和方法、用于将副数据记录到光盘记录介质的记录装置和方法，在所述光盘记录介质中，以在衬底的一侧上形成的凹坑和平台的组合的形式记录主数据，反射层和涂覆层被堆叠在形成凹坑和平台的所述衬底侧上，以通过将具有写功率的激光照射到反射层而形成的标记的形式记录副数据，并且读信号的输出电平在形成所述标记的部分处将上升。

本发明包含有关2005年2月7日向日本专利局提交的日本专利申请JP2005-030272以及2005年7月14日向日本专利局提交的日本专利申请JP2005-205439的主题，在此通过引用其全部内容作为参考。

背景技术

用于记录信息的光盘包括ROM(只读存储器)。ROM盘在世界上广泛用作封装介质，因为通过使用其上预先形成凹坑和平台的压模进行塑料的喷射模塑，可以在短时间制造其许多复制衬底。在这种类型的ROM盘中，例如，CD(致密盘)和DVD(数字多用途盘)被广泛用作记录诸如音乐、视频等的内容信息的记录媒体。

已经制造了作为封装介质销售的盘(所谓的伪造盘)，其具有向其非法复制了记录于ROM盘中的数据，并且所述盘危害了对ROM盘中的数据具有合格版权的人的利益。

通常，通过基于从授权盘读取的信号制作主盘(mastering)来形成压模(stamper)并且通过压模复制光盘，或者通过将从授权盘读取的信号复制到可记录盘，来制造伪造盘。

迄今为止已经提出了各种防止复制的技术，以便防止这种伪造信息记录媒体被没有适当权力的人们制造。这些技术之一例如将唯一的识别信息附加到每个盘。可以建立这样一种系统，即，唯一的识别信息被该技术附加到每个盘，并且盘播放器读取所述识别信息并且经由网络将其发送到外部服务器。即使已经制造和分发了这种伪造盘，外部服务器也将检测大量的相同识别信息，由此系统能够检测到已经如此制造和分发了伪造盘。而且，所述系统通过识别已将检测到识别信息发送到外部服务器的盘播放器，也能够识别伪造盘制造者或者分发者。

由于商业可用盘驱使，即使如上不容易复制应当记录的对每个授权盘唯一的识别信息，但是这也有助于保护盘中的主数据的版权。

由此，提出通过形成将导致反射层的反射率变化的标记将识别信息记录到盘的反射层。如在日本专利No.3454410中所公开的，以凹坑和平台的组合的形式将作为内容数据、管理信息等的主数据记录到盘，同时通过形成将导致反射层的凹坑或平台上一部分的反射率发生小变化的标记来记录作为识别信息的副数据。

通过照射功率比读激光更大的激光，将标记记录到光盘的反射层。由标记引起的反射率的变化如此小，以致将不会影响以凹坑和平台的组合的形式记录的主数据的读取。因此，在读取主数据的同时，将不会读取标记。

应当注意，例如，为了读副数据本身，可以提供分离的播放系统来取样主数据的读信号的许多部分，每个部分假定反射率变化较小，并且对取样进行积分。在这种情况下，根据预定算法，在副数据记录器和播放器之间确定标记将被插入为副数据的位置。因此，在授权盘播放器中，根据与用于精确地记录并由此读取识别信息作为副数据的算法类似的算法，能够识别标记将被记录的位置。

发明内容

上面，已经描述了伪造盘是通过毫无任何合法权益而非法复制授权ROM盘中的信息来制造的，即，它是使用通过读取授权ROM盘获得的读信号来制造的。然而，伪造盘也可以使用通过原样转印授权盘ROM盘的衬底的物理形状而准备的压模来制造。

更具体地，后一种技术如下：ROM盘的涂覆层和反射层与衬底分离，以便曝露在衬底上形成的凹坑和平台，并且由此在衬底的一侧上曝露的凹口和凸起被物理地转印以复制盘中记录的信息。

日本专利No.3454410中公开的技术是将标记形成在每个光盘的反射层，以便提供对光盘唯一的识别信息。表面上，因为在涂覆层和反射层与衬底分离并且衬底上形成的凹坑和平台的图案被物理地转印以制造复制盘的情况下，不能转印在反射层上被形成为对每个盘的识别信息的标记，这种方法的采用会防止制造具有被非法复制的母盘中的信息的伪造盘。

为了将作为识别信息的标记记录到反射层，必须将具有较高功率的激光照射到反射层。当用如此高功率的激光照射时，例如，反射层的记录标记的部分的温度将较高，并且衬底将由此热膨胀，从而盘本身将可能变形。

也就是说，可能会，仅要在反射层上形成的标记将被物理地转印到衬底，并且通过这种物理转印，可能将副数据与主数据一起复制。

下面将参考图1A和图1B解释通过照射具有相对高功率的激光将用于识别盘的标记记录到反射层。

图1A是光盘100的截面图，该光盘100包括至少衬底101、反射层102和涂覆层103，并且具有在反射层102上形成的标记。

在光盘100中，以成为凹凸图案的凹坑和平台的组合的形式将主数据记录到盘100的一侧，并且反射层102和涂覆层103被堆叠在具有其中形成凹坑和平台的盘一侧上。

如上已描述的，通过将激光照射到光盘100的反射层102的凹坑或平台上的一部分，记录作为副数据的标记110。在图1A所示的示例中，标记被记录在反射层102的预定平台上的一部分中。

为了记录作为副数据的标记，具有相对高功率的激光被如上照射到反射层102，从而形成标记110的部分将具有由于激光照射和从反射层102传送到衬底101的热量而升高的温度。结果，衬底110由于热膨胀等将可能部分变形。

所述变形将产生在部分衬底101中形成的凹口110a，其与如图1A所示的反射层102相接触。在这种情况下，如果涂覆层103和反射层102与衬底101分离并且衬底101曝露于其形成凹坑和平台的一侧，则看起来，对应于将仅在反射层102上形成的标记110对应的凹口110a将被转印到如图1B所示的衬底101。与被转印到衬底101的表面的标记对应的凹口110a将具有比其他平台的反射率低一点的反射率。

因此，通过物理转印在其表面上已形成与标记110(应当仅被形成于反射层102的一部分上)对应的凹口110a的衬底101的表面形状而制造的复制衬底将具有标记，作为用于对原样向其复制的每个盘唯一的识别数据的副数据。

通过在如授权光盘制造处理中获得的复制衬底上堆叠反射层和涂覆层，将制造许多具有原样向其复制的原授权光盘中的主数据和副数据的伪造盘。

因此，通过提供光盘记录介质播放装置和方法、记录装置和方法、以及其上通过记录装置和方法记录有副数据的光盘记录介质，期望克服现有技术的上面缺陷，所述光盘记录介质播放装置和方法能够在授权制造的光盘和通过非法复制授权盘而制造的复制盘之间进行确定地区分，所述记录装置和方法用于向光盘记录介质记录允许在授权光盘和基于授权盘非法复制的复制盘之间进行区分的副数据。

根据本发明的实施例，存在一种播放光盘记录介质的播放装置，所述光盘记录介质包括：衬底，具有在其一侧上以凹坑和平台的组合的形式记录的主数据；和堆叠在所述衬底上的至少反射层和涂覆层，以通过将写功率激光照射到反射层而在反射层上形成的标记的形式将副数据记录到反射层，其中读信号的电平在形成所述标记的部分处将上升，所述装置包括读信号生成器，用于通过检测来自光盘记录介质的、已被照射到光盘记录介质的读功率激光的返回部分，生成读信号。

上面的装置还包括副数据检测器，用于基于在预定取样点对由读信号生成器生成的读信号值的检测结果，检测副数据的电平；和判断单元，用于基于确定由副数据检测器检测到的副数据电平是否具有正确极性的结果，判断光盘记录介质是否是授权盘。

根据本发明的其他实施例，还提供一种向光盘记录介质记录副数据的记录装置，所述光盘记录介质包括：衬底，具有在其一侧上以凹坑和平台的组合的形式记录的主数据；和通过将写功率激光照射到与在光盘记录介质上形成的预定长度平台对应的部分以在与所述预定长度平台对应的反射层上形成标记、而堆叠在所述衬底上的至少反射层和涂覆层，所述装置包括：记录部件，用于将副数据记录到光盘记录介质，使得通过照射写功率激光每个标记被形成为如下大小和深度：读信号的电平在形成所述标记的部分处将上升，但是在通过物理地转印所述光盘记录介质的衬底形状而制造的光盘记录介质中，读信号的电平在形成标记的部分处将下降。

根据本发明的上面播放和记录装置与这样的光盘记录介质兼容：其中主数据在衬底的一侧上以所形成的凹坑和平台的组合的形式记录，至少反射层和涂覆层被堆叠在所述衬底上形成凹坑和平台的一侧上，并且以通过将具有写功率的激光照射到反射层而形成的标记的形式记录副数据。

如由在本发明中包含的这种光盘记录介质上进行的实验结果证明，能够制造具有如下特性的光盘记录介质：读信号的电平在形成标记的部分处将上升，但是在通过物理地转印上述光盘记录介质的衬底形状而制造的光盘记录介质中读信号的电平在形成标记的部分处将下降。也就是，在副数据具有与在通过非法复制授权盘而制造的任何伪造光盘记录介质中的一个极性相反的极性的同时，副数据在授权光盘记录介质中可被记录为具有一个极性。

在这点上，根据本发明的上面播放装置包括用于确定副数据电平是否在如上的正确极性处被检测的确定单元。也就是，在副数据具有正确极性的情况下，播放装置中加载的光盘记录介质可被判断为授权的。相反，如果副数据极性不正确，则播放装置中加载的光盘记录介质可被判断为伪造的。

如上，已发现，在标记被记录在平台上的情况下，读信号电平在授权盘中上升，但是在基于授权盘制造的伪造盘中下降。而且，已发现，它取决于盘是否可被形成为具有所述特征的标记的尺寸和深度。因此，在根据本发明的记录装置中，当写功率激光被照射到与具有预定长度的平台相对应的部分以在与反射层的平台对应的部分上形成标记时，通过照射激光以形成如此尺寸和深度来记录副数据：读信号电平在授权盘的形成标记的部分处将上升，但是读信号电平在基于授权盘制造的伪造盘中的如此形成标记的部分处将下降。通过用以所述标记的形式记录副数据来制造光盘记录介质，授权盘中的读信号的极性将与基于授权盘制造的伪造盘中的读信号的极性相反。

注意，此处称作“通过物理地转印衬底形状而制造的光盘记录介质”是指通过在使用通过在使用通过物理转印衬底形状而准备的压模形成的复制衬底上衬底反射层而制造的光盘记录介质，并且还指在通过分离已经从原反射层出除的衬底上沉积反射层而制造的光盘记录介质。

根据本发明，能够这样的光盘记录介质，其具有以标记的形式记录于其上的副数据，从而在形成标记的部分处将上升读信号电平的在基于授权盘制造的伪造盘中将下降。因此，从授权光盘记录介质读取的副数据的电平与从伪造盘读取的副数据的电平在电平上相反。结果，在授权光盘记录介质和伪造盘之间能够进行区分，以保护作为版权保护的作品记录在授权光盘记录介质中的、主数据中包含的内容数据。

而且，根据本发明的播放装置和方法被适配成通过确定从光盘记录介质检测到的副数据的电平是否具有正确的极性，来判断所述装置中加载的光盘记录介质是否是授权的，并且也仅记录授权记录介质中记录的内容数据，从而能够保护光盘记录介质中记录的受版权保护的作品。

当结合附图从本发明的实施例的下列详细描述中，本发明的上面和其他特征、方面和优点将变得明显。

附图说明

图1A是光盘的截面图，示出了在光盘的反射层的预定平台之上的部分处作为副数据形成的标记，和图1B是忽略了反射层和涂覆层的光盘的衬底的截面图。

图2是根据本发明实施例的光盘记录介质的截面图。

图3解释了制造根据本发明实施例的光盘记录介质的处理的示例。

图4解释了将被记录到根据本发明实施例的光盘记录介质的主数据的数据结构。

图5是用于将副数据记录到根据本发明实施例的光盘记录介质的副数据记录器的示意框图。

图6解释了副数据记录的方式。

图7示出了将被记录于副数据记录器中的数据内容的数据结构。

图8示出了在由副数据记录器记录副数据中进行的操作流程。

图9是根据本发明实施例的播放器的示意性方框图。

图10解释了副数据读取的操作。

图11示出了将被存储到根据本发明示例性实施例的播放器的数据内容的数据结构。

图12示出了在由根据本发明实施例的播放器读取副数据中进行的操作流程。

图13示出了对根据本发明实施例的光盘记录介质的形成标记的部分处的读信号的特性进行的实验结果。

图14A示意性图解了记录标记的光盘记录介质的衬底形状的观察结果，和图14B是沿图14A中的线X取的截面图。

图15A、图15B和图15C用图表图解了通过模拟读信号电平的特性(标记深度和标记反射率)的计算结果，其中标记被记录在光盘记录介质上的预定长度平台上，主数据以凹坑和平台的组合的方式记录。

图16解释了为获得图15A到图15C中所示的计算结果设定的光条件。

图17A、图17B和图17C用图表图解了通过模拟在当改变标记大小和深度时形成标记处的读信号电平的特性的计算结果。

图18A、图18B和图18C是用于解释形成标记的部分的光深度在授权盘与基于该授权盘制造的伪造盘之间不同的光盘记录介质的截面图。

图19图表说明标记如图15A到图15C所示被记录的读信号电平的特性(标记深度和标记反射率)的计算结果，用于解释：假设读信号电平在标记反射率增加的情况下上升，在形成标记的部分处的读信号的极性在授权盘与基于授权盘制造的伪造盘之间不同。

图20图表说明标记如图19所示被记录的读信号电平的特性(标记深度和标记反射率)的计算结果，用于解释：假设标记反射率随着读信号电平的上升而增加，在形成标记的部分处的读信号的极性在授权盘与基于授权盘制造的伪造盘之间不同。

图21图表说明标记如图19所示被记录的读信号电平的特性(标记深度和标记反射率)的计算结果，用于解释：假设标记反射率随着读信号电平的上升而增加，并且形成标记的部分的光深度在授权盘与基于授权盘制造的伪造盘之间不同，在形成标记的部分处的读信号的极性在授权盘与伪造盘之间不同。

图22解释了根据本发明实施例的光盘记录介质中获得的读信号的波形。

图23示出了根据本发明实施例的播放器中包含的判断电路中进行的操作流程。

具体实施方式

下面将参照附图关于本发明的实施例详细描述本发明。应当注意，将关于下列主题而描述本发明：

1.光盘记录介质

2.副数据记录器

3.播放器

4.作为实施例的光盘记录介质、记录器和播放器

1.光盘记录介质

首先，光盘将被描述为根据本发明的光盘记录介质的一个实施例。通常用附图标记100表示的光盘是ROM型(只读存储器)的。更具体地，它是基于符合称作“蓝射线盘(商标)”的盘标准的盘结构和格式而形成的，在所述蓝射线盘中使用波长为405nm的光束来写或读信息信号。

如图2所示，盘100包括衬底101、堆叠在衬底101的一侧上的反射层102以及堆叠在反射层102上的涂覆层103。衬底101由诸如聚碳酸酯之类的人造树脂形成。衬底101具有包括凹凸片段的图案，所述凹凸片段形成于形成反射层102的一侧上。具有凹形片段的部分称作“凹坑”，而具有凸形片段的部分是“平台”。

图2所示的盘100具有以诸如凹坑和平台(更具体地，凹坑长度和平台长度)的组合的形式记录于其上的信息。

反射层102堆叠在形成凹坑和平台的衬底101的一侧上。而且，由聚碳酸酯等制成的涂覆层103堆叠在反射层102上。

由于反射层102如此地堆叠在衬底101上，因此它将具有对应于在衬底101的一侧上形成的凹坑和平台的形状的凹凸片段。而且，反射层102由金属薄膜形成，例如，如图2所示，当通过涂覆层103照射由物镜110在反射层102上聚焦的激光110时，用于提供对应于凹凸图案的返回光。在将在后面进一步描述的副数据记录器50和播放器1，基于来自反射层102的照射激光的返回光，检测以凹坑和平台的组合的形式记录的信息。

图3解释了制造图2中所示的盘100的处理。

为了制造盘100，如图3所示，在步骤S11首先完成格式化。使用计算机等来完成格式化步骤S11。

在步骤S11，将被记录到盘100的内容(用户数据)被转换为符合预定标准的格式数据行。根据该实施例，进行转换来提供符合光盘或蓝射线盘(商标)的标准的数据行，在所述盘中信息是使用波长为405nm的光束写入或读出的，如将参考图4所解释的。应当注意，实际上，错误检测码和纠错码被附加到用户数据，并且用户数据经受交织和其他处理。

在步骤S12进行可变长度调制。从步骤S11的格式化得到的数据行经受可变长度调制。根据该实施例，数据行经受RLL(1，7)PP(奇偶保护/禁止，RLL：受限的运行长度)调制和NRZI(倒转不归零)调制。从在步骤S12的可变长度调制得到的数据行的“0”和“1”图案变成在盘100上实际上形成的凹坑和平台的图案。

这里，从用户数据的格式化和可变长度调制获得的数据将被称作“主数据”。

接着在步骤S13，使用主盘制作(mastering)装置准备主(master)盘。

在步骤S13，首先将光阻材料施加于玻璃衬底。然后，在玻璃衬底正被旋转的同时，将与从在步骤S12的可变长度调制获得的主数据对应的激光照射到具有其上施加的光阻材料的玻璃衬底，从而沿着记录轨道形成凹凸图案。也就是，形成凹坑和平台。

接着，其中形成有凹坑和平台的光阻材料被显影以定影到玻璃衬底，并且在玻璃衬底的表面上进行电解电镀，以便形成所示的金属主盘D14。

在步骤S15，由此形成的金属主盘D14被用来形成盘。

在步骤S15，基于金属主盘D14首先形成压模(stamper)。然后，所述压模被放置在铸模(mode)中，并且注模机通过注入诸如聚碳酸酯、丙烯酸纤维等的透光合成树脂来形成衬底101。在此处形成的衬底101上，将沿着记录轨道形成与从在步骤S12的可变长度调制获得的主数据对应的凹坑和平台。

然后，在形成凹坑和平台的衬底101的一侧上，通过沉积而首先堆叠反射层102，并且涂覆层103被堆叠在反射层102上。因此，首先形成其上仅记录有主数据的盘D16(主数据记录盘)。

接着，在步骤S17记录副数据。在该步骤，除了如上以凹坑和平台图案的形式记录的主数据以外，也记录副数据。

在这种情况下，对每个盘100(盘D16)唯一的序列号信息将被记录为副数据的基本部分。也就是，对盘100唯一的识别信息(序列号)将被附加到如在步骤S17其上记录有副数据的每个盘100。

而且，除了作为基本数据的识别信息，纠错码也被附加为副数据。纠错码的附加允许在信息读取期间纠错识别信息。

通过向反射层102照射具有写功率的激光，标记被作为副数据记录在反射层102上与以凹坑和平台图案的形式记录主数据的特定片段中的预定位置对应的位置中，如后面将详细描述的。

在步骤S17，通过如图5所示构造的副数据记录器50来进行副数据记录。

在这种情况下注意，副数据仅包括识别信息和纠错码。然而，副数据中可以另外包括其他数据。

图4图解说明了被记录到以图3所示的上面处理制造的盘100的主数据的数据结构。

首先，称作“RUB”的一个记录单位被定义如图4所示。一个RUB包括16个地址单位(如所示“扇区”)和两个链接帧。每个链接帧被提供为RUB之间的缓冲区域。

在这种情况下，一个扇区形成一个地址单位。每个地址单位由如图4所示的31个帧组成。一帧由1932个沟道位的数据形成。在该实施例中作为示例参考的蓝射线盘(商标)中，由于主数据符合RLL(1，7)PP调制规则，因此连续代码“0”和“1”的数目、即凹坑长度和平台长度、被限制在长度为每个2T(沟道位)到8T。

不符合调制规则的一连串9T代码被插入在每一帧的顶部处的“Sync”中，并且用于在播放盘时检测帧同步信号。

2.副数据记录器

接着，下面将参考图5描述将上述副数据记录到盘D16的副数据记录器50。

如上面已描述的，副数据是对每个盘100唯一的识别信息。因此，副数据记录器50操作来将图案不同的副数据从副数据记录器50中加载的一个盘100记录到另一个盘。

而且，副数据将被记录在盘D16上的预定片段中，并且标记将被形成为预定片段中的预定位置中的副数据。副数据记录器50被设计成在这一预定位置中记录标记。

为了通过如图5所示的副数据记录器50来记录副数据，盘D16首先被放置在转盘(未示出)上，并且主轴马达51投入旋转以一起旋转盘D16和转盘。由此被旋转的盘D16的记录区域被光拾取器OP扫描，以读取盘D16中记录的记录信号(主数据)。

如所示，光拾取器OP包括作为激光源的激光二极管LD、用于将从激光二极管LD发射的激光会聚和聚焦到盘100的记录表面的物镜52、用于检测来自盘D16的照射激光的返回部分的光电检测器PD等。

由光拾取器OP中提供的光电检测器PD检测到的返回光被IV转换电路53转换为电信号，并且所述电信号被提供给矩阵电路54。矩阵电路54基于从IV转换电路53提供的返回光，而生成读信号RF、跟踪误差信号TE和聚焦误差信号FE。

伺服电路55也包含于副数据记录器50中，用于基于从矩阵电路54提供的跟踪误差信号TE和聚焦误差信号FE，控制从也包含于副数据记录器50中的二轴驱动电路56提供的跟踪驱动信号TD和聚焦驱动信号FD。跟踪驱动信号TD和聚焦驱动信号FD被提供给二轴致动器(未示出)，所述二轴致动器支持物镜52可在与物镜52的光轴平行的聚焦方向上移动和在与聚焦方向垂直的跟踪方向上移动。因此，物镜52基于这些信号TD和FD而在聚焦和跟踪方向上移动。

在包括这些伺服电路55、二轴驱动电路56和二轴致动器的跟踪/聚焦伺服系统中，伺服电路55基于跟踪误差信号TE和跟踪聚焦信号FE，提供如下控制，使得照射到盘D16的激光的束斑将跟踪在盘D16上形成的凹坑串(记录轨道)，并且保持被精确聚焦。

副数据记录器50还包括二进制化电路57。矩阵电路54生成的读信号RF被提供给也包含在副数据记录器50中的二进制化电路57，并且其中所述读信号RF将被转换为二进制数据“0”或“1”。二进制数据被提供给同步检测电路58和PLL(锁相环)电路59。

PLL电路59生成与所提供的二进制数据同步的时钟CLK，并且将其作为操作时钟提供给适当一个系统组件。具体地，时钟CLK被用作二进制电路57、同步检测电路58、地址检测电路60和副数据生成电路61的操作时钟，将在下面描述。

同步检测电路58在所提供的二进制数据中检测将被插入到图4中所示的每一帧的同步图案。更具体地，同步检测电路58检测被取做同步图案的9T片段来检测帧同步。帧同步信号被提供给包括地址检测电路60及其他的系统组件中的适当一个组件等。

地址检测电路60基于帧同步信号和提供的二进制数据检测地址信息。检测到的地址信息被提供给用于控制整个副数据记录器50的控制器(未示出)。在控制器中，它将用于寻道等。而且，地址信息被提供给副数据生成电路61中包含的记录定时生成电路63。

副数据生成电路61包括记录定时生成电路63和RAM(随机存取存储器)62，如图5所示。副数据生成电路61基于基于所提供的副数据、从地址检测电路60提供的地址信息和从PLL电路59提供的时钟CLK生成写脉冲信号Wrp，所述写脉冲信号Wrp用于记录将被记录到如图16所示的盘D16的副数据。

注意，后面将详细解释副数据生成电路61的副数据记录操作。

也包含在副数据记录器50中的激光功率控制器64基于从副数据生成电路61提供的写脉冲信号Wrp，控制从光拾取器OP中的激光二极管LD发射的激光的功率。在这种情况下，当写脉冲信号Wrp处于L电平时，激光功率控制器64控制激光二极管LD发射具有读功率的激光。而且，当写脉冲信号Wrp处于H电平时，激光功率控制器64控制激光二极管LD发射具有写功率的激光。

当在激光功率控制器64的控制下照射写功率激光时，标记将被记录在反射层102上。反射层102上的标记将是盘D16上的副数据。

图6示出了副数据如何被上述副数据生成电路61记录。在图6中，示出了其中“0”被记录为用于副数据的每个位的代码的示例以及其中“1”被记录为用于副数据的每个位的代码的示例。

首先，代码用一组奇数平台和相邻的偶数平台表示，每个平台具有预定长度，每个平台被形成为主数据。对于每组如此的奇数和偶数预定长度平台，当标记被记录在奇数平台上时，代码被定义为“0”，而当标记被记录在偶数平台上时，代码被定义为“1”。

在图6所示的示例中，标记被记录在5T的平台上。在这种情况下，作为一个地址单位的一个片段被分配为将被分配用以记录副数据中包含的一位的代码的片段。也就是，标记被记录在一个地址单位中每组彼此相邻的奇数和偶数平台上，以表示与图6所示相同的代码。

而且，在将要记录代码“0”的情况下，标记仅被记录在所示的一个地址单位中的奇数预定长度平台上。

而且，在将要记录代码“1”的情况下，标记仅被记录在一个地址单位中的偶数预定长度平台上。

注意，为了读取由此记录的副数据，在一个地址单位中的每组相邻奇数和偶数预定长度平台处对读信号RF取样，并且从在奇数平台处取样的读信号RF的值中减去在偶数平台处取样的读信号RF的值(“奇数-偶数”相减)，将在后面详细描述。

这里将考虑其中在记录标记的部分处的读信号的电平比在未记录标记的部分处的读信号的电平低的示例，如在过去。在对于仅记录在偶数平台上的标记的代码是“0”的情况下，“奇数-偶数”相减将理想地在每个相邻预定长度平台处提供负值。也就是，在每组相邻预定长度平台处计算的“奇数-偶数”相减值的积分将肯定产生能够被检测的负值。

相反，在对于仅记录在偶数平台上的标记的代码是“1”的情况下，“奇数-偶数”相减将理想地在每个相邻预定长度平台处提供具有正值的读信号电平。因此，“奇数-偶数”相减值的积分将肯定产生具有不能被检测的正值的读信号电平。

注意，由于根据本发明实施例的盘100被适配成读信号电平在形成标记的部分处上升(将在后面进一步描述)，因此在标记仅被记录在奇数平台上的情况下将实际上检测具有正值的读信号电平，而在标记仅被记录在偶数平台上的情况下将检测具有负值的读信号电平。

为了便于解释，假设：副数据被副数据记录器50以与过去相同的方式记录，并且读信号电平在形成标记的部分处将降低。

此处注意，由于如上在特定片段上重复记录相同图案和基于多个如此相同记录图案在读取副数据的时刻来判断一个值(如上面已描述的)，因此反射层的反射率的变化由于标记记录而较小得以满足。因为反射率的变化由于标记记录而可被限制为较小，因此能够防止主数据的二进制化受记录的标记的影响。

而且对于副数据中的其他代码，以与上面相同的方式记录标记。在这种情况下，在与副数据中包含的代码相同多的地址单位上，将记录副数据。

为了在副数据中记录其他代码，在副数据记录器50与播放器之间预先确定其中将要记录副数据的片段(下文中将被称作“副数据记录片段”)。因此，副数据记录器50被设计成在作为由此预定的副数据记录片段的多个地址单位上记录上述标记。

有关上述记录技术，这里应当提醒，如果将被记录在预定长度平台上的标记被记录在边缘上，则主数据将不能被精确地二进制化。也就是，如果标记被记录在预定长度平台的边缘部分上，则记录标记的部分的反射率将相应地降低，因此在二进制化期间能够检测错误平台长度(或凹坑长度)。

在这点上，标记将被记录在其中将要记录标记的平台的中心处。因此，如果能够真正地获得边缘部分，则在这点上也不会影响二进制化。

对于上面的记录操作，图5中所示的副数据生成电路61中的记录定时生成电路63被设计成在如图6所示的时刻生成写脉冲信号Wrp。也就是，对于代码“0”，记录定时生成电路63生成仅在奇数预定长度平台的中心处取H电平的写脉冲信号Wrp。而且，对于代码“1”，记录定时生成电路63生成仅在偶数预定长度平台的中心处取H电平的写脉冲信号Wrp。

下面参考图7和图8来描述用于实现记录的上面技术的系统配置和操作。

首先，副数据被记录在盘D16上的预定副数据记录片段中。在预定副数据记录片段中，标记仅被如上记录在每个地址单位中奇数或偶数预定长度平台上。为了所述记录，必须知道在所述副数据记录片段中每个地址单位中的主数据的内容。

在这点上，在副数据记录片段中的每个地址单位中的主数据的内容将被预先存储在图5所示的副数据生成电路61中的RAM 62中。

图7示出了RAM 62中的数据结构。

首先，所示的地址表示关于副数据记录片段中的每个地址单位的地址信息。在每个地址处存储每个地址单位中记录的主数据的内容。

应当提醒，副数据记录器50将由盘D16(盘100)的制造者管理。因此，能够预先知道将被记录到为ROM盘的盘D16的主数据的内容。因此，实际上被记录到盘D16的主数据的内容可被预先存储在与如上地址对应的RAM62中。

而且，将要由记录定时生成电路63记录(分配)的副数据的每个值被存储在与地址相应的RAM 62中。副数据的每个值被记录定时生成电路63存储到RAM 62中。记录定时生成电路63将从外部提供的副数据的每个值顺序存储到在副数据记录片段的顶部地址开始的RAM 62。

因此，记录定时生成电路63根据将被存储到RAM 62的数据的内容，能够识别主数据中的预定长度平台，并且也能够识别奇数和偶数预定长度平台。

另外，参考如上在相应地址处存储的副数据的值，记录定时生成电路63可以识别标记将被插入到奇数还是偶数由此识别的预定长度平台上。

更具体地，在相关地址存储的值为“0”的情况下，标记将被插入在包括如图6所示的地址的地址单位中的奇数预定长度平台上。另一方面，如果值为“1”，则标记将被插入在偶数预定长度平台上。

而且，在这种情况下，标记将被插入在如上将要记录副数据的平台的中心处。因此，副数据记录平台被识别，并且然后生成写脉冲信号Wrp，所述写脉冲信号Wrp在标记被记录在所述平台的中心处时的时刻取H电平。

更具体地，通过准备在一个地址单位中包含所有沟道的“所有0”数据，首先生成这样的写脉冲信号Wrp。然后，对于“所有0”数据将生成其中在如上识别的时刻(位位置)已经插入代码“1”的数据行。即，生成了用于一个地址单位的数据行，其中“1”仅位于其中标记将被插入的位位置以及“0”位于所有其他位位置中。

基于这样的数据行，记录定时生成电路63可以向激光功率控制器64提供写脉冲信号Wrp，其仅在当达到如图6所示的正确标记记录位置时的时刻处取H电平。

下面参考图8所示的流程图来详细描述副数据记录器50记录副数据。

首先在步骤S101，盘D16被加载到副数据记录器50。而且，在步骤S102，副数据被提供给副数据记录器50。提供给副数据记录器50的副数据被提供给如图5所示的副数据生成电路61。

如上面已描述的，由此提供给副数据记录器50的副数据包含对每个盘D16(盘100)唯一的识别信息和纠错码。

注意，尽管如上在盘100被加载到副数据记录器50之后副数据被提供给副数据记录器50，但是在盘100被加载到副数据记录器50之前，副数据可被提供给副数据记录器50。

在步骤S103，副数据的每个值被存储在相应的地址处。也就是，步骤S103进行的操作等效于副数据生成电路61中的记录定时生成电路63的上述操作，以便在如图6中所示构造的RAM 62中在相应的地址处存储所提供的副数据的每个值。

在步骤S104，地址值N被初始化为值N0。在步骤S104，记录定时生成电路63将内部计数器初始化为值N0，以便在每个地址处生成数据行，如下面将描述的。

在步骤S105，区分将被记录在具有值N的地址处的副数据的值。更具体地，在步骤S105，记录定时生成电路63基于在RAM 62中相应地址处存储的副数据值的上面计数器中的计数，区分与相应地址相关的“0”和“1”。

在副数据值被确定为“1”的情况下，记录定时生成电路63生成其中“1”被插入在主数据中的偶数预定长度平台的中心处的具有值N的地址处的数据行(步骤S106)。因此，作为在一个地址单位中包含所有沟道位的数据行，在所有其他代码是“0”的同时，存在由此生成的其中仅对应于偶数预定长度平台的中心的代码是“1”的数据行。

另一方面，在副数据值被确定为“0”的情况下，记录定时生成电路63生成其中“1”被插入在主数据中的奇数预定长度平台的中心处的具有值N的地址处的数据行(步骤S107)。因此，作为在一个地址单位中包含所有沟道位的数据行，在所有其他代码是“0”的同时，存在由此生成的其中仅对应于奇数预定长度平台的中心的代码是“1”的数据行。

从上面解释已看出，记录定时生成电路63根据RAM 62中的每个相应地址中存储的主数据的内容，通过识别偶数或奇数预定长度平台和是平台的中心的位位置，能够生成这样的数据行。

在生成在一个地址单位中包含所有沟道位的数据行之后，记录定时生成电路63在步骤S108判断是否完成所有地址的数据行的生成。也就是，记录定时生成电路63判断对于副数据记录片段中的所有地址(扇区)是否完成数据行的生成。步骤S108中的操作根据记录定时生成电路63对在步骤S104已被初始化为值N0的内部计数器是否达到预设的预定计数进行判断的结果而进行。

如果判断结果为否定，即，如果内部计数器仍未达到预定计数，则地址值N递增1(在步骤S109)，然后，记录定时生成电路63返回到步骤S105。因此，记录定时生成电路63对副数据记录片段中的所有地址单位生成数据行。

在步骤S108中的判断结果为肯定的情况下，即，如果内部计数器已达到预定计数并且完成对所有地址的数据行的生成，则在步骤S110开始记录副数据。

响应开始记录副数据，在步骤S111，首先对盘100中的副数据记录片段中的顶部地址进行寻道。例如，基于关于预定副数据记录片段的地址信息，通过控制整个副数据记录器50的控制器，可以通过控制适当的系统组件来进行步骤S111中的寻道。

响应对副数据记录片段中的顶部地址的寻道，记录定时生成电路63基于如在步骤S106和S107对每个地址单位生成的数据行，生成写脉冲信号Wrp，并且将其提供给激光功率控制器64(在步骤S112)。基于数据行的写脉冲信号Wrp是基于时钟CLK的定时与将要读取主数据同步而生成的。

而且，响应提供关于记录片段的地址信息作为从地址检测电路60提供的地址信息，开始提供写脉冲信号Wrp。

由记录定时生成电路63基于数据行生成的写脉冲信号Wrp在如图6所示的正确时刻处取H电平。因此，当激光功率控制器64基于写脉冲信号Wrp将激光二极管LD的输出从读功率切换为写功率时，标记可被记录在与盘D16上的输入副数据的值对应的正确位置中。

注意，尽管上面已经描述了副数据是从外部提供的，但是可以提供用以生成加载到副数据记录器50的每个盘D16的序列号的电路，并且基于从所述电路提供的识别信息的副数据可被存储在RAM 62中。

而且，在将被存储在RAM 62中的主数据在内容上保持不变的同时，副数据可被记录到具有相同标题和具有记录于其中的内容彼此相同的主数据的盘D16，这在上面未解释。然而，为了将副数据记录到具有不同标题的盘D16，足以更新与将被记录到盘D16的主数据的内容相对应的、将被存储到RAM 62的主数据的内容。

3.播放器

接着，如将参考图9所示的示意方框图所描述的，构造播放盘100的播放器1，其中副数据以如上在反射层102上形成的标记的形式被记录。

注意，图9仅示出了播放器1的一部分，其主要与副数据读取有关，而省略了在主数据读取系统中二进制化之后(binarization post)的下游提供的解调系统。

而且，没有对图9中的虚线块中示出的反相电路15和判断电路16进行解释。

在播放器1中，通过主轴马达2以预定旋转驱动方式一起旋转位于转盘(未示出)中的盘100和转盘。使用从光拾取器OP发射的激光扫描正被旋转的盘D16的记录区域，并且检测来自盘D16的返回光，以读取盘D16中记录的记录信号(主数据)。

而且，该播放器1中的光拾取器OP包括：作为激光源的激光二极管；物镜，用于在盘100的记录表面上会聚和聚焦激光；二轴机械装置，用于支持物镜在跟踪方向和聚焦方向上可移动；光电检测器，用于检测照射到盘100的激光的返回部分等等。

而且，应当注意，在播放器1中，照射到盘100的激光具有读功率。

通过IV转换电路3将由光拾取器OP中的光电检测器检测到的返回光信息转换为电信号，并且将该电信号提供给矩阵电路4。矩阵电路4基于从IV转换电路3提供的返回光信息生成读信号RF。

而且，矩阵电路4也生成跟踪误差信号TE和聚焦误差信号(未示出)。这些信号被提供给伺服电路(未示出)，在伺服电路中，这些信号将用于物镜的跟踪和聚焦的伺服控制。

矩阵电路4生成的读信号RF被提供给二进制化电路5以及A-D转换器11，这将在后面详细解释。

二进制化电路5将提供的读信号RF转换为二进制数据“0”或“1”。二进制数据被提供给PLL电路8、同步检测电路9和地址检测电路10。

而且，二进制数据被提供给检测脉冲生成器12中包含的检测脉冲生成电路12a，这将在后面进一步描述。

PLL电路8生成与提供的二进制数据同步的时钟CLK，并且将其作为操作时钟提供给每个适当的系统组件。具体地，时钟CLK也被提供给检测脉冲生成电路12a(未示出)。

同步检测电路9检测从提供的二进制数据插入到图3所示的每一帧的同步部分。更具体地，它检测作为同步图案的9T片段，以检测帧同步。

帧同步信号被提供给包含地址检测电路10的适当系统组件。

地址检测电路10基于帧同步信号来检测提供的二进制数据中的地址信息。检测的地址信息被提供给控制整个播放器1的控制器(未示出)。它在控制器中用于寻道等。而且，地址信息被提供给检测脉冲生成器12中的检测脉冲生成电路12a。

应当确认注意，上面已描述的光拾取器OP、IV转换电路3、矩阵电路4、二进制化电路5、PLL电路8、同步检测电路和地址检测电路10都用于读取盘100中记录的主数据。也就是，为了读取副数据，这些组件一起形成主数据读系统。

检测脉冲生成器12生成检测脉冲信号Dp，所述检测脉冲信号Dp表示在读取作为副数据的识别信息中、与对播放器1和副数据记录器50共用而确定的标记记录方法对应的检测点。

检测脉冲生成器12包括检测脉冲生成电路12a和RAM 12b。检测脉冲生成电路12a基于RAM 12b中存储的信息而生成检测脉冲Dp。由此生成的检测脉冲Dp被提供给A-D转换器11。

A-D转换器11提供有来自矩阵电路4的读信号RF。A-D转换器11在用检测脉冲信号Dp指定的时间对提供的读信号RF取样，并且将取样的值提供给副数据检测电路13。

副数据检测电路13对从A-D转换器11提供的值进行预定计算，以检测副数据的每个值。也就是，它将基于例如与上述“奇数-偶数”减法对应的计算结果来检测每个副数据。

注意，后面将详细描述由检测脉冲生成电路12、A-D转换器11和副数据检测电路13进行的副数据值的检测。

由副数据检测电路13检测的副数据值被提供给ECC(纠错码)电路14。应当注意，此处进行的解释是基于如下假设：未提供虚线块中示出的反相电路15和判断电路16。

在这种情况下，副数据包括识别信息和纠错码。ECC电路14基于副数据中的纠错码通过进行纠错来再现识别信息。

再现的识别信息被提供给图9中所示的主计算机6。

主计算机6通过向控制整个播放器1的控制器(未示出)提供相应命令来指定各种类型的操作。例如，主计算机6发送用于读取盘100中记录的主数据的命令。由此从盘100读取的主数据被二进制化电路5二进制化，随后在解调系统(未示出)中经受调制(RLL 1-7PP调制)、纠错等，并且被提供给主计算机6。

而且，对于主计算机6提供网络接口7，以便经由预定网络进行数据通信。因此，主计算机6能够经由诸如因特网的预定网络，进行与外部设备的数据通信，具体地，与图9中所示的管理服务器70的数据通信。

注意，将如后面描述地操作该实施例中的主计算机6和管理服务器70。

在如上构造的播放器50中，如将参考图10下面描述的，检测副数据。

图10示出了其中“0”被分配为对盘100中的一个地址单位的副数据的一个位的值的标记记录的示例、以及其中“1”被分配为对一个地址单位的副数据的一个位的值的标记记录的示例。为了便于解释，图10示出了以相同的图案作为主数据形成的凹坑和平台。

首先，用1位信息记录副数据，如先前已描述的，所述1位信息被分配到盘100上的预定副数据记录片段中的每个地址单元。

代码被表示为如下所述。在标记被记录在奇数个预定长度平台的每个上的情况下，代码被定义为“0”。在标记被记录在偶数个预定长度平台的每个上的情况下，代码被定义为“1”。也就是，在如所示代码是“0”的情况下，标记仅被记录在地址单位中奇数个预定长度平台的每个上。在代码是“1”的情况下，标记仅被记录在地址单位中偶数个预定长度平台的每个上。

前面，这里已经描述其中记录标记的部分作为反射率将会有点减小的一部分。因此，如所示，读信号RF的波形电平在记录标记的部分处有点下降。

在读取副数据时，基于记录标记的部分处的反射率的小改变而判断读信号电平的值。

注意，如上所述，每个标记将被记录为在预定长度平台的中心处的副数据。当在平台的中心处记录标记时，读信号电平仅在记录标记的平台的中心处降低，并且如将从图10所示的读信号RF的波形可看出的，确实可获得在边缘处的读信号RF的波形。因此，可以防止主数据的二进制化受副数据记录的影响。

如上面已描述的，当代码是“0”时，读信号RF的值将仅在奇数预定长度平台上降低一点。另一方面，当代码是“1”时，读信号RF的值将仅在偶数预定长度平台上降低一点。

因此，为了判断被分配给每个地址单元的副数据的每个值，要满足检测读信号RF的电平是在地址单元的奇数预定长度平台上还是偶数预定长度平台上降低。

例如，通过确定没有记录标记的部分处的读信号RF的电平差，可以检测在记录标记部分处的读信号RF的电平降低。

将会看出，当代码是“0”时，标记仅被记录在奇数预定长度平台上，并且当代码是“1”时，标记仅被记录在偶数预定长度平台上。换句话说，将看出，不管何时代码是“0”，没有标记被记录在偶数预定长度平台上，并且不管何时代码是“1”，标记被记录在奇数预定长度平台上。因此，通过对相邻的奇数和偶数预定长度平台处的读信号RF进行“奇数-偶数”相减，可以检查读信号RF是在奇数预定长度平台还是偶数预定长度平台上电平降低(是否记录标记)。

更具体地，当“奇数-偶数”相减结果是负值时，奇数预定长度平台处的读信号RF的电平降低，这意味着标记被记录在奇数特定长度平台上。相反，当“奇数-偶数”相减结果是正值时，偶数预定长度平台处的读信号RF的值降低，这意味着标记被记录在偶数特定长度平台上。

然而，实际上，噪声叠加在读信号RF上。如上，记录标记的部分处的读信号RF的电平的降低如此小，以致可能与噪声相混淆。因此，对于读信号值的正值判断，基于“奇数-偶数”相减结果检测仅在一组相邻奇数和偶数预定长度平台处的读信号RF的电平的下降是不够的。

在这点上，通过积分对每组相邻奇数和偶数预定长度平台处的读信号进行的“奇数-偶数”相减结果并且基于积分结果判断分配给地址单元的一位的值，读取副数据。使用这种操作，能够积极地检测副数据的电平。

为了进行上述“奇数-偶数”相减，必须取样在每个奇数和偶数预定长度平台处可用的读信号RF的电平。图9所示的检测脉冲生成电路12生成如图10所示的检测脉冲信号Dp，作为用于指示对“奇数-偶数”相减的定时取样的信号。

如将从图10看出，作为用于“奇数-偶数”相减的检测脉冲信号Dp，将会生成一个信号，其仅在每个预定长度平台的中心处取H电平作为主数据。

为了生成这样的检测脉冲信号Dp，如在上述副数据记录器50中生成写脉冲信号Wrp，基于在盘100上的副数据记录片段中存储的主数据的内容，将生成相应的定时。

然而，与副数据记录器50不同，播放器1不用于盘制造者方。因此，盘100中记录的内容不能被预先存储在播放器1中。因此，播放器1用于从记载盘100上的副数据记录片段读取主数据，并且在其中存储该主数据，以便用于生成检测脉冲信号Dp。

在播放器1中，从副数据记录片段读取的主数据被存储到作为在图9主所示的检测脉冲生成器12中的存储器提供的RAM 12b。图11示出了主数据的数据结构。如所述，由此读取的主数据被存储在每个相应地址处。

如在写脉冲信号Wrp的上述生成中，检测脉冲生成器12中的检测脉冲生成电路12基于RAM 12b中存储的记录片段中的主数据内容，生成相应定时中的代码是“1”以及其他代码都是“0”的数据行。检测脉冲生成电路12a基于由此生成的数据行而生成检测脉冲信号Dp，并且将其提供给A-D转换器11。A-D转换器11在用检测脉冲信号Dp指定的时刻、即在如图10所示的正确时刻，对读信号RF的电平取样。

如下面参考图12中所示的流程图的详细所述，播放器1读取副数据。

首先，在步骤S201，盘100被加载到播放器1。然后，在步骤S202，播放器1将每个地址处的主数据存储在盘100上的副数据记录片段中。

一旦加载盘100，播放器1将响应来自图9中所示的主计算机6的命令，开始对播放器1与副数据记录器50之间预定的副数据记录片段中的顶部地址进行寻道，例如，以读取记录片段中记录的主数据。对于由此读取的主数据，图9中所示的检测脉冲生成电路12a基于从地址检测电路10提供的地址信息，在RAM 12b中的每个相应地址处存储从二进制化电路5提供的二进制数据。

在步骤S203，地址值N被设定为初始值N0。

在该步骤S203，内部计数器被初始化为用于检测脉冲生成电路12a的值N0，以便对于每个地址单位生成表示取样读信号RF的定时的数据行，如将在下面所解释的。

在步骤S204，生成了其中“1”被插入在预定长度平台的中心处的数据行，作为在具有值N的地址处的主数据。

步骤S204中的操作由检测脉冲生成电路12a参考RAM 12b中存储的主数据的内容来进行。也就是，检测脉冲生成电路12a生成这样的数据行，即，其中仅在预定长度平台的中心处、作为关于RAM 12b中的地址N存储的主数据的代码是“1”，并且在其他位置中的代码都是“0”。由于在该实施例中，例如，标记将被记录在5T的平台上，因此将生成其中仅在5T片段中的第三位处的代码是“1”并且在其他位处的代码都是“0”的数据行。

通过上面的操作，生成了表示在地址N处地址单位中的取样点的数据行。

在生成在一个地址单位中包括所有沟道位的数据行之后，检测脉冲生成电路12a在步骤S205判断是否完成生成对于所有地址的数据行。也就是，检测脉冲生成电路12a判断对于副数据记录片段中的所有地址单位是否完成数据行的生成。步骤S205中的操作由检测脉冲生成电路12a实现，用于判断在步骤S203中曾经被初始化为值N0的内部计数器是否已达到预设的预定计数。

如果判断的结果为否定，即，如果内部计数器仍未达到预定的计数，则地址值N递增1(在步骤S206)，然后检测脉冲生成电路12a返回到步骤S204。因此，检测脉冲生成电路12a生成用于副数据记录片段中的所有地址单位的数据行。

在步骤S207中的判断结果为肯定的情况下，也就是，如果内部计数器已经达到预定的计数并且完成了对于所有地址的数据行的生成，则在步骤S208，副数据开始被记录。

一旦开始副数据记录，检测脉冲生成电路12a将在步骤S209对盘100中的副数据记录片段中的顶部地址进行寻道。步骤S209中的寻道可以通过上述控制器(未示出)基于有关例如由图8中所示的主计算机6预定的副数据记录片段的地址信息而给出指示来进行。

在步骤209，响应对副数据记录片段中的顶部地址的寻道，基于如在步骤S204对每个地址单位生成的数据行，检测脉冲生成电路12a生成检测脉冲信号Dp，并且将其提供给A-D转换器11。基于时钟CLK的定时，与将被读取的主数据同步，生成基于由此生成的数据行的检测脉冲信号Dp。

而且，响应提供记录片段中的顶部地址处的信息作为从地址检测电路60提供的地址信息，检测脉冲信号Dp开始被提供。

在下一步骤S210，通过对基于检测脉冲信号Dp取样的值进行“奇数-偶数”相减，检测副数据的值。

步骤S210中的操作由A-D转换器11和副数据检测电路13来进行。

A-D转换器11在用从检测脉冲生成电路12a提供的检测脉冲信号Dp指定的时刻处，对从矩阵电路4提供的读信号RF的电平进行取样，并且将其提供给副数据检测电路13。

副数据检测电路13通过将从A-D转换器11提供的偶数副数据值与奇数副数据值相减，来进行上面参考图9解释的“奇数-偶数”相减。对每个地址单位积分“奇数-偶数”相减结果，以便基于积分值来检测副数据值。

每个副数据值被提供给ECC电路14，在ECC电路14中将基于副数据中包含的纠错码来纠错每个副数据值，以便再现识别信息。由此再现的识别信息被提供给主计算机6，在主计算机6中该再现的识别信息将被用作版权管理信息。

由此提供给主计算机6的识别信息被主计算机6使用，如后面将详细描述的。

4.作为实施例的光盘记录介质、记录器和播放器

如上面已描述的，标记可被作为副数据写入盘100的反射层102和从盘100的反射层102读取。

如上，标记作为副数据被记录在反射层102，而不影响读取以凹坑和平台的组合的形式记录的主数据。因此，当从盘100仅读取主数据时，将不从盘100读取副数据。因此，在反射层102上以标记的形式记录副数据的优点在于：盘100中的读信号将不被复制到伪造盘。

然而注意，通过具有相对高功率的激光的照射，标记将被记录到反射层102。用高功率激光照射的部分将发热并由此热膨胀，并且反射层102下的衬底101将可能由于热膨胀而变形。

图1A示出了衬底101的这种变形。例如，当衬底101由于加热而膨胀时，在形成标记110的部分处，衬底101由此将凹进去(如用附图标记110a所示)。

当衬底101被曝露于与诸如盘100的衬底101分离的涂覆层102和反射层102时，凹处110a将形成于与标记被记录为副数据的部分相对应的衬底101的表面上，如图1B所示。

在相应于记录标记的部分而形成的凹处110a处，反射率将由于衍射而降低。也就是，如果衬底101的形状已被物理地转印，则副数据将被原样再现，并且由此基于授权盘能够再现伪造盘。应当注意，通过衬底的物理转印而形成的伪造盘可以通过基于在记录标记的部分处凹进去的衬底101准备压模和使用压模形成副本衬底而大规模制造。

为了防止再现包括通过物理转印授权盘100的衬底而形成的衬底的伪造盘，授权盘100应当通过记录副数据来再现，从而授权盘100中的副数据的极性将与在包括通过物理转印授权盘100的衬底而形成的衬底的伪造盘中的副数据的极性相反。

使用授权盘与伪造盘之间的副数据极性差来判断光盘是授权盘还是伪造盘，能够在授权盘与基于授权盘制造的盘之间进行区分，并且能够通过基于副数据值的极性差来确定以进行判断。

为此，授权盘100应当被形成以具有在形成标记的部分处的读信号电平将高于在其他部分处的读信号电平的属性。本申请的申请人成功研发了其中读信号电平在形成标记的部分处将高于在其他部分处的盘100。

图13中示出了所述属性。在图13中，沿着垂直轴的“幅值”表示对在记录标记的部分处的读信号RF的值与在没有记录标记的其他部分处的读信号RF的值相减的结果进行积分而获得的值。也就是，积分值越大，记录标记的部分处的读信号RF的值就越大。而且，沿着水平轴的“Pw(mW)”表示用于记录标记的激光功率。

在图13中，实线曲线表示具有通过副数据记录器50在其中记录标记的授权盘100的属性，并且虚线曲线表示其中具有物理转印的授权盘100的衬底的伪造盘的属性。

注意，通过在下列条件下记录标记来获得如图13所示的实验结果。

标记被记录在盘100上具有预定长度5T的平台上。而且，盘100的反射层102由沉积到厚度40nm的AgSn合金而形成。

为了将标记记录到盘100，副数据记录器50在下列条件下操作：

-数值孔径NA      0.85

-激光波长λ      405nm

-记录线性速率    4.9m/s

-标记记录定时    30ns

而且，盘100(记录有主数据的盘D16，下文中其也被称作“主数据记录盘D16”)被设计为符合蓝射线(商标)盘标准，其先前已规定为具有320nm的轨道间距Tp(1T长度＝78nm)，Tp/3的凹坑宽度和λ/5的间距深度。

注意，通过将反射层102与盘100(在上面条件下所述盘100其中记录有标记以仅提取衬底101)的衬底101相分离，物理地转印衬底101的形状以形成压模，通过用压模成型来形成衬底101，并且在由此形成的衬底101上沉积反射层102，来准备实验中使用的伪造盘。

首先，将看出，在其属性用图13中的实线曲线A表示的授权盘100中，当激光功率在12到25mW的范围内时，沿着垂直轴的“幅度”高于电平“0”。也就是，应当理解，这意味着记录标记的部分处的读信号电平在电平上较高。

相反，随着激光功率相同改变，在其属性用虚线曲线B表示的伪造盘中“幅度”低于电平“0”，这意味着记录标记的部分处的读信号电平降低。

从上面将看出，标记可被记录到根据本发明实施例的光盘，因此盘中记录标记的部分处的读信号RF在极性上不同于转印到授权盘100的衬底102的形状的伪造盘中的读信号RF。也就是说，在授权盘100与基于盘100生成的伪造盘之间，形成标记的读信号RF在极性上将不同。

注意，实验结果证明：当在相应于凹坑的部分处记录标记时，激光功率越高，则读信号电平越低。也就是说，当标记被记录在相应于凹坑的部分处时，授权盘100中的读信号的极性将不与基于授权盘制造的伪造盘中的读信号的极性相反。

图14示意性图解了在与对图13所示的实验结果相同的操作条件下、通过AFM(原子力显微镜)对当标记被图9所示的副数据记录器50记录到盘100时所取的衬底101的形状的观察结果。

图14A示出了衬底101的上表面的观察结果，以及图14B示出了沿图14A中的实线X所取的衬底101的片段的观察结果。图14B中的虚线a到e分别表示图14A中的虚线a到e的位置。

如将从图14A和图14B所示，记录标记的部分M的深度大于授权平台部分的深度(例如，c到d)，这将使得衬底101中的凹形由于标记记录而变形变得更清楚。而且，记录标记的部分M处的标记宽度可被认为是其深度大于如图14B所示的授权平台部分的深度的部分的宽度。然而，在这种情况下，可以看出，标记宽度比在所示的两个相邻虚线a和b之间定义的一个轨道的标记宽度大一些。

这里将参考图15到图21来解释以下原理：根据本发明实施例读信号电平将在盘100上的记录标记的部分处上升，但是在物理转印盘100的衬底形状的伪造盘上在记录标记的部分处下降，如将从图13所示的实验结果得知。

图15A到图15C示出了当标记被记录在盘(其中主数据以凹坑和平台的组合的形式被记录)的预定长度平台上时模拟在记录标记的部分处的读信号电平的特性的计算结果。

图15A到图15C示出了从在没有记录标记的部分处的读信号RF的值与记录标记的部分处的读信号RF的值的相减得到的差(与图13所示的“幅度”相同)的信号的特性的变化，其中沿垂直轴表示标记深度，并且沿水平轴表示激光的反射率。

下面将参考图16来解释为获得图15A到图15C所示的计算结果而设定的光条件。轨道间距Tp是320nm，凹坑宽度是Tp/3(320/3nm)，并且间距深度是λ/5。标记M的形状是正方形，其中标记宽度Mw等于标记长度M1，并且其形成在具有长度6T的平台部分上，如图16所示。在这种情况下，1T的长度是78nm，并且6T的长度是468nm。而且，在这种情况下使用的激光波长λ是405nm，物镜将激光聚焦在平台上的数值孔径NA是0.85，然而并未示出。

而且，标记幅度反射率Rm是Am exp(4×pi×i×N×d)，并且Rm强度是100％。而且，计算的单位单元是22T×3个轨道。

注意，从参考图13上面描述的光条件的比较将看出，在该情况下使用的激光的激光波长λ、物镜的数值孔径NA、在盘上形成的轨道的间距Tp、凹坑宽度和凹坑深度被设定为等于根据本发明实施例的盘100(D16)的激光的激光波长λ、物镜的数值孔径NA、在盘上形成的轨道的间距Tp、凹坑宽度和凹坑深度。

图15A、图15B和图15C示出了在上面的光条件下当标记宽度Mw被分别设定为0.5Tp、1.0Tp和1.5Tp时差信号的特性。在这种情况下，由于标记宽度Mw等于如图16中所示的示例的标记长度M1，因此图15A、图15B和图15C示出了当标记M的大小改变时差信号的特性。

如将从图15A到图15C看出的，当没有形成标记M时，标记深度将是“0”，并且标记反射率将是“1”。在当没有形成标记M时的标记深度“0”与标记反射率“1”之间的交叉点处，从在没有记录标记M的部分处的读信号RF的值与在记录标记的部分处的读信号RF的值相减而获得的差信号的值将是“0”，如将从图15A、图15B和图15C得知的。

这里注意，读信号电平由于在记录标记的部分处的增加的反射率而可能上升，或者没有标记反射率的任何增加而可能上升。

本发明的申请人在国际申请No.WO 01/008145中公开了以下内容：对由不同材料形成的反射层102上的标记记录的实验结果证明了反射率在一些情况下在记录标记的部分处增加，而在其他情况下在记录标记的部分处不增加。

例如，在上面的国际公开中，本发明的申请人提及Ag_95.5Cr_4.5等作为用于反射层102的材料(其反射率在记录标记的部分处增加)，并且Ag_95.0Cr_5.0等作为用于反射层102的材料(其反射率在记录标记的部分处不增加)。

这里将首先考虑其中读信号电平在反射率不增加的情况下在记录标记的部分处上升的情况。

将对图15A到图15C进行解释，其中假设反射率在记录标记的部分处不增加。读信号电平在标记反射率不增加的情况下在其深度范围从“0”到某一深度的部分处上升，并且图15A、图15B和图15C中每一个所安排示出的。

然而，在这种情况下，当标记宽度Mr是0.5Tp时，存在读信号电平在标记反射率不增加的情况下上升的小部分，如将从图15A看出的。另一方面，当标记宽度Mw从0.5Tp增加到1.0Tp然后增加到1.5Tp时，读信号电平在标记反射率不增加的情况下上升的这个部分膨胀，如将参考图15B和图15C看出的。

使用这种特性，当标记宽度(标记大小)Mw太小时，将不会获得标记反射率不增加的情况下读信号电平上升的部分。因此，存在这种可能性：读信号电平在记录标记的部分处不能上升。

因此，将看出，标记大小是上升在记录标记的部分处的读信号电平的重要因素。

而且，如将从图15B看出的，当标记深度超过某一范围时，读信号电平将变为负的并且在记录标记的部分降低。将看出，标记深度也是上升在记录标记的部分处的读信号电平的重要因素。

图17A到图17C作为另一模拟结果，示出了当标记深度在如上面参考16已经解释的相同光条件下改变时分别在如图15A到图15C中标记宽度Mw0.5Tp、1.0Tp和1.5Tp处的差信号的特性。注意，图17A到图17C所示的差信号表示距当标记深度d为0时的读信号电平(即，在每个标记深度处获得的读信号电平本身)的差。

上面的模拟结果示出了：使用如图17A所示的为0.5Tp的标记宽度Mw，当标记宽度是2nm时，差信号电平比“0”电平高一点，即，读信号电平上升。将会看出，标记深度增加时，差信号变为负的，并且读信号电平降低。

而且，随着标记宽度Mw为Tp，当如图17B所示标记宽度增加到2nm和增加到4nm时，差信号具有比“0”电平更高的电平。随着标记深度进一步增加，读信号电平将降低。

而且将看出，随着标记宽度Mw为1.5Tp，差信号电平随着标记深度增加而生成，即，标记深度越大，则读信号电平越高，变得如图17C所示。

因此，模拟结果揭露了标记宽度Mw(标记大小)和标记深度是确定读信号电平是否在记录标记的部分处上升的因素。

注意，尽管这些图示出了仅标记深度改变而标记宽度Mw保持固定的模拟结果，但是用于增加标记深度的激光功率的增加将导致标记宽度Mw相应地增加。

因此，在实际的记录中，标记深度和标记宽度Mw将相应于激光功率的增加而增加。

鉴于上面，可以考虑，当标记深度实际上增加时，图15A到图15C所示的特性如以图15A、图15B和图15C的这种顺序改百年。

如从上面的模拟结果将看出，假设反射率在记录标记的部分处将不增加，通过设定标记深度和宽度可以上升读信号电平。然而，假设在记录标记的部分处的读信号电平取决于标记深度和宽度上升，如果授权盘的衬底101中的凹处在伪造盘中被再现，则在通过物理转印授权盘而生成的伪造盘中也满足这些条件。结果，读信号电平在伪造盘中的记录标记的部分处也可能上升。

然而，在根据本发明实施例的盘100中，已经确认读信号电平在通过物理转印授权盘而制造的伪造盘中(如参考图13上面已描述)的记录标记的部分处降低。

在基于授权盘制造的伪造盘中，在下面描述的原理上，读信号电平在记录标记的部分处降低：

假设在衬底101自身中凹口被形成为标记M，已经参考图15A到图15C以及图17A到图17C描述了上面内容。然而，实际上，反射层102被堆叠在衬底101上。

实际上众所周知，读光系统将从反射表面H检测具有照射到反射层102的写功率的激光的返回部分，所述反射标记H不是反射层102的表面，而在衬底101与反射102之间，例如图18A中虚线所示。由读光系统从中检测返回光的反射表面被称作“光反射表面”，并且这里反射表面的深度被称作“光深度Ld”。

当记录标记时，授权盘中光深度Ld如图18B所示。也就是，在授权盘中，光深度Ld将不是精确对应于在衬底101中形成的凹处的深度的任何光深度，而是小于对应于凹处深度的光深度，因为由于标记记录造成的氧化而引起反射层102的光常数变化。

相反，通过将具有变化的光常数的反射层102与授权盘的衬底101分离，然后在通过物理转印授权盘100的衬底101的形状而形成的衬底101(副本衬底)上沉积反射层102，来制造伪造盘。因此，由于物理转印的衬底101中的光深度Ld将精确地对应于如图18C中所示的原始衬底101中的凹口深度，因此伪造盘中的光深度Ld将大于授权盘中的光深度Ld。

因此，伪造盘中的光深度Ld大于授权盘中的光深度，因此授权盘中的读信号电平的极性将与伪造盘中的读信号电平的极性相反。

下面将参考图19来解释上面。应当注意，图19示出了与图15B(当标记宽度Mw是Tp时)中类似的差信号特性。

当如在图19中记录到授权盘的标记的深度是pSK时，如果伪造盘中的光深度Ld大于授权盘中的光深度，例如，伪造盘中的标记深度可能是pKZ，如所示。

也就是，随着伪造盘中光深度Ld由此更大，授权盘中为正的差信号的值将如图19中的箭头所示的从“0”变为负值，因此伪造盘中读信号的极性可以与授权盘中读信号的极性相反。

如从上面原理(其中读信号电平在记录标记的部分处降低)的描述将看出，即使光深度在伪造盘中更大，在记录到盘100的标记不是足够深的情况下，读信号电平也不能够变为负的。

例如，如果盘100中记录的标记在比如图19所示的位置pSK小很多的深度处，则位置pKZ将可能不在差信号的“0”线之外，因此读信号电平如在授权盘中将为正。

因此，标记深度可以由此是确定读信号电平是否在伪造盘中将降低的因素。

从上面描述将看出，记录到盘100(授权盘)的标记的大小和深度是确定读信号电平是否在具有实际记录的标记的授权盘100的记录标记的部分处上升和读信号电平是否在基于授权盘100生成的伪造盘的记录标记的部分处降低的因素。

因此，通过在盘100(主数据记录盘D16)上记录或形成如此大小和深度(读信号电平在授权盘100的记录标记的部分处将上升但是在伪造盘的记录标记的部分处将下降)的标记，在授权盘100中的记录标记的部分处的读信号RF的极性可能与在基于授权盘100制造的伪造盘中的记录标记的部分处的读信号RF的极性相反。

盘100和副数据记录器50被设定光条件满足下列情况：这种标记大小和深度可能确保读信号电平在盘100中的记录标记的部分处将上升但是在基于盘100制造的伪造盘中的记录标记的部分处将下降。

因此，如将从图12所示的实验结果看出的，授权盘100中的记录标记的部分处的读信号电平的极性可能与基于盘100制造的伪造盘中的记录标记的部分处的读信号电平的极性相反。因此，基于授权盘和伪造盘之间的读信号RF的极性差，能够判断授权盘和伪造盘。

上面，假设读信号电平在反射率不增加的情况下在记录标记的部分处上升，已经解释了本发明。然而，如上面已经描述的，可能的是，随着读信号电平的上升，反射率在记录标记的部分处增加。

而且，在随着读信号电平的上升反射率在记录标记的部分处增加的情况下，如上面已描述的，通过向授权盘记录(或形成)具有如此大小和深度(读信号电平将在授权盘中的记录标记的部分处上升但是在伪造盘中的记录标记的部分处降低)的标记，在授权盘100中的记录标记的部分处的读信号RF的极性可能变得与在伪造盘中的记录标记的部分处的读信号RF的极性相反。

图20示出了如图19中的差分信号特性的模拟结果(标记宽度Mw为Tp)。在标记反射率随着读信号RF的电平上升而增加的情况下，例如，在图20中，授权盘上记录的标记的深度和反射率将取值为pSK。也就是，位置pSK表示这样的位置，即，由于标记记录引起的衬底101的变形，标记指定为一定程度的深度，并且读信号RF的电平由于记录标记的部分处的反射率的增加而上升。

这里将解释基于授权盘100生成的伪造盘具有向其记录的如此能够被位置pSK识别的深度和反射率的标记。由于伪造盘中的光深度Ld精确地对应于衬底101中凹陷的形状，如参考图18A到图18C上面已描述的，因此它将大于授权盘100中的光盘Ld。

而且，由于新反射层102沉积在伪造盘中的衬底101上，因此记录标记的部分处的反射率将返回到“1”。

因此，基于授权盘生成的伪造盘中的标记深度和反射率能够具有例如在图20中用pKZ表示的值。也就是，当位置pSK移到pKZ时，差分信号的值转变“0”电平，并且变为负数，因此授权盘中的读信号RF的极性将与伪造盘中的读信号RF的极性相反。

如将从通过具有如图20记录的标记的盘、从没有标记的盘变化到伪造盘的盘状态的图解以及分别从与图15A、图15B和图15C所示的标记大小相对应的差信号特性的所示变化看来，存在如下可能性：差信号将不变为“0”电平，并且即使光深度Ld更大，差信号根据在授权盘上形成的标记的深度和大小而变成负的，并且记录标记的位置处的反射率在伪造盘中变成“1”。

也就是说，也将看出，授权盘上形成的标记的深度和大小是确定授权盘中的读信号RF的极性是否与伪造盘中的读信号RF的极性相反的因素。

因此，通过向授权盘100(主数据记录盘D16)记录(或形成)如此大小和深度(读信号电平在授权盘100中的记录标记的部分处上升，但是在伪造盘中的记录标记的部分处下降)的标记，在标记可被记录到授权盘由此标记反射率随着读信号电平的上升而将在记录标记的位置处增加的情况下，授权盘100中的记录标记的部分处的读信号RF的极性可能与伪造盘中的记录标记的部分处的读信号RF的极性相反，如在反射率不增加、读信号电平在记录标记的部分处上升的情况下。

应当提醒，在如上设定根据本发明实施例的盘100和副数据记录器50的光条件下，实验导致读信号电平在盘100中的记录标记的部分处上升，而盘100中的记录标记的部分处的读信号的极性将与在伪造盘中的记录标记的部分处的读信号的极性相反。因此，即使假设标记反射率随着读信号电平的上升而在记录标记的部分处增加，在根据本发明设定的光条件(读信号电平在盘100中的记录标记的部分处将上升但是在伪造盘中的记录标记的部分处将降低)下也能够确保这种标记大小和深度。

上面，已经描述假设反射率随着读信号电平的上升而增加，伪造盘中的光深度大于授权盘中的光深度，从而授权盘中的记录标记的部分处的读信号RF的极性与伪造盘中的记录标记的部分处的读信号RF的极性相反。然而，可能的是，授权盘中的光深度将等于伪造盘中的光深度。即使在这种情况下，授权盘中的读信号RF的极性也可能与伪造盘中的读信号RF的极性相反。

即使在授权盘中的光深度等于基于授权盘制造的伪造盘中的光深度的情况下，授权盘中的读信号RF的极性将与伪造盘中的读信号RF的极性相反，如情况可以是下面参考图21所示。

注意，图21示出了如已经参考图19和图20描述的当标记宽度Mw是Tp时差信号特性的模拟结果。

同样，在这种情况下，标记记录将导致标记深度和反射率增加到某种程度，并且在授权盘上形成的标记的深度和反射率将具有如图21中用pSK表示的值。由于假设在这种情况下在授权盘中的光深度Ld等于在伪造盘中的光深度，因此在授权盘和伪造盘之间没有标记深度差，因此标记反射率将仅变为“1”。也就是说，如图21所示，授权盘中的标记深度和反射率用pSK表示，而在伪造盘中，标记反射率变为“1”，因此标记深度和反射率将变成用pKZ表示的点，并且差信号超过线“0”并且变为负的。

如将从通过具有如图21记录的标记的盘、没有标记的盘变化到伪造盘的盘状态的图解以及分别从与图15A、图15B和图15C所示的标记大小相对应的差信号特性的变化的图解看来，存在如下可能性：如果授权盘中形成的标记的深度和大小不正确，则伪造盘中的读信号RF的极性将不变为负的，即使伪造盘中的标记反射率变为“1”。如图21所示，读信号的极性将保持为正，并且在标记深度例如小于大约4nm的情况下不被反相。

因此，将看出，在标记反射率增加并且读信号电平上升的情况下，即使假设授权盘中的光深度Ld将在伪造盘中保持不变，在授权盘中形成的标记的深度和大小是确定授权盘中的读信号的极性是否将与伪造盘中的读信号的极性相反的因素。

换句话说，当标记在盘100(主数据记录盘D16)中形成为如此大小和深度(读信号电平在授权盘中的记录标记的部分处将上升，但是在伪造盘中的记录标记的部分处将下降)时，授权盘100中的记录标记的部分处的读信号RF的极性也可以变得与伪造盘中的记录标记的部分处的读信号RF的极性相反。

注意，副数据记录器50被设定的条件仅仅是示例，例如数值孔径NA是0.85，激光波长λ是405nm，记录线性速率是4.9m/s，标记记录脉冲是30ns，以及激光功率是12到25mW。如从上面的解释将看出，通过在盘100中形成如此大小和深度(读信号电平在授权盘中的记录标记的部分处将上升但是在伪造盘中的记录标记的部分处将下降)的标记，可以制造盘100，其读信号在极性上将与基于盘100制造的伪造盘中的读信号相反。

而且，盘100(主数据记录盘D16)被指定的条件不限于上面的条件(轨道间距Tp是320nm，凹坑宽度是Tp/3，凹坑深度是λ/5，1T长度是78nm)，但是可以是任何其他适当的条件。

而且，标记可以被记录在具有5T以外的长度(6T)的平台上。

然而，如果对于盘100(D16)的设计条件不是上面条件并且将要形成标记的平台具有上面以外的长度，则被记录的标记的大小和深度将变化，以致将不能确保与如图15A到图15C所示相同的差信号特性。

然而，在标记被记录到主数据以凹坑和平台的组合的方式被记录到其中的盘并且还被记录到主数据与前面盘中相同的凹坑和平台被记录到其中的另一盘的情况下，可以确保不同但是类似于图15A到图15C所示的差信号特性(假设，读信号电平在标记反射率不增加的情况下上升，如图15A到图15C中所示的差信号特性，并且导致在两个盘中可以确保在标记反射率不增加的情况下读信号电平上升的点)。在这种情况下，根据与图15A到图15C不同的差信号特性，副数据记录器50可被如下条件：标记在盘上将被形成为如此大小和深度(即，读信号电平在授权盘中的记录标记的部分处将上升，但是在基于授权盘制造的伪造盘中的记录标记的部分处将降低)，从而变得能够制造读信号极性在基于盘100制造的伪造盘中将反相的盘100。

而且，为了制造图13所示的盘100，步骤S17中的操作(副数据被记录)由副数据记录器50实现，所述副数据记录器50被设定为如下条件，标记在盘上将被形成为如此大小和深度(读信号电平在授权盘中的记录标记的部分处将上升但是在基于授权盘制造的伪造盘中的记录标记的部分处将下降)，如上，从而变得能够制造读信号极性在基于盘100制造的伪造盘中将反相的盘100。

为了证实上面，将参考22解释根据本发明实施例制造的盘100中的读信号的波形以及其中读信号电平在记录标记的部分处将上升。应当注意，在图22中，示出了其中“0”作为副数据的一个位的值分配给盘100中的一个地址单位的标记记录的示例以及其中“1”作为副数据的一个位的值分配给一个地址单位的标记记录的示例，如图10所示。

如从图22将看出，读信号RF的电平在根据本发明实施例的盘100中的记录标记的部分处将上升。也就是，当在这种情况下代码“0”被分配给副数据时，读信号RF的值将仅在奇数预定长度平台处增加一点。而且，当代码“1”被分配给副数据时，读信号RF的值将仅在偶数预定长度平台处增加一点。

也就是说，在这种情况下的“奇数-偶数”的相减结果将是对应于代码“0”的正数，否则它将是对应于代码“1”的负数。

注意，参考图9上面解释的播放器1的构造如下：当“奇数-偶数”的相减结果是“负数”时将检测到代码“0”，而当“奇数-偶数”的相减结果是“正数”时将检测到代码“1”。因此，如在该示例中，在标记被记录从而在标记的记录部分中的读信号电平将上升的情况下，与传统代码相反的代码将被记录为副数据。

基于下列特性：读信号电平在授权盘中的标记记录部分处将上升但是在基于授权盘制造的伪造盘中的标记记录部分处将下降，播放器将能够判断播放器中加载的盘是授权盘100还是基于授权盘100制造的伪造盘。

播放器1，能够基于根据本发明实施例的盘100的特性判断加载盘是否是基于授权盘100制造的伪造盘，其构造将如下所述。

根据本发明实施例的播放器1是一种先前已参考图9描述的版本，其另外包括在虚线块中包围的反相电路15和判断电路16。

反相电路15被提供有副数据检测电路13检测到的副数据值。反相电路15对所提供的副数据的极性进行反相，并且将其提供给ECC电路14。

当在播放器1中播放根据本发明实施例的盘100时，副数据检测电路13检测到的副数据将具有与先前已描述的传统副数据相反的电平。这是因为副数据检测电路13被设计成当“奇数-偶数”的相减结果是“负数”时检测代码“0”，而当奇数-偶数”的相减结果是“正数”时检测代码“1”。因此，副数据检测电路13检测到的副数据将在电平上相反于在副数据记录器50处记录的副数据。

因此，反相电路15对如上的副数据值进行反相，以便提供与已被副数据记录器50记录的副数据值相同的副数据值。也就是，根据本发明的实施例，包括反相电路15的播放器1能够检测与已从授权盘100记录的副数据值相同的副数据值。

在通过物理转印授权盘100的衬底从基于授权盘制造的伪造盘中读取副数据的情况下，副数据检测电路13检测到的副数据值将具有非反相的图案，而从反相电路15提供的副数据值将具有初始记录的副数据值的图案的相反的图案。

因此，从基于授权盘100制造的伪造盘值不能读取正确的副数据值。

由于如上所述从授权盘100能够读取具有正确极性的副数据值，因此ECC电路14能够对副数据中的识别信号进行精确的纠错。也就是，能够精确地读取副数据的内容。

相反，由于从伪造盘中读取的具有任一不正确极性的副数据将包括其极性相反于授权的极性的纠错码，因此ECC电路14不能对副数据进行精确的纠错。因此，不能精确地读取副数据(识别信息)的内容。

因此，基于ECC电路14的纠错结果能够确定副数据值是否具有正确的极性，并且基于极性判断结果来判断播放器1中加载的盘是否是授权盘100或基于授权盘100制造的伪造盘。

播放器1包括判断电路16来进行上面的判断。如所示连接到ECC电路14，判断电路16能够确定在ECC电路14中是否已经精确地完成纠错。基于是否已经完成纠错的判断结果，判断电路16能够区分授权盘100和基于授权盘100制造的伪造盘。

而且，根据本发明，当基于来自判断电路16的判断结果已判断记载盘是伪造盘时，从盘中读取的识别信息被传送到主计算机6。如将在后面描述的，主计算机6经由网络接口7将识别信息发送到管理服务器7。因此，识别信息将被作为用于分类为伪造盘的盘的识别信息。

然而，如果加载盘被判断为伪造盘，则这意味着ECC电路14不提供正确的识别信息。也就是，不能提供识别信号以通知该加载盘是伪造盘。

对此，判断电路16将副数据检测电路13检测到的副数据值转换为具有与判断加载盘为伪造盘相对应的正确极性的副数据值，并且副数据值被ECC电路14再次纠错，以再现识别信息。

如将参考图23中所示的流程图的下面描述，判断电路16实现上面的操作。

首先，在步骤S301，判断电路16确定ECC电路14是否已经精确纠错失败。即，判断电路16确定正确的极性是否已经被提供为副数据检测电路13检测到的副数据值，并且基于上面的确定结果进一步判断加载盘是授权盘100还是基于授权盘100制造的伪造盘。

在步骤S301的确定结果为否的情况下，即，当ECC电路14精确纠错成功时，在步骤S302，判断电路16生成代码“1”作为合法位。

该合法位是表示授权盘100的信息。

接着在步骤S303，判断电路16向主计算机6传送如上生成的合法位和在ECC电路14中纠错而得到的识别信息。

通过上面的操作，判断电路16将判断加载盘是授权盘100，并且将表示授权盘100的合法位“1”和识别信息传送到主计算机6。

在步骤S302中的判断结果为肯定的情况下，即，如果判断电路16已确定ECC电路14精确纠错已失败，则判断电路16继续到步骤S304，其中控制反相电路15，以便将副数据值转换为如上具有正确极性的值。

也就是，判断电路16将提供给ECC电路14的副数据值提供给反相电路15，并且指示反相电路15对副数据值反相。这里应当提醒，对根据本发明实施例的播放器1中的伪造盘，副数据检测电路13检测到的副数据的极性是非反相的，并且该极性被反相电路15反相为不正确的。因此，如上被未精确纠错的副数据值可以被反相电路15再次反相位具有正确极性的值。

在步骤S305，提供给反相电路15并且被极性反相的副数据值被提供给ECC电路14，其中该副数据值将再次经受纠错。在步骤S306，判断电路16确定ECC电路14在步骤S305是否已再次精确纠错失败。

在步骤S306中的确定结果为肯定的情况下，也就是，如果ECC电路14已精确纠错失败，则判断电路16将继续所示的纠错。如果ECC电路14已再次精确纠错失败，则很可能盘中记录的副数据本身是错误的，或者副数据检测电路13由于任何原因未进行纠错。在这种情况下，为了纠错，判断电路16应当将要进行纠错的信息传送到主计算机6，从而主计算机6将相应地控制副数据检测电路13重试副数据的检测，或者反之亦然。

在步骤S306中的确定结果为否的情况下，也就是，如果ECC电路14已精确纠错成功，则判断电路16继续到步骤S307，其中例如，将生成代码“0”作为非法为。即，在步骤S306中判断电路16通过反相电路15(如在步骤S304)的控制和ECC的重试(如在步骤S305中)已确定ECC电路14如在步骤S306精确纠错成功，则副数据来源于其中读信号极性仅被反相的伪造盘是已知的。因此，在步骤S306，判所电路106生成表示伪造盘的非法位。

然后在下一步骤S308，判断电路16向主计算机6传送由此生成的非法位和从由ECC电路14重试的纠错而得到的识别信息。

因此，当加载盘被判断为是伪造盘时，表示伪造盘的非法位和来自盘的识别信息被传送到主计算机6。

将参考图9再次解释播放器1。主计算机6经由如所示的网络接口7将合法位或非法位以及从判断电路16传送的识别信息发送到外部管理服务器70。

管理服务器70由版权管理器对将被记录到盘100的主数据(内容数据)进行管理。接收来自播放器1的合法位，管理服务器70可以识别出播放器1中加载的盘是授权盘。

另一方面，当从播放器1提供非法位时，管理服务器70可以识别出播放器1中加载的盘是伪造盘。而且，参考与非法位一起发送的识别信息，管理服务器70能够识别出已经分类出具有记录于其中的识别信息的、基于盘100生成的伪造盘。

注意，尽管前面已经描述从盘100再现的识别信息仅被通知给外部设备，但是主计算机6可被布置来警告响应从判断电路16传送的非法位通过控制播放器1弹出加载盘并且在显示器(未示出)中显示相应消息而不能读取播放器1中的加载盘。

因此，播放器1将被禁止读取任何伪造盘中记录的主数据。

如上面已描述的，根据本发明实施例的播放器能够精确地从盘100读取副数据，其中在记录标记的部分处的读信号电平上升。

在这种情况下，反相电路15被提供来应付授权盘100中检测到的副数据值，并且其极性与传统的相反，从而从授权盘能够读取识别信息为副数据，而从基于授权盘生成的伪造盘不能读取识别信息。

而且，判断电路16被提供来应付副数据包括用于识别信息的纠错码的情况。判断电路判断副数据是否已被ECC电路14精确纠错，从而能够区分播放器1中加载的盘是授权盘还是伪造盘。

而且，根据本发明，在播放器1中加载的盘被判断电路16判断为伪造盘之后，盘中的识别信息和非法位被发送到管理服务器70，从而能够向外部基于伪造盘的检测和对基于盘100制造伪造盘的识别信息。

注意，本发明不限于上面描述和图解的实施例。例如，为了易于解释而描述了：通过将标记作为副数据插入在一组中任一相邻奇数和偶数预定长度平台上，用代码“0”和“1”来表示副数据。然而，实际上，基于诸如M序列随机数之类的其他算法可以确定标记将被插入的位置，以便使其对第三方难以识别副数据记录的图案。

同样在这种情况下，通过对副数据记录器50和播放器1共同定义代码表示的方法和一位副代码被分配到片段的规则，播放器能够精确地读取副数据。

而且，如上面已描述的，根据本发明实施例的播放器被设计成基于是否已经精确地完成纠错来判断是否基于正确的极性已经检测到副数据值。

然而，能够以许多其他方式来实现基于正确的极性确定是否已经检测到副数据值。

例如，在预定副数据的预定位位置中插入极性判断位。在载入盘是授权盘的情况下，基于正确的值(极性)将检测到预定位置中的位。由于伪造盘中的极性与授权盘中的极性相反，因此播放器1能够通过检查由此插入的位值来判断该盘是伪造盘。

而且，根据本发明，在播放器1中提供了类似于传统的副数据检测电路13，因此授权盘100中记录的副数据值将具有与传统相反的图案。为了应付反相的图案，反相电路15被提供来检测授权盘中的副数据值的正确极性。其优点在于可以原样使用传统的副数据检测电路13，而没有任何修改。

然而，在这种情况下，为了从授权盘获取正确的极性，也能够向盘100记录其极性已经被预先反相的副数据。在该播放器1中，由于副数据检测电路13能够检测授权盘100中的正确极性(即与当记录副数据时相同的极性)，因此将不需要总是对副数据检测电路13检测到的副数据值的极性反相的反相电路15。

然而，如将从图23中的流程图看出，为了向外部通知伪造盘中的识别信息，需要通过重新反相从伪造盘读取的具有错误极性的副数据来进行纠错。为此，必须提供反相电路。

而且，在传统的副数据检测电路13将被修改的情况下，可以颠倒用于检测副数据的过程。更具体地，存在可想到的两种方法。第一种方法是：响应“奇数-偶数”的相减结果的“正”值，检测到代码“0”，以及响应“奇数-偶数”的相减结果的“负”值，检测到代码“1”。

作为第二种方法，响应“奇数-偶数”的相减结果的“负”值，检测到代码“0”，以及响应“奇数-偶数”的相减结果的“正”值，检测到代码“1”。

而且在该情况下，由于通过副数据检测电路13从授权盘100检测到正确的极性，因此不需要已知对副数据检测电路13检测到的副数据值的极性反相的反相电路15。

而且，符合蓝射线盘(商标)标准的ROM盘被引用为根据本发明实施例的盘100的示例，其中读信号电平在标记记录的部分处上升。然而，根据本发明的播放装置和方法可广泛地应用于光盘记录介质，诸如“包括衬底以及堆叠在该衬底上的至少反射层和涂覆层的光盘记录介质，其中以在衬底上形成的凹坑和平台的组合的方式记录主数据，并且以通过照射具有写功率的激光在反射层上形成的标记的形式记录副数据”，并且其中读信号电平将在标记形成的部分处上升，但是在将所述光盘记录介质的所述衬底的形状物理地转印而制造的光盘记录介质中，读信号电平将在所述标记的形成部分中下降。

而且，在上述实施例中，基于在记录标记的部分处的读信号值与没有记录标记的部分处的读信号值的相减结果(在上面被称作“奇数-偶数”的相减结果)来确定副数据的极性。然而，没有记录标记的部分处的读信号电平可以被固定为某一值，并且基于在记录标记的部分处的读信号电平与固定值的相减结果确定极性。应当注意，该固定值应当被相应地设定为将要记录标记的平台的长度。

在上述实施例中，根据在记录标记的部分处的读信号电平与未记录标记的部分处的读信号电平(也包括上面的固定值)的相减结果(也包括相减结果的整数值)是为正还是负，即，参考阈值(＝0)，判断副数据的值是“0”或“1”。然而，考虑授权盘中记录标记的部分处的读信号电平的上升，可以基于其绝对值大于“0”的预定阈值以及阈值(＝0)，来判断副数据值。也就是，在记录标记的部分处的读信号电平与没有记录标记的部分处的读信号电平(也包括上述固定值)的相减结果(包括相减结果的整数值)超过正值大于“0”的阈值的情况下，判断副数据值是“1”。在相减结果小于为比“0”还小的负值的阈值的情况下，判断副数据值是“0”。

本领域的普通技术人员应当理解，根据迄今为止的在所附权利要求或其等效物的范围内的设计需求和其他因素，可以发生各种修改、组合、子组合和替换。

Claims (9)

1.一种播放光盘记录介质的播放装置，所述光盘记录介质包括：衬底，具有在其一侧上以凹坑和平台的组合的形式记录的主数据；和堆叠在所述衬底上的至少反射层和涂覆层，以通过将写功率激光照射到反射层而在反射层上形成的标记的形式将副数据记录到反射层，其中读信号的电平在形成所述标记的部分处将上升，但是在通过物理地转印所述光盘记录介质的衬底形状而制造的光盘记录介质中，读信号的电平在形成标记的部分处将下降，所述装置包括：

读信号生成部件，用于通过检测来自光盘记录介质的、已被照射到光盘记录介质的读功率激光的返回部分，生成读信号；

副数据检测部件，用于基于在预定取样点对由读信号生成部件生成的读信号取样的结果，检测副数据的电平；和

判断部件，用于基于确定由副数据检测部件检测到的副数据的值是否具有正确的极性的结果，判断光盘记录介质是否是授权盘。

2.如权利要求1所述的装置，其中副数据包括具有必需的数据内容的基本数据和用于纠错至少基本数据的纠错码，所述装置还包括：

极性反相部件，用于反相由副数据检测部件检测到的副数据的值的极性；和

纠错部件，用于基于在从极性反相部件提供的副数据中包含的纠错码，对基本数据进行纠错，

所述判断部件被设计成通过确定纠错部件是否已正确进行纠错，来确定检测到的副数据值是否具有正确的极性。

3.如权利要求1所述的装置，其中副数据包括对每个光盘记录介质唯一的识别信息和用于纠错至少识别信息的纠错码，所述装置还包括：

极性反相部件，用于反相由副数据检测部件检测到的副数据的值的极性；

纠错部件，用于基于在从极性反相部件提供的副数据中包含的纠错码，对识别信息进行纠错；和

发送部件，用于经由所需的网络向外部设备发送特定信息，

所述判断部件被设计成，通过确定纠错部件是否已正确进行纠错，来确定检测到的副数据值是否具有正确的极性，从而判断光盘记录介质是否是授权盘，并且在光盘记录介质被判断为不是任何授权盘的情况下，向极性反相部件提供被极性反相部件反相一次的副数据的值，然后使得纠错部件重试纠错，从而向发送部件提供从重试的纠错得到的识别信息；和

所述发送部件向外部设备发送从判断部件提供的识别信息作为特定信息。

4.如权利要求1所述的装置，其中基于在预定取样点检测到的、在记录标记的部分处的读信号值与未记录标记的部分处的读信号值之间的差，所述副数据检测部件检测副数据。

5.如权利要求1所述的装置，其中所述副数据检测部件确定在预定取样点检测到的、在记录标记的部分处的读信号值与未记录标记的部分处的读信号值之间的差，并且基于所述差的积分值检测副数据的值。

6.一种播放光盘记录介质的方法，所述光盘记录介质包括：衬底，具有在其一侧上以凹坑和平台的组合的形式记录的主数据；和堆叠在衬底上的至少反射层和涂覆层，以通过将写功率激光照射到反射层而在反射层上形成的标记的形式将副数据记录在反射层上，其中读信号的电平在形成标记的部分处将上升，但是在通过物理转写上述光盘记录介质的衬底形状而制造的光盘记录介质中，读信号的电平在标记形成的部分处将降低，所述方法包括步骤：

通过检测来自光盘记录介质的、已被照射到光盘记录介质的读功率激光的返回部分，生成读信号；

基于在预定取样点对由读信号生成部件生成的读信号取样的结果，检测副数据的电平；和

基于确定由副数据检测部件检测到的副数据的值是否具有正确的极性的结果，判断光盘记录介质是否是授权盘。

7.一种向光盘记录介质记录副数据的记录装置，所述光盘记录介质包括：衬底，具有在其一侧上以凹坑和平台的组合的形式记录的主数据；和通过将写功率激光照射到与在光盘记录介质上形成的预定长度平台对应的部分以在与所述预定长度平台对应的反射层上形成标记、堆叠在所述衬底上的至少反射层和涂覆层，所述装置包括：

记录部件，用于将副数据记录到光盘记录介质，使得通过照射写功率激光每个标记被形成为如下大小和深度：该大小和深度确保读信号的电平在形成所述标记的部分处将上升，但是在通过物理地转印所述光盘记录介质的衬底形状而制造的光盘记录介质中，读信号的电平在形成标记的部分处将下降。

8.一种将副数据记录到光盘记录介质的记录方法，所述光盘记录介质包括：衬底，具有在其一侧上以凹坑和平台的组合的形式记录的主数据；和堆叠在所述衬底上的至少反射层和涂覆层，通过将写功率激光照射到与在光盘记录介质上形成的预定长度平台对应的部分，以便在与所述预定长度平台对应的反射层上形成标记，其中记录副数据，使得通过照射写功率激光每个标记被形成为如下大小和深度：该大小和深度确保读信号的电平在形成所述标记的部分处将上升，但是在通过物理地转印所述光盘记录介质的衬底形状而制造的光盘记录介质中，读信号的电平在形成标记的部分处将下降。

9.一种再现光盘记录介质的方法，所述光盘记录介质包括：衬底，具有在其一侧上以凹坑和平台的组合的形式记录的主数据；和堆叠在所述衬底上的至少反射层和涂覆层，通过将写功率激光照射到与在光盘记录介质上形成的预定长度平台对应的部分以便在与所述预定长度平台对应的反射层上形成标记，将副数据记录到反射层，所述方法包括：

准备主动盘，所述主动盘具有以凹坑和平台的组合的形式记录的主数据；

通过用基于主动盘准备的压模器形成衬底并且在该衬底上堆叠至少反射层和涂覆层，形成其中仅记录有主数据的主数据记录盘；和

向主数据记录盘记录副数据，

在副数据记录步骤中，记录副数据，使得通过照射写功率激光每个标记在与预定长度平台对应的位置中被形成为具有如下大小和深度：该大小和深度确保读信号的电平在形成所述标记的部分处将上升，但是在通过物理地转印所述光盘记录介质的衬底形状而制造的光盘记录介质中，读信号的电平在形成标记的部分处将下降。

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