CN106067370B - 用于均匀无线充电的线圈集成的方法和装置 - Google Patents

Abstract

本公开涉及用于均匀无线充电的线圈集成的方法和装置。本公开涉及对设备进行无线充电的方法、装置和系统。具体地，所公开的实施例提供了改善的充电站，用于增加有效充电区域。在一个实施例中，本公开涉及用于功率接收单元(PRU)的补偿设备。该补偿设备包括导电层，该导电层支持孔，该孔与PRU的最内侧线圈回路对准；以及第一狭槽，该第一狭槽在导电层中形成，并且该第一狭槽从孔延伸至导电层的外边缘。

Description

用于均匀无线充电的线圈集成的方法和装置

技术领域

本公开涉及对设备进行无线充电的方法、装置和系统。具体地，所公开的实施例提供了改善的接收线圈集成技术，以提高接收器和充电站之间的耦合均匀性，从而提高位置灵活性。

背景技术

无线充电或感应充电使用磁场在两个设备之间传输能量。无线充电可在充电站实现。能量通过感应耦合从一个设备发送到另一设备。感应耦合被用于对电池充电或运行接收设备。成立无线电力联盟(A4WP)来创建用于通过无辐射、近场、磁共振来从功率发送单元(PTU)向功率接收单元(PRU)传递功率的工业标准。

A4WP定义了五类PRU，这五类PRU由PRU共振器递送出的最大功率来参数化。类别1针对较低功率的应用(例如蓝牙耳机)。类别2针对具有大约3.5W的功率输出的设备，并且类别3针对具有大约6.5W的功率输出的设备。类别4和5针对更高功率的应用(例如，平板、上网本和膝上型计算机)。

A4WP的PTU使用感应线圈来从充电基站内产生磁场，并且PRU(即便携式设备)中的第二感应线圈从磁场获取功率，并将功率转换回电流以对电池进行充电。通过这种方式，这两个邻近的感应线圈形成了电力变压器。当感应充电系统使用磁共振耦合时，可实现发送线圈和接收线圈之间的更大距离。磁共振耦合是被调谐到在同一频率处共振的两个线圈之间的电能的近场无线传输。

无线充电实现方式对于底架尺寸大的设备(例如，平板和膝上型计算机)尤其具有挑战性。需要改善的无线充电系统来扩展位置灵活性以及提高耦合和充电均匀性。

发明内容

根据本公开的一个方面，公开了一种用于功率接收单元PRU的电流补偿设备，包括：线圈回路，该线圈回路具有外部回路和内部回路；导电层，该导电层支持孔，该孔与内部线圈回路对准；以及第一狭槽，该第一狭槽在导电层中形成，并且该第一狭槽从孔延伸至导电层的外边缘。

根据本公开的另一方面，公开了一种用于对移动设备进行充电的功率接收单元PRU，包括：PRU线圈，该PRU线圈被配置为接收磁场；金属板，该金属板覆盖PRU线圈；以及导电层，该导电层在其上具有图案，该图案被配置为将在PRU的第一区域上积累的多个涡流引导至PRU的第二区域。

根据本公开的又一方面，公开了一种向功率接收单元PRU提供大体均匀的磁耦合的方法，该方法包括：在与PRU相关联的线圈处接收磁场，该磁场在PRU的第一区域处创建多个涡流；以及通过将涡流从PRU的第一区域重新引导至PRU的第二区域来补偿涡流。

附图说明

本公开的这些及其他实施例将参考以下示例性且非限制性图示进行讨论，其中相似元件标号相似，并且其中：

图1(a)示出了具有均匀磁场的传统线圈；

图1(b)示出了图1(a)中的传统线圈和接收线圈之间的不同相对位置处的耦合变化；

图2(a)示意性地示出了具有金属板壳的共振器互操作性测试器(RIT)装配；

图2(b)示出了由具有大体均匀磁场的PTU和RIT的相对位置引发的耦合变化；

图3(a)示意性地示出了当PRU位于PTU的中心左侧时金属板上的涡流；

图3(b)示意性地示出了当PRU位于PTU的中心时金属板上的涡流；

图3(c)示意性地示出了当PRU位于PTU的中心右侧时金属板上的涡流；

图4以图形方式示出了实施本公开的实施例所产生的结果；

图5(a)示意性地示出了本公开的示例性实施例；

图5(b)示出了在如图5(a)的实施例所示的经修改的PRU与PTU之间所测量到的耦合变化；

图5(c)示出了图案化附加导电层的底视图及其与接收线圈的相对位置；

图6(a)示意性地示出了当PRU和PTU具有部分重叠时，示例性实施例的涡流贡献；

图6(b)示意性地示出了当PRU和PTU完全重叠时，示例性实施例的涡流贡献；

图7(a)示意性地示出了针对部分重叠(无狭槽)，在所提出的导电层上的涡流；

图7(b)示出了当示例性实施例位于跨PTU的不同位置处时的耦合变化；

图8(a)示出了当示例性PRU位于PTU中心的左侧时的涡流贡献；

图8(b)示出了当示例性PRU位于PTU中心时的涡流贡献；

图8(c)示出了当示例性PRU位于PTU中心的右侧时的涡流贡献；

图8(d)示出了如图8(a)-8(c)所示的跨水平和垂直偏移所测量到的耦合变化；

图9(a)示出了具有4个狭槽且位于PTU中心的左侧的实施例的涡流贡献；

图9(b)示出了具有4个狭槽且位于PTU中心的实施例的涡流贡献；

图9(c)示出了具有4个狭槽且位于PTU中心的右侧的实施例的涡流贡献；

图10示出了针对在如图9(a)-9(c)的重叠位置中所示的具有4狭槽导电层的设备所测量到的耦合变化；

图11(a)示出了与传统平板计算设备集成的传统PRU；

图11(b)示出了与传统平板计算设备集成的本公开的实施例；

图11(c)示出了在图11(a)和11(b)的实现方式之间所测量到的耦合变化；

图12(a)示出了根据本公开的实施例，与PRU设备集成的、具有两个狭槽的导电层；

图12(b)示出了与传统设备相比，所测量到的图12(a)的设备的耦合变化；

图13(a)示出了根据本公开的实施例，具有四个狭槽及铁氧体和线圈布置的导电层的前视图和后视图；

图13(b)示出了包括iPad和图13(a)的导电层的测试配置；

图13(c)示出了与传统设备相比，所测量到的图13(b)的设备的耦合变化；

图14示出了本公开的替换实施方式；以及

图15示出了在添加如图14所描述的本公开的替换实施例之前和之后的相对电流流动的对比。

具体实施方式

位置灵活性和多设备充电是基于A4WP的无线充电系统的区别特征。PRU和PTU之间的耦合均匀性在实现这两个特征中是关键的。对于PRU共振器接近整个设备的尺寸的小型设备(例如，可穿戴设备/智能手机)而言，可通过创建在充电区域内提供均匀磁场的PTU共振器来实现均匀耦合。

然而，对于诸如平板和笔记本之类的大型设备而言，PRU线圈仅覆盖设备的一部分。设备内的设备底架和金属组件对PTU和PRU线圈之间的耦合进行调制。因此，磁耦合基于PTU和PRU的相对位置(即重叠)而变化显著。即使在PTU线圈提供大体均匀的磁场时也是如此。图1(a)示出了在线圈区域内提供大体均匀的磁场的PTU线圈设计。当接收线圈扫描通过PTU线圈的表面时，如图1(b)所示，耦合是均匀的。应当注意，本公开中耦合以互阻抗Z21进行测量。

图2(a)示出了PRU的平板集成的传统共振器互操作性测试器(RIT)。图2(a)的RIT包括线圈、铁氧体和固体金属块(模拟用于传统平板设备(例如iPad)中的金属底架)。随着RIT跨越均匀场PTU的有效区域移动，耦合基于PTU和PRU共振器之间的重叠而变化剧烈。这一关系示于图2(b)中。如图2(b)所示，当RIT与PTU线圈部分重叠时，互阻抗达到其最大点。当金属板与PTU线圈的中心对准并完全覆盖整个有效区域时(中间的图)，互阻抗达到最小点。不均匀的耦合在针对互操作性的PRU集成解决方案和PTU设计的认证方面带来极大挑战。申请人发现，大的耦合变化是由金属板(见图2(a))上所产生的涡流引起的，这响应于被施加到PRU的磁场而发生。

如图3(a)和3(c)所示，当RIT/PRU与PTU线圈部分重叠时，所产生的涡流很小，并且不影响PRU/PTU耦合。当PTU和RIT/PRU完全重叠时，如图3(b)所示，沿RIT的金属板的边缘、环绕PRU线圈产生较强的涡流。强涡流消除了PTU产生的磁场的很大一部分，并且导致显著的耦合衰退。

本公开的实施例克服了传统无线线圈集成系统的这一缺陷及其他缺陷。在示例性实施例中，本公开提供了针对一个或多个PRU设计的集成解决方案，这些PRU设计有效地将PTU产生的大体均匀的磁场转化为与PRU的大体均匀的耦合。即使当在PRU线圈后存在较大的导电板(例如在大型计算设备中看到的)时，所公开的实施例也是有效的。在另一实施例中，本公开提供了独特的线圈集成方法和装置，以克服传统PRU和/或PTU的缺陷。

本公开的实施例针对向PRU/RIT引入一个或多个额外组件来提高耦合效率，而不管PRU相对于PTU的相对定位。所公开的实现方式提供了对由PRU/RIT中的大型连续金属板所引入的耦合变化进行补偿的耦合轮廓(profile)，使得经组合的效果是大体均匀的耦合。

图4以图形的方式示出了实现本公开的实施例的结果。在图4中，计算设备的大型金属表面或底架的不利影响(即涡流)由PRU线圈集成的贡献来抵消，从而产生有效且均匀的耦合。

图5(a)示出了根据本公开的一个实施例的示例性装置。具体地，图5(a)示出了PTU和PRU线圈之间所添加的、作为PRU线圈的一部分的图案化导电层。该添加的导电层(例如，图案化前盖)可位于PRU线圈的前面。在某些实施例中，导电层在大小和形状方面与设备本身基本类似。图案化导电层在其上可选地包括策略性图案。该图案可被配置为修改和重定向涡流，并且补偿由可位于PRU线圈后面的金属板(或设备本身)引起的耦合变化。图5(b)示出了测试结果，测试结果显示当根据所公开的实施例添加适当设计的导电层时，耦合变化被显著降低。在替换实施例中，导电层可以没有图案。

在某些实施例中，本公开针对放置导电层以解决或补偿所产生的涡流。在一个实施例中，导电层包括金属或金属合金。在另一实施例中，导电层或材料可包括半导体材料或非金属材料。如本文所使用的，术语“导电金属层”(可互换地为导电层)是通用的，并且可包括金属和非金属材料、以及导体和半导体材料二者。导电层可以是有图案的。在一个实现方式中，导电层可位于PRU线圈之前(例如，在PTU和PRU线圈之间)，以便在PRU/RIT处于最大重叠时推进耦合，而在PTU和PRU线圈部分重叠时没有影响。

如上所述，本公开的某些实施例涉及导电层的设计和配置。在一个实现方式中，图案化导电层的设计通过沿PRU线圈的最内侧拐角、在该层上设置开口(或孔)开始。此后，沿中心线到导电层的边缘形成狭槽。示例实施例被示于图5(c)中，其中图案化的导电层510包括开口520和狭槽530。

图6(a)示出了PRU/RIT 610和PTU 620之间的部分重叠，图6(b)示出了PRU/RIT610和PTU 620之间的完全重叠。PRU/RIT 610被表示为例如包括在其上具有开口和狭槽的导电层。图6(a)示出了电流贡献有限，且互阻抗(Z21)增长较小。图6(b)示出了从设备边缘传输的电流较高，且推进较高的互阻抗(Z21)，如顺时针方向的箭头所示。

如图6(a)所示，当PRU/RIT 610与PTU线圈620部分重叠时(这产生垂直于其表面的大体均匀的磁场)，导电层上的涡流沿导电层的外围顺时针流动，然后在狭槽处转向，并沿线圈开口逆时针流动。

逆时针电流可增强由PTU产生的场，并且产生与PRU线圈610更高的耦合。当PTU620与PRU 610之间的重叠最大时(如图6(b)所示)，涡流要强得多。因此，靠近开口的同相涡流更强，从而给予耦合高得多的推进。

图7(a)示出了本公开的实施例，其中导电层被配置有不对称放置的狭槽。PRU/RIT710与PTU线圈720部分重叠，其中狭槽位于线圈720的有效区域内。在导电层上的线圈开口附近所感应的涡流与PTU场不同相。因此，如图7(b)所示，耦合被轻微降低。图7(b)中的三个图示是图6(a)、图6(b)和图7(a)的较小缩略图，这些缩略图相应地被示为750、752和754。图7(b)示出了当狭槽不对称时，耦合补偿是单调的，这是不理想的。因此，更多狭槽可能是有利的，这将在下面的图中进行说明和讨论。

图8(a)-8(c)示出了本公开的实施例，其中导电层被配置有对称放置的狭槽。图8(a)-8(c)中的每一个示出了针对PRU 810和PTU 820的不同的位置偏移。PRU 810的对称放置的狭槽从PRU的中心向外延伸。PTU 820在图8(a)、图8(b)和图8(c)中被示出位于各种位置，其中，PTU 820在图8(a)中向右偏移、在图8(b)中向中间偏移、并且在图8(c)中向左偏移。对称放置的狭槽确保当具有所提出的设计的PRU水平扫描通过均匀PTU场时，任何产生的涡流与PTU场同相。

PTU与PRU之间的耦合变化被示于图8(d)中，在图8(d)中所公开的实施例沿图8(a)-8(c)所示的不同水平偏移展现出均匀的耦合。图8(d)所示的不同的线示出了在不同垂直偏移等级下，具有次优变化的耦合。可对导电层配置做出额外修改以沿垂直偏移条件提供均匀的耦合。

图9(a)-9(c)示出了本公开的实施例，其中在导电层上形成额外的垂直切割。具体地，向图9的附加导电层910做出两条额外的垂直切割，使得切割偏移大约90度角。即使在附加导电层上形成更多狭槽，附加导电层的基本行为也不会改变。即，沿线圈开口的电流保持与所施加的场同相，而不管PRU 910与PTU 920的相对位置。在图9(b)中可以看出，涡流沿PRU 910的边缘顺时针流动，并且被补偿，从而不破坏PRU 910与PTU920之间的磁耦合均匀性。

图10示出了针对图9(a)-9(c)所示的不同重叠条件的耦合变化。这里，当所公开的PRU实施例在各种水平和垂直相对位置的情况下向PTU线圈呈现均匀场时，实现大体均匀的耦合。应该注意，图9是由图10的Z21图所覆盖的3种示意性特殊情形。

图6到图9之间的实现方式中的每一个可被应用于某个设计配置，以降低由PRU设备引入的耦合变化。在不脱离所公开的原理的情况下，可做出其他修改和/或置换。每个独特系统的特征可在针对期望应用配置有效的导电层设计之前进行学习和评估。例如，技术原型被做出且被与平板设备集成以展示所公开的实施例的优势。

图11示出了关于图7所描述的实施例的示例性实现方式。在图11中，PRU线圈的两种集成方法作为技术原型：一种将线圈直接应用到平板，而不包括图案化导电层(图11(a))，而另一种采用具有开口和一个狭槽的图案化导电层(图11(b))。耦合变化(通过互阻抗Z21)被测量且被呈现于图11(c)中。在这两种情形中，PRU被暴露于由PTU产生的大体均匀的磁场中。如图11(c)所示，根据所公开的实施例，通过添加图案化的导电层可在耦合均匀性方面实现大约50％的提升。

图12示出了关于图8所描述的实施例的示例性实现方式。在图12中，铜屏蔽层(shield)被添加到图11的平板并且两狭槽导电层被放置于PRU线圈之前。与传统平板相比，集成图案化的导电层提升耦合均匀性大约60％。

图13示出了关于图9所描述的实施例的示例性实现方式。具体地，10英寸iPad被用于展示当使用关于图9所讨论的实施例时的提升。测试配置被示于图13(a)中，其中在导电层上创建4个狭槽和线圈开口，导电层随后被放置于PRU线圈之前。iPad在耦合测量期间被放置于该配件之上。所测量的耦合变化被示于图13(c)中。如图13(c)所示，与传统实现方式(即图2的实现方式)相比，通过所提出的解决方案，在耦合均匀性方面实现了110％的提升。

本公开的替换实现方式和实施例包括可图案化以适应设备几何结构和涡流的导电层。以下内容包括本公开的其他非限制性和示例性实施例。

额外的切割和/或非对称切割可被添加至所提出的图案化导电层以实现进一步的耦合均匀性。

所添加的图案化导电层可在一个或多个策略位置处接地或以其他方式机械地/电学地耦合至PRU线圈后面的金属板，以实现较好的ESD和EMI性能。例如，在4狭槽情形中(图9)，两个导电层之间的连接可在4个角落处做出，而不影响耦合均匀性。

所添加的图案化导电层可能不包括固体导电区域/岛。为了捕获由PTU产生的通量并承载适当的涡流，导电带可以覆盖导电区域/岛的轮廓，从而足以实现期望的结果。该配置的示例性实施例被示于图14中，其中替代固体导电区域，仅导电区域的轮廓被用于形成导电框架。图14的实施例为具有延展的金属壳的PRU提供了经济、低损耗、图案化的屏蔽层。

图15示出了本公开的实施例。如图15所示，框架与图案化导电层类似，其中在添加图案化导电框架之后，其捕获通量并反转涡流以向线圈呈现，从而增强耦合。为了最大化灵活性，平板和笔记本无线充电封套可基于所提出的解决方案做出，该解决方案提供了使现有平板和笔记本能够具有基于A4WP的无线充电功能的可扩展方式。

所公开的实施例与传统系统、方法和装置相比是有利的。例如，针对所产生的涡流的已知解决方案是提供大片的铁氧体以覆盖整个平板/笔记本，使得金属底架/组件不暴露于PTU线圈所产生的磁场。因此，当PTU产生均匀的磁场时，耦合是均匀的。然而，铁氧体材料是昂贵的，并且在该解决方案中需要大面积的铁氧体使得该解决方案过于昂贵。

另一已知的解决方案是在线圈后面的金属板上引入一个或多个狭槽，以阻止涡流产生。然而，这种修改可能不能实现，因为底架设计要求和内部组件布置可能禁止任何这样的切割。例如，在iPad的金属底架上具有切割将破坏产品的美学，并且有损产品的结构完整性，从而使得该解决方案不可行。最后，所公开的实施例不引入重大的材料或其他事务开销的账单，因为铁氧体或线圈大小不增加。

所提出的实施例不破坏系统设计，因为其是额外的解决方案且无需对现有系统做出修改。所公开的实施例还提供关于任何平板/笔记本的通用解决方案，而不管构造/底架材料，并且无线充电PRU的系统集成商可直接将所公开的原理应用于现有设备，以提供改善的无线充电性能。

以下非限制性和示例性实施例进一步示出了本公开的某些实施例。示例1针对用于功率接收单元(PRU)的电流补偿设备，包括：线圈回路，该线圈回路具有外部回路和内部回路；导电层，该导电层支持孔，该孔与内部线圈回路对准；以及第一狭槽，该第一狭槽在导电层中形成，并且该第一狭槽从孔延伸至导电层的外边缘。

示例2针对示例1的电流补偿设备，其中第一狭槽针对导电层不对称地放置。

示例3针对示例1的电流补偿设备，还包括第二狭槽，该第二狭槽针对第一狭槽对称放置。

示例4针对示例1的电流补偿设备，包括位于导电层的四条边和中央开口之间的多个狭槽。

示例5针对示例1的电流补偿设备，其中导电层与PRU的表面的尺寸基本相同。

示例6针对示例1的电流补偿设备，其中孔与PRU的最内侧线圈回路同中心对准。

示例7针对用于对移动设备进行充电的功率接收单元(PRU)，包括：PRU线圈，该PRU线圈被配置为接收磁场；金属板，该金属板覆盖PRU线圈；导电层，该导电层在其上具有图案，该图案被配置为将在PRU的第一区域上积累的多个涡流引导至PRU的第二区域。

示例8针对示例7的PRU，其中第一区域包括PRU线圈的外围区域。

示例9针对示例7的PRU，其中在PRU线圈的外围区域积累的涡流被引导至PRU的中央区域。

示例10针对示例7的PRU，其中导电层还包括图案，该图案被配置为将来自PRU的外围区域的多个涡流引导至PRU的中央区域。

示例11针对示例7的PRU，其中PRU线圈和导电层是同中心放置的。

示例12针对示例7的PRU，其中重新引导涡流还包括在PRU线圈与功率发送单元(PTU)之间插入图案化导电层。

示例13针对示例7的PRU，其中图案包括开口和从开口延伸至导电层的边缘的狭槽。

示例14针对示例7的PRU，其中导电层包括多个孔和多个狭槽。

示例15针对向功率接收单元(PRU)提供大体均匀的磁耦合的方法，该方法包括：在与PRU相关联的线圈处接收磁场，该磁场在PRU的第一区域处创建多个涡流；通过将涡流从PRU的第一区域重新引导至PRU的第二区域来补偿涡流。

示例16针对示例15的方法，其中第一区域包括PRU线圈的外围区域。

示例17针对示例15的方法，其中在PRU线圈的外围区域积累的涡流被重新引导至线圈的中央区域。

示例18针对示例15的方法，其中重新引导涡流还包括使用靠近线圈的导电层。

示例19针对示例15的方法，其中重新引导涡流还包括靠近PRU线圈和功率发送单元(PTU)放置导电层。

示例20针对示例15的方法，其中重新引导涡流还包括靠近线圈放置图案化导电层，该图案化导电层具有至少一个开口和至少一个狭槽，以将涡流从PRU的第一区域重新引导至PRU的第二区域。

虽然本公开的原理已针对本文所示的示例性实施例示出，但本公开的原理不限于此并且包括其任何修改、变化或置换。

Claims (20)

1.一种用于功率接收单元PRU的电流补偿设备，包括：

线圈回路，该线圈回路具有外部回路和内部回路；

导电层，该导电层支持孔，所述孔与内部线圈回路对准；以及

第一狭槽，该第一狭槽在所述导电层中形成，并且该第一狭槽从所述孔延伸至所述导电层的外边缘，

其中，支持孔的所述导电层紧邻所述线圈回路，所述导电层包括非金属材料，并且导电带仅覆盖所述导电层的导电区域的轮廓以用于形成导电框架。

2.如权利要求1所述的电流补偿设备，其中所述第一狭槽针对所述导电层不对称地放置。

3.如权利要求1所述的电流补偿设备，还包括第二狭槽，该第二狭槽针对所述第一狭槽对称放置。

4.如权利要求1所述的电流补偿设备，包括位于所述导电层的四条边和中央开口之间的多个狭槽。

5.如权利要求1所述的电流补偿设备，其中所述导电层与所述PRU的表面的尺寸基本相同。

6.如权利要求1所述的电流补偿设备，其中所述孔与所述PRU的最内侧线圈回路同中心对准。

7.一种用于对移动设备进行充电的功率接收单元PRU，包括：

PRU线圈，该PRU线圈被配置为接收磁场；

金属板，该金属板在第一侧覆盖所述PRU线圈；以及

导电层，该导电层在其上具有图案，该图案被配置为将在所述PRU的第一区域上积累的多个涡流引导至所述PRU的第二区域，

其中，所述导电层紧邻所述PRU线圈并且在第二侧覆盖所述PRU线圈，所述导电层包括非金属材料，并且导电带仅覆盖所述导电层的导电区域的轮廓以用于形成导电框架。

8.如权利要求7所述的PRU，其中所述第一区域包括所述PRU线圈的外围区域。

9.如权利要求7所述的PRU，其中在所述PRU线圈的外围区域积累的涡流被引导至所述PRU的中央区域。

10.如权利要求7所述的PRU，其中所述导电层还包括图案，该图案被配置为将来自所述PRU的外围区域的多个涡流引导至所述PRU的中央区域。

11.如权利要求7所述的PRU，其中所述PRU线圈和所述导电层是同中心放置的。

12.如权利要求7所述的PRU，其中重新引导所述涡流还包括在所述PRU线圈与功率发送单元PTU之间插入图案化导电层。

13.如权利要求7所述的PRU，其中所述图案包括开口和从所述开口延伸至所述导电层的边缘的狭槽。

14.如权利要求7所述的PRU，其中所述导电层包括多个孔和多个狭槽。

15.一种向功率接收单元PRU提供大体均匀的磁耦合的方法，该方法包括：

在与所述PRU相关联的线圈处接收磁场，该磁场在所述PRU的第一区域处创建多个涡流；以及

通过将所述涡流从所述PRU的第一区域重新引导至所述PRU的第二区域来补偿所述涡流，

其中，所述涡流通过其中具有孔的导电层被重新引导，并且其中所述导电层紧邻与所述PRU相关联的所述线圈，所述导电层包括非金属材料，并且导电带仅覆盖所述导电层的导电区域的轮廓以用于形成导电框架。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述第一区域包括所述PRU线圈的外围区域。

17.如权利要求15所述的方法，其中在所述PRU线圈的外围区域积累的涡流被重新引导至所述线圈的中央区域。

18.如权利要求15所述的方法，其中重新引导涡流还包括使用靠近所述线圈的导电层。

19.如权利要求15所述的方法，其中重新引导涡流还包括靠近所述PRU线圈和功率发送单元PTU放置导电层。

20.如权利要求15所述的方法，其中重新引导涡流还包括靠近所述线圈放置图案化导电层，该图案化导电层具有至少一个开口和至少一个狭槽，以将所述涡流从所述PRU的第一区域重新引导至所述PRU的第二区域。