CN102388414A - 显示装置及其驱动方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示装置及其驱动方法。本发明的显示装置具备配置成阵列状的多个发光像素(110)、与每行对应的栅极线(112)和复位线(113)、以及与每列对应的信号线(111)，各发光像素(110)具备发光元件(OLED)、向发光元件(OLED)供给电流的驱动晶体管(T3)、行选择晶体管(T1)、栅极端子与复位线(113)连接且源极端子和漏极端子的一方与驱动晶体管(T3)的源极端子连接的复位晶体管(T2)、以及介于驱动晶体管(T3)的栅极端子和源极端子之间的电容元件(CS)，复位晶体管(T2)的源极端子和漏极端子的另一方与对应于多个发光像素(110)的某一行的栅极线(112)连接。

Description

显示装置及其驱动方法
技术领域
本发明涉及使用了有机电致发光(EL：Electro Luminescence)元件等的电流驱动型自发光元件的有源矩阵式图像显示装置。
背景技术
有机EL元件通过电流控制来表现灰度等级，但是有源矩阵式有机EL显示装置存在如下问题：由于驱动各有机EL元件的驱动用晶体管的阈值电压的不匀，即使提供相同的信号电压也会产生辉度(brightness)不均。在消除辉度不均、制作均匀的画面的方面，需要对该有机EL元件的驱动用晶体管的阈值进行补偿。已有如下方法：通过作为用于抑制驱动用晶体管的阈值不匀的阈值补偿电路而每个像素使用4个晶体管，由此来检测驱动用晶体管的阈值(例如参照非专利文献1)。另外，还有如下方法：每个像素使用3个晶体管，对电源线的电压进行扫描，由此来检测驱动用晶体管的阈值(例如参照文献1)。
在先技术文献
专利文献1：日本特开2006-259374号公报
非专利文献1：R.M.A.Dawson，et al，IEDM’98，Technical Digest，1998p.875
发明内容
但是，在非专利文献1记载的方法中是每个像素使用4个晶体管的结构，随着显示器的大型化，会担心由晶体管的集成数量增加导致材料利用率下降。
另外，在专利文献1记载的方法中，晶体管的个数少，在用于显示器的情况下，能够期待较高的生产性，但需要对电源线进行扫描。为了扫描电源线，必须一维配置电源线。但是，一维配线存在如下问题：由于伴随着显示器的大画面化的电源线的电压下降，容易引起显示图像的周边变暗这样的串扰(crosstalk)，无法对应大画面化。
本发明是为了解决上述问题而完成的发明，其目的在于提供一种以较少的原件数量不进行电源线的扫描而对驱动元件的阈值电压进行补偿的显示装置。另外，提供这样的显示装置的驱动方法也包含在本发明内。
为了解决上述问题，本发明的显示装置为具备配置成阵列状的多个发光像素的显示装置，所述显示装置具备：栅极线和复位线，其与所述多个发光像素的每行对应而设置；和信号线，其与所述多个发光像素的每列对应而设置，所述多个发光像素各自具备：第1开关晶体管，其具备栅极端子、源极端子以及漏极端子，该源极端子和该漏极端子的一方与所述信号线连接，该栅极端子与所述栅极线连接；发光元件，其通过流动电流来进行发光；驱动晶体管，其具备栅极端子、源极端子以及漏极端子，该栅极端子与所述第1开关晶体管的源极端子和漏极端子的另一方连接，该源极端子和该漏极端子的一方与所述发光元件连接，向所述发光元件供给电流；复位晶体管，其具备栅极端子、源极端子以及漏极端子，该栅极端子与所述复位线连接，该源极端子和该漏极端子的一方与所述驱动晶体管的源极端子和漏极端子的所述一方连接；以及电容元件，其一端与所述驱动晶体管的栅极端子连接，另一端与所述驱动晶体管的源极端子和漏极端子的所述一方连接，所述复位晶体管的源极端子和漏极端子的另一方与对应于所述多个发光像素的某一行而设置的栅极线连接。
由此，能够通过每个发光像素3个晶体管，不用对电源线进行扫描而检测驱动晶体管的阈值电压，对该阈值电压进行补偿而使发光元件发光。这样，因为对驱动晶体管的阈值电压的不匀进行补偿，因此能够消除辉度不均。
另外，还可以具备驱动部，其在使连接了所述复位晶体管的源极端子和漏极端子的所述另一方的栅极线处于使所述第1开关晶体管截止的非激活状态的期间，使所述复位线处于使所述复位晶体管导通的激活状态。
由此，能够使驱动晶体管的源极端子的电压与连接了复位晶体管的源极端子和漏极端子的另一方的栅极线的电压相同，因此能够利用栅极线的电压，设定驱动晶体管的源极端子的电压。
另外，所述驱动部还可以向多条所述信号线选择性地供给基准电压和比所述基准电压大的信号电压，各栅极线的非激活状态下的电压为所述驱动晶体管的阈值电压值以上、且比所述基准电压低的电压。
由此，能够在复位晶体管导通了的情况下，使驱动晶体管的源极端子的电压切实地成为驱动晶体管的阈值电压值以上、且比基准电压低的电压。因此，能够切实地进行驱动晶体管的阈值电压的检测。
另外，所述复位晶体管的源极端子和漏极端子的所述另一方可以与设置于相同行的栅极线连接。
另外，所述驱动部还可以在使所述设置于相同行的栅极线非激活之前，使该栅极线处于使所述第1开关晶体管导通的激活状态，并且使所述复位线处于使所述复位晶体管截止的非激活状态。
由此，能够给切实地使发光元件进行光猝灭。具体而言，在不久前的驱动晶体管的栅极端子的电压是能够供给发光元件发光所需的电流的程度的电压的情况下，在使栅极线为非激活状态之后也通过施加该电压使发光元件发光。因此，通过这样地使栅极线为激活状态、使复位线为非激活状态，向驱动晶体管的栅极端子施加光猝灭时的电压，由此能够切实地使发光元件光猝灭。
另外，所述复位晶体管的源极端子和漏极端子的所述另一方还可以与设置于下一行的栅极线连接。
由此，即使在使同一行的栅极线为激活状态、且使复位线为激活状态的情况下，也能够使驱动晶体管的源极端子的电压成为下一行的栅极线的电压。其结果，通过使下一行的栅极线的电压成为驱动晶体管的阈值电压值以上、且比基准电压低的电压，能够切实地进行驱动晶体管的阈值电压的检测。也即是，与使复位晶体管与相同行的栅极线连接的情况相比，由于能够同时进行发光元件的光猝灭、和驱动晶体管的源极端子的电压设定，因此在一帧期间内，能够将更多的时间分配给驱动晶体管的阈值电压的检测。
另外，所述复位晶体管的源极端子和漏极端子的所述一方、以及所述电容元件的所述另一端可以经由预定的元件与所述驱动晶体管的源极端子和漏极端子的所述一方连接。
由此，能够抑制由发光元件的寄生电容的不匀引起的作为驱动晶体管向发光元件供给的电流的像素电流的变动。例如，在驱动电路向多个发光像素供给了同一信号电压的情况下，能够抑制各发光像素的发光元件和驱动晶体管的连接点的电位的不匀。以下，对能够抑制不匀的理由进行叙述。
当向发光像素供给了预定的信号电压时，发光元件和驱动晶体管的连接点的电位由发光元件的寄生电容和电容元件的电容的电容分配来规定。但是，发光元件的寄生电容在每个发光元件存在不匀，因此即使是向多个发光像素供给了同一信号电压的情况下，各发光像素的发光元件和驱动晶体管的连接点的电位也会不相同，存在不匀。因此，由于发光元件和驱动晶体管的连接点的电位的不匀，供给到发光元件的电流也存在不匀。
与此相对，通过经由预定的元件将电容元件的另一端与发光元件和驱动晶体管的连接点连接，能够降低发光元件的寄生电容对于电容元件的另一端的电位的影响。因此，能够降低发光元件的寄生电容对于电容元件的一端和另一端的电位差、即电容元件的保持电压的影响。
因此，能够降低发光元件的寄生电容的影响，能够根据信号电压高精度地使发光元件发光。
另外，所述多个发光像素各自还可以具备第2开关晶体管，所述第2开关晶体管具备栅极端子、源极端子以及漏极端子，该源极端子和该漏极端子的一方与所述复位晶体管的源极端子和漏极端子的所述一方、以及所述电容元件的所述另一端连接，该源极端子和该漏极端子的另一方与所述驱动晶体管的源极端子和漏极端子的所述一方连接。
由此，通过使第2开关晶体管导通或截止，能够切换复位晶体管的源极端子和漏极端子的一方、以及电容元件的另一端与发光元件和驱动晶体管的连接点的导通和非导通。因此，例如，若在使第2开关晶体管截止的期间向驱动晶体管的栅极端子供给用于使发光元件发光的信号电压时，则电容元件的另一端的电位不会受到发光元件的寄生电容的影响。也即是，能够切实地降低发光元件的寄生电容对于电容元件的保持电压的影响。换言之，能够防止发光元件的寄生电容的影响，能够以与信号电压对应的准确的发光辉度使发光元件发光。
另外，所述驱动晶体管、所述第1开关晶体管、以及所述复位晶体管各自可以是n型晶体管元件。
另外，所述发光元件可以是有机EL(Electro Luminescence)元件。
另外，本发明的驱动方法为一种显示装置的驱动方法，所述显示装置具备：多个发光像素，其配置成阵列状；栅极线和复位线，其与所述多个发光像素的每行对应而设置；信号线，其与所述多个发光像素的每列对应而设置，被选择性地供给基准电压和比所述基准电压大的信号电压，所述多个发光像素各自具备：第1开关晶体管，其具备栅极端子、源极端子以及漏极端子，该源极端子和该漏极端子的一方与所述信号线连接，该栅极端子与所述栅极线连接；发光元件，其通过流动电流来进行发光；驱动晶体管，其具备栅极端子、源极端子以及漏极端子，该栅极端子与所述第1开关晶体管的源极端子和漏极端子的另一方连接，该源极端子和该漏极端子的一方与所述发光元件连接，向所述发光元件供给电流；复位晶体管，其具备栅极端子、源极端子以及漏极端子，该栅极端子与所述复位线连接，该源极端子和该漏极端子的一方与所述驱动晶体管的源极端子和漏极端子的所述一方连接；以及电容元件，其一端与所述驱动晶体管的所述栅极端子连接，另一端与所述驱动晶体管的源极端子和漏极端子的所述一方连接，所述复位晶体管的源极端子和漏极端子的另一方与对应于所述多个发光像素的某一行而设置的栅极线连接，所述显示装置的驱动方法包括复位步骤，所述复位步骤中，通过使所述第1开关晶体管截止，并且使所述复位晶体管导通，使所述驱动晶体管的源极端子和漏极端子的所述一方为所述驱动晶体管的阈值电压值以上、且比所述基准电压低的电压。
另外，还可以包括：检测步骤，在所述复位步骤之后，通过使所述第1开关晶体管导通，对所述驱动晶体管的阈值电压进行检测；保持步骤，使通过检测步骤检测出的所述阈值电压保持于所述电容元件；写入步骤，在所述保持步骤之后，向所述驱动晶体管的栅极端子供给用于使所述发光元件发光的信号电压；以及发光步骤，在所述写入步骤之后，通过使所述第1开关晶体管截止，使与所述驱动晶体管的栅极端子和源极端子之间的电位差对应的电流在所述发光元件中流动，使所述发光元件发光。
由此，在发光步骤中，驱动晶体管向发光元件供给与将信号电压和阈值电压相加而得到的电压对应的电流，因此发光元件能够不受阈值电压影响而以与信号电压对应的辉度进行发光。
另外，所述检测步骤可以包括：第1子步骤，使所述第1开关晶体管导通；和第2子步骤，在所述第1子步骤之后，使所述第1开关晶体管截止，在所述第2子步骤之后，使所述第1子步骤和所述第2子步骤至少反复一次。
由此，能够经多个水平期间内对驱动晶体管的阈值电压进行检测，从而能够进行高精度的阈值电压的检测。
另外，在所述第1子步骤中，可以向设置于与所述第1开关晶体管相同的列的所述信号线供给所述基准电压，在所述第2子步骤中，向该信号线供给所述信号电压或者所述基准电压。
由此，能够使第1子步骤中的信号线的电压成为用于检测与该信号线对应的列的驱动晶体管的阈值电压的电压，使第2子步骤中的信号线的电压成为对应的列的发光像素的信号电压。因此，例如，通过在1个水平期间的前半前级使信号线的电压为基准电压，在1个水平期间的后半期间使信号线的电压为信号电压，从而能够对1个水平期间进行分割，使前半期间为用于阈值电压检测的期间、后半期间为信号电压的写入期间。
另外，所述多个发光像素各自还具备第2开关晶体管，所述第2开关晶体管具备栅极端子、源极端子以及漏极端子，该源极端子和该漏极端子的一方与所述复位晶体管的源极端子和漏极端子的所述一方、以及所述电容元件的所述另一端连接，该源极端子和该漏极端子的另一方与所述驱动晶体管的源极端子和漏极端子的所述一方连接，在所述检测步骤中，在使所述第2开关晶体管导通了的状态下，使所述第1开关晶体管导通，对所述驱动晶体管的阈值电压进行检测，在所述保持步骤中，通过将所述第2开关晶体管从导通切换成截止，使通过所述检测步骤检测出的所述阈值电压保持于所述电容元件，在所述写入步骤中，通过在所述第1开关晶体管导通的期间向所述信号线供给所述信号电压，在使所述第2开关晶体管截止了的状态下向所述驱动晶体管的栅极端子供给所述信号电压，在所述发光步骤中，在将所述第1开关晶体管从导通切换成了截止之后，通过将所述第2开关晶体管从截止切换成导通，使与所述驱动晶体管的栅极端子和源极端子之间的电位差对应的电流在所述发光元件中流动，使所述发光元件发光。
由此，在第2开关晶体管截止的期间，向驱动晶体管的栅极端子供给信号电压，因此电容元件的另一端的电位不会受到发光元件的寄生电容的影响。即，能够切实地降低发光元件的寄生电容对于电容元件的保持电压的影响。换言之，能够防止发光元件的寄生电容的影响，能够用与信号电压对应的准确的发光辉度使发光元件发光。
另外，所述复位晶体管的源极端子和漏极端子的所述另一方可以与设置于相同行的栅极线连接，所述显示装置的驱动方法还包括光猝灭步骤，所述光猝灭步骤中，通在所述复位步骤之前，使所述第1开关晶体管导通，并且使所述复位晶体管截止，使所述发光元件光猝灭。
如上所述，本发明的显示装置能够通过较少的元件数不进行电源线的扫描而对驱动元件的阈值电压进行补偿。
附图说明
图1是表示实施方式1的显示装置的结构的框图。
图2是表示发光像素的详细结构的电路图。
图3是表示显示装置的动作的定时图。
图4是示意表示发光像素的电流流动的图。
图5是表示在多个水平期间对阈值电压进行检测的情况下的显示装置的动作的定时图。
图6是表示实施方式2的显示装置的结构的框图。
图7是表示发光像素的详细结构的电路图。
图8是表示显示装置的动作的定时图。
图9是表示经多个水平期间对阈值电压进行检测的情况下的显示装置的动作的定时图。
图10是表示实施方式3的显示装置具有的发光像素的详细结构的电路图。
图11是表示显示装置的动作的定时图。
图12是示意表示发光像素的电流流动的图。
图13是内置了本发明的显示装置的薄膜平板TV的外观图。
标号说明
100、200显示装置
110、210、310发光像素
111信号线
112、112(k)、112(k+1)栅极线
113复位线
120行扫描部
121栅极线驱动部
122复位线驱动部
130信号线驱动部
140定时控制部
201虚设栅极线
301合并线
CS  电容元件
CSm  合并电容
OLED  发光元件
T1行选择晶体管
T2、T2′复位晶体管
T3驱动晶体管
Tm  合并晶体管
具体实施方式
(实施方式1)
本发明的实施方式1的一种显示装置为具备配置成阵列状的多个发光像素的显示装置，所述显示装置具备：栅极线和复位线，其与所述多个发光像素的每行对应而设置；和信号线，其与所述多个发光像素的每列对应而设置，所述多个发光像素各自具备：第1开关晶体管，其具备栅极端子、源极端子以及漏极端子，该源极端子和该漏极端子的一方与所述信号线连接，该栅极端子与所述栅极线连接；发光元件，其通过流动电流来进行发光；驱动晶体管，其具备栅极端子、源极端子以及漏极端子，该栅极端子与所述第1开关晶体管的源极端子和漏极端子的另一方连接，该源极端子和该漏极端子的一方与所述发光元件连接，向所述发光元件供给电流；复位晶体管，其具备栅极端子、源极端子以及漏极端子，该栅极端子与所述复位线连接，该源极端子和该漏极端子的一方与所述驱动晶体管的源极端子和漏极端子的所述一方连接；以及电容元件，其一端与所述驱动晶体管的栅极端子连接，另一端与所述驱动晶体管的源极端子和漏极端子的所述一方连接，所述复位晶体管的源极端子和漏极端子的另一方与对应于所述多个发光像素的某一行而设置的栅极线连接。
由此，能够通过每个发光像素3个晶体管，不对电源线进行扫描而对驱动晶体管的阈值电压进行检测，对该阈值电压进行补偿而使发光元件发光。这样，因为对驱动晶体管的阈值电压的不匀进行补偿，因此能够消除辉度不匀。
以下，参照附图对本发明的实施方式1的显示装置进行说明。
图1是表示实施方式1的显示装置的结构的框图。
图1所示的显示装置100例如是使用了有机EL元件的有源矩阵型的有机EL显示装置，具备配置成阵列状的多个发光像素110、行扫描部120、信号线驱动部130以及定时控制部140。
发光像素110例如配置成n行×m列的阵列状，根据经由信号线111、栅极线112以及复位线113从行扫描部120和信号线驱动部130输出的选通脉冲、复位脉冲以及信号电压对驱动晶体管的阈值电压进行补偿而进行发光。
行扫描部120与对应多个发光像素110的每一行而设置的栅极线112和复位线113连接，向各栅极线112和各复位线113输出扫描信号，由此以行为单位对多个发光像素110依次进行扫描。具体而言，行扫描部120具有对各栅极线112进行扫描的栅极线驱动部121、和对各复位线113进行扫描的复位线驱动部122。栅极线驱动部121输出与各栅极线112对应的选通脉冲Gate[k](k为满足1≤k≤m的整数)，由此选择性地向对应的发光像素110供给与各栅极线112对应的向发光像素110供给的基准电压和比基准电压大的信号电压。复位线驱动部122输出与各复位线113对应的复位脉冲Rst[k]，由此来控制向与各复位线113对应的发光像素110施加栅极线112的电压、即选通脉冲Gate[k]的高电平电压或者低电平电压的定时。
信号线驱动部130与各信号线111连接，将与各信号线111对应的信号电压Vdata(例如2～8V)或者复位电压Vreset(例如0V)作为信号线电压Sig[j](j为满足1≤j≤n的整数)进行供给。信号电压Vdata为与发光像素110的发光辉度对应的电压，复位电压Vreset为用于使发光像素110光猝灭或者用于对驱动晶体管的阈值电压进行检测的电压。
定时控制部140对行扫描部120和信号线驱动部130指示驱动定时。
行扫描部120、信号线驱动部130以及定时控制部140为本发明的驱动部。
接着，对发光像素110的详细结构进行说明。以下，对一个发光像素110的结构进行说明，图1示出的多个发光像素110各自具有相同的结构。另外，将从栅极线驱动部121对与该发光像素110对应的栅极线112输出的选通脉冲Gate[k]仅设为选通脉冲Gate，将从复位线驱动部122对与该发光像素110对应的复位线113输出的复位脉冲Rst[k]仅设为复位脉冲Rst，将对与该发光像素110对应的信号线111供给的信号线电压Sig[j]仅设为信号线电压Sig。
图2是表示图1示出的发光像素110的详细结构的电路图。在图2中，也示出了与发光像素110对应的信号线111、栅极线112以及复位线113。
发光像素110具备发光元件OLED、行选择晶体管T1、复位晶体管T2、驱动晶体管T3以及电容元件CS。
发光元件OLED为通过流动电流来进行发光的元件，为阳极与驱动晶体管的源极端子连接、阴极与电压VSS(例如0V)的电源线连接的例如有机EL元件。该发光元件OLED利用通过经由信号线111和行选择晶体管T1对驱动晶体管T3的栅极端子施加信号电压Vdata而流动的电流进行发光。因此，发光元件OLED的辉度与施加于信号线111的信号电压Vdata的大小对应。
行选择晶体管T1、复位晶体管T2以及驱动晶体管T3例如是n型的TFT(薄膜晶体管)。
行选择晶体管T1为本发明的第1开关晶体管，根据栅极线112的电压，切换是否向作为驱动晶体管T3的控制端子的栅极端子施加信号电压。具体而言，行选择晶体管T1的栅极端子与栅极线112连接，源极端子和漏极端子的一方与信号线111连接，源极端子和漏极端子的另一方与驱动晶体管T3的栅极端子连接。由此，行选择晶体管T1根据施压于栅极线112的电压，切换信号线111与驱动晶体管T3的栅极端子的导通和非导通。也即是，行选择晶体管T1在选通脉冲Gate为高电平的期间，向驱动晶体管T3的栅极端子供给施加于信号线111的基准电压Vreset或者信号电压Vdata。
为了检测驱动晶体管T3的阈值电压，复位晶体管T2对驱动晶体管T3的源极端子的电压V2进行设定。具体而言，复位晶体管T2的栅极端子与复位线113连接，源极端子和漏极端子的一方与栅极线112连接，源极端子和漏极端子的另一方与驱动晶体管T3的源极端子连接。由此，复位晶体管T2在复位脉冲Rst为高电平的期间，使栅极线112和驱动晶体管T3的源极端子导通，由此将栅极线112的电压设定为V2的电压。
驱动晶体管T3向发光元件OLED供给电流。具体而言，驱动晶体管T3的栅极端子经由行选择晶体管T1与信号线111连接，漏极端子与电压VDD(例如10V)的电源线连接，源极端子与发光元件OLED的阳极连接。驱动晶体管T3将供给至栅极端子的电压变换成与该电压的大小对应的电流。由此，驱动晶体管T3在栅极线112的电压为高电平的期间向发光元件OLED供给与供给至信号线111的电压、即基准电压Vreset或者信号电压Vdata对应的电流。
但是，与基准电压Vreset对应的电流不足以使发光元件OLED发光，在驱动晶体管T3的栅极端子的电压V1为基准电压Vreset的情况下，发光元件OLED不发光。另一方面，在V1为信号电压Vdata的情况下，有足够使发光元件OLED发光的电流流动，发光元件OLED以与信号电压Vdata对应的辉度进行发光。
电容元件CS的一端与驱动晶体管T3的栅极端子连接，另一端与驱动晶体管T3的源极端子连接，由此保持驱动晶体管T3的栅极-源极之间的电压。也即是，该电容元件CS能够保持驱动晶体管T3的阈值电压。
接着，使用图3和图4对上述的显示装置100的驱动方法进行说明。
图3是表示实施方式1的显示装置100的动作的定时图。在图3中，横轴表示时间，在纵向上从上方开始依次示出选通脉冲Gate、复位脉冲Rst、驱动晶体管T3的栅极端子的电压V1、驱动晶体管T3的源极端子的电压V2、以及施加于信号线111的信号线电压Sig的波形。
图4是示意表示实施方式1的显示装置100的发光像素110中的电流流动的图。在此，将选通脉冲Gate的高电平电压设为VGate(H)，将选通脉冲Gate的低电平电压设为VGate(L)，将复位脉冲Rst的高电平电压设为VRst(H)，将复位脉冲Rst的低电平电压设为VRst(L)。
在时刻t0以前，发光元件OLED根据前一垂直期间中的信号电压Vdata进行发光。具体而言，V1为前一垂直期间中的信号电压Vdata，根据该信号电压Vdata，驱动晶体管T3向发光元件OLED供给驱动电流。
接着，在时刻t0(复位[1]期间的开始时刻)，使选通脉冲Gate从低电平变成高电平，由此使行选择晶体管T1导通。VGate(L)例如为-5V，VGate(H)例如为12V。
通过行选择晶体管T1导通，信号线111和驱动晶体管T3的栅极端子导通，V1变成与供给至信号线111的电压相等。在时刻t0，由于信号线111的电压为基准电压Vreset，因此在复位[1]期间，V1变成Vreset。在此，Vreset的电压设为满足以下的式1的条件的电压。其中，Vth(EL)为发光元件OLED的发光开始电压，Vth(TFT)为驱动晶体管T3的栅极端子-源极端子之间的阈值电压。
Vreset＜Vth(EL)+Vth(TFT)                   (式1)
也即是，Vreset为使发光元件OLED切实地光猝灭的电压。
另外，此时，由于复位脉冲Rst为低电平，因此复位晶体管T2截止。此时，对于驱动晶体管T3，由于施加于栅极端子的电压为比前一帧的信号电压低的基准电压Vreset，因此能够供给至发光元件的电流减少。由此，V2从前一帧期间中的发光电位变成发光元件OLED的发光开始电压Vth(EL)。
接着，在时刻t1(复位[2]期间的开始时刻)，使选通脉冲Gate变为低电平，使复位脉冲Rst变为高电平。通过使选通脉冲Gate变为低电平，行选择晶体管T1截止，信号线111和驱动晶体管T3的栅极端子变成非导通。另一方面，通过使复位脉冲Rst变为高电平，复位晶体管T2导通，栅极线112和驱动晶体管T3的源极端子导通。由此，V2变成选通脉冲Gate的低电平电压VGate(L)。在此，VGate(L)为满足以下的式2的电压。
VGate(L)＜Vreset-Vth(TFT)                      (式2)
另外，对于V1的电压，由于介于驱动晶体管T3的栅极端子和发光元件OLED的阳极之间的电容元件CS，会与从复位[1]期间到复位[2]期间的V2的电压变动相同程度地发生变化。具体而言，从复位[1]期间到复位[2]期间，V2的电压变化了VGate(L)-Vth(EL)，因此V1的电压变成对复位[1]期间的电压加上了该变动值而得到的Vreset+VGate(L)-V(th)(EL)。
接着，在时刻t2(复位[2]期间的结束时刻)，通过复位脉冲Rst变成低电平，复位晶体管T2截止，因此栅极线112和驱动晶体管T3的源极端子变成非导通。由此，在电容元件CS保持此时的V1和V2的电位差。
在图3的时刻t0～t2示出的复位期间中，需要在电容元件CS的一端从信号线111设定基准电压Vreset，在所述电容元件CS的另一端设定固定电压，在电容元件CS设定预定的电位差的电压。将该复位期间划分成作为复位[1]期间的T1期间(时刻t0～t1)和作为复位[2]期间的T2期间(时刻t1～t2)这两个期间，在期间T1中，在电容元件CS的一端设定基准电压Vreset，另一方面，在期间T2中，在电容元件CS的另一端设定固定电压。
在此，在期间T1中，为了在电容元件CS的一端从信号线111设定基准电压Vreset，需要对栅极线112供给高电平电压VGate(H)而使行选择晶体管T1导通。另一方面，在期间T2中，为了使在电容元件CS的一端设定的基准电压Vreset固定，需要对栅极线112供给低电平电压VGate(L)而使行选择晶体管T1截止。在向栅极线112供给低电平电压VGate(L)时，由于栅极线112以行为单位进行配置，因此以行为单位供给低电平电压VGate(L)。这意味着在T2期间中为与以行为单位设定了固定电压VGate(L)相同的状态。
因此，在复位期间中，在电容元件CS的另一端设定固定电压的期间T2中，将被供给所述低电平电压VGate(L)而变成了固定电位VGate(L)的状态的栅极线112当作预定的电源线，设为将所述电容元件CS的另一端连接于所述栅极线112。
由此，将栅极线112兼用作用于供给固定电位VGate(L)的电源线，经由所述栅极线112向所述电容元件CS的另一端供给固定电位VGate(L)，因此能够消减用于向所述电容元件CS的另一端供给固定电位VGate(L)的电源线。其结果，能够用简单的结构在所述电容元件CS的另一端设定固定电位VGate(L)。
接着，在时刻t3(Vth检测期间的开始时刻)，选通脉冲Gate变成高电平，由此V1再次变成Vreset。此时，在V2产生与电容元件CS和发光元件OLED的阳极-阴极之间的寄生电容的电容比对应的电位变动。其结果，V2变成如式3所示的值。
V2＝αVGate(L)+(1-α)Vth(EL)          (式3)
其中，α＝Cel/(Cs+Cel)。另外，Cs为电容元件CS的电容，Cel为发光元件OLED的阳极-阴极之间的寄生电容。
另外，在此，各电压和电容满足下述的式4和式5。
VGate(L)-(VGate(L)-Vth(EL))·Cs/(Cs+Cel)＜Vth(EL)
                                          (式4)
Vreset-VGate(L)+(VGate(L)-Vth(EL))·Cs/(Cs+Cel)＞Vth(TFT)                                (式5)
式4示出能够无视在OLED中流动的电流的条件：在时刻t3，即使在V2产生与电容比对应的电位变动，V2的电位也为OLED的阈值电压Vth(EL)以下，能够无视在OLED中流动的电流。另外，式5示出即使在时刻t3产生V2的电位变动，在驱动晶体管T3也将阈值电压Vth(TFT)以上的电位差保持在电容元件CS中的条件。在式5中，若V1和V2的电位差为驱动晶体管T3的阈值电压Vth(TFT)以上，则驱动晶体管T3变成导通状态，在驱动晶体管T3中流动电流。也即是，在复位[2]期间中V2满足式2，且在时刻t3满足式4和式5，由此在驱动晶体管T3中流动电流。该电流进行流动，直到V1和V2的电位差变成驱动晶体管T3的阈值电压Vth(TFT)。
在时刻t4，当V1和V2的电位差变成Vth(TFT)时，驱动晶体管T3截止，电流变成不流动。由此，在此，在电容元件CS中保持驱动晶体管T3的阈值电压Vth(TFT)。
之后，在时刻t5～t6的写入期间中，对信号线111施加信号电压Vdata。由此，V1的电压变成Vdata，时刻t5时的V2变为式6的电压。
V2＝(1-α)·(Vdata-Vreset)+Vreset-Vth(TFT)       (式6)
因此，V1和V2的电位差、即驱动晶体管T3的栅极-源极端子之间的电压Vgs用式7表示。
Vgs＝(Vdata-Vreset)+Vth(TFT)       (式7)
也即是，在写入期间中，在Vgs写入了对信号电压Vdata和基准电压Vreset的差加上了阈值电压Vth(TFT)而得到的电压、即补偿了阈值电压Vth(TFT)的电压。
接着，在时刻t6，当选通脉冲Gate成为低电平时，与写入到Vgs的电压对应的电流流向发光元件OLED。也即是，与补偿了阈值电压Vth(TFT)的电压对应的电流流向发光元件OLED，因此能够消除以下问题：由于驱动晶体管3的特性不匀，尽管提供相同的信号电压Vdata，也会产生辉度不均。
如上所述，本实施方式的显示装置100使复位晶体管2介于栅极线112和驱动晶体管T3的源极端子之间，将供给至栅极线112的选通脉冲Gate的低电平的电压作为用于检测驱动晶体管T3的阈值电压的电压。
由此，本实施方式的显示装置100能够通过每个发光像素100三个的晶体管，不扫描电源线而对驱动晶体管T3的阈值电压进行检测，对该阈值电压进行补偿而使发光元件OLED发光。这样，由于对驱动晶体管T3的阈值电压的不匀进行补偿，因此能够消除辉度不均。
另外，选通脉冲Gate的低电平时的电压是驱动晶体管T3的阈值电压Vth(TFT)以上、且比基准电压Vreset低的电压，因此在复位[2]期间中，能够使驱动晶体管T3的源极端子的电压成为驱动晶体管T3的阈值电压Vth(TFT)以上、且比基准电压Vreset低的电压。也即是，能够使复位[2]期间的V2的电压即VGate(L)成为比Vreset-Vth(TFT)低的电压。
因此，在之后的Vth检测期间中，能切实地进行驱动晶体管T3的阈值电压Vth(TFT)的检测。
另外，在复位[2]期间选通脉冲Gate成为低电平之前，在复位[1]期间中，使选通脉冲Gate为高电平，且使复位脉冲Rst为低电平。由此，能够使发光元件OLED光猝灭。具体而言，在不设置复位[1]期间而进行了复位[2]期间的动作的情况下，由于在驱动晶体管T3的栅极端子上施加前一帧期间的信号电压Vdata，因此，在复位期间[2]结束后，由于该信号电压Vdata的设定值，驱动晶体管T3的栅极和源极端子间电压会保持阈值电压Vth(TFT)以上，会流动与Vdata对应的电流。其结果，无法使发光元件OLED光猝灭。如以上说明的那样，通过设置复位[1]期间，使驱动晶体管T3的栅极端子的电压成为基准电压Vreset，因此能够在复位[2]期间中使驱动晶体管T3的栅极和源极端子间电压变成阈值电压Vth(TFT)以下的截止状态、并且切实地使V2的电压变成选通脉冲Gate的低电平电压VGate[L]。
本实施方式的显示装置100也可以经多个水平期间进行阈值电压的检测。由此，能延长用于使阈值电压Vth(TFT)保持在电容元件CS的期间，因此保持于电容元件CS的电压稳定，能够实现高精度的阈值电压补偿。
(实施方式1的变形例)
图5是表示经多个水平期间对阈值电压进行检测的情况下的显示装置100的动作的定时图。在图5中，横轴表示时间，从上方开始依次表示施加于与第1行的发光像素对应的栅极线112的选通脉冲Gate[1]、施加于复位线113的复位脉冲Rst[1]、第1行的像素的V1[1]的电压波形和第1行的像素的V2[1]的电压波形、第2～6行的发光像素的选通脉冲Gate[2]～Gate[6]、第2～6行的发光像素的复位脉冲Rst[2]～Rst[6]、以及信号线111的信号线电压Sig。在图5中示出与多个发光像素110的一列对应的定时图。另外，在与每行对应的选通脉冲Gate[1]～[m]和复位脉冲Rst[1]～[m]中，只示出6行。
信号线驱动部130对信号线111，在各水平期间的后半期间供给基准电压Vreset，在各水平期间的前半期间供给各信号线111所对应的列的显示像素的信号电压Vdata。另外，栅极线驱动部121和复位线驱动部122每次挪1个水平期间，向各栅极线112和各复位线113供给各选通脉冲Gate[1]～[6]和各复位脉冲Rst[1]～[6]。
首先，在时刻t0～t2的复位[1]期间和复位[2]期间中，栅极线驱动部121和复位线驱动部122如在上述实施方式1中说明了的那样，使选通脉冲Gate[1]成为了一次高电平之后使之成为低电平，使复位脉冲Rst[1]成为高电平，由此使V2[1]的电压从基准电压Vreset变为比阈值电压Vth(TFT)低的电压。在栅极线驱动时刻t0的1个水平期间后的时刻t1，第2行的选通脉冲Gate[2]变成高电平，开始第2行的复位[1]期间。
接着，在时刻t3，通过使选通脉冲Gate[1]成为高电平，V1变成基准电压，在驱动晶体管T3中流动电流。因此，V2开始上升。
接着，在时刻t4，第2行的复位线113的复位脉冲Rst[2]和第3行的栅极线112的选通脉冲Gate[3]下降。
以后，仅在各水平期间的后半期间，选通脉冲Gate[1]变成高电平，从而V2变为Vreset-Vth(TFT)。
如上所述，对信号线111，在各水平期间的后半期间供给基准电压Vreset，在各水平期间的前半期间供给与对应的列的发光像素110的辉度对应的Vdata。
由此，在Vth检测期间中，各选通脉冲Gate[1]～Gate[6]在各水平期间的后半期间变成高电平，由此向V1供给基准电压Vreset，因此能够确保为了检测驱动晶体管T3的阈值电压所需要的期间的一部分。这样，各选通脉冲Gate[1]～Gate[6]使在水平期间的后半期间变成高电平的动作在多个电平期间反复，由此能够充分确保阈值电压的检测所需要的时间。
另一方面，各选通脉冲Gate[1]～Gate[6]在各水平期间的前半期间为低电平，由此在各水平期间的前半期间，使信号线111和驱动晶体管T3的栅极端子非导通，不供给信号电压Vdata。
如上所述，本变形例的显示装置将各水平期间的后半期间作为阈值电压Vth(TFT)的检测期间，在多个水平期间反复这样，由此确保阈值电压Vth(TFT)的检测所需要的期间。因此，保持于电容元件CS的电压稳定，其结果，能够进行高精度的阈值电压补偿。
在图5中，将Vth检测期间设成了4个水平期间，但Vth检测期间所需要的水平期间不限于4个水平期间，只要能够确保检测驱动晶体管T3的阈值电压Vth(TFT)所需的足够的时间即可。
(实施方式2)
实施方式2的显示装置大致与实施方式1的显示装置100相同，不同点在于复位晶体管介于驱动晶体管的源极端子与设置在下一行的栅极线之间。由此，即使在将栅极线设成了激活(active，活跃)状态、并且将复位线设成了激活状态的情况下，也能够将驱动晶体管的源极端子的电压设成下一行的栅极线的电压，因此通过将下一行的栅极线的电压设成驱动晶体管的阈值电压值以上、且比基准电压低的电压，能够切实地进行驱动晶体管的阈值电压的检测。也即是，与使复位晶体管与相同行的栅极线连接的情况相比，能够同时进行发光元件的光猝灭、和驱动晶体管的源极端子的电压的设定，因此，能够在1帧期间中将更多的时间分配给驱动晶体管的阈值电压的检测。以下，以实施方式2的显示装置与实施方式1的显示装置100相比的不同点为中心进行叙述。
以下，参照附图对本发明的实施方式2的显示装置进行说明。
图6为表示实施方式2的显示装置的结构的框图。
图6示出的显示装置200与图1示出的显示装置100相比，不同点在于各光像素210还与下一行的栅极线112连接。另外，显示装置200还具备虚设(dummy)栅极线201。
虚设栅极线201与多个发光像素210的最终行的发光像素210连接，与栅极线112同样地通过栅极线驱动部121进行扫描。栅极线驱动部121对虚设栅极线201输出使选通脉冲Gate[m]延迟了1个水平期间的脉冲、即选通脉冲Gate[d]。
图7是表示图6示出的发光像素210的详细结构的电路图。图7示出的发光像素210为设置于第k行的发光像素210。另外，在图7中还示出与发光像素210对应的信号线111、作为第k行的栅极线的栅极线112(k)和作为第k+1行的栅极线的栅极线112(k+1)、以及复位线113。
图7示出的发光像素210与图2示出的发光像素110相比，代替复位晶体管T2而具备复位晶体管T2′。该复位晶体管T2′与实施方式1示出的发光像素110的复位晶体管T2相比，介于驱动晶体管T3的源极端子和下一行的栅极线112(k+1)之间。
通过形成这样的结构，本实施方式的显示装置200的发光像素210能够利用下一行的栅极线112(k+1)的电压设定驱动晶体管T3的源极端子的电位V2。
图8是表示实施方式2的显示装置200的动作的定时图。在图8的纵轴上，与图3的定时图相比，还示出了被供给到下一行的栅极线112(k+1)的选通脉冲Gate[k+1]。选通脉冲Gate[k+1]的低电平电压是表示比Vreset-Vth(TFT)低的值的电压。
首先，在时刻t0，选通脉冲Gate[k]从低电平上升到高电平。另外，复位脉冲Rst也从低电平上升到高电平。由此，行选择晶体管T1导通，同时复位晶体管T2′也导通。
此时，复位晶体管T2′使下一行的栅极线112(k+1)和驱动晶体管T3的源极端子导通，因此V2变成被供给到下一行的栅极线112(k+1)的选通脉冲Gate[k+1]的电压。在该时刻t0，下一行的选通脉冲Gate[k+1]为低电平，V2变成VGate(L)。
另外，通过行选择晶体管T1导通，V1变成信号线111的电压。在时刻t1，由于信号线的电压是基准电压Vreset，因此V1变成Vreset。
这样，本实施方式的显示装置200，即使在使发光像素的同一行的选通脉冲Gate[k]为高电平、且使复位脉冲Rst为高电平的情况下，也能够使驱动晶体管T3的源极端子的电压变成下一行的栅极线112(k+1)的电压。
在此，下一行的选通脉冲Gate[k+1]为低电平，该低电平的电压是比Vreset-Vth(TFT)低的电压，由此能够切实地进行驱动晶体管T3的阈值电压Vth(TFT)的检测。
因此，在实施方式1的显示装置100中，在Vth检测期间之前，需要复位[1]期间和复位[2]期间，但在本实施方式的显示装置200中，与显示装置100相比，能以一半的期间进行用于阈值电压检测的预备动作。
具体而言，在图8的时刻t0～t1示出的复位期间中，需要在电容元件CS的一端从信号线111设定基准电压Vreset，在所述电容元件CS的另一端设定固定电压，在电容元件CS设定预定的电位差的电压。在实施方式1的显示装置100中，为了在电容元件CS设定预定的电位差的电压，划分为作为复位[1]期间的图3的时刻t0～t1、和作为复位[2]期间的图3的时刻t1～t2这两个期间，分成了在电容元件CS的一端设定基准电压Vreset的期间、和在电容元件CS的另一端设定固定电压的期间。与此相对，在本实施方式中，能够同时形成在电容元件CS的一端设定基准电压Vreset的期间、和在电容元件CS的另一端设定固定电压的期间。
在此，在图8的时刻t0～t1，当向电容元件CS的一端供给基准电压Vreset时，需要使行选择晶体管T1导通，选通脉冲Gate[k]需要设成高电平电压VGate(H)。此时，与下一行对应的选通脉冲Gate[k+1]为低电平电压VGate(L)。因此，通过使复位晶体管T2′导通，在电容元件CS的另一端设定选通脉冲Gate[k+1]的电压、即VGate[L]。
也即是，在实施方式1，用于阈值电压检测的预备动作中，将与进行该动作的发光像素110所属于的行对应的栅极线112兼用作用于供给固定电位VGate(L)的电源线。与此相对，在本实施方式中，将与进行用于阈值电压检测的预备动作的发光像素210所属于的行的下一行对应的栅极线112兼用作用于供给固定电位VGate(L)的电源线。由此，本实施方式的显示装置200与实施方式1的显示装置100相比，能够以一半的期间在电容元件CS的另一端设定固定电位VGate(L)。也即是，与显示装置100相比，能够以一半的期间进行用于阈值电压检测的预备动作。
接着，在复位期间的结束时刻、即时刻t1，复位脉冲Rst变成低电平，由此复位晶体管T2′截止，因此，栅极线112(k+1)和驱动晶体管T3的源极端子变为非导通。因此，在电容元件CS保持此时的V1和V2的电位差。
以后的动作与图3中示出的实施方式1的显示装置100的定时图的时刻t3以后是同样的。下一行的选通脉冲Gate[k+1]在时刻t4从低电平变成高电平。也即是，从时刻t4开始下一行的复位期间。
下一行的选通脉冲Gate[k+1]只要在复位脉冲Rst为高电平的期间、即至少复位期间为低电平即可，不限于图8的驱动定时。
另外，本实施方式的显示装置200也可以与实施方式1的变形例同样地经多个水平期间进行阈值电压的检测。
(实施方式2的变形例)
图9是表示经多个电平期间对阈值电压进行检测的情况下的显示装置200的动作的定时图
图9示出的定时图与图5示出的定时图相比，复位需要的期间成为1个水平期间。这样，通过以一半的期间进行用于阈值电压检测的预备动作，与实施方式1相比，能够使Vth检测期间成为更长的期间，因此能够实现高精度的阈值电压补偿。在图9中，将Vth检测期间设成了5个水平期间，但Vth检测期间需要的水平期间不限于5个水平期间，只要能够确保检测驱动晶体管T3的阈值电压Vth(TFT)所需的足够的时间即可。
(实施方式3)
实施方式3的显示装置与实施方式1的显示装置100大致相同，不同点在于：复位晶体管的源极端子和漏极端子的一方、以及电容元件的另一端，经由预定的元件与驱动晶体管的源极端子和漏极端子的一方连接。
具体而言，本实施方式的显示装置具备的多个发光像素各自与实施方式1的显示装置100具备的多个发光像素各自相比较，还具备第2开关晶体管，所述第2开关晶体管具备栅极端子、源极端子以及漏极端子，该源极端子和该漏极端子的一方与复位晶体管的源极端子和漏极端子的一方、以及电容元件的另一端连接，源极端子和漏极端子的另一方与驱动晶体管的源极端子和漏极端子的一方连接。
以下，参照附图对实施方式3的显示装置进行说明。
图10是表示实施方式3的显示装置具有的发光像素的详细结构的电路图。在图10中还示出与发光像素310对应的信号线111、栅极线112、复位线113以及合并(merge)线301。另外，在图10中对本实施方式的显示装置具有的多个发光像素中的1个发光像素的结构进行说明，其他的发光像素也具有同样的结构。
首先，对本实施方式的显示装置的结构进行说明。
本实施方式的显示装置具有与图1示出的显示装置100大致相同的结构，与显示装置100相比，不同点在于：代替发光像素110而具有发光像素310，还具有与多个发光像素310的每一行对应而设置的合并线301。
合并线301与多个发光像素310的每一行对应而设置，从行扫描部120输出合并脉冲Merge。换言之，本实施方式的显示装置的行扫描部与实施方式1的显示装置100的行扫描部120相比，还通过向各合并线301输出合并脉冲Merge，以行为单位对多个发光像素310依次进行扫描。
接着，对图10示出的发光像素的结构进行说明。
发光像素310与实施方式1的显示装置100具有的发光像素110相比，不同点在于：复位晶体管T2的源极端子和漏极端子的一方、以及电容元件CS的另一端，经由合并晶体管Tm与驱动晶体管T3的源极端子连接。具体而言，发光像素310与发光像素110相比，还具备合并晶体管Tm和合并电容CSm。
合并晶体管Tm是本发明的第2开关晶体管，例如是n型的TFT，其具备栅极端子、源极端子、以及漏极端子，该源极端子和该漏极端子的一方与复位晶体管T2的源极端子和漏极端子的一方和电容元件CS的另一端连接，该源极端子和该漏极端子的另一方与驱动晶体管T3的源极端子连接。该合并晶体管Tm的栅极端子与合并线301连接。也即是，合并晶体管Tm根据供给至合并线301的合并脉冲Merge而导通和截止。
合并电容CSm介于合并晶体管Tm、电容元件CS、以及复位晶体管T2的连接点与电压VSS的电源线之间。
通过这样的结构，具有多个发光像素310的本实施方式的显示装置能够抑制由发光元件OLED的寄生电容的不匀引起的驱动晶体管T3供给至发光元件OLED的电流、即像素电流的变动。例如，能够在信号线驱动部130向多个发光像素310供给了相同的信号电压的情况下，抑制各发光像素310的发光元件OLED和驱动晶体管T3的连接点的电位的不匀。因此，能够降低发光元件OLED的寄生电容的影响，能够以与信号电压对应的准确的发光辉度使发光元件OLED发光。
接着，使用图11和图12对本实施方式的显示装置的驱动方法进行说明。
图11是表示实施方式3的显示装置的动作的定时图。在图11的纵轴上，与图3的定时图相比，还示出供给至合并线301的合并脉冲Merge。在图3中，V2为驱动晶体管T3的源极端子的电位，但在图11中，V2为复位晶体管T2的源极端子和漏极端子的一方与电容元件CS的另一端的连接点的电位。
图11示出的各波形中，选通脉冲Gate、复位脉冲Rst、以及信号线电压Sig的波形与图3示出的实施方式1的显示装置100的选通脉冲Gate、复位脉冲Rst、以及信号线电压Sig的波形相同。因此，以合并脉冲Merge、V1和V2的波形为中心进行说明。
首先，在到时刻t5为止的期间中，通过使合并脉冲Merge为高电平，使合并晶体管Tm导通。通过合并晶体管Tm导通，驱动晶体管T3的源极端子和电容元件CS的另一端导通。也即是，在到时刻t5为止的期间中，发光像素310与发光像素110等价。
图12是示意表示实施方式3的显示装置的发光像素310的电流流动的图。在此，将合并脉冲Merge的高电平电压设为VMerge(H)，将合并脉冲Merge的低电平电压设为VMerge(L)。
如上所述，到时刻t5为止的发光像素310的动作与图3示出的发光像素110的到时刻t5为止的动作是同样的，因此图12(a)～(c)中的电流的流动与图4(a)～(c)示出的电流的流动是同样的。
接着，在时刻t5，合并脉冲Merge从高电平下降成低电平。由此，合并晶体管Tm截止。合并脉冲Merge从高电平下降成低电平的定时，只要是V1和V2的电位差变成Vth(TFT)、在驱动晶体管T3中流动的电流停止后即可，不限于图11示出的定时。
之后，在时刻t6～t7(与图3的时刻t5～t6对应)的写入期间中，使合并脉冲Merge保持为低电平，在此情况下对信号线111施加信号电压。
当这样对发光像素310施加了信号电压时，电容元件CS的另一端的电位V2，由施加于电容元件CS的一端的信号电压、与合并电容CSm连接的电源线的电压VSS、电容元件CS的电容Cs、以及合并电容CSm的电容Csm来确定。也即是，V2由电容元件CS的电容Cs和合并电容CSm的电容Csm的容量分配来规定。
与此相对，当向实施方式1的显示装置100的发光像素110施加了信号电压时，V2的电位由施加于V1的信号电压、与发光像素OLED的阴极连接的电源线的电压VSS、电容元件CS的电容Cs、以及发光元件OLED的寄生电容决定。也即是，V2的电位由电容元件CS的电容Cs、以及发光元件OLED的寄生电容规定。但是，发光元件OLED的阳极-阴极间的寄生电容在每个发光元件OLED存在不匀，因此即使在向多个发光像素110供给了相同的信号电压的情况下，发光像素110之间的、发光元件OLED和驱动晶体管T3的连接点的电位也会不相同，会具有不匀。因此，由于发光元件OLED和驱动晶体管T3的连接点的电位的不匀，供给至发光元件OLED的电流也不匀。
本实施方式的显示装置的发光像素310，经由合并晶体管Tm将电容元件CS的另一端和驱动晶体管T3的源极端子连接，在使合并晶体管Tm截止的期间对发光像素310写入信号电压，由此能够降低发光元件OLED的寄生电容对于V2的电位的影响。
另外，在对发光元件310写入信号电压的期间中合并晶体管Tm截止，因此能够抑制电容元件CS的自放电电流。因此，与实施方式1的显示装置100中的发光像素相比，能够精度更高地检测驱动晶体管T3的阈值，并进行修正。
接着，在时刻t7，选通脉冲变成低电平、行选择晶体管T1截止，由此与供给至驱动晶体管T3的栅极端子的电压对应的电流开始流向发光元件OLED。并且，在时刻t8，使合并脉冲Merge从低电平上升为高电平、使合并晶体管Tm导通，由此驱动晶体管T3的源极端子和电容元件Cs连接。由此，在发光元件OLED中流动与驱动晶体管T3的栅极-源极端子之间的电压Vgs对应的电流。换言之，在时刻t6～t7的写入期间中，在发光元件OLED中流动与降低了发光元件OLED的寄生电容的影响的电位V2和电位V1的电位差对应的电流。其结果，能降低发光元件OLED的寄生电容的影响，在发光元件OLED中流动与信号电压准确对应的电流。由此，能够与信号电压对应而使发光元件高精度地发光。
这样，合并晶体管Tm在作为检测驱动晶体管T3的阈值的期间的时刻t3～t4持续导通，在阈值的检测后的时刻t5从导通切换成截止，在作为写入期间的时刻t6～t7持续截止，在写入期间后(时刻t7以后)的时刻t8从截止切换成导通。
如上所述，本实施方式的显示装置具备的多个发光像素310各自与实施方式1的显示装置100具备的多个发光像素110各自相比，还具备合并晶体管Tm，所述合并晶体管Tm具备栅极端子、源极端子、以及漏极端子，该源极端子和该漏极端子的一方与复位晶体管T2的源极端子和漏极端子的一方、以及电容元件CS的另一端连接，该源极端子和该漏极端子的另一方与驱动晶体管T3的源极端子连接。
由此，能够抑制由发光元件OLED的寄生电容的不匀引起的驱动晶体管T3供给至发光元件OLED的电流、即像素电流的变动。也即是，能够在信号线驱动部130向多个发光像素310供给了相同的信号电压的情况下，抑制各发光像素310的驱动晶体管T3的栅极端子和源极端子的电位差的不匀。
因此，能够防止发光元件OLED的寄生电容的影响，能够根据信号电压高精度地使发光元件OLED发光。
在上述说明中，合并电容CSm介于合并晶体管Tm、电容元件CS、以及复位晶体管T2的连接点与电压VSS的电源线之间，但连接的电源线不限于VSS，只要是固定电压即可。例如，合并电容CS也可以介于合并晶体管Tm、电容元件CS、以及复位晶体管T2的连接点与电压VDD的电源线之间。
另外，也可以代替实施方式3的显示装置的发光像素310的复位晶体管T2而具备实施方式2的显示装置的发光像素210示出的复位晶体管T2′。也即是，也可以具备介于与该发光像素的下一行对应的栅极线112和电容元件CS、合并电容CSm、以及合并晶体管Tm的连接点之间的复位晶体管T2′。
另外，在本实施方式的显示装置中，以1个水平期间对阈值电压进行了检测，但与实施方式2的变形例同样地，也可以经多个水平期间对阈值电压进行检测。
以上，基于本发明的实施方式以及变形例进行了说明，但本发明不限于这些实施方式以及变形例。在不脱离本发明的主旨的范围内，对本实施方式和变形例实施本领域的技术人员能够想到的各种变形而得到的方式、通过组合不同的实施方式和变形例中的构成要素而实现的方式也包括在本发明的范围内。
例如，在实施方式2中，第1开关晶体管和复位晶体管分别采用了施加于栅极端子的脉冲为高电平时导通的n型晶体管，但它们也可以由p型晶体管构成，可以使栅极线和复位线的极性反转。
另外，在实施方式3中，合并电容CSm介于合并晶体管Tm、电容元件CS、以及复位晶体管T2的连接点和电压VSS的电源线之间，但合并电容CSm并不一定需要与电源线连接。例如也可以将复位线的低电平输出期间当作电源线，使合并电容CSm与复位线连接。
另外，例如，本发明的显示装置能内置在如图13所示的薄型平板TV中。通过内置本发明的显示装置，实现能够进行没有辉度不均的高精度的图像显示的薄型平板TV。
另外，上述各实施方式的显示装置作为典型的集成电路的一个LSI(大规模集成电路)而得以实现。各实施方式的显示装置所包括的各处理部可以各自形成1个芯片，也可以形成1个芯片以使得包括各处理部的一部分或所有的处理部。
在此，虽然采用了LSI，但由于集成度的不同，有时也会被称为IC、系统LSI、超大规模集成电路、特大规模集成电路。
另外，集成电路化不限于LSI，也可以将显示装置所包括的处理部的一部分集成在与发光像素相同的基板上。另外，也可以通过专用电路或者通用处理器来实现。也可以利用能够在LSI制造后进行编程的FPGA(FieldProgrammable Gate Array，现场可编程门阵列)、或者能够使LSI内部的电路单元的连接和/或设定进行再构成的可重构处理器。
另外，各实施方式的显示装置所包括的驱动部的功能的一部分可以通过CPU等的处理器执行程序来实现。另外，本发明也可以作为包括通过上述驱动部实现的特征性步骤的显示装置的驱动方法来实现。
进一步，本发明可以是上述程序，也可以是记录上述程序的记录介质。另外，上述程序当然也可以经由互联网等的传递介质进行流通。
另外，在上述说明中，以显示装置为有源矩阵型的有机EL显示装置的情况为例进行了叙述，但也可以将本发明应用于有源矩阵型以外的有机EL显示装置，可以应用于使用了电流驱动型的发光元件的有机EL显示装置以外的显示装置，可以应用于液晶显示装置等的使用了电压驱动型的发光元件的显示装置。
另外，在上述实施方式1的变形例和实施方式2的变形例中，将各水平期间的后半期间设为了阈值电压的检测期间，将前半期间设为了信号电压的写入期间，但该检测期间和写入期间的占空比不限于50％。例如，写入期间可以是1个水平期间的10％，检测期间可以是1个水平期间的90％。
另外，在上述实施方式2中，第m行的发光像素110具有的复位晶体管T2′与虚设栅极线201连接，但也可以与第1行～第m行的栅极线112的任一条连接。
另外，在驱动晶体管T3的源极端子和电源线之间可以具备电容元件。
产业上的可利用性
本发明的显示装置特别适于应用于组合了TFT的大画面有源矩阵型的有机EL显示面板。

Claims (16)

1.一种显示装置，具备配置成阵列状的多个发光像素，
所述显示装置具备：
栅极线和复位线，其与所述多个发光像素的每行对应而设置；和
信号线，其与所述多个发光像素的每列对应而设置，
所述多个发光像素各自具备：
第1开关晶体管，其具备栅极端子、源极端子以及漏极端子，所述源极端子和所述漏极端子的一方与所述信号线连接，所述栅极端子与所述栅极线连接；
发光元件，其通过流动电流来进行发光；
驱动晶体管，其具备栅极端子、源极端子以及漏极端子，所述栅极端子与所述第1开关晶体管的源极端子和漏极端子的另一方连接，所述源极端子和所述漏极端子的一方与所述发光元件连接，向所述发光元件供给电流；
复位晶体管，其具备栅极端子、源极端子以及漏极端子，所述栅极端子与所述复位线连接，所述源极端子和所述漏极端子的一方与所述驱动晶体管的源极端子和漏极端子的所述一方连接；以及
电容元件，其一端与所述驱动晶体管的栅极端子连接，另一端与所述驱动晶体管的源极端子和漏极端子的所述一方连接，
所述复位晶体管的源极端子和漏极端子的另一方与对应于所述多个发光像素的某一行而设置的栅极线连接。
2.根据权利要求1所述的显示装置，
还具备驱动部，其在使连接了所述复位晶体管的源极端子和漏极端子的所述另一方的栅极线处于使所述第1开关晶体管截止的非激活状态的期间，使所述复位线处于使所述复位晶体管导通的激活状态。
3.根据权利要求2所述的显示装置，
所述驱动部还向多条所述信号线选择性地供给基准电压和比所述基准电压大的信号电压，
各栅极线的非激活状态下的电压为所述驱动晶体管的阈值电压值以上、且比所述基准电压低的电压。
4.根据权利要求3所述的显示装置，
所述复位晶体管的源极端子和漏极端子的所述另一方与设置于相同行的栅极线连接。
5.根据权利要求4所述的显示装置，
所述驱动部还在使所述设置于相同行的栅极线非激活之前，使所述栅极线处于使所述第1开关晶体管导通的激活状态，并且使所述复位线处于使所述复位晶体管截止的非激活状态。
6.根据权利要求3所述的显示装置，
所述复位晶体管的源极端子和漏极端子的所述另一方与设置于下一行的栅极线连接。
7.根据权利要求1～6中的任一项所述的显示装置，
所述复位晶体管的源极端子和漏极端子的所述一方、以及所述电容元件的所述另一端，经由预定的元件与所述驱动晶体管的源极端子和漏极端子的所述一方连接。
8.根据权利要求7所述的显示装置，
所述多个发光像素各自还具备第2开关晶体管，所述第2开关晶体管具备栅极端子、源极端子以及漏极端子，所述源极端子和所述漏极端子的一方与所述复位晶体管的源极端子和漏极端子的所述一方、以及所述电容元件的所述另一端连接，所述源极端子和所述漏极端子的另一方与所述驱动晶体管的源极端子和漏极端子的所述一方连接。
9.根据权利要求1～8中的任一项所述的显示装置，
所述驱动晶体管、所述第1开关晶体管以及所述复位晶体管各自为n型晶体管元件。
10.根据权利要求1～9中的任一项所述的显示装置，
所述发光元件为有机电致发光元件。
11.一种显示装置的驱动方法，
所述显示装置具备：
多个发光像素，其配置成阵列状；
栅极线和复位线，其与所述多个发光像素的每行对应而设置；
信号线，其与所述多个发光像素的每列对应而设置，被选择性地供给基准电压和比所述基准电压大的信号电压，
所述多个发光像素各自具备：
第1开关晶体管，其具备栅极端子、源极端子以及漏极端子，所述源极端子和所述漏极端子的一方与所述信号线连接，所述栅极端子与所述栅极线连接；
发光元件，其通过流动电流来进行发光；
驱动晶体管，其具备栅极端子、源极端子以及漏极端子，所述栅极端子与所述第1开关晶体管的源极端子和漏极端子的另一方连接，所述源极端子和所述漏极端子的一方与所述发光元件连接，向所述发光元件供给电流；
复位晶体管，其具备栅极端子、源极端子以及漏极端子，所述栅极端子与所述复位线连接，所述源极端子和所述漏极端子的一方与所述驱动晶体管的源极端子和漏极端子的所述一方连接；以及
电容元件，其一端与所述驱动晶体管的所述栅极端子连接，另一端与所述驱动晶体管的源极端子和漏极端子的所述一方连接，
所述复位晶体管的源极端子和漏极端子的另一方与对应于所述多个发光像素的某一行而设置的栅极线连接，
所述显示装置的驱动方法包括复位步骤，所述复位步骤中，通过使所述第1开关晶体管截止，并且使所述复位晶体管导通，使所述驱动晶体管的源极端子和漏极端子的所述一方为所述驱动晶体管的阈值电压值以上、且比所述基准电压低的电压。
12.根据权利要求11所述的显示装置的驱动方法，还包括：
检测步骤，在所述复位步骤之后，通过使所述第1开关晶体管导通，对所述驱动晶体管的阈值电压进行检测；
保持步骤，使通过检测步骤检测出的所述阈值电压保持于所述电容元件；
写入步骤，在所述保持步骤之后，向所述驱动晶体管的栅极端子供给用于使所述发光元件发光的信号电压；以及
发光步骤，在所述写入步骤之后，通过使所述第1开关晶体管截止，使与所述驱动晶体管的栅极端子和源极端子之间的电位差对应的电流在所述发光元件中流动，使所述发光元件发光。
13.根据权利要求12所述的显示装置的驱动方法，
所述检测步骤包括：
第1子步骤，使所述第1开关晶体管导通；和
第2子步骤，在所述第1子步骤之后，使所述第1开关晶体管截止，
在所述第2子步骤之后，使所述第1子步骤和所述第2子步骤至少反复一次。
14.根据权利要求13所述的显示装置的驱动方法，
在所述第1子步骤中，向设置于与所述第1开关晶体管相同的列的所述信号线供给所述基准电压，
在所述第2子步骤中，向所述信号线供给所述信号电压或者所述基准电压。
15.根据权利要求12～14中的任一项所述的显示装置的驱动方法，
所述多个发光像素各自还具备第2开关晶体管，所述第2开关晶体管具备栅极端子、源极端子以及漏极端子，所述源极端子和所述漏极端子的一方与所述复位晶体管的源极端子和漏极端子的所述一方、以及所述电容元件的所述另一端连接，所述源极端子和所述漏极端子的另一方与所述驱动晶体管的源极端子和漏极端子的所述一方连接，
在所述检测步骤中，
在使所述第2开关晶体管导通了的状态下，使所述第1开关晶体管导通，对所述驱动晶体管的阈值电压进行检测，
在所述保持步骤中，
通过将所述第2开关晶体管从导通切换成截止，使通过所述检测步骤检测出的所述阈值电压保持于所述电容元件，
在所述写入步骤中，
通过在所述第1开关晶体管导通的期间向所述信号线供给所述信号电压，在使所述第2开关晶体管截止了的状态下向所述驱动晶体管的栅极端子供给所述信号电压，
在所述发光步骤中，
在将所述第1开关晶体管从导通切换成了截止之后，通过将所述第2开关晶体管从截止切换成导通，使与所述驱动晶体管的栅极端子和源极端子之间的电位差对应的电流在所述发光元件中流动，使所述发光元件发光。
16.根据权利要求11～15中的任一项所述的显示装置的驱动方法，
所述复位晶体管的源极端子和漏极端子的所述另一方与设置于相同行的栅极线连接，
所述显示装置的驱动方法还包括光猝灭步骤，所述光猝灭步骤中，通在所述复位步骤之前，使所述第1开关晶体管导通，并且使所述复位晶体管截止，使所述发光元件光猝灭。
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