CN102427680A - 一种单面板金手指的制造工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种单面板金手指的制造工艺，所述金手指包括：设置在上层的顶部覆盖膜层、中间的纯铜箔层、以及，设置在底部的底部覆盖膜层，所述底部覆盖膜层上各设置有一开口，所述制造工艺包括以下步骤：贴合步骤：于所述覆盖膜层开口处贴一条比所述开口大的PI胶带；层压步骤：将所述金手指和所述PI胶带一起进行层压；再将所述层压后的产品贴上顶层覆盖膜；再进行层压；撕去步骤：将所述压完后的PI胶带撕去。处理步骤：在所述顶层覆盖膜层和底层覆盖膜层的开口处加工。本发明的有益效果是解决了此类产品蚀刻线路退膜后到层压顶层覆盖膜的过程中镂空手指的变形、皱折，能大大提高此类产品的生产良率。

Description

一种单面板金手指的制造工艺
技术领域
本发明涉及一种单面板金手指的制造工艺，尤其涉及一种能够提高产率和合格率的单面板金手指的制造工艺。
背景技术
目前来说，行业内生产单面板双面露铜金手指板的工艺流程是：下料→钻孔→贴底层覆盖膜（覆盖膜有开口）→层压→丝印抗蚀刻油（底层覆盖膜开窗处）→贴干膜、曝光→蚀刻线路→贴顶层覆盖膜（覆盖膜有开口）→层压→化金。
单面板双面露铜金手指板所用铜箔基材一般为薄纯铜箔，这样的生产工艺在产品蚀刻线路退膜后，底层覆盖膜开窗处手指会变成镂空手指，在退膜到层压顶层覆盖膜的过程中，过水平线设备或手工操作时都容易造成镂空手指变形、皱折甚至断裂。这也是目前行业内单面板双面露铜金手指生产良率低的主要原因。
发明内容
为了解决以上技术问题，本发明提供一种单面板金手指的制造工艺，所述金手指包括：设置在上层的顶部覆盖膜层、中间的纯铜箔层、以及，设置在底部的底部覆盖膜层，所述底部覆盖膜层上各设置有一开口，所述制造工艺包括以下步骤： 
贴合步骤：于所述覆盖膜层开口处贴一条比所述开口大的PI胶带；
层压步骤：将所述金手指和所述PI胶带一起进行层压；再将所述层压后的产品贴上顶层覆盖膜；再进行层压；
撕去步骤：将所述压完后的PI胶带撕去；
处理步骤：在所述顶层覆盖膜层和底层覆盖膜层的开口处加工。
本发明采用以上方法，与现有技术相比，解决了此类产品蚀刻线路退膜后到层压顶层覆盖膜的过程中镂空手指的变形、皱折，能大大提高此类产品的生产良率。
优选的，所述PI胶带的熔点的范围为270至350℃。
本发明进一步采用以上技术特征，其优点在于，PI胶带可以耐高温，在生产过程中其抗撕裂，粘着力强，撕去后被遮蔽表面不留残胶。
优选的，层压步骤中的压强为：500psi，压层的温度为160至180℃。
本发明进一步采用以上技术特征，其优点在于，采用以上工艺参数，更能使使金手指耐磨，降低金手指表面的划伤率，增强产品的品质。防止金手指脱落，消除了发生断裂产生隐患。
优选的，述PI胶带的长度比所述开口的长度长1毫米。
本发明进一步采用以上技术特征，其优点在于，不但充分保证PI胶带对开口处进行覆盖，更进一步地将金手指进行压合，保证了对金手指加工的质量和外观的合格率，而且还能提高PI胶带的利用率。
优选的，所述加工的项目选择采用镀金和化金中的一种。
本发明进一步采用以上技术特征，其优点在于，采用本发明中的制造方法，所制造的金手指的增加了应用范围更广。
附图说明
图1是本发明的一种实施例的结构示意图。
图2是本发明的一种实施例的结构示意图。
图3是本发明的一种实施例的工作流程图。
具体实施方式
下面结合附图，对本发明的较优的实施例作进一步的详细说明：
图1中1为顶层覆盖膜层,2为纯铜箔层,3为底层覆盖膜层。
图2中2为纯铜箔层,3为底层覆盖膜层,4为耐高温PI胶带。将4贴在3底层覆盖膜开窗处，随2一起层压，然后就在铜箔上进行贴层压压合，压好后再将4撕掉，然后在顶层覆盖膜层1和底层覆盖膜层3的开窗处进行表面处理加工，直至产品成型到包装出货。
如图3所示，为本发明中单面板金手指的制造工艺，所述金手指包括：设置在上层的顶部覆盖膜层1、中间的纯铜箔层2、以及，设置在底部的底部覆盖膜层3，所述底部覆盖膜层3上各设置有一开口，所述制造工艺包括以下步骤： 
贴合步骤：于所述覆盖膜层开口处贴一条比所述开口的PI胶带；
层压步骤：将所述金手指和所述PI胶带一起进行层压；再将所述层压后的产品贴上顶层覆盖膜；再进行层压；
撕去步骤：将所述压完后的PI胶带撕去；
处理步骤：在所述顶层覆盖膜层和底层覆盖膜层的开口处加工。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (6)

1.一种单面板金手指的制造工艺，其特征在于，所述金手指包括：设置在上层的顶部覆盖膜层、中间的纯铜箔层、以及，设置在底部的底部覆盖膜层，所述底部覆盖膜层上各设置有一开口，所述制造工艺包括以下步骤： 
贴合步骤：于所述覆盖膜层开口处贴一条比所述开口大的PI胶带；
层压步骤：将所述金手指和所述PI胶带一起进行层压；再将所述层压后的产品贴上顶层覆盖膜；再进行层压；
撕去步骤：将所述压完后的PI胶带撕去；
处理步骤：在所述顶层覆盖膜层和底层覆盖膜层的开口处加工。
2.如权利要求1所述的单面板金手指的制造工艺，其特征在于，所述PI胶带的熔点的范围为270至350℃。
3.如权利要求1或2所述的单面板金手指的制造工艺，其特征在于，层压步骤中的压强为500psi。
4.如权利要求1或2所述的单面板金手指的制造工艺，其特征在于，层压步骤中压层的温度为160至180℃。
5.如权利要求1所述的单面板金手指的制造工艺，其特征在于，所述PI胶带的长度比所述开口的长度长1毫米。
6.如权利要求1所述的单面板金手指的制造工艺，其特征在于，所述加工的项目选择采用镀金和化金中的一种。
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