CN102428622B - 含有具有超薄屏蔽层的电感接收线圈的电子设备和方法 - Google Patents

Abstract

电感供电或充电的电子设备（10，40）具有接收线圈（12），金属物体（24，42）可以放置在该接收线圈上而不导致线圈的磁场的劣化并且不在金属物体内生成热量。厚度为50μm或更小的超薄柔性高磁导率金属箔（14）被提供作为线圈和物体之间的屏蔽层。放射状狭缝（22）被提供在屏蔽层中，该狭缝抑制该层内不希望的涡电流以减小功率转移损耗和热量生成。

Description

含有具有超薄屏蔽层的电感接收线圈的电子设备和方法

技术领域

本发明实施例大体上涉及电子设备，并且更具体地涉及含有具有超薄屏蔽层的电感接收线圈的电子设备和方法。

背景技术

移动设备包括消费电子器件和医疗设备。移动消费电子设备的若干实例包括但不限于移动电话、便携式音乐播放器和数码相机。医疗设备的实例包括但不限于便携式传感器。通常，移动设备含有某种形式的电源，该电源周期性地需要再充电从而使移动设备仍可操作用于其预期目的，其中该电源可以经由接收线圈被电感充电。该电源可以也包括用于生成功率以操作移动设备的电感电源。对于电感供电或充电的移动设备，移动设备放置在发射线圈的电感耦合区域内，其中响应于由发射线圈产生的交变磁场，来自交变磁场的能量被接收线圈接收。

使用接收线圈对诸如电池的电源电感充电的一个问题在于，电池通常包括金属物体。然而，将金属物体放置在接收线圈顶部上是有害的。也就是说，由于金属物体内的感应涡电流的原因，金属物体存在于接收线圈顶部上不期望地使到接收线圈的电感功率转移劣化，该感应涡电流不利地减小在接收线圈中接收的磁场。此外，金属物体内的感应涡电流会在金属物体内生成过多的和/或不期望的热量，这引起有关移动设备使用的安全问题。另一个可替换方案可以是将金属物体放置在接收线圈旁边；然而，这种方案不期望地耗费相应设备的更大面积或者不期望地增加设备布局的尺寸。

解决上述问题的一种已知方法是在接收线圈和金属物体之间添加软磁铁素体层。然而，这种软磁铁素体层相当厚。固态铁素体材料具有脆性并且需要至少一毫米（1mm）或更大的量级的厚度而具有机械稳定性。脆性较低的软磁铁素体层的实例包括铁素体高分子化合物（FPC）。然而FPC具有低的磁导率。为了实现合理的屏蔽功能，FPC材料必须至少1mm厚。这么大的厚度对于在需要减小尺度的移动设备应用中使用是不利的，在这种移动设备应用中接收线圈和金属物体之间的距离应尽可能小以节约移动设备内的空间。

因此，用于克服现有技术中的问题的改进的系统和方法是期望的。

附图说明

图1为根据本公开内容的实施例的含有具有超薄屏蔽层的电感接收线圈的电子设备的分解图解视图；

图2为根据本公开内容的实施例的含有具有超薄屏蔽层的电感接收线圈的电子设备的若干部件的自顶向下视图；

图3为根据本公开内容的实施例的呈堆叠布置的图2的含有具有超薄屏蔽层的电感接收线圈的电子设备的若干部件的自顶向下视图；

图4-8为根据本公开内容的实施例的含有具有超薄屏蔽层的电感接收线圈的电子设备的一部分在各个制作阶段的截面视图；以及

图9为根据本公开内容的另一实施例的呈堆叠布置的含有具有超薄屏蔽层的电感接收线圈的电子设备的若干部件的自顶向下视图。

在各图中，相同附图标记是指相同元件。此外注意，各图可以不按比例绘制。

具体实施方式

根据本公开内容的一个实施例，电感供电或充电的移动设备包括接收线圈，金属物体（例如可再充电电池等），以及布置在接收线圈和金属物体之间的超薄软磁金属箔，其中超薄软磁金属箔有利地提供磁性屏蔽层。在一个实施例中，超薄软磁金属箔包括厚度为五十微米或更小（即厚度≤50μm）的量级的镍铁铜铬合金（Mumetal）。有利地，超薄软磁金属箔比现有已知方案的软磁铁素体层（即厚度≥1mm）薄超过一个数量级。此外，超薄软磁金属箔包括导电材料。为了驱散在屏蔽层中任何不期望涡电流的形成，屏蔽层还设有涡电流驱散特征。在一个实施例中，接收线圈包括圆形线圈并且屏蔽层包括在接收线圈的单一侧上足以覆盖接收线圈的形状，其中屏蔽层的涡电流驱散特征包括在屏蔽层内形成的放射状狭缝。在一个实施例中，放射状狭缝在放射状方向上从中心在圆形接收线圈上的位置放射。

图1为根据本公开内容的实施例的含有具有超薄屏蔽层14的电感接收线圈12的电子设备10的分解图解视图。电子设备10可以包括例如便携式音乐播放器。特别地，移动设备10包括外壳，该外壳包括顶部部分16和底部部分18，顶部和底部部分均由不导电材料制成。在邻近设备10的底部处，同心地放置螺旋电感线圈20作为电感功率接收器。放置在螺旋线圈20顶部上的软磁层14提供磁性屏蔽。根据此处进一步讨论的各种实施例，磁性屏蔽层14包括规定数量的涡电流驱散特征22，例如设于屏蔽层中的放射状狭缝。例如电池或可再充电电源的导电元件24放置在屏蔽层14顶部上。在一个实施例中，尽管没有具体说明，电学绝缘层或表面被提供在导电元件24和屏蔽层14之间，从而防止导电元件和屏蔽层在彼此接触地组装时的电学短路。

移动设备10还包括印刷电路板26，除了移动设备的功能电路之外，该印刷电路板含有用于功率接收器的附加电子器件，例如整流二极管、谐振和平滑电容器以及可选地电压或充电控制电路。印刷电路板26经由通常用附图标记28表示的合适传导元件而耦合到接收线圈。例如响应于移动设备被放置在配置成用于产生交变磁场的发射线圈（未示出）上，移动设备10中的电池24被在接收线圈12接收的电感功率充电。

图2为根据本公开内容的实施例的含有具有超薄屏蔽层的电感接收线圈的电子设备10的若干部件的自顶向下视图。特别地，图2说明具有其关联螺旋导体20的接收线圈12、具有涡电流驱散特征22的屏蔽层14以及导电元件24的一个实例。在图2的实施例中，接收线圈12还包括用于功率接收器的放置到接收线圈一侧的附加电子器件，例如整流二极管、谐振和平滑电容器以及可选地电压或充电控制电路，该附加电子器件通常用附图标记21表示。该附加电子器件可以补充或者替代图1的电路板26的电子器件。螺旋线圈20的规格是根据电子设备10的具体要求来选择，例如，给定电池负载、充电参数等。屏蔽层14就其布局而言通常在尺度上大于功率接收器12的螺旋线圈20的相应布局尺度。此外，屏蔽层14的厚度尺度在厚度上相似于和/或薄于功率接收器12的螺旋线圈22的厚度，如此处所进一步讨论。

继续参考图2，线圈12由此处下文给出的如表1中列出的各种参数来表征。接收线圈12的绕组20可以形成为柔性衬底（例如，聚酰亚胺，"Flexfoil"）上的铜蚀刻印刷电路板线圈。在图2的中部示出包括屏蔽箔的屏蔽层14。屏蔽箔包括具有与镍铁铜铬合金相似属性的无定形铁类型的50μm薄箔。例如，屏蔽层材料可以包括由德国哈瑙的Vakuumschmelze提供的VitroVac。此外，图2的屏蔽层14包括通过激光切割形成的360条狭缝（如此处下文进一步讨论）。在图2的顶部，导电元件24包括具有金属外壳的锂离子电池。

图3为根据本公开内容的实施例的呈堆叠布置的图2的部件的自顶向下视图。特别地，图3说明具有其关联螺旋导体20的接收线圈12（图2）、具有涡电流驱散特征22的屏蔽层14（图1）以及导电元件24。此外，导电元件24包括经由通常用附图标记25表示的合适电学导体而电学耦合到功率接收器12的电子器件21的电池。另外，图3示出组装的接收器的一个实例。利用该组装的接收器，可以演示仅仅具有略微增加的损耗的良好功率转移，而没有屏蔽或者利用没有狭缝的屏蔽时，损耗显著。

图4-8为根据本公开内容的实施例的含有具有超薄屏蔽层14的电感接收线圈12的电子设备10的一部分（图1和3）在各个制作阶段的截面视图。现在参考图4，该图示出电感接收线圈12的截面视图，并且其由柔性衬底30形成，优选地厚度为100μm或更小的量级。衬底30包括例如聚酰亚胺箔（也称为"Flexfoil"）。给定匝数的导电材料的横向布置线圈20形成于柔性衬底30的表面上，该柔性衬底包括用于电学连接到此处讨论的附加电子器件的恰当互连（未示出）。例如，导电材料的线圈20可以包括铜导体的螺旋绕组。如各图中所说明，在一个实施例中，线圈22包括单一层的导电材料。在其它实施例中，线圈22可以包括两个或更多层的导电材料，其中相邻层被合适的绝缘衬底或材料分隔。线圈20的规格或属性根据给定电子设备10的特定要求来确定。在一个实施例中，线圈属性可以包括在下面的表中指定的那些属性。

表：在一个实施例中线圈的属性

*直流在10kHz测量

交流在500kHz测量。

现在参考图5，具有基本上平坦顶表面的粘合绝缘层32形成为覆盖衬底30和导电线圈20。层32可以包括用于提供在形成电子设备10中需要的粘合和绝缘的任何合适层。形成层32之后，如图6中说明，根据用于电子设备10的屏蔽层的要求制作的结构化高渗透性金属片14层叠到粘合绝缘层32的顶表面。相应地，具有集成线圈绕组20的柔性衬底30耦合到另外如此处讨论的柔性磁性高渗透性屏蔽层14。

在一个实施例中，屏蔽层14包括镍铁铜铬合金的超薄软磁金属箔，其厚度比现有已知的接收线圈屏蔽层薄超过一个数量级。由于镍铁铜铬合金μ_r>10000的量级的极高磁导率以及高的饱和通量，50μm或更小的量级的厚度对于屏蔽层是足够的。此外，这种材料是导电的。因此，可以在屏蔽材料中感应涡电流，这会造成不期望的损耗。该损耗降低功率转移并且生成热量，这例如对于便携式电子设备的电池可能甚至是危险的。为了能够使用超薄软磁金属箔进行磁性屏蔽，如此处另外讨论，通过在屏蔽层中提供放射状狭缝而有利地抑制屏蔽层中不希望的涡电流。通常，狭缝应布置成与接收器12的线圈20的电流轨迹正交。在一个实施例中，屏蔽层14的厚度在25μm至100μm的范围。

现在参考图7，说明根据本公开内容的一个实施例的具有屏蔽层14的电感接收线圈12的透视截面视图。屏蔽层14包括如附图标记22所指示的一个或多个涡电流抑制或减轻特征。在一个实施例中，如此处下文进一步讨论，涡电流抑制或减轻特征包括在屏蔽层内形成的放射状狭缝。通常由附图标记34表示的高度参数H代表接收线圈12和屏蔽层14的总厚度。根据本公开内容的各实施例，高度H为小于300μm的量级，更具体地小于200μm的量级，以及优选地介于75μm至150μm的量级。

为了进一步理解，在操作中，放置在接收线圈12顶部上的软磁屏蔽层14有利地引导接收线圈的磁通量通过屏蔽层的材料，使得磁通量不穿透在屏蔽层14顶部上的金属物体24，如图8中说明。相对于接收线圈，并且相对于接收线圈上方的屏蔽材料，磁通线指向放射状方向。

在本身没有抑制或减轻特征的屏蔽层中，会在存在磁通量时感应涡电流。也就是说，具有极高磁导率的柔性材料典型地是导电的。对于存在磁通量时的导电层，涡电流垂直磁通线流动。因而，对于单独屏蔽层，涡电流会造成不期望损耗，从而减小功率转移并且生成热量，这例如对于移动电子设备的电池可能甚至是危险的。

为了避免屏蔽层14中不希望的涡电流，屏蔽层设有涡电流抑制或减轻特征22。在一个实施例中，涡电流抑制特征22包括放射状狭缝。放射状狭缝垂直于不存在放射状狭缝时将出现的原始涡电流布置，并且因而对涡电流施加大的阻抗。以此方式，涡电流以及任何相关损耗显著减小。此外，放射状狭缝22平行于磁通线布置，使得磁通量不被负面地影响。结果，涡电流抑制狭缝特征22不使超薄软磁屏蔽层14的磁性屏蔽属性退化。

超薄软磁屏蔽层14内的涡电流抑制或减轻特征22的有利效应在于（i）磁场仍被屏蔽（也就是说，不使得屏蔽层对于磁场是透明的），以及（ii）不利的损耗以及涡电流对接收线圈12的感应率的影响显著减小。本公开内容各实施例的这种令人惊奇的效应是基于这样的见识：软磁材料屏蔽层维持其引导磁通量的能力，因为狭缝平行于通量线布置。受抑制的涡电流的对磁性屏蔽效应的贡献只是轻微的。相比之下，在金属外壳中具有狭缝的现有已知结构使得外壳对于磁场是透明的，其中仅仅响应于生成补偿场的涡电流而产生金属外壳的屏蔽效应（即，由该涡电流造成）。在这种现有已知结构中，将不期望抑制涡电流，因为该情形中抑制涡电流将消除屏蔽功能，因而破坏其预期目的。

如此处上文所介绍，具有放射状狭缝22的电子设备10的屏蔽箔或屏蔽层14可以通过激光切割制作。在初始步骤中，透明粘合箔（例如tesafilm）可以附连到一件镍铁铜铬合金的背侧。具有透明粘合箔背衬的镍铁铜铬合金随后从顶表面激光切割。利用激光切割，镍铁铜铬合金吸收激光的大多数能量，被熔化并且蒸发。以此方式，在金属箔中"切割形成"期望的放射状狭缝。激光束刚可以穿透金属箔，它就不再被吸收，因为在背侧的透明箔不吸收激光束，而是让它通过。结果，透明粘合箔不损坏并且仍保持完好。相应地，可以切割出任意形状的屏蔽金属箔，即使在单件屏蔽材料之间不保留材料桥接。作为最后步骤，任何不需要的金属件从粘合箔剥离，并且以透明粘合箔在顶部上的方式，其余金属结构被胶粘到衬底或接收线圈上。此外，如果需要，透明粘合箔现在可以经由合适方法被拆除或移除。再另外，制作被屏蔽接收器12的又一种方法是将屏蔽层14层叠在线圈20顶部上并且随后蚀刻形成期望的所得到的结构。

如此处讨论，屏蔽层14包括薄层，其中由于屏蔽箔的厚度小，屏蔽层是柔性的且是可弯曲的。接收线圈也可以制作在柔性衬底上。相应地，连同屏蔽层14的整个接收器12可以制成为可弯曲的。附加优点在于，接收器和屏蔽层可以容易适配到电子设备的外壳的弯曲形状，由此实现更高的设计自由度。另外，屏蔽层中狭缝的宽度可以制成与期望的一样窄。狭缝也可以利用不导电材料填充。屏蔽层中形成的狭缝的数目可以根据给定电子设备实施方式的具体要求来确定。例如，单个长对角狭缝应提供积极效应，而更大数目的狭缝将可能协助附加损耗的相应减小。

图9为根据本公开内容另一实施例的呈堆叠布置的含有具有超薄屏蔽层14的电感接收线圈12的电子设备40的若干部件的自顶向下视图。作为不同应用实例，图9的实施例包括具有金属底板的高功率LED 42作为在屏蔽层14顶部上的导电或金属物体。该导电或金属物体也可以包括更大类型的灯或热沉。

相应地，此处因此描述了一种配置成用于电感供电或充电的电子设备，其包括：电感接收线圈，其配置成用于响应于暴露到基本上在接收线圈的第一侧上生成的交变磁场而生成电流，以及软磁屏蔽层，其布置在该接收线圈的与生成磁场处的第一侧相对的第二侧上，配置成（i）屏蔽来自覆盖物体的磁场，其中该覆盖物体（i）（a）受该磁场不期望地影响，或者（i）（b）造成对该磁场的不期望影响，以及配置成（ii）减轻在该软磁屏蔽层和该覆盖物体内涡电流的形成。在一个实施例中，软磁屏蔽层包括厚度小于或等于一百微米（100μm）的超薄层。

根据另一实施例，该软磁屏蔽层包括至少一个涡电流减轻特征，该涡电流减轻特征包括一些在该软磁屏蔽层中形成的狭缝，其中该狭缝基本上平行于磁通线并且与涡电流流正交以用于对涡电流形成施加高阻抗。在一个实施例中，经由激光切割产生在软磁屏蔽层中形成的狭缝，其中一层软磁屏蔽材料附连到透明粘合箔，激光能量被引导在期望部位朝向该软磁屏蔽材料层，从而蒸发相应软磁屏蔽材料以形成狭缝，其中该透明粘合箔保持完好。在另一实施例中，一层软磁屏蔽材料层叠到选自由下述组成的群组的其中之一：电感接收线圈和印刷电路板，另外其中这层材料被蚀刻以形成具有狭缝的软磁屏蔽层。

根据另外实施例，该电感接收线圈和该软磁屏蔽层的总厚度为小于300μm的量级。此外，软磁屏蔽层包括选自由下述组成的群组的材料：镍铁铜铬合金、纳米晶金属和无定形金属。在后一种情形中，该软磁屏蔽层具有五十微米或更小的量级的厚度。

在再一实施例中，该软磁屏蔽层包括在该接收线圈的单一侧上尺寸足以覆盖该接收线圈的形状。在又一实施例中，电感接收线圈包括圆形线圈，以及另外其中该软磁屏蔽层包括涡电流减轻特征，该涡电流减轻特征包括在放射状方向上从中心在该圆形接收线圈上的位置放射的狭缝。在又另外实施例中，该电感接收线圈包括柔性衬底，该柔性衬底具有集成在该柔性衬底内的导电材料的线圈，以及其中该软磁屏蔽层包括柔性层。

在再一实施例中，该覆盖物体包括选自由下述组成的群组的其中之一：具有导电外壳的可再充电电池以及电子电路。在又一实施例，该导电物体包括具有金属底板的灯，另外其中该灯的金属底板配置成用于覆盖该屏蔽层布置，该灯响应于生成的电流被供电。

在另一实施例中，一种配置成用于电感供电或充电的电子设备，包括：电感接收线圈，其配置成用于响应于暴露到基本上在该电感接收线圈的第一侧上生成的交变磁场而生成电流；以及超薄软磁屏蔽层，其布置在该电感接收线圈的与生成磁场处的第一侧相对的第二侧上，配置成（i）屏蔽来自覆盖物体的磁场，其中该覆盖物体（i）（a）受该磁场不期望地影响，或者（i）（b）造成对该磁场的不期望影响，以及配置成（ii）减轻在该屏蔽层和该覆盖物体内涡电流的形成，其中屏蔽层包括小于或等于一百微米（100μm）的厚度，其中所述屏蔽层包括至少一个涡电流减轻特征，该涡电流减轻特征包括一些在该屏蔽层中形成的狭缝，其中该狭缝基本上平行于磁通线并且与涡电流流正交以用于对涡电流形成施加高阻抗，以及其中该屏蔽层包括选自由下述组成的群组的材料：镍铁铜铬合金、纳米晶金属和无定形金属。

在又一实施例中，该导电物体包括选自由下述组成的群组的其中之一：（i）具有导电外壳的可再充电电池，（ii）电子电路，以及（iii）具有金属底板的灯模块，另外其中该灯模块的金属底板配置成用于覆盖该屏蔽布置层，该灯响应于生成的电流被供电。在一个实施例中，灯模块包括高功率LED模块。

根据本公开内容的另一实施例，一种用于配置电子设备以用于电感供电或充电的方法，包括：配置电感接收线圈，用于响应于暴露到基本上在该电感接收线圈的第一侧上生成的交变磁场而生成电流；以及在该电感接收线圈的与生成磁场处的第一侧相对的第二侧上布置超薄软磁屏蔽层，其配置成（i）屏蔽来自覆盖物体的磁场，其中该覆盖物体（i）（a）受该磁场不期望地影响，或者（i）（b）造成对该磁场的不期望影响，以及配置成（ii）减轻在该屏蔽层和该覆盖物体内涡电流的形成，其中该屏蔽层包括小于或等于一百微米（100μm）的厚度。

在该方法的另一实施例中，布置所述屏蔽层包括提供至少一个涡电流减轻特征，该涡电流减轻特征包括一些在该屏蔽层中形成的狭缝，其中该狭缝基本上平行于磁通线并且与涡电流流正交，从而用于对涡电流形成施加大阻抗。在再一实施例中，经由激光切割产生在软磁屏蔽层中形成的狭缝，其中一层软磁屏蔽材料附连到透明粘合箔，激光能量被引导在期望部位朝向软磁屏蔽材料层，从而蒸发相应软磁屏蔽材料以形成狭缝，其中该透明粘合箔保持完好。

在该方法的再一实施例中，该电感接收线圈和超薄软磁屏蔽层的总厚度是在小于300μm的量级，以及其中该超薄软磁屏蔽层包括选自由下述组成的群组的材料：镍铁铜铬合金、纳米晶金属和无定形金属。再另外，该覆盖物体包括选自由下述组成的群组的其中之一：（i）具有导电外壳的可再充电电池，（ii）电子电路以及（iii）具有金属底板的灯模块，另外其中灯模块的金属底板配置成用于覆盖该屏蔽层布置，该灯模块响应于生成的电流而被供电。在一个实施例中，灯模块包括高功率LED模块。

尽管在上文中仅仅详细描述了几个示例性实施例，本领域技术人员将容易理解，在所述示例性实施例中有可能进行许多改动而不实质上背离本公开内容各实施例的新颖教导和优点。例如，本公开内容各实施例可以应用于基于磁场进行数据通信的电子设备，利用本公开内容各实施例这变得有可能。比如，狭缝允许探测位于电子设备10的外壳（16，18）内部的射频识别（RFID）标签。此外，近场通信（NFC）也变得有可能。再另外，软磁屏蔽层14可以用于探测电感发射器上的移动设备。因此，所有这种改动旨在被包括在如在下述权利要求中限定的本公开内容各实施例的范围内。在权利要求中，装置加功能的条款旨在涵盖此处被描述成执行所列举功能的结构，并且不仅涵盖结构等同物，而且涵盖等同结构。

此外，在一个或多个权利要求中，任何置于括号之间的附图标记不应理解为是限制权利要求。措词“包括”和“包含”等并不排除未在任何权利要求或者说明书整体中列出的元件或步骤以外的元件或步骤的存在。元件的单个引用不排除多个这样的元件，并且反之亦然。借助包括若干不同元件的硬件，和/或借助合适编程的计算机，可以实施一个或多个所述实施例。在列举若干装置的设备权利要求中，若干这些装置可以由一个且同一项硬件实施。在互不相同的从属权利要求中列举某些措施的纯粹事实并不表示不能有利地使用这些措施的组合。

Claims (11)

1.一种配置成用于电感供电或充电的电子设备（10，40），其包括：

电感接收线圈（12），其配置成用于响应于暴露到基本上在该接收线圈的第一侧上生成的交变磁场而生成电流，以及

软磁金属箔，该软磁金属箔提供软磁屏蔽层（14），该软磁屏蔽层（14）布置在该接收线圈的与生成磁场处的第一侧相对的第二侧上，配置成（i）屏蔽来自覆盖物体（24，42）的磁场，其中该覆盖物体（i）（a）受该磁场不期望地影响，或者（i）（b）造成对该磁场的不期望影响，以及配置成（ii）减轻在该软磁屏蔽层和该覆盖物体内涡电流的形成，

其中所述软磁金属箔为厚度小于或等于100μm的超薄层，并且该软磁金属箔包括选自由下述组成的群组的材料：镍铁铜铬合金、纳米晶金属和无定形金属。

2.如权利要求1所述的电子设备，其中该软磁屏蔽层（14）包括至少一个涡电流减轻特征（22），该涡电流减轻特征包括一些在该软磁屏蔽层中形成的狭缝，其中该狭缝基本上平行于磁通线并且与涡电流流正交以用于对涡电流形成施加高阻抗。

3.如权利要求1所述的电子设备，其中该电感接收线圈（12）和该软磁屏蔽层（14）的总厚度（34）为小于300μm的量级。

4.如权利要求1所述的电子设备，其中该软磁屏蔽层（14）厚度为50μm或更小的量级。

5.如权利要求1所述的电子设备，其中该软磁屏蔽层（14）包括在该接收线圈的单一侧上尺寸足以覆盖该接收线圈的形状。

6.如权利要求1所述的电子设备，其中该电感接收线圈（12）包括圆形线圈，以及另外其中该软磁屏蔽层（14）包括涡电流减轻特征（22），该涡电流减轻特征包括在放射状方向上从中心在该圆形接收线圈上的位置放射的狭缝。

7.如权利要求1所述的电子设备，其中该电感接收线圈（12）包括柔性衬底（30，32），该柔性衬底具有集成在该柔性衬底内的导电材料的线圈（20），以及其中该软磁屏蔽层（14）包括柔性层。

8.如权利要求1所述的电子设备，其中该覆盖物体（24）包括选自由下述组成的群组的其中之一：具有导电外壳的可再充电电池以及电子电路。

9.如权利要求1所述的电子设备，其中该覆盖物体（42）包括具有金属底板的灯，另外其中该灯的金属底板配置成用于覆盖该屏蔽层布置，该灯响应于生成的电流被供电。

10.如权利要求2所述的电子设备，其中该软磁屏蔽层（14）中形成的狭缝（22）经由激光切割而产生，其中一层软磁屏蔽材料附连到透明粘合箔，激光能量被引导在期望部位朝向该软磁屏蔽材料层，从而蒸发相应软磁屏蔽材料以形成该狭缝，其中该透明粘合箔保持完好。

11.如权利要求2所述的电子设备，其中一层软磁屏蔽材料（14）层叠到选自由下述组成的群组的其中之一：电感接收线圈（12）和印刷电路板，另外其中这层材料被蚀刻以形成具有狭缝（22）的软磁屏蔽层。