CN102409401B - 直拉法生长单晶硅中利用氮-氩混合气体除杂的方法 - Google Patents
直拉法生长单晶硅中利用氮-氩混合气体除杂的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102409401B CN102409401B CN201010292543.7A CN201010292543A CN102409401B CN 102409401 B CN102409401 B CN 102409401B CN 201010292543 A CN201010292543 A CN 201010292543A CN 102409401 B CN102409401 B CN 102409401B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- single crystal
- nitrogen
- crystal
- mixed gas
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Abstract
直拉法生长单晶硅中利用氮-氩混合气体除杂。屈半导体分离技术领域,单晶炉直拉式生产单晶硅棒(碇)过程中会存有多种杂质,其中氧是直拉法生长单晶硅中的主要杂质,由于氧的存在严重影响单晶硅的品质,本发明采用在高纯度的氩气中加入微量的氮气,用它们的混合气体来作保护气体,以去除直拉法生长单晶硅过程中的氧,氮-氩混合气体使炉内保持低压、惰性气氛,促使SiO的蒸发,随着SiO的蒸发量增大而降低硅熔体中的氧含量,加大混合气体的流速,能使反应气体、反应粉末和反应液体迅速排出单晶炉;本发明主要应用于直拉法生长单晶硅中的除杂,它效果好,提高了硅单晶的品质,达到高质量的单晶的生长。
Description
技术领域
本发明属于半导体分离技术领域,特别是涉及生产、分离单晶硅时的一种利用氮-氩混合气体除杂技术.
背景技术
目前我国单晶硅棒(碇)的生产办法基本上还是用传统的单晶炉直拉式来生产单晶硅棒(碇)的,用单晶炉直拉式生产单晶硅棒(碇)过程中会存有多种杂质,这当中就有氧、碳、氮、氢和一些金属元素杂质,其中氧是直拉法生长单晶硅中的主要杂质,在晶体生长过程中氧杂质主要是硅熔体与石英坩埚作用生成的,其机理为:在硅的熔点附近,高温的硅熔体(1420℃)和石英坩埚反应,其反应方程式如下:
Si+SiO2→2SiO
生成的SiO进入到硅熔体中,在单晶的拉制过程中,晶转和埚转会对熔体的对流产生很大影响,再加上熔体本身的热对流,因此,进入硅熔体中的SiO会被输送到熔体的表面,此时大部分的SiO(99%)会在熔体表面,到达硅熔体表面的SiO以气体形式挥发,然后被拉制单晶过程中加入的惰性气体带走,剩余的SiO(1%)会在硅熔体中分解,以氧原子形式存在于熔体中,
如下所示:
SiO→Si+O
分解后所产生的氧在随后的生长拉伸过程中进入硅单晶,最终以间隙原子状态存在,形成
Si-O-Ri键。同时氧还会与硅晶体上的空位结合,使氧与硅晶体上的空位结合形成位错、点缺陷、层错等微缺陷;因此在单晶炉直拉式生产单晶硅棒(碇)的过程中人们大多采用在真空、低压的环境中加入惰性气体,使之整个单晶生长过程处在真空、低压的环境和加入惰性气体这样的氛围下进行拉晶的。
通常在加入惰性气体时,有的是采用氮气作为保护气体的,用氮气作保护气体时,在过程中生成的氮化硅能钉杂位错,可以提高金属硅的机械强度,并能降低单晶硅的一些微缺陷;但氮气在1000℃以上时,能与硅结合生成氮化硅。其反应过程:
3Si+2N2=Si3N4
反应过程中生成的Si3N4颗粒存在于晶体的晶界上,或者产生于固液界面上,由于氮化硅颗粒的介电常数和硅基体不同,这样就会影响到成品单晶材料的电学性能。如果氮化硅颗粒在固液界面上形成,还会导致细晶的产生,增加晶界数目和总面积,最终也会影响到成品单晶材料的电学性能。
另一种是在拉晶过程中加入惰性气体氩,过程中将氩气以一定速度吹入反应炉,并迅速抽走,这些气体可以携带走炉内反应所产生的气体,从而加速SiO的蒸发,随着SiO的蒸发量增大使之降低硅熔体中的氧含量,但是用这种办法也无法根本上消除溶解氧对硅晶体的影响;所以加入以上两种惰性气体的办法都存有一定的不足之处。
发明内容
本发明的目的为了提高直拉法生长单晶硅中的除杂效果、提高硅单晶的品质,达到高质量的单晶的生长,本发明采用在高纯度的氩气中加入微量的氮气,用它们的混合气体来作保护气体,克服了以单一氩气或单一氮气作保护气体的不足之处,以去除直拉法生长单晶硅中的主要杂质氧,达到高质量的单晶的生长,提高了硅单晶的品质。
因为微量的氮在晶体硅中主要以氮对形式存在。这种氮对有两个未配对电子,和相邻的两个硅原子以共价键结合,形成中性的氮对,对晶体硅不提供电子,在硅中不呈施主特性,通常也不引入电中心。
氮还能与硅熔体中的氧起作用,生成氮氧复合体,减少硅熔体中氧含量。氮氧复合体是一种浅热施主,是一种单电施主,可以为晶体提供电子;但是,在硅中氮氧复合体浓度不高,一般低于(2~5)×10-14,而且可以消除。
微量的氮在1000℃以上的高温时很容易与硅起反应,反应生成的氮化硅能钉杂位错,而且不致使位错沿滑移面移动或延伸,同时还能增强金属硅的机械强度;因此掺氮作保护气体的关键是控制氮的含量和用量。
氮-氩混合气体使炉内保持低压、惰性气氛;混合气体以一定速度吹入反应炉,并迅速抽走,促使SiO的蒸发,随着SiO的蒸发量增大而降低硅熔体中的氧含量;加大混合气体的流速,能使反应气体、反应粉末和反应液体迅速排出单晶炉。
本发明的目的是这样实现的:在直拉法生长单晶硅中利用氮-氩混合气体除杂;即在高纯氩气中(氩气纯度为>99.999%)加入微量的氮气(氮气纯度为>99.99%),氮气和氩气混合的质量比为3﹕10,就是用这样的氮-氩混合气体作为直拉法生长单晶硅中的保护气体进行除杂,氮-氩混合气体进入单晶炉的气压保持在0.20~0.3Mpa;氮-氩混合气体进入单晶炉的流量为:15L/min~25L/min;具体操作时把氮气与氩气分别从储存罐引出,通过流量计控制流量与混合比,在送入输送管道时进行混合。拉晶时混合气体由单晶炉顶部副室进气口进入,由炉底抽真空排气口排出;进入单晶炉的氮-氩混合气体的流量由副室流量计控制,通过皮拉尼真空计确定读数,氮-氩混合气体流量控制在15L/min~25L/min。(真空计显示800~1200Pa)。
本发明由于采用氮-氩混合气体作为保护气体,它具有能充分利用了氮气和氩气在单晶生长中的特性,使之生成氮氧复合体,减少单晶炉中硅熔体中氧的含量;并且微量的氮与硅作用,能形成中性的氮对和具有钉杂位错功能,也不致使位错沿滑移面移动或延伸,并能增强金属硅的机械强度;同时一定流量的氮-氩混合气体提高了SiO的扩散速度,也增加了熔体的搅动速度,有利于单晶生长中杂质去除的优点。
本发明的具体情况由以下的实施例给出。
下面详细说明依据本发明提出的细节及工作情况。
具体实施方式
本发明提供的直拉法生长单晶硅中利用氮-氩混合气体除杂的方法其具体实施方式为:直拉法生长硅单晶的操作步骤主要包括有热场安装、装料、加热、拉晶、冷却等;热场安装、装料之后,在加热之前进行抽真空检漏,氮气与氩气分别从储存罐引出,通过流量计控制流量与混合比,在送入输送管道时进行混合,经输送管道输送待用,抽真空检漏时,缓慢打开排气球阀,也就是先打开球阀的1/3,等到真空计显示2000Pa时全部打开球阀抽真空;工作时打开气体流量计球阀通入混合气体,混合气体通过气体流量计球阀从单晶炉顶部副室进气口进入,从底部排气口通过抽气机排出单晶炉,在炉内混合气体从副室到主室循环使用;此时控制混合气体流量以20L/min的速度流入单晶炉,5分钟左右后关闭流量计球阀,如此反复数次,使炉内真空度达到10Pa以下,并进行泄漏检查;然后进入加热化料阶段;在加热化料阶段要控制混合气体以较小流量进入单晶炉,具体是要求气压控制在700~800Pa,而加热功率逐渐提高到90kW;在引晶阶段,要增加混合气体流量,降低温度,具体要求为炉内气压控制在900Pa,加热器功率下降至60kW,并增加晶转、埚转速度,提高晶体提升速度;进入放肩阶段后,要逐渐降低晶转与埚转速度,降低晶体的提升速度,降低液面温度,这时要求炉内气压保持在900Pa,加热器功率下降为55kW;在等径阶段,再通过逐渐提高晶体的提升速度、降低温度,要求炉内气压为900Pa,加热器功率下降为50kW,使晶体进入等径生长阶段,并使晶体直径控制在大于或接近工艺要求的目标的公差范围之内;收尾阶段,为了防止收尾阶段位错反延,再次提高晶体提升速度,同时升高液面温度,这时要求加热器功率控制在55kW~60kW,炉内气压保持在900Pa,使得晶体的直径不断缩小,形成一个圆锥形尾部;收尾结束,快速下降坩埚即下降20mm,使晶体与液体分离,快速提升晶体,使晶体上升到副室观察窗能观察到的位置,停止加热一小时后关闭氮-氩混合气体,待真空抽到极限,先关闭抽空管道阀门,再停真空泵;4.5—5小时以后可拆炉取出晶体。
Claims (1)
1.直拉法生长单晶硅中利用氮-氩混合气体除杂的方法,其工艺是热场安装、装料、加热、引晶、放肩、等径、拉晶、收尾、冷却,其特征是在热场安装、装料之后,加热之前进行抽真空检漏,氮气与氩气分别从储存罐引出,通过流量计控制流量与混合比,在送入输送管道时进行混合,经输送管道输送待用,抽真空检漏时,缓慢打开排气球阀,也就是先打开球阀的1/3,等到真空计显示2000Pa时全部打开球阀抽真空;工作时打开气体流量计球阀通入混合气体,混合气体通过气体流量计球阀从单晶炉顶部副室进气口进入,从底部排气口通过抽气机排出单晶炉,在炉内混合气体从副室到主室循环使用;此时控制混合气体流量以20L/min的速度流入单晶炉,5分钟后关闭流量计球阀,如此反复,使炉内真空度达到10Pa以下后进行泄漏检查;加热化料阶段,控制混合气体以较小流量进入单晶炉,气压控制在700~800Pa,而加热功率逐渐提高到90kW;引晶阶段增加混合气体流量,降低温度,炉内气压控制在900Pa,加热器功率下降至60kW,并增加晶转、埚转速度,提高晶体提升速度;放肩阶段逐渐降低晶转与埚转速度,降低晶体的提升速度,降低液面温度,这时炉内气压保持在900Pa,加热器功率下降为55kW;等径阶段通过逐渐提高晶体的提升速度、降低温度,炉内气压为900Pa,加热器功率下降为50kW;使晶体进入等径生长阶段,并使晶体直径控制在大于或接近工艺要求的目标的公差范围之内;收尾阶段,再次提高晶体提升速度,同时升高液面温度,这时加热器功率控制在55kW~60kW,炉内气压保持在900Pa,使得晶体的直径不断缩小,形成一个圆锥形尾部;收尾结束,快速下降坩埚即下降20mm,使晶体与液体分离,快速提升晶体,使晶体上升到副室观察窗能观察到的位置,停止加热一小时后关闭氮-氩混合气体,待真空抽到极限,先关闭抽空管道阀门,再停真空泵;5小时以后可拆炉取出晶体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201010292543.7A CN102409401B (zh) | 2010-09-26 | 2010-09-26 | 直拉法生长单晶硅中利用氮-氩混合气体除杂的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201010292543.7A CN102409401B (zh) | 2010-09-26 | 2010-09-26 | 直拉法生长单晶硅中利用氮-氩混合气体除杂的方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102409401A CN102409401A (zh) | 2012-04-11 |
CN102409401B true CN102409401B (zh) | 2014-07-23 |
Family
ID=45911732
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201010292543.7A Expired - Fee Related CN102409401B (zh) | 2010-09-26 | 2010-09-26 | 直拉法生长单晶硅中利用氮-氩混合气体除杂的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102409401B (zh) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103422167A (zh) * | 2012-05-23 | 2013-12-04 | 浙江锦锋光伏科技有限公司 | 一种单晶炉中氧含量的控制方法 |
CN103074682B (zh) * | 2013-02-17 | 2015-10-07 | 英利集团有限公司 | 一种生产单晶硅的熔料工艺 |
CN103436951A (zh) * | 2013-08-27 | 2013-12-11 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种区熔硅单晶的拉制方法 |
CN105879656B (zh) * | 2015-11-24 | 2020-01-07 | 上海超硅半导体有限公司 | 单晶硅生长尾气固相处理技术 |
CN107385507A (zh) * | 2017-07-19 | 2017-11-24 | 内蒙古中环光伏材料有限公司 | 一种单晶硅拉晶用装置及应用该装置的方法 |
CN108149317A (zh) * | 2018-01-23 | 2018-06-12 | 镇江环太硅科技有限公司 | 一种低氧高效硅锭的制备方法 |
CN108425149A (zh) * | 2018-04-13 | 2018-08-21 | 内蒙古中环光伏材料有限公司 | 一种全氮硅单晶拉晶用装置 |
CN113818077A (zh) * | 2021-09-23 | 2021-12-21 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 氮掺杂硅熔体获取设备、方法及氮掺杂单晶硅制造系统 |
CN115224155B (zh) * | 2022-06-09 | 2024-02-23 | 东莞南玻光伏科技有限公司 | 硅片内除杂的方法和系统 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN87105811A (zh) * | 1987-08-22 | 1988-02-24 | 浙江大学 | 直拉硅单晶的气相掺氮方法 |
CN88100307A (zh) * | 1988-01-20 | 1988-07-27 | 浙江大学 | 一种微氮低氧化碳直拉硅单晶的制备方法 |
CN101514485A (zh) * | 2009-03-05 | 2009-08-26 | 浙江碧晶科技有限公司 | 一种低氧含量硅晶体的制备方法及设备 |
-
2010
- 2010-09-26 CN CN201010292543.7A patent/CN102409401B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN87105811A (zh) * | 1987-08-22 | 1988-02-24 | 浙江大学 | 直拉硅单晶的气相掺氮方法 |
CN88100307A (zh) * | 1988-01-20 | 1988-07-27 | 浙江大学 | 一种微氮低氧化碳直拉硅单晶的制备方法 |
CN101514485A (zh) * | 2009-03-05 | 2009-08-26 | 浙江碧晶科技有限公司 | 一种低氧含量硅晶体的制备方法及设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102409401A (zh) | 2012-04-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102409401B (zh) | 直拉法生长单晶硅中利用氮-氩混合气体除杂的方法 | |
CN101122047B (zh) | 一种太阳能电池用多晶硅制造方法 | |
CN102126725B (zh) | 一种电子束浅熔池熔炼提纯多晶硅的方法及设备 | |
CN102173424B (zh) | 真空感应熔炼去除硅粉中磷及金属杂质的方法及设备 | |
CN104357901A (zh) | 一种降低直拉单晶氧施主的方法 | |
CN106319620B (zh) | 一种直拉单晶的拉晶方法 | |
CN102220633B (zh) | 一种半导体级单晶硅生产工艺 | |
US20120171848A1 (en) | Method and System for Manufacturing Silicon and Silicon Carbide | |
CN106319618A (zh) | 一种由硅烷制造直拉单晶硅棒的设备及方法 | |
JP2007145663A (ja) | 高純度多結晶シリコンの製造方法 | |
CN101994151A (zh) | 太阳能级cz硅单晶控制热施主工艺 | |
CN108301039A (zh) | 一种生长单晶硅的拉制装置和拉制方法 | |
CN108193282B (zh) | 一种高纯碳化硅原料的合成方法及其应用 | |
CN112624122B (zh) | 一种真空微波精炼工业硅制备6n多晶硅的方法及装置 | |
CN101570888A (zh) | 一种可去除含碳杂质的太阳能级硅晶体的制备方法 | |
JP2007223822A (ja) | 高純度多結晶シリコンの製造装置 | |
CN108301038A (zh) | 一种单晶硅提拉炉和生长单晶硅的拉制方法 | |
CN101671025A (zh) | 一种生产p型太阳能电池用多晶硅的工艺 | |
CN101748481B (zh) | 一种多晶硅料的提纯方法 | |
CN104651929B (zh) | 一种电子束熔炼多晶硅除氧与铸锭耦合的方法及设备 | |
CN201704429U (zh) | 单晶炉内一种控氧生长的装置 | |
CN102719883A (zh) | 一种半导体级单晶硅生产工艺 | |
CN102001664B (zh) | 双室双联真空循环脱气炉及太阳能级多晶硅的制备 | |
CN107857272A (zh) | 一种硅铁或者冶金硅脱磷的方法 | |
CN111676512A (zh) | 一种降低上排气方式单晶炉的晶棒中氧含量的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20140723 Termination date: 20190926 |