CN102377404B - 阻抗可变匹配电路 - Google Patents

阻抗可变匹配电路 Download PDF

Info

Publication number
CN102377404B
CN102377404B CN201110226459.XA CN201110226459A CN102377404B CN 102377404 B CN102377404 B CN 102377404B CN 201110226459 A CN201110226459 A CN 201110226459A CN 102377404 B CN102377404 B CN 102377404B
Authority
CN
China
Prior art keywords
variable
capacitance element
capacitance
series
fixed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201110226459.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN102377404A (zh
Inventor
福田敦史
冈崎浩司
楢桥祥一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NTT Docomo Inc
Original Assignee
NTT Docomo Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NTT Docomo Inc filed Critical NTT Docomo Inc
Publication of CN102377404A publication Critical patent/CN102377404A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102377404B publication Critical patent/CN102377404B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/38Impedance-matching networks
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H1/00Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
    • H03H2001/0021Constructional details
    • H03H2001/0064Constructional details comprising semiconductor material
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H2007/006MEMS
    • H03H2007/008MEMS the MEMS being trimmable
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/38Impedance-matching networks
    • H03H2007/386Multiple band impedance matching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Networks Using Active Elements (AREA)
  • Filters And Equalizers (AREA)
  • Microwave Amplifiers (AREA)

Abstract

一种阻抗可变匹配电路,包括:固定电感性元件和第一可变电容元件的串联连接或并联连接;以及与所述串联连接或并联连接串联连接的第二可变电容元件,并且可通过改变各个可变电容元件的电容从而改变电路的电纳。

Description

阻抗可变匹配电路
技术领域
本发明涉及放大器等中所利用的阻抗可变匹配电路。
背景技术
功率放大器高效率地将发送信号放大到系统所要求的功率。通常,包含功率放大器的无线电路被设计为与特定的负载(阻抗Z0)匹配。但是,尤其在移动台的情况下,功率放大器的表面上的负载因天线周边的电磁环境的变动而变动,因此存在输出功率和效率降低的情况。因此,有在功率放大器和天线之间连接调谐器从而降低负载变动导致的劣化的技术。调谐器由可变器件(可变电感性元件和可变电容性元件)构成,作为最简单的电路结构,考虑图14A~图14D所示的三个元件组合的电路。通过这样的电路结构,在计算上可以应对任意的负载变动。
为了应对充分宽的负载变动范围,要求充分宽的可变器件的可变范围。但是虽然计算上可以考虑,但目前可变电感性元件尚未达到商用水平。从而,实际上难以构成图14A~图14D所示的电路。因此,为了应对充分宽的负载变动的范围,需要增加使用的元件数等处理。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够不使用可变电感性元件而像使用了可变电感性元件那样调节阻抗,从而能够以很少的元件数应对宽范围的负载变动的阻抗可变匹配电路。
本发明的阻抗可变匹配电路,包括:固定电感性元件和第一可变电容元件的串联连接或并联连接;以及与所述串联连接或并联连接串联连接的第二可变电容元件,并可以通过改变各个可变电容元件的电容从而改变电路的电纳。
根据本发明的阻抗可变匹配电路,能够不使用可变电感性元件而像使用了可变电感性元件那样调节阻抗。因此,能够以很少的元件数应对宽范围的负载变动。
附图说明
图1是表示本发明的阻抗可变匹配电路100的结构例的图。
图2是表示在本发明的阻抗可变匹配电路100中并用固定电容元件的情况下的结构例的图。
图3是表示在本发明的阻抗可变匹配电路100中的可变电容值-电纳绝对值特性的图。
图4是表示基于图1的结构的可应对两个频带的阻抗可变匹配电路的结构例的图。
图5是表示基于图2的结构的可应对两个频带的阻抗可变匹配电路的结构例的图。
图6是表示在阻抗可变匹配电路中将开关切换到Lp1o_1侧时、输入信号频率2GHz中的可变电容值-电纳绝对值特性的图。
图7是表示在图4的阻抗可变匹配电路中将开关切换到Lp1o_2侧时、输入信号频率2GHz中的可变电容值-电纳绝对值特性的图。
图8是表示本发明的阻抗可变匹配电路200的结构例的图。
图9是表示在本发明的阻抗可变匹配电路200中并用固定电容元件的情况下的结构例的图。
图10是表示在本发明的阻抗可变匹配电路200中的可变电容值-电纳绝对值特性的图。
图11是表示本发明的阻抗可变匹配电路300的结构例的图。
图12是表示在本发明的阻抗可变匹配电路300中并用固定电容元件的情况下的结构例的图。
图13是表示在本发明的阻抗可变匹配电路300中的可变电容值-电抗绝对值特性的图。
图14A是表示以往的阻抗可变匹配电路的第一结构例的图。
图14B是表示以往的阻抗可变匹配电路的第二结构例的图。
图14C是表示以往的阻抗可变匹配电路的第三结构例的图。
图14D是表示以往的阻抗可变匹配电路的第四结构例的图。
具体实施方式
以下,详细说明本发明的实施方式。
[实施例1]
图1表示本发明的阻抗可变匹配电路100的结构例。阻抗可变匹配电路100的结构为通过一个固定电感性元件和两个可变电容元件代替图14A的可变匹配电路中的可变电感性元件Lp1的作用。
阻抗可变匹配电路100包括:可变电容元件Cs1和可变电容元件Cs2的串联连接;以及固定电感性元件Lp1o和可变电容元件Cp1的串联连接与可变电容元件Cp2的串联连接。固定电感性元件Lp1o和可变电容元件Cp1的串联连接与可变电容元件Cp2的串联连接的两端接地。可变电容元件Cs1和可变电容元件Cs2的串联连接的连接点,和固定电感性元件Lp1o和可变电容元件Cp1的串联连接与可变电容元件Cp2的串联连接的连接点连接。
固定电感性元件Lp1o是电感为Lp1o的固定电感器。可变电容元件Cp1、Cp2分别是电容为Cp1、Cp2的可变电容元件。各个可变电容元件可由半导体实现,也可以通过MEMS技术的应用实现,制法、构成法没有限制。
在ω为输入信号的角频率时,通过下式提供固定电感性元件Lp1o和可变电容元件Cp1的串联连接的导纳Yp1
Y p 1 = jω C p 1 1 - ω 2 L p 1 o C p 1 - - - ( 1 )
此外,可变电容元件Cp2的导纳Yp2通过下式提供。
Yp2=jωCp2            (2)
从而,Yp1、Yp2的合成导纳Yp成为如下式这样。
Y p = jω C p 1 1 - ω 2 L p 1 o C p 1 + jω C p 2 - - - ( 3 )
因此,在下式的关系成立的情况下,Yp成为电感性导纳。
-∞<Yp≤0             (4)
此时,通过式(3)和式(4)得到下式。
1-ω2Lp1oCp1≤0                    (5a)
- &infin; < j&omega; C p 1 1 - &omega; 2 L p 1 o C p 1 + j&omega; C p 2 &le; 0 - - - ( 5 b )
进而,通过式(5a)和式(5b)得到下式。
C p 1 &GreaterEqual; 1 &omega; 2 L p 1 o - - - ( 6 a )
C p 2 &le; C p 1 &omega; 2 L p 1 o C p 1 - 1 - - - ( 6 b )
这里,将式(6b)的右边通过Cp1进行微分则得到下式。
1 d C p 1 { C p 1 &omega; 2 L p 1 o C p 1 - 1 } = - 1 ( &omega; 2 L p 1 o C p 1 - 1 ) 2 < 0 - - - ( 7 )
从而,式(6b)的右边对于Cp1单调减少,因此在将Cp1设为Cp1的最大值Cp1max的情况下,Cp2的最大值Cp2max成为最小。因此,Cp1和Cp2所要求的范围成为如下式这样。
0 &le; C pl min &le; 1 &omega; 2 L p 1 o 并且 1 &omega; 2 L p 1 o < C pl max - - - ( 8 a )
C p 2 min < 1 &omega; 2 L p 1 o 并且 1 &omega; 2 L p 1 o &le; C p 2 max - - - ( 8 b )
通过以上,在Cp1处于式(8a)的范围内并且Cp2处于式(8b)的范围内时,Yp成为电感性导纳。因此,一个固定电感性元件Lp1o和两个可变电容元件Cp1、Cp2的组可以像可变电感性元件这样起作用。从而,可以代替图14A的可变匹配电路中的可变电感性元件Lp1的功能。另外,通常的可变电容元件有元件固有的可变宽度,因此若将该可变宽度设为Δp1、Δp2则Cp1、Cp2使用具有下式的可变范围的可变电容元件即可。
Cp1min≤Cp1≤Cp1minp1=Cp1max    (9a)
Cp2min=Cp2maxp2≤Cp2≤Cp2max    (9b)
另外,可变电容元件的电容的绝对值越小则越小型。因此,为了减少电容的绝对值,如图2所示,考虑可变电容元件Cp1由固定电容元件Cp1o(0<Cp1o≤Cp1min)和与其并联设置的可变电容元件Cp1’构成,同样可变电容元件Cp2由固定电容元件Cp2o(0<Cp2o≤Cp2maxp2)和与其并联设置的可变电容元件Cp2’构成。通过这样构成,如下式所示,可以使使用的可变电容元件Cp1’、Cp2’的电容的绝对值比式(9a)、(9b)所示的Cp1、Cp2的电容的绝对值分别小Cp1o、Cp2o。通过这样构成,可以使用更小型的可变电容元件。
Cp1min-Cp1o≤Cp1′≤Cp1min-Cp1op1        (10a)
Cp2maxp2-Cp2o≤Cp2′≤Cp2max-Cp2o        (10b)
接着,在通过图1的结构使一个固定电感性元件Lp1o和两个可变电容元件Cp1、Cp2的组可以像可变电感性元件这样起作用时,计算通过改变Cp1和Cp2而得到的电纳的可变宽度。此外,在要仅通过电感器达到该可变宽度的情况下,确认相当于多大程度的电感宽度。
作为例子,计算在输入信号的频率为1GHz,Lp1o为2nH的情况下要求的Cp1和Cp2。通过式(8a),Cp1min成为约12.7pF。为了使说明简单,若将Cp1min设为12pF,并设为Δp1=9pF,则成为12≤Cp1≤21pF。此时,由于Cp1max为21pF,因此通过式(8b),Cp2max成为31.9pF。为了使说明简单,若将Cp2max设为32pF,并设为Δp2=9pF,则成为23≤Cp2≤32pF。图3中表示在将图1的Cp1和Cp2分别分离为Cp1’+Cp1o和Cp2’+Cp2o的图2的结构中,设为Cp1o=12pF,Cp2o=23pF,将可变电容值Cp1’、Cp2’分别在Δp1、Δp2的范围(0~9pF)中变化时的电纳的绝对值进行的描点(可变电容值-电纳绝对值特性)。●记号是将Cp2固定为Cp2min(=23pF),从而通过改变Cp1’而得到的描点。■记号是将Cp1固定为Cp1max(=21pF),从而通过改变Cp2’而得到的描点。另外,没有描点的线表示在0~10nH的范围内改变相当于图14A的可变电感性元件Lp1的电感值时的电纳的绝对值。从图3可知,在输入信号的频率=1GHz、Lp1o=2nH、Cp1=12~21pF、Cp2=23~32pF时,通过改变Cp1的值和Cp2的值,从而可改变与将电感值Lp1改变10nH以上的情况同等的电纳值。
另外,在实施例1中,说明了将图14A的结构变形为不使用可变电感性元件的结构的方法。在图14B的结构中,也可以通过与实施例1同样的方法变形为不使用可变电感性元件的结构。
如以上这样,根据本发明的阻抗可变匹配电路100,能够不使用可变电感性元件而像使用了可变电感性元件那样调整阻抗。因此,能够以很少的元件数应对宽范围的负载变动。
[变形例]
在本发明的阻抗可变匹配电路100中,设为对于固定电感性元件Lp1o以及固定电容元件Cp1o、Cp2o,可通过开关切换对每个使用频带最佳化了的元件,从而能够构成在多个频带中能使用的阻抗可变匹配电路。图4、图5是分别根据图1、图2的结构构成在两个频带中可使用的阻抗可变匹配电路150的例子。图4是可根据使用频带而通过两个SPDT开关切换固定电感性元件Lp1o_1和固定电感性元件Lp1o_2的图。图5是可根据使用频带而通过两个SPDT开关切换固定电感性元件Lp1o_1和固定电感性元件Lp1o_2、固定电容元件Cp1o_1和固定电容元件Cp1o_2以及固定电容元件Cp2o_1和固定电容元件Cp2o_2
在图4的结构中,确认将Lp1o_1设为2nH、将Lp1o_2设为0.5nH、将各个可变电容元件的电容值与图3的情况同样改变时的可变电容值-电纳绝对值特性。首先,在将开关切换到Lp1o_1侧时,电路结构与图1相同。因此,在输入了频率1GHz的信号的情况下的可变电容值-电纳绝对值特性如图3这样。而在输入了频率2GHz的信号的情况下的可变电容值-电纳绝对值特性如图6这样。从图6可知,与输入信号的频率为1GHz的情况相比,可取的电纳的绝对值的范围变窄。另一方面,图7是将开关切换到Lp1o_2侧,并输入了频率2GHz的信号的情况下的可变电容值-电纳绝对值特性。从图7可知,通过使用在输入信号的频率为2GHz的情况下最佳化了的Lp1o_2,在2GHz中也得到了与1GHz同等的电纳的绝对值。
[实施例2]
图8表示本发明的阻抗可变匹配电路200的结构例。阻抗可变匹配电路200与实施例1同样地,通过一个固定电感性元件和两个可变电容元件代替图14A的可变匹配电路中的可变电感性元件Lp1的功能的其他结构。
阻抗可变匹配电路200包括可变电容元件Cs1和可变电容元件Cs2的串联连接、以及固定电感性元件Lp1o和可变电容元件Cp1的并联连接与可变电容元件Cp2的串联连接。固定电感性元件Lp1o和可变电容元件Cp1的并联连接与可变电容元件Cp2的串联连接的一端连接到可变电容元件Cs1和可变电容元件Cs2的连接点,另一端接地。
固定电感性元件Lp1o是电感为Lp1o的固定电感器。可变电容元件Cp1、Cp2分别是电容为Cp1、Cp2的可变电容元件。各个可变电容元件可由半导体实现,也可以通过MEMS技术的应用实现,制法、构成法没有限制。
通过下式提供固定电感性元件Lp1o和可变电容元件Cp1的并联连接的阻抗Zp1
Z p 1 = j &omega;L p 1 o 1 - &omega; 2 L p 1 o C p 1 - - - ( 11 )
此外,可变电容元件Cp2的阻抗Zp2通过下式提供。
Z p 2 = 1 j&omega; C p 2 - - - ( 12 )
从而,Zp1、Zp2的合成阻抗Zp成为如下式这样。
Z p = j &omega;L p 1 o 1 - &omega; 2 L p 1 o C p 1 + 1 j&omega; C p 2 - - - ( 13 )
因此,在下式的关系成立的情况下,Zp成为电感性阻抗。
0≤Zp<∞              (14)
此时,通过式(13)和式(14)得到下式。
1-ω2Lp1oCp1≥0        (15a)
0 &le; &omega; L p 1 o 1 - &omega; 2 L p 1 o C p 1 - 1 &omega;C p 2 < &infin; - - - ( 15 b )
进而,通过式(15a)和式(15b)得到下式。
C p 1 &le; 1 &omega; 2 L p 1 o - - - ( 16 a )
C p 2 &GreaterEqual; 1 - &omega; 2 L p 1 o C p 1 &omega; 2 L p 1 o - - - ( 16 b )
这里,将式(16b)的右边通过Cp1进行微分则得到下式。
1 dC p 1 { 1 - &omega; 2 L p 1 o C p 1 &omega; 2 L p 1 o } = - 1 - - - ( 17 )
从而,式(16b)的右边对于Cp1单调减少,因此在将Cp1设为Cp1的最小值Cp1min的情况下,Cp2的最小值Cp2min成为最大。因此,Cp1和Cp2所要求的范围成为如下式这样。
C p 1 min < 1 &omega; 2 L p 1 o 并且 1 &omega; 2 L p 1 o &le; C p 1 max - - - ( 18 a )
0 &le; C p 2 min &le; 1 - &omega; 2 L p 1 o C p 1 min &omega; 2 L p 1 o 并且 1 - &omega; 2 L p 1 o C p 1 min &omega; 2 L p 1 o < C p 2 max - - - ( 18 b )
通过以上,在Cp1处于式(18a)的范围内并且Cp2处于式(18b)的范围内时,Zp成为电感性阻抗。因此,一个固定电感性元件Lp1o和两个可变电容元件Cp1、Cp2的组可以像可变电感性元件这样起作用。从而,可以代替图14A的可变匹配电路中的可变电感性元件Lp1的功能。另外,通常的可变电容元件有元件固有的可变宽度,因此若将该可变宽度设为Δp1、Δp2,则Cp1、Cp2使用具有下式的可变范围的可变电容元件即可。
Cp1min=Cp1maxp1≤Cp1≤Cp1max         (19a)
Cp2min≤Cp2≤Cp2minp2=Cp2max         (19b)
另外,可变电容元件的电容的绝对值越小则越小型。因此,为了减少电容的绝对值,如图9所示,可变电容元件Cp1由固定电容元件Cp1o(0<Cp1o≤Cp1maxp1)和与其并联设置的可变电容元件Cp1’构成。此外,同样可变电容元件Cp2由固定电容元件Cp2o(0<Cp2o≤Cp2min)和与其并联设置的可变电容元件Cp2’构成。通过这样构成,如下式所示,可以使使用的可变电容元件Cp1’、Cp2’的绝对值比式(19a)、(19b)所示的Cp1、Cp2的绝对值分别小Cp1o、Cp2o。因此,可以使用更小型的可变电容元件。
Cp1max-Cp1op1≤Cp1′≤Cp1max-Cp1o    (20a)
Cp2min-Cp2o≤Cp2′≤Cp2minp2-Cp2o    (20b)
接着,在通过图8的结构使一个固定电感性元件Lp1o和两个可变电容元件Cp1、Cp2的组可以像可变电感性元件这样起作用时,计算通过改变Cp1和Cp2而得到的电纳的可变宽度。此外,在要仅通过电感器达到该可变宽度的情况下,确认相当于多大程度的电感的可变宽度。
作为例子,计算在输入信号的频率为1GHz,Lp1o为2nH的情况下要求的Cp1和Cp2。通过式(18a),Cp1max成为约12.7pF。为了使说明简单,若将Cp1max设为13pF,并设为Δp1=9pF,则成为4≤Cp1≤13pF。此时,由于Cp1min为4pF,因此通过式(18b),Cp2min成为8.7pF以上。为了使说明简单,若将Cp2min设为8pF,并设为Δp2=9pF,则成为8≤Cp2≤17pF。图10中表示在将图8的Cp1和Cp2分别分离为Cp1’+Cp1o和Cp2’+Cp2o的图9的结构中,设为Cp1o=4pF,Cp2o=8pF,将可变电容值Cp1’、Cp2’分别在Δp1、Δp2的范围(0~9pF)中变化时的电纳的绝对值进行的描点(可变电容值-电纳绝对值特性)。●记号是将Cp2固定为Cp2max(=17pF),从而通过改变Cp1’而得到的描点。■记号是将Cp1固定为Cp1min(=4pF),从而通过改变Cp2’而得到的描点。另外,没有描点的线表示在0~10nH的范围内改变相当于图14A的可变电感性元件Lp1的电感值时的电纳的绝对值。从图10可知,在输入信号的频率=1GHz、Lp1o=2nH、Cp1=4~13pF、Cp2=8~17pF时,通过改变Cp1的值和Cp2的值,从而可改变与将电感值Lp1改变10nH以上的情况同等的电纳值。
另外,在实施例2中,也说明了将图14A的结构变形为不使用可变电感性元件的结构的方法,但对于图14B的结构,也可以通过与实施例2同样的方法变形为不使用可变电感性元件的结构。
如以上这样,根据本发明的阻抗可变匹配电路200,能够不使用可变电感性元件而像使用了可变电感性元件那样调整阻抗。因此,能够以很少的元件数应对宽范围的负载变动。另外,在要求的电纳值更为限定的情况下,也可以将Cp2置换为固定电容。此外,在实施例2中,也可以通过作为实施例1的变形例而示出的结构,构成能在多个频带中使用的阻抗可变匹配电路。
[实施例3]
图11表示本发明的阻抗可变匹配电路300的结构例。阻抗可变匹配电路300的结构为通过一个固定电感性元件和两个可变电容元件代替图14D的可变匹配电路中的可变电感性元件Ls1的作用。
阻抗可变匹配电路300包括:固定电感性元件Ls1o和可变电容元件Cs1的并联连接与可变电容元件Cs2的串联连接;一端连接到所述串联连接的一端、另一端接地的可变电容元件Cp1;以及一端连接到所述串联连接的另一端、另一端接地的可变电容元件Cp2
固定电感性元件Ls1o是电感为Ls1o的固定电感器。可变电容元件Cs1、Cs2分别是电容为Cs1、Cs2的可变电容元件。这里,各个元件的条件与将实施例2所示的固定电感性元件Lp1o置换为固定电感性元件Ls1o,将可变电容元件Cp1置换为可变电容元件Cs1将可变电容元件Cp2置换为可变电容元件Cs2的情况相等。此外,可变电容元件Cs1、Cs2分别由固定电容元件Cs1o、Cs2o和电容更小的可变电容元件Cs1’、Cs2’的并联连接构成,从而可以使用小型的可变电容元件。此时,对应于可变电容元件Cs1、Cs2的固定电容元件Cs1o、Cs2o和可变电容元件Cs1’、Cs2’的各个容量可以通过在实施例2所示的求与Cp1、Cp2对应的Cp1o、Cp2o和Cp1’、Cp2’的方法中,将Cp1、Cp2、Cp1o、Cp2o、Cp1’和Cp2’分别置换为Cs1、Cs2、Cs1o、Cs2o、Cs1’和Cs2’而求出。
另外,各个可变电容元件可由半导体实现,也可以通过MEMS技术的应用实现,制法、构成法没有限制。
接着,在通过图11的结构使一个固定电感性元件Ls1o和两个可变电容元件Cs1、Cs2的组可以像可变电感性元件这样起作用时,计算通过改变Cs1和Cs2而得到的电抗的可变宽度,在要仅通过电感器达到该可变宽度的情况下,确认相当于多大程度的电感的可变宽度。
作为例子,计算在输入信号的频率为1GHz,Ls1o为2nH的情况下要求的Cs1和Cs2。通过式(18a),Cs1max成为约12.7pF。为了使说明简单,若将Cs1max设为13pF,并设为Δs1=9pF,则成为4≤Cs1≤13pF。此时,由于Cs1min为4pF,因此通过式(18b),Cs2成为8.7pF以上。为了使说明简单,若将Cs2min设为8pF,并设为Δs2=9pF,则成为8≤Cs2≤17pF。图13中表示在将图11的Cs1和Cs2分别分离为Cs1’+Cs1o和Cs2’+Cs2o的图12的结构中,设为Cs1o=4pF,Cs2o=8pF,将可变电容值Cs1’、Cs2’分别在Δs1、Δs2的范围(0~9pF)中变化时的电抗值进行的描点(可变电容值-电抗值特性)。●记号是将Cs2固定为Cs2max(=17pF),从而通过改变Cs1’而得到的描点。■记号是将Cs1固定为Cs1min(=4pF),从而通过改变Cs2’而得到的描点。另外,没有描点的线表示在0~10nH的范围内改变相当于图14D的可变电感性元件Ls1的电感值时的电抗值。从图13可知,在输入信号的频率=1GHz、Ls1o=2nH、Cs1=4~13pF、Cs2=8~17pF时,通过改变Cs1的值和Cs2的值,从而可改变与将电感值Ls1改变10nH以上的情况同等的电抗值。
另外,在实施例3中,说明了将图14D的结构变形为不使用可变电感性元件的结构的方法,但对于图14C的结构,也可以通过与实施例3同样的方法变形为不使用可变电感性元件的结构。
如以上这样,根据本发明的阻抗可变匹配电路300,能够不使用可变电感性元件而像使用了可变电感性元件那样调整阻抗,因此,能够以很少的元件数应对宽范围的负载变动。
以上说明的本发明的阻抗可变匹配电路100、150、200、300的各个构成要素的功能分担不限定于各个实施例所示的功能分担,在不脱离本发明的范围内可以适当变更。

Claims (6)

1.一种阻抗可变匹配电路,包括:
固定电感性元件和第一可变电容元件的串联连接;
与所述串联连接进行串联连接的第二可变电容元件;以及
第三可变电容元件和第四可变电容元件的串联连接,
通过改变各个可变电容元件的电容从而改变电路的电纳,
所述固定电感性元件和第一可变电容元件的串联连接与所述第二可变电容元件的串联连接的两端接地,
所述第三可变电容元件和第四可变电容元件的串联连接的连接点、和所述固定电感性元件和第一可变电容元件的串联连接与所述第二可变电容元件的串联连接的连接点连接。
2.如权利要求1所述的阻抗可变匹配电路,其特征在于,还包括:
一端与第一可变电容元件的一端连接、另一端与第一可变电容元件的另一端连接的第一固定电容元件;以及
一端与第二可变电容元件的一端连接、另一端与第二可变电容元件的另一端连接的第二固定电容元件,
所述第一固定电容元件的电容值Cp1o
o<cp1o≤Cp1min
C p 1 min &le; 1 &omega; 2 L p 1 o
ω是输入信号的角频率,Cp1min是Cp1o和第一可变电容元件的电容值之和的最小值,Lp1o是固定电感性元件的电感,
所述第二固定电容元件的电容值Cp2o
0<Cp2o≤Cp2maxp2
C p 2 max &GreaterEqual; 1 &omega; 2 L p 1 o
Cp2max是Cp2o和第二可变电容元件的电容值之和的最大值,Δp2是第二可变电容元件可取的可变宽度。
3.一种阻抗可变匹配电路,包括:
固定电感性元件和第一可变电容元件的并联连接;
与所述并联连接进行串联连接的第二可变电容元件;以及
第三可变电容元件和第四可变电容元件的串联连接,
通过改变各个可变电容元件的电容从而改变电路的电纳,
所述固定电感性元件和第一可变电容元件的并联连接与所述第二可变电容元件的串联连接的一端,连接到所述第三可变电容元件和第四可变电容元件的串联连接的连接点,另一端接地。
4.如权利要求3所述的阻抗可变匹配电路,其特征在于,还包括:
一端与第一可变电容元件的一端连接、另一端与第一可变电容元件的另一端连接的第一固定电容元件;以及
一端与第二可变电容元件的一端连接、另一端与第二可变电容元件的另一端连接的第二固定电容元件,
所述第一固定电容元件的电容值Cp1o
0<Cp1o≤Cp1maxp1
C p 1 max &GreaterEqual; 1 &omega; 2 L p 1 o
ω是输入信号的角频率,Lp1o是固定电感性元件的电感,Cp1max是Cp1o和第一可变电容元件的电容值之和的最大值,Δp1是第一可变电容元件可取的可变宽度,
所述第二固定电容元件的电容值Cp2o
0<Cp2o≤Cp2min
C p 2 min &le; 1 - &omega; 2 L p 1 o C p 1 min &omega; 2 L p 1 o
C p 1 mi n < 1 &omega; 2 L p 1 o
Cp1min是Cp1o和第一可变电容元件的电容值之和的最小值,Cp2min是Cp2o和第二可变电容元件的电容值之和的最小值。
5.一种阻抗可变匹配电路,包括:
固定电感性元件和第一可变电容元件的并联连接;
与所述并联连接进行串联连接的第二可变电容元件;以及
第三可变电容元件和第四可变电容元件,
通过改变各个可变电容元件的电容从而改变电路的电纳,
所述第三可变电容元件的一端连接到所述固定电感性元件和第一可变电容元件的并联连接与所述第二可变电容元件的串联连接的一端,另一端接地,
所述第四可变电容元件的一端连接到所述固定电感性元件和第一可变电容元件的并联连接与所述第二可变电容元件的串联连接的另一端,另一端接地。
6.如权利要求5所述的阻抗可变匹配电路,其特征在于,还包括:
一端与第一可变电容元件的一端连接、另一端与第一可变电容元件的另一端连接的第一固定电容元件;以及
一端与第二可变电容元件的一端连接、另一端与第二可变电容元件的另一端连接的第二固定电容元件,
所述第一固定电容元件的电容值Cs1o
0<Cs1o≤Cs1maxs1
C s 1 max &GreaterEqual; 1 &omega; 2 L s 1 o
ω是输入信号的角频率,Ls1o是固定电感性元件的电感,Cs1max是Cs1o和第一可变电容元件的电容值之和的最大值,Δs1是第一可变电容元件可取的可变宽度,
所述第二固定电容元件的电容值Cs2o为
0<Cs2o≤Cs2min
C s 2 min &le; 1 - &omega; 2 L s 1 o C s 1 min &omega; 2 L s 1 o
C s 1 min < 1 &omega; 2 L s 1 o
Cs1min是Cs1o和第一可变电容元件的电容值之和的最小值,Cs2min是Cs2o和第二可变电容元件的电容值之和的最小值。
CN201110226459.XA 2010-08-09 2011-08-09 阻抗可变匹配电路 Expired - Fee Related CN102377404B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010-178898 2010-08-09
JP2010178898A JP5498314B2 (ja) 2010-08-09 2010-08-09 インピーダンス可変整合回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102377404A CN102377404A (zh) 2012-03-14
CN102377404B true CN102377404B (zh) 2014-07-02

Family

ID=44674224

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110226459.XA Expired - Fee Related CN102377404B (zh) 2010-08-09 2011-08-09 阻抗可变匹配电路

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20120032751A1 (zh)
EP (1) EP2418772A3 (zh)
JP (1) JP5498314B2 (zh)
KR (1) KR101295229B1 (zh)
CN (1) CN102377404B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9064631B2 (en) * 2012-01-13 2015-06-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Through-chip interface (TCI) structure for wireless chip-to-chip communication
KR101353228B1 (ko) * 2012-04-27 2014-01-20 삼성전기주식회사 가변 커패시터 모듈
CN105471404A (zh) * 2014-09-11 2016-04-06 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 阻抗匹配网络及等离子体处理设备
CN106992765A (zh) * 2017-04-18 2017-07-28 河北工业大学 谐波电流激励下降低感性电路阻抗值的方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1277754A (zh) * 1998-08-28 2000-12-20 三菱电机株式会社 双频匹配电路
CN1577970A (zh) * 2003-07-08 2005-02-09 太阳诱电株式会社 移相器
JP2010045664A (ja) * 2008-08-14 2010-02-25 Tokyo Electron Ltd マッチング装置、マッチング方法、プラズマ処理装置、及び記憶媒体

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54124655A (en) * 1978-03-20 1979-09-27 Yagi Antenna Variable phase shifter
JPS6262624A (ja) * 1985-09-12 1987-03-19 Yaesu Musen Co Ltd アンテナ整合器
US5216392A (en) * 1991-07-05 1993-06-01 Motorola, Inc. Automatically controlled varactor tuned matching networks for a crystal filter
US5874926A (en) * 1996-03-11 1999-02-23 Murata Mfg Co. Ltd Matching circuit and antenna apparatus
US6414562B1 (en) * 1997-05-27 2002-07-02 Motorola, Inc. Circuit and method for impedance matching
US7174147B2 (en) * 2001-04-11 2007-02-06 Kyocera Wireless Corp. Bandpass filter with tunable resonator
US6946847B2 (en) * 2002-02-08 2005-09-20 Daihen Corporation Impedance matching device provided with reactance-impedance table
JP4071044B2 (ja) * 2002-02-08 2008-04-02 株式会社ダイヘン インピーダンス整合器の出力端特性解析方法、およびインピーダンス整合器、ならびにインピーダンス整合器の出力端特性解析システム
US7102429B2 (en) * 2002-06-28 2006-09-05 Motorola, Inc. RF amplifier with enhanced efficiency
JP4216124B2 (ja) * 2002-12-12 2009-01-28 三菱電機株式会社 2周波整合回路
JP2005311672A (ja) * 2004-04-21 2005-11-04 Denso Corp 路車間通信システム、路側局、および車載局
JP2005311762A (ja) * 2004-04-22 2005-11-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 可変整合回路
JP2006033664A (ja) * 2004-07-21 2006-02-02 Renesas Technology Corp 可変インピーダンス素子を用いた増幅器及び無線通信装置
DE102005058875B4 (de) * 2005-12-09 2016-02-25 Infineon Technologies Ag Anpassnetzwerk
US7671693B2 (en) * 2006-02-17 2010-03-02 Samsung Electronics Co., Ltd. System and method for a tunable impedance matching network
KR100870121B1 (ko) * 2007-04-19 2008-11-25 주식회사 플라즈마트 임피던스 매칭 방법 및 이 방법을 위한 매칭 시스템
DE102009004720B4 (de) * 2009-01-15 2017-07-27 Qualcomm Technologies, Inc. (N.D.Ges.D. Staates Delaware) Multiband-Impedanzanpass-Schaltung zur Anpassung von Planarantennen
JP5453120B2 (ja) * 2009-01-30 2014-03-26 株式会社Nttドコモ マルチバンド整合回路、およびマルチバンド電力増幅器

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1277754A (zh) * 1998-08-28 2000-12-20 三菱电机株式会社 双频匹配电路
CN1577970A (zh) * 2003-07-08 2005-02-09 太阳诱电株式会社 移相器
JP2010045664A (ja) * 2008-08-14 2010-02-25 Tokyo Electron Ltd マッチング装置、マッチング方法、プラズマ処理装置、及び記憶媒体

Also Published As

Publication number Publication date
EP2418772A3 (en) 2014-10-01
US20120032751A1 (en) 2012-02-09
KR101295229B1 (ko) 2013-08-12
EP2418772A2 (en) 2012-02-15
KR20120014544A (ko) 2012-02-17
JP5498314B2 (ja) 2014-05-21
EP2418772A8 (en) 2014-11-26
JP2012039473A (ja) 2012-02-23
CN102377404A (zh) 2012-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102742366B (zh) 阻抗匹配装置
CN102017287A (zh) 可调谐匹配网络电路拓扑选择
CN103208975B (zh) 匹配电路系统
CN102377404B (zh) 阻抗可变匹配电路
US20180241368A1 (en) Multi-harmonic matching networks
CN102340288A (zh) 一种具有阻抗匹配的射频集成带通滤波器
CN102544653B (zh) 微波四频带通滤波器
US9680441B2 (en) Impedance matching circuit and antenna system
CN107493082A (zh) 一种双通带放大器
CN104242980B (zh) 一种基于RF能量检测的Sub-1G射频前端电路设计及参数调整方法
CN105656436A (zh) 一种cmos功率放大器匹配电路
CN204244192U (zh) Lc滤波器电路及高频模块
Yang et al. A class E power amplifier with coupling coils for a wireless power transfer system
CN204304932U (zh) 射频功率放大器输出匹配电路
CN102638239A (zh) 电容耦合集总参数三频带通滤波器
CN101138129A (zh) 延迟线
CN101951232A (zh) 射频功率放大器
CN102751960B (zh) 一种应用于lte的射频低通滤波器
CN111884615A (zh) 一种高阶宽带输入阻抗匹配网络及其应用
CN203984354U (zh) 采用雪崩二极管的毫米波及太赫兹高次倍频器
CN105281671A (zh) 采用雪崩二极管的毫米波及太赫兹高次倍频器
CN103856271A (zh) 可调式谐波滤除装置
CN104733810B (zh) 开关电路及高频模块
CN104410381A (zh) 集总参数双频阻抗匹配网络
CN103199821A (zh) 一种超宽带双调谐变压器实现方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20140702

Termination date: 20150809

EXPY Termination of patent right or utility model