CN102318093B - 用于led发光元件的复合材料基板、其制造方法及led发光元件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供与构成LED的III-V族半导体晶体的线热膨胀系数差较小且导热性优良，适合作为高功率LED使用的LED发光元件用基板。如下制备LED发光元件用复合材料基板：通过液态模锻法、以30MPa以上的浸渗压力使铝合金或纯铝浸渗多孔体，裁切和/或磨削加工成板厚为0.05-0.5mm、表面粗糙度(Ra)为0.01-0.5μm后，在表面形成含有选自Ni、Co、Pd、Cu、Ag、Au、Pt、Sn中的1种以上的金属的金属层，使得金属层厚度达到0.5-15μm，所述多孔体由选自碳化硅、氮化铝、氮化硅、金刚石、石墨、氧化钇及氧化镁中的1种以上形成，气孔率为10-50体积％，3点弯曲强度为50MPa以上。

Description

用于LED发光元件的复合材料基板、其制造方法及LED发光元件
技术领域
本发明涉及发光二极管(以下，称为LED)元件用的复合材料基板、其制造方法及使用了该复合材料基板的LED发光元件。
背景技术
LED是在半导体的pn结中流过正向电流时进行发光的元件，使用GaAs、GaN等III-V族半导体晶体来制造。近年来，随着半导体的外延生长技术和发光元件工艺技术的进步，开发出转换效率优良的LED，并广泛使用于各领域。
LED由使III-V族半导体晶体在单晶生长基板上外延生长而得的p型层、n型层以及被该两者夹持的光活性层构成。通常，使GaN等的III-V族半导体晶体在单晶蓝宝石的生长基板上外延生长之后，形成电极等进而形成LED发光元件(专利文献1)。
使III-V族半导体晶体在单晶生长基板上外延生长时，由于单晶生长基板和III-V族半导体晶体的晶格常数不同，因此难以生长良好的单晶。因此，有人提出了在低温下在蓝宝石基板上形成GaN等的缓冲层并使GaN在该缓冲层上外延生长的方法(专利文献2)。但是，即使利用这种方法仍存在如下问题：由于蓝宝石基板和缓冲层的GaN等的线热膨胀系数存在差异，因此外延生长后的基板发生翘曲，最坏的情况下基板发生破裂。因此，就需要一种线热膨胀系数与III-V族半导体晶体接近的基板材料。
此外，单晶蓝宝石基板等单晶生长基板还存在导热性不良的问题。在单晶蓝宝石的情况下，热导率约为40W/mK，无法使GaN等的III-V族半导体元件所产生的热量充分散发。特别是，通过高电流的高输出功率LED存在如下问题：元件的温度上升导致发光效率的降低或元件寿命的降低。因此，有人提出了如下方法：使III-V族半导体晶体在单晶生长基板上外延生长后，通过金属层与高导热性基板接合，然后，除去单晶生长基板(专利文献3)。因此，作为高导热性基板的材质，研究了导热性优良的铜等材料，但由于上述材料与III-V族半导体晶体的线热膨胀系数差较大，因此不能充分满足高功率LED的要求。
专利文献1：日本专利“特开2005-117006号公报”
专利文献2：日本专利“特公平5-73252号公报”
专利文献3：日本专利“特开2006-128710号公报”
发明内容
因此，本发明的目的在于提供可适用于高输出功率LED的LED发光元件用基板及其制造方法，该基板与构成LED的III-V族半导体晶体的线热膨胀系数差较小，并且具有优良的导热性。
此外，本发明的目的还在于提供使用上述LED发光元件用基板制造LED发光元件的方法以及通过该方法制造的LED发光元件。
作为本发明的一种形态，提供用于LED发光元件的复合材料基板，该复合材料基板通过在多孔体中浸渗铝合金或纯铝并加工成具有预定的板厚及表面粗糙度的复合材料体后在该复合材料体的表面形成厚度为0.5-15μm的金属层而制成，所述多孔体由选自碳化硅、氮化铝、氮化硅、金刚石、石墨、氧化钇及氧化镁的1种以上物质形成且气孔率为10-50体积％，所述金属层含有选自Ni、Co、Pd、Cu、Ag、Au、Pt、Sn的1种以上的金属。在一种形态中，上述多孔体具有50MPa以上的3点弯曲强度，通过液态模锻法在30MPa以上的浸渗压力下在上述多孔体中浸渗上述铝合金。在一种实施方式中，上述复合材料体的板厚为0.05-0.5mm，表面粗糙度(Ra)为0.01-0.5μm。在另一种实施方式中，上述复合材料体的板厚为0.05-0.5mm、表面粗糙度(Ra)为0.01-2μm，且形成了金属层的一面被加工成表面粗糙度(Ra)为0.01-0.5μm。
此外，本发明的优选的实施方式中，复合材料基板在温度为25℃时的热导率为100-500W/mK，在温度为25℃-150℃时的线热膨胀系数为4×10-6/K-9×10-6/K，3点弯曲强度为50MPa以上，体积电阻率为10-9-10-5Ω·m。此外，在另一实施方式中，复合材料基板的板厚为0.05mm-0.5mm，至少一个主面的表面粗糙度(Ra)为0.01-0.5μm，在温度为25℃的5当量的HCl溶液中浸渍1分钟后的至少一个主面的重量减少量及在温度为75℃的10当量的NaOH溶液中浸渍1分钟后的至少一个主面的重量减少量分别为0.2mg/cm2以下。
作为本发明的另一形态，提供用于LED发光元件的复合材料基板的制造方法，该制造方法具有以下工序：
(a)准备多孔体，该多孔体由选自碳化硅、氮化铝、氮化硅、金刚石、石墨、氧化钇及氧化镁的1种以上物质形成，且气孔率为10-50体积％；
(b)在上述多孔体中浸渗铝或纯铝，加工成具有预定的板厚及表面粗糙度的复合材料体；
(c)在所述复合材料体的表面形成厚度为0.5-15μm的金属层，该金属层含有选自Ni、Co、Pd、Cu、Ag、Au、Pt、Sn的1种以上的金属。
这里，一种实施方式中，在工序(a)中，上述多孔体具有50MPa以上的3点弯曲强度；在工序(b)中，通过液态模锻法在30MPa以上的浸渗压力下，在上述多孔体中浸渗上述铝合金或纯铝。另一种实施方式中，在工序(b)中，使复合材料体的板厚为0.05-0.5mm，使表面粗糙度(Ra)为0.01-0.5μm。另一种实施方式中，在工序(b)中，使复合材料体的板厚为0.05-0.5mm，使表面粗糙度(Ra)为0.01-2μm；在工序(c)中，将复合材料体的形成了金属层的一面加工成表面粗糙度(Ra)为0.01-0.5μm。
作为本发明的又另一形态，提供LED发光元件的制造方法，该制造方法具有以下工序：
(1)使III-V族半导体晶体在圆板状或平板状的单晶生长基板的一个主面上外延生长；
(2)将本发明的上述用于LED发光元件的复合材料基板通过金属层接合于上述III-V族半导体晶体的表面，通过激光照射、蚀刻、磨削中的任一种方法除去上述单晶生长基板；
(3)对所述III-V族半导体晶体的除去了上述单晶生长基板的一侧的表面进行加工，并形成电极之后，进行裁切加工。
这里，在一种实施方式中，单晶生长基板由选自单晶蓝宝石、单晶碳化硅、单晶GaAs、单晶Si的材料制备。在另一种实施方式中，用选自AlN、SiC、GaN、GaAs的材料对单晶生长基板进行表面涂敷。此外，在一种实施方式中，III-V族半导体晶体为GaN、GaAs、GaP中的任意一种。而且，本发明还揭示了可由上述任一种LED发光元件的制造方法制造的LED发光元件。
根据本发明，可以得到与构成LED的III-V族半导体晶体的线热膨胀系数差较小的、高导热性的用于LED发光元件的复合材料基板。通过使用上述用于LED发光元件的复合材料基板，可以提供散热性、可靠性优良的高输出功率LED发光元件。而且，上述结构的用于LED发光元件的复合材料基板，对制造LED发光元件时所使用的酸和碱溶液具有优良的耐化学性，并且具有导电性，可以在构成LED的III-V族半导体晶体的两面形成电极。因此，可以减少LED发光元件的制造工序并增加单位面积的发光量。
附图说明
图1是用于说明本发明的实施例1的LED发光元件的制造例的概略剖视图，表示本发明的一实施例的复合材料基板与半导体层接合的状态，上述半导体层间隔着缓冲层形成于蓝宝石生长基板上。
图2是与图1相同的图，表示在除去生长基板后形成透明导电层的状态。
图3是用于说明本发明的实施例17的LED发光元件的制造例的概略剖视图，表示本发明的一实施例的复合材料基板与Si生长基板上形成的半导体层接合的状态。
具体实施方式
本发明涉及LED发光元件和用于该LED发光元件的复合材料基板。以下，对LED发光元件的制造进行记述，其中，还对复合材料基板的制造进行说明。
在本发明的实施方式中，使用单晶生长基板、III-V族半导体晶体、复合材料基板制造LED发光元件。
单晶生长基板需要由与外延生长的III-V族半导体晶体的晶格常数的差较小且缺陷较少的材料形成。从结晶性和均匀性的观点出发，通常加工单晶材料来进行使用。这些单晶生长基板需要能够经受使III-V族半导体晶体外延生长的工序中的温度、气氛。因此，本发明所使用的单晶生长基板用的材料优选为选自单晶蓝宝石、单晶碳化硅、单晶GaAs、单晶Si的物质。而且，优选的是，用选自AlN、SiC、GaN、GaAs的材料对本发明所使用的单晶生长基板进行表面涂敷。
从作为LED发光元件的转换效率的方面出发，构成LED的III-V族半导体晶体优选为GaN、GaAs、GaP中的任意一种。上述III-V族半导体晶体可获得较高的发光效率，可以根据用途对其进行区别使用。此外，可根据各用途的最佳发光波长对III-V族半导体晶体进行选择。
在本发明的一种实施方式中，首先，在上述单晶生长基板的一个主面上以外延生长的方式使III-V族半导体晶体生长。III-V族半导体晶体的外延生长，优选通过有机金属化学气相沉积法(MOCVD法)或卤化物气相外延法(HVPE)法来进行。MOCVD法适合使结晶性良好的III-V族半导体晶体生长，HVPE法的结晶生长速度较快，可以高效地使III-V族半导体晶体生长。这些方法是公知的，实施条件可适当设定。但是外延生长的方法只要是可以使III-V族半导体晶体生长的方法即可，不限于上述的方法。
为了进一步提高发光特性，可以对外延生长后的III-V族半导体晶体实施表面处理。此外，为了提高晶体表面的均匀性等，还可以对表面进行蚀刻处理或研磨处理。在本发明中，本发明的复合材料基板与外延生长后的III-V族半导体晶体的表面接合，但在进行接合之前，通过蒸镀法、溅射法等方法在III-V族半导体晶体的表面形成金属层。优选利用铟、铝、金、银或它们的合金来形成金属层。金属的线热膨胀系数与III-V族半导体晶体不同，因此如果金属层的厚度太大则将导致密合性降低，因而不理想。在金属层的热导率较低的情况下，从散热方面考虑，也不理想。因此，金属层的厚度优选为0.5-10μm，进一步优选为0.5-2μm。
接着，为了与III-V族半导体晶体接合，在复合材料基板的要与III-V族半导体晶体进行接合的一侧的表面也同样地通过蒸镀法、溅射法等方法形成金属层。该金属层优选与III-V族半导体晶体的表面的金属层同样地使用铟、铝、金、银或它们的合金来形成。复合材料基板需要具备的特性有：(1)具有能够承受接合的强度、以及(2)接合面没有孔隙或异物等夹杂物，接合面平坦。为了满足(1)的条件，复合材料基板需要具备50MPa以上的3点弯曲强度，优选为200MPa以上。为了满足(2)的条件，要求复合材料基板的表面粗糙度(Ra)为0.01-0.5μm，优选为0.01-0.2μm。
在使III-V族半导体晶体与复合材料基板进行接合时，根据需要一边加压一边在接合面叠合的状态下进行加热。加热温度根据金属层的种类而不同，通常为250℃-550℃。加压的压力通常为2-20MPa。
由于复合材料基板要与III-V族半导体接合在一起进行使用，因此两种材料的线热膨胀系数的差较小是重要的条件。因此，优选复合材料基板在温度为25℃-150℃时的线热膨胀系数为4-9×10-6/K。进一步优选为4-7×10-6/K。复合材料基板在温度为25℃-150℃时的线热膨胀系数超出4-9×10-6/K的范围的情况下，存在接合后发生翘曲、或作为LED发光元件使用时发生接合层的剥离、或III-V族半导体晶体破裂的情况，因而不理想。
本发明的复合材料基板是LED发光元件的基底基板。由于III-V族半导体元件所产生的大部分热量要通过该基板进行散热，因而该基板需要具备较高的散热特性。因此，优选复合材料基板在温度为25℃时的热导率为100-500W/mK，进一步优选为150-500W/mK。如果热导率小于100W/mK，则无法对III-V族半导体元件所产生的热量进行充分散热，特别是在需要通过高电流的高输出功率LED的情况下，元件的温度上升导致发光效率降低，从而降低元件寿命，因而不理想。另一方面，关于热导率的上限值，虽然在特性方面没有限制，但基板材料过于昂贵。
此外，从散热性的方面出发，优选板厚比较薄的复合材料基板，但另一方面，由于需要具备可保持III-V族半导体元件并承受LED发光元件制备时的操作处理等的强度，因此需要一定的板厚。在一种实施方式中，复合材料基板的板厚优选为0.05mm-0.5mm，更优选为0.05mm-0.3mm。如果复合材料基板的板厚超过0.5mm，则LED发光元件的散热特性降低，因而不理想。本发明的复合材料基板与III-V族半导体晶体接合后，还可以根据需要通过研磨等方式进行薄化处理。
在本发明中，通过金属层使III-V族半导体晶体与复合材料基板接合后，除去单晶生长基板。通常由单晶生长基板侧进行激光照射来除去单晶生长基板。除激光照射方式外，还可以通过研磨、蚀刻方式除去单晶生长基板。根据需要，对除去单晶生长基板后的III-V族半导体晶体面进行表面研磨、蚀刻，在加工成所希望的表面形状后，通过蒸镀法、溅射法等方法形成电极。然后，通过激光切割或划片方式裁切为预定形状，从而制备LED发光元件。
本发明的复合材料基板需要具备LED发光元件制造工艺中的耐化学特性，具体而言，在温度为25℃的5当量的HCl溶液中浸渍1分钟后的至少一个主面的单位面积的重量减少量及在温度为75℃的10当量的NaOH溶液中浸渍1分钟后的至少一个主面的单位面积的重量减少量分别优选为0.2mg/cm2以下，进一步优选重量减少量为0.1mg/cm2以下。如果在温度为25℃的5当量的HCl溶液中浸渍1分钟后的单位面积的重量减少量及在温度为75℃的10当量的NaOH溶液中浸渍1分钟后的单位面积的重量减少量分别超过0.2mg/cm2，复合材料中的金属成分的溶出将导致热导率等特性降低，并且在通过激光切割或划片方式裁切成预定形状时将产生碎屑，从而造成LED发光元件的成品率降低，因而不理想。在实际使用本发明的复合材料基板时，复合材料基板的一个主面通过金属层与III-V族半导体晶体接合，因此非接合面只要满足上述耐化学特性的要求即可。
本发明的复合材料基板本身具有导电性。因此，可以在构成LED的III-V族半导体晶体的两面形成电极。在使用蓝宝石基板等绝缘材料作为基板的现有方法中，需要通过蚀刻等方法对上部的p型或n型III-V族半导体晶体进行局部去除并在同一表面侧形成电极。但在本发明中，由于不存在上述需要，因此可以使LED发光元件的制造工艺简化。而且，由于不需要通过蚀刻等方法对p型或n型的一方的III-V族半导体晶体进行局部去除，因此可以使LED发光元件的单位面积的发光量增加。本发明的复合材料的体积电阻率优选为10-9-10-5Ω·m。如果体积电阻率超过10-5Ω·m，则导致发光效率的降低等，因而不理想。体积电阻率的下限值在特性方面没有限制，但从材料组成方面出发通常为10-9Ω·m以上。
以下对具有上述特性的复合材料基板的制备方法进行说明。
复合材料基板所使用的复合材料的制备方法大致分为浸渗法和粉末冶金法2种。其中，从热导率等特性方面出发，实际商品化时采用浸渗法。浸渗法包括各种制备方法，有常压下进行的方法和高压下进行的方法(高压锻造法)。高压锻造法包括液态模锻法和压铸法。适于本发明的方法为高压下进行浸渗的高压锻造法，为了得到热导率等特性优良的致密的复合体而优选液态模锻法。液态模锻法是指在高压容器内装填陶瓷粉末或成型体，然后在高温、高压下使铝合金等的熔液浸渗到陶瓷粉末或成型体中从而得到复合材料的方法。
因此，在本发明的一种实施方式中，复合材料通过液态模锻法进行制造。作为原料的陶瓷，需要使用热导率较高、线热膨胀系数较小的材料。因此，在本发明中，使用选自碳化硅、氮化铝、氮化硅、金刚石、石墨、氧化钇及氧化镁中的1种以上。可以通过使铝合金或纯铝浸渗到上述陶瓷中进行复合化，由此将本发明的复合材料的热导率和线热膨胀系数调整至上述范围。在一种实施方式中，复合材料含有50-90体积％的上述陶瓷，且余量由铝合金或纯铝构成。陶瓷的含量优选为70-85体积％。如果陶瓷的含量小于50体积％，则所得复合材料的线热膨胀系数增大，作为LED发光元件用的基板材料不理想。另一方面，如果陶瓷的含量超过90体积％，则复合化时无法使铝合金或纯铝充分浸渗，其结果是热导率降低，因而不理想。
陶瓷可以以粉末的状态进行复合化，但优选下述方式：使用无机粘合剂制备成型体，或者，进行烧结处理来制备具有10-50体积％的气孔率的多孔体(以下，称为预制体)并进行复合化。上述预制体的气孔率的调整通过原料粉末的粒度调整、成型压力、烧结条件等来进行。预制体的成型方法可采用冲压成型、浇铸成型等普通的陶瓷粉末成型方法。此外，根据需要将预制体加工成平板状或圆柱状后使用。而且，在本发明的一种实施方式中，由于所需加工的最终形状是板厚为0.05mm-0.5mm的板状，因此优选采用3点弯曲强度为50MPa以上的预制体。如果预制体的强度较低，则通过磨削加工等方式加工成板厚为0.05mm-0.5mm的板状时可能发生翘曲。
通过涂布有脱模剂的夹具等对预制体进行固定后将多个预制体层叠并通过螺栓-螺母等连结而制成层叠体。固定预制体的夹具，可以使用铁制或石墨制的夹具。此外，也可使各夹具以夹持涂布有脱模剂的脱模板的方式进行层叠从而形成层叠体。作为脱模板，可以使用不锈钢板或陶瓷板，只要是在采用液态模锻法的情况下不会被铝合金浸渗的致密体就不受限制。此外，关于涂布于夹具或脱模板的脱模剂，可以使用石墨、氮化硼、氧化铝等的脱模剂。而且，优选在用氧化铝溶胶等涂敷夹具或脱模板表面后涂布脱模剂。
在约600℃-约800℃的温度下加热所得的层叠体后，在高压容器内配置1个或2个以上所述层叠体，为防止层叠体的温度降低而尽可能快速地供给已加热至熔点以上的铝合金熔液，并以30MPa以上的压力加压，使铝合金在预制体的空隙中浸渗，由此得到复合材料。为了除去浸渗时的应变，也可以对浸渗品进行退火处理。
如果层叠体的加热温度低于600℃的温度，则铝合金的复合化变得不充分，所得复合材料的热导率等特性降低。此外，如果加热温度超过800℃，则与铝合金复合化时陶瓷粉末的表面发生氧化，所得复合材料的热导率等特性降低。而且，关于浸渗时的压力，如果低于30MPa，则铝合金的复合化变得不充分，所得复合材料的热导率等特性降低，因而不理想。浸渗压力优选为50MPa以上。
本发明的复合材料基板所使用的复合材料中的铝合金可以采用本领域所使用的任意的铝合金，但在一种实施方式中，优选使用含有70质量％以上铝的铝合金。如果铝含量低于70质量％，则铝合金的热导率降低，因而不理想。此外，为了在浸渗时使铝合金在预制体的空隙内充分浸渗，优选具有尽可能低的熔点。作为这种铝合金，可以列举例如含有5-25质量％硅的铝合金。而且，如果含有0.3-2.0质量％的镁，则陶瓷与金属部分的结合更加坚固，因而优选。关于铝合金中的铝、硅、镁之外的金属成分，只要在特性不极端变化的范围内就不受特别限制，例如，可以含有铜等。
下面，对所得复合材料的加工方法的例子进行说明。所得复合材料为圆柱状时，通过外圆磨床等并使用金刚石磨石按照预定尺寸进行外形加工，之后，通过多线切割机、内圆切割机等裁切加工成比最终形状厚约0.1-约0.5mm的板厚。裁切方法没有特殊限制，但优选裁切所需余量少且适合量产的多线切割机。在利用多线切割机进行裁切时可以通过游离磨粒型及附着有金刚石等的磨削材料的线进行加工。通过双面磨床、旋转磨床、平面磨床、精研机等加工机对裁切加工后的板状的复合材料进行表面加工，使得板厚为0.05-0.5mm，且表面粗糙度(Ra)为0.01-0.5μm。在进行表面加工时，为了进一步减小表面粗糙度，可以在通过双面磨床、旋转磨床、平面磨床等进行表面加工后进一步通过精研机进行最终加工。此外，在LED发光元件的制造工序中，在本发明的复合材料基板与III-V族半导体晶体接合后进行研磨加工时，可以只对复合材料基板的单面(接合面)进行表面加工并使其达到预定的表面粗糙度。
在所得的复合材料为板状的情况下，通过双面磨床、旋转磨床、平面磨床、精研机等加工机进行表面加工，使得板厚为0.05-0.5mm，且表面粗糙度(Ra)为0.01-0.5μm之后，通过水射流加工机、放电加工机、激光加工机、划片机、外圆磨床等按照预定形状进行外周加工。在所得复合材料为板状的情况下，还可以先通过水射流加工机、放电加工机、激光加工机、划片机、外圆磨床等按照预定形状进行外周加工之后，通过双面磨床、旋转磨床、平面磨床、精研机等加工机进行表面加工，使得板厚为0.05-0.5mm，且表面粗糙度(Ra)为0.01-0.5μm。
然后，对如上加工为预定的板厚、表面粗糙度的板状的复合材料体的表面进行清洗之后，在表面形成厚度为0.5-15μm的金属层，该金属层含有选自Ni、Co、Pd、Cu、Ag、Au、Pt、Sn的1种以上的金属。如果金属层厚度为0.5μm以下，则金属层产生针孔，耐化学性降低，因而不理想。另一方面，如果金属层厚度超过15μm，那么金属层与复合材料之间的热膨胀差将引起金属层剥离，或者所得的形成有金属层的复合材料的线热膨胀系数增大，因而不理想。关于金属层厚度，更优选为2-10μm。金属层的材质可以采用含有选自Ni、Co、Pd、Cu、Ag、Au、Pt、Sn的1种以上的金属，也可以使用它们的复合金属。此外，金属层也可以含有P、B等非金属元素。作为金属层的形成方法，通常通过非电解镀敷或电解镀敷来进行。也可以通过镀敷之外的蒸镀法等方法在板状的复合材料体的表面包覆上述金属。
此外，还可以通过下述方式形成金属层，即：通过蜡、粘接剂等使2张板状的复合材料体贴合在一起，清洗表面后，通过非电解镀敷或电解镀敷，在表面形成厚度为0.5-15μm的金属层，然后除去蜡、粘接剂等，从而在板状的复合材料体的一个主面和侧面形成金属层，所述金属层含有选自Ni、Co、Pd、Cu、Ag、Au、Pt、Sn的1种以上的金属。
另外，还可以通过下述方式形成金属层，即：通过有机片材或保护层包覆板状的复合材料体的一个主面后，清洗表面之后，通过非电解镀敷或电解镀敷在表面形成厚度为0.5-15μm的金属层，然后除去包覆层，从而在板状的复合材料体的一个主面和侧面形成金属层，所述金属层含有选自Ni、Co、Pd、Cu、Ag、Au、Pt、Sn的1种以上的金属。
此外，也可以对复合材料进行外周加工及裁切等处理而形成板状，制成板厚为0.05-0.5mm、表面粗糙度(Ra)为0.01-0.2μm的复合材料体后，清洗表面之后，通过非电解镀敷或电解镀敷在表面形成厚度为0.5-15μm的含有选自Ni、Co、Pd、Cu、Ag、Au、Pt、Sn的1种以上金属的金属层。然后，通过精研机等对一个主面进行表面加工，使得表面粗糙度(Ra)为0.01-0.5μm。
以下，通过实施例对本发明进行详细说明，但本发明不受下述实施例的限定。
实施例
(实施例1)
<用于LED发光元件的复合材料基板的制备>
称取1800g的碳化硅(以下，也称为SiC)粉末A(太平洋蓝登株式会社公司(太平洋ランダム社)制、NG-60、平均粒径200μm)、900g的碳化硅粉末B(太平洋蓝登株式会社制、NG-600、平均粒径20μm)、300g的碳化硅粉末C(太平洋蓝登株式会社制、NG-6000、平均粒径2μm)及150g的成型粘合剂(甲基纤维素、信越化学工业株式会社(信越化学工業社)制、“METOLOSE”)，通过搅拌混合机混合30分钟后，以10MPa的表面压力冲压成型为Φ55mm×110mm的尺寸的圆柱状之后，以100MPa的成型压力进行CIP成型从而制备出成型体。
在大气气氛中、在600℃的温度下对所得成型体进行2小时脱脂处理之后，在氩气气氛中，在2100℃的温度下进行2小时烧结，制成气孔率为20％的SiC预制体。通过加工中心使用金刚石制的磨石，将所得的SiC预制体加工成外形尺寸为Φ52mm×100mm的形状。然后，通过磨削加工制成3点弯曲强度测定用试验体(3mm×4mm×40mm)，测定3点弯曲强度。测得3点弯曲强度为120MPa。
将氮化硼脱模剂涂布于所得SiC预制体，插入外形尺寸为70mm×70mm×100mm(内径尺寸：Φ52.5mm×100mm)的筒状的石墨夹具而形成结构体。然后，将石墨脱模材料涂布于70mm×100mm×0.8mmt的不锈钢板来制备脱模板，将4个结构体以夹持脱模板的方式层叠在一起，形成140.8mm×140.8mm×100mm的形状，在两侧配置12mm厚的铁板，通过8根M10的螺栓连结而形成一个层叠体。然后，通过电炉将层叠体预加热至700℃的温度后，将其收纳于预先加热的内径Φ400mm×300mmH的冲压模具内，再注入含有12质量％的硅和1质量％的镁的铝合金熔液(温度：800℃)，以100MPa的压力加压25分钟使铝合金浸渗到SiC预制体中。冷却至室温后，通过湿式带锯机沿脱模板的形状进行裁切，剥离脱模板，通过车床除去石墨夹具部分，从而得到Φ52mm×100mm形状的复合材料。为了除去浸渗时的应变，在530℃的温度下对所得复合材料进行3小时退火处理。
然后，通过磨削加工由所得复合材料制备热膨胀系数测定用试验体(直径3mm、长度10mm)、热导率测定用试验体(25mm×25mm×1mm)、3点弯曲强度测定用试验体(3mm×4mm×40mm)、体积电阻率测定用试验体(50mm×50mm×5mm)。使用各试验体，通过热膨胀仪(精工电子工业株式会社(セイコ一電子工業社)制；TMA300)测定温度为25℃-150℃时的热膨胀系数，通过激光闪光法(株式会社爱发科(アルバツク社)制；TC3000)测定温度为25℃时的热导率，通过弯曲强度试验机测定3点弯曲强度，通过四端子法(根据JISR1637)测定体积电阻率。其结果是，温度为25℃-150℃时的热膨胀系数为4.9×10-6/K，温度为25℃时的热导率为250W/mK，3点弯曲强度为350MPa，体积电阻率为8×10-7Ω·m。
通过外圆磨床并使用金刚石的磨石对复合材进行外周加工而形成Φ50.8mm×100mm的圆柱状。通过多线切割机并使用金刚石磨粒以0.2mm/分钟的切入速度对所得的圆柱状复合材料进行裁切加工而形成板厚0.2mm的圆板状。通过双面磨床并使用#600的金刚石磨石将圆板状的复合材料磨削加工至板厚0.12mm之后，通过精研机并使用金刚石磨粒研磨加工至板厚0.1mm之后，在纯水中进行超声波清洗，然后在异丙醇中进行超声波清洗，再进行干燥而制备出复合材料体。通过表面粗糙度仪测定表面粗糙度(Ra)，结果是Ra为0.04μm。
然后，对上述复合材料体进行非电解Ni-P镀敷及非电解Ni-B镀敷，在复合材料的表面形成5μm厚(Ni-P：4μm+Ni-B：1μm)的镀层(金属层)从而制备出复合材料基板。所得复合材料基板的特性值如下算出：通过体积比例并按照复合标准由镀层金属的物性值和镀敷前的复合材料体的物性值进行计算。将结果示于表1。此外，将镀敷后的复合材料基板在温度为25℃的5当量的HCl溶液及温度为75℃的10当量的NaOH溶液中分别浸渍1分钟后，测定由各处理引起的单位面积的重量减少量。然后，通过表面粗糙度仪测定镀敷后的复合材料基板的表面粗糙度(Ra)。将结果示于表2。
[表1]
[表2]
<LED发光元件的制备>
适当参照图1的结构图进行说明。
使用氨气和三甲基镓，并使用氢气和氮气的混合气体作为载气，在1100℃的温度下通过MOCVD法使板厚为0.5mm的单晶蓝宝石基板1(生长基板)上生长出4μm厚的下述(1)-(4)的GaN单晶2-5。
(1)n型GaN缓冲层符号2
(2)n型GaN半导体层符号3
(3)GaN活性层(发光层)符号4
(4)p型GaN半导体层符号5
然后，通过真空蒸镀法在p型GaN半导体层5的表面蒸镀2μm厚的银/锡合金的合金层6。另一方面，通过同样的方法在用于LED发光元件的复合材料基板8的一侧表面蒸镀2μm厚的银/锡合金的合金层7。如图1所示，以银/锡合金层6、7接触的方式将两基板层叠，在400℃的温度下，施加5MPa的压力保持5分钟来进行接合。从蓝宝石基板1侧向所得接合体照射氮气激光(功率40MW/cm2)，将蓝宝石基板1剥离。通过激光照射，n型GaN缓冲层2被分解为Ga和氮气，可通过产生的氮气剥离蓝宝石基板1。
然后，通过蚀刻除去露出于表面的n型GaN缓冲层2之后，如图2所示(与图1上下颠倒地显示)，形成了氧化铟锡的透明导电体层9。然后，蒸镀Au作为n型电极，通过划片处理制备成单个的LED发光元件。
(实施例2-12，比较例1)
改变条件，对由实施例1制备的Φ50.8mm×0.1mmt的复合材料体(非电解镀敷处理前的复合材料)进行非电解镀敷处理，在表面形成表4所示的金属层。将所得复合材料基板的特性值示于表3。此外，将镀敷后的复合材料基板在温度为25℃的5当量的HCl溶液及温度为75℃的10当量的NaOH溶液中浸渍1分钟，测定由各处理引起的单位面积的重量减少量。然后，通过表面粗糙度仪测定镀敷后的复合材料基板的表面粗糙度(Ra)。将结果示于表4。另外，表4中，比较例1所示结果是没有形成金属层的复合材料体的试验结果。
[表3]
[表4]
(实施例13)
通过蒸镀法在由实施例1制备的Φ50.8mm×0.1mmt的复合材料体的表面形成厚度为1μm的Au层。将所得的复合材料基板的特性值示于表5。此外，对所得的复合材料基板实施与实施例1相同的评价。将结果示于表6。
[表5]
[表6]
(实施例14)
通过蜡类粘接剂将2片由实施例1制备的Φ50.8mm×0.1mmt的复合材料体贴合在一起，将表面清洗后，进行非电解Ni-P镀敷处理，在露出的表面形成5μm的Ni-P层。镀敷处理后，除去蜡类粘接剂，得到对一个主面及侧面赋予了金属层的复合材料基板。将所得的复合材料基板的特性值示于表5。此外，通过耐化学胶带包覆所得复合材料基板的非镀敷面，进行与实施例1相同的评价。将结果一并示于上述表6。
(实施例15)
通过抗镀敷保护层包覆由实施例1制备的Φ50.8mm×0.1mmt的复合材料体的一个主面后，清洗表面，进行非电解Ni-P镀敷处理，在表面形成厚度为5μm的Ni-P层。镀敷处理后，通过丙酮除去镀敷保护层，制备出对一个主面及侧面赋予了金属层的复合材料基板。将所得复合材料基板的特性值示于表5。此外，通过耐化学胶带包覆所得复合材料基板的非镀敷面，进行与实施例1相同的评价。将结果一并示于上述表6。
(实施例16)
将由实施例1制备的复合材料加工成Φ50.8mm×0.2mmt的形状后，清洗表面，进行非电解Ni-P镀敷处理，在表面形成厚度为3μm的Ni-P层。然后，通过平面磨床、使用#800的金刚石磨石磨削加工至板厚0.1mm，制备出对一个主面及侧面赋予了金属层的复合材料基板。将所得复合材料的特性值示于表5。此外，通过耐化学胶带包覆所得复合材料基板的非镀敷面，进行与实施例1相同的评价。将结果一并示于上述表6。
(实施例17～20、比较例2～4)
<用于LED发光元件的复合材料基板的制备>
称取1300g的碳化硅粉末D(太平洋蓝登株式会社制、NG-80、平均粒径：150μm)、700g的碳化硅粉末E(屋久岛电工株式会社(屋久島電工社)制、GC-1000F、平均粒径：10μm)、300g的硅溶胶(日产化学工业株式会社(日産化学社)制、产品名称“SNOWTEX”)，通过搅拌混合机混合30分钟后，以30MPa的表面压力冲压成型为Φ60mm×55mm的尺寸的圆柱状从而制备出成型体。在120℃的温度下对所得成型体进行1小时干燥后，在氮气气氛下、1400℃的温度下进行2小时烧结，得到气孔率为35％的SiC预制体。通过加工中心使用金刚石制的磨石将所得的SiC预制体加工成外形尺寸为Φ52mm×50mm的形状。通过磨削加工，由所得SiC预制体制备3点弯曲强度测定用试验体(3mm×4mm×40mm)，测定3点弯曲强度。其结果是，测得3点弯曲强度为50MPa。
将氮化硼脱模剂涂布于所得SiC预制体，并将其插入外形尺寸为70mm×70mm×50mm(内径尺寸：Φ52.5mm×50mm)的筒状的铁制夹具而形成结构体。然后，将石墨脱模材料涂布于70mm×70mm×0.8mmt的不锈钢板来制备脱模板，将4个结构体以夹持脱模板的方式层叠在一起，形成140.8mm×140.8mm×50mm的形状。在两侧夹持陶瓷纤维含量为10体积％、厚度为10mm的陶瓷板，并配置12mm厚的铁板，通过8根M10的螺栓连结而形成一个层叠体。
然后，通过电炉将层叠体预加热至表7所示的各温度后，将其收纳于预先加热的内径Φ400mm×300mmH的冲压模具内，再注入含有12质量％的硅和1质量％的镁的铝合金熔液(温度：800℃)，以表7所示的各压力加压25分钟使铝合金浸渗到SiC预制体中。冷却至室温后，通过湿式带锯机沿脱模板的形状进行裁切，剥离脱模板及铁制夹具之后，通过机械加工除去两端的含有10体积％陶瓷纤维的铝合金层，得到Φ52.5mm×50mm形状的复合材料。为了除去浸渗时的应变，在530℃的温度下对所得复合材料进行3小时退火处理。
[表7]
然后，通过磨削加工由所得复合材料制备热膨胀系数测定用试验体(直径3mm、长度10mm)、热导率测定用试验体(25mm×25mm×1mm)、3点弯曲强度测定用试验体(3mm×4mm×40mm)、体积电阻率测定用试验体(50mm×50mm×5mm)。使用各试验体，通过与实施例1相同的方法，测定温度为25℃-150℃时的热膨胀系数、温度为25℃时的热导率、3点弯曲强度、体积电阻率。比较例2无法在试验体加工时保持形状，因而无法进行特性评价。
通过外圆磨床、使用金刚石的磨石对所得复合材进行外周加工而形成Φ50.8mm×50mm的圆柱状。然后，通过内圆切割机、使用金刚石制的刀以5mm/分钟的切入速度对圆柱状的复合材料进行裁切加工而形成板厚0.25mm的圆板状。通过双面磨床、使用#800的金刚石磨石将圆板状的复合材料磨削加工至板厚0.2mm，从而制备出复合材料基板。
然后，将上述复合材料的表面清洗后，进行非电解Ni-P镀敷及非电解Ni-B镀敷，在复合材料的表面形成4μm厚(Ni-P：3μm+Ni-B：1μm)的镀层。将所得复合材料的物性值示于表8。此外，进行与实施例1相同的评价并将结果示于表9。
[表8]
[表9]
<LED发光元件的制备>
然后，适当参照图3对使用了实施例17的用于LED发光元件的复合材料基板的LED发光元件的制备例进行记载。
通过CVD法，在板厚为0.5mm的单晶Si基材11上形成2μm的SiC层(表面涂敷层)10从而制备出生长基板1之后，使用氨气和氯化镓，并使用氢气作为载气，在1050℃的温度下通过HVPE法使下述(1)-(3)的GaN单晶3-5生长至4μm的厚度。
(1)n型GaN半导体层符号3
(2)GaN活性层(发光层)符号4
(3)p型GaN半导体层符号5
然后，通过真空蒸镀法，在p型GaN半导体层5的表面蒸镀0.5μm厚的银之后，蒸镀1.5μm厚的Au/锡合金而形成合金层6。另一方面，在实施例17的用于LED发光元件的复合材料基板8的单侧表面，也通过相同的方法蒸镀1.5μm厚的Au/锡合金的合金层7。以Au/锡合金层6、7接触的方式将两基板层叠，在500℃的温度下，施加5MPa的压力保持5分钟来进行接合。通过酸处理将所得接合体的单晶Si层蚀刻除去后，通过磨削加工将SiC层完全除去。
然后，通过蚀刻使露出的n型GaN层3的表面粗糙化后，形成氧化铟锡的透明导电体层。然后，蒸镀Au作为n型电极，通过激光加工制备成单个的LED发光元件。
(实施例21)
称取1800g的碳化硅粉末A(平均粒径：200μm)、900g的碳化硅粉末B(平均粒径：20μm)、300g的氮化铝粉末(德山株式会社(トクヤマ社)制、F级、平均粒径：2μm)及150g的成型粘合剂(甲基纤维素)，通过搅拌混合机混合30分钟后，以10MPa的表面压力冲压成型为Φ55mm×110mm的圆柱状后，以100MPa的成型压力进行CIP成型而制备出成型体。
在大气气氛中、600℃的温度下对所得成型体进行2小时脱脂处理之后，在氩气气氛下、1950℃的温度下烧结2个小时，得到气孔率为15％的预制体。通过加工中心使用金刚石制的磨石，将所得预制体加工成外形尺寸为Φ52mm×100mm的形状。通过磨削加工制备3点弯曲强度测定用试验体(3mm×4mm×40mm)，测定3点弯曲强度。其结果是，测得3点弯曲强度为125MPa。
通过与实施例1相同的方法处理所得预制体(关于预加热温度、浸渗压力，参照表7)，得到Φ52mm×100mm形状的用于LED发光元件的复合材料。与实施例1同样地由所得的用于LED发光元件的复合材料制备试验体并进行特性评价。
然后，通过外圆磨床、使用金刚石的磨石对所得的用于LED发光元件的复合材料进行外周加工而形成Φ50.8mm×100mm的圆柱状之后，与实施例1同样地操作加工成板厚为0.15mm的圆板状。然后，通过精研机、使用金刚石的磨石对圆板状的用于LED发光元件的复合材料进行研磨加工至板厚0.1mm，从而制备出用于LED发光元件的复合材料基板。
然后，将上述复合材料的表面清洗后，进行非电解Ni-P镀敷及非电解Ni-B镀敷，在复合材料的表面形成4μm厚(Ni-P：3μm+Ni-B：1μm)的镀层。将所得复合材料的物性值示于表8。此外，进行与实施例1相同的评价并将结果示于表9。
(实施例22)
称取2880g的氮化铝粉末(平均粒径：2μm)、120g的氧化钇粉末(信越稀土公司(信越レア·ア一ス社)制、UU级、平均粒径：1μm)、及150g的成型粘合剂(甲基纤维素)、150g的纯水，通过搅拌混合机混合30分钟后，以10MPa的表面压力冲压成型为Φ55mm×110mm的圆柱状后，以100MPa的成型压力进行CIP成型而制备出成型体。
在大气气氛中、600℃的温度下对所得成型体进行2小时脱脂处理之后，在氮气气氛下、1780℃的温度下烧结4个小时，得到气孔率为22％的预制体。通过加工中心使用金刚石制的磨石将所得预制体加工成外形尺寸为Φ52mm×100mm的形状。通过磨削加工，由所得预制体制备3点弯曲强度测定用试验体(3mm×4mm×40mm)，测定3点弯曲强度。测得3点弯曲强度为90MPa。
然后，使用纯铝代替铝合金，除此之外，通过与实施例1相同的方法处理所得预制体(关于预加热温度、浸渗压力，参照表7)，得到Φ52mm×100mm形状的用于LED发光元件的复合材料。通过所得的用于LED发光元件的复合材料，与实施例1同样地制备试验体并进行特性评价。
然后，通过外圆磨床、使用金刚石的磨石对用于LED发光元件的复合材料进行外周加工而形成Φ50.8mm×100mm的圆柱状之后，与实施例1同样地操作加工至板厚0.15mm。通过精研机、使用金刚石的磨石将所得圆板状的用于LED发光元件的复合材料研磨加工至板厚0.1mm，从而制备出用于LED发光元件的复合材料基板。
然后，将上述复合材料的表面清洗后，进行非电解Ni-P镀敷及非电解Ni-B镀敷，在复合材料的表面形成4μm厚(Ni-P：3μm+Ni-B：1μm)的镀层。将所得复合材料的物性值示于表8。此外，进行与实施例1相同的评价并将结果示于表9。
(实施例23)
称取2790g的氮化硅粉末(电气化学工业株式会社(電気化学工業社)制、NP-200、平均粒径：1μm)、150g的氧化钇粉末(平均粒径：1μm)、60g的氧化镁粉末(岩谷化学工业株式会社(岩谷化学社)制、MJ-30、平均粒径：1μm)，通过搅拌混合机混合30分钟后，以10MPa的表面压力冲压成型为Φ55mm×10mm的圆板状后，以100MPa的成型压力进行CIP成型而制备出成型体。
在0.9MPa的氮气加压气氛下、1880℃的温度下对所得成型体进行4小时烧结，得到气孔率为13％的预制体。通过加工中心使用金刚石制的磨石，将所得预制体加工成外形尺寸为Φ52mm×5mm的形状。通过磨削加工，由所得预制体制备3点弯曲强度测定用试验体(3mm×4mm×40mm)，测定3点弯曲强度。其结果是，测得3点弯曲强度为150MPa。
然后，通过与实施例1相同的方法处理所得预制体(关于预加热温度、浸渗压力，参照表7)，得到Φ52mm×10mm形状的用于LED发光元件的复合材料。与实施例1同样地由所得的用于LED发光元件的复合材料制备试验体并进行特性评价。
然后，通过水射流加工机对所得的用于LED发光元件的复合材料进行外周加工而形成Φ50.8mm×5mm的圆板状。然后，通过平面磨床、使用#230的金刚石磨石磨削加工成板厚0.22mm的圆板状之后，使用#800的金刚石磨石磨削加工至板厚0.2mm，从而制备出用于LED发光元件的复合材料基板。
然后，将上述复合材料的表面清洗后，进行非电解Ni-P镀敷及非电解Ni-B镀敷，在复合材料的表面形成4μm厚(Ni-P：3μm+Ni-B：1μm)的镀层。将所得复合材料的物性值示于表8。此外，进行与实施例1相同的评价并将结果示于表9。
(实施例24)
在氧化铝制的研钵中将7g金刚石粉末A(金刚石创新公司(DiamondInnovations社)制、MBG-600、平均粒径：120μm)和3g金刚石粉末B(金刚石创新公司制、MBG-600、平均粒径：15μm)混合10分钟之后，将外形尺寸为Φ52.4mm×9mm的石墨夹具(2)插入外形尺寸为70mm×70mm×20mm(内径尺寸Φ52.5mm×20mm)的筒状的石墨夹具(1)后，填充10g金刚石混合粉末，然后，在金刚石混合粉末的上面插入石墨夹具(2)从而制备出结构体。然后，将石墨脱模材料涂布于70mm×70mm×0.8mmt的不锈钢板来制备脱模板，将上述结构体以夹持脱模板的方式层叠在一起，在上下配置12mm厚的铁板，通过8根M10螺栓连结而形成一个层叠体。
然后，通过与实施例1相同的方法处理上述层叠体(关于预加热温度、浸渗压力，参照表7)，得到70mm×70mm×20mm形状的、周围被石墨夹具包围的用于LED发光元件的复合材料。所得的用于LED发光元件的复合材料具有被石墨夹具包围的结构。通过平面磨床、使用金刚石磨石从两主面侧(70mm×70mm)进行磨削加工，直至由铝-金刚石形成的复合材料露出，从而加工成70mm×70mm×2mmt的板状。然后，通过水射流加工机进行外周加工而形成Φ50.8mm×2mm的圆板状。
之后，通过磨削加工由所得的用于LED发光元件的复合材料制备热膨胀系数测定用试验体(2mm×3mm×10mm)、热导率测定用试验体(25mm×25mm×1mm)、3点弯曲强度测定用试验体(2mm×4mm×40mm)、体积电阻率测定用试验体(35mm×35mm×2mm)。使用各试验体，与实施例1同样地进行评价。
通过平面磨床、使用#230的金刚石磨石将所得的用于LED发光元件的复合材料磨削加工成0.16mm的圆板状之后，使用#400的金刚石磨石进行磨削加工直至板厚为0.15mm，从而制备出用于LED发光元件的复合材料基板。
然后，将上述复合材料的表面清洗后，进行非电解Ni-P镀敷及非电解Ni-B镀敷，在复合材料的表面形成4μm厚(Ni-P：3μm+Ni-B：1μm)的镀层。将所得复合材料的物性值示于表8。此外，进行与实施例1相同的评价并将结果示于表9。
(实施例25)
将石墨脱模材料涂布于100mm×100mm×0.8mmt的不锈钢板来制备脱模板，将形状为100mm×100mm×100mm的各向同性石墨成型体(东海炭素株式会社(東海カ一ボン社)制G458/气孔率：13体积％)以夹持脱模板的方式层叠在一起，并在两侧配置12mm厚的铁板，通过8根M10的螺栓进行连结，从而形成一个层叠体。然后，通过与实施例1相同的方法处理上述层叠体(关于预加热温度、浸渗压力，参照表7)，得到100mm×100mm×100mm形状的复合材料。与实施例1同样地，由所得复合材料制备试验体并进行评价。
对所得的用于LED发光元件的复合材料通过金刚石锯进行裁切加工后，通过外圆磨床，使用金刚石的磨石对进行外周加工而形成Φ50.8mm×100mm的圆柱状。通过多线切割机、使用金刚石磨粒以0.5mm/分钟的切入速度将所得的用于LED发光元件的圆柱状的复合材料裁切加工为板厚0.4mm的圆板状。通过双面磨床，使用#600的金刚石磨石将所得的用于LED发光元件的圆板状的复合材料磨削加工至板厚0.3mm，从而制备出用于LED发光元件的复合材料基板。
然后，将上述复合材料的表面清洗后，进行非电解Ni-P镀敷及非电解Ni-B镀敷，在复合材料的表面形成4μm厚(Ni-P：3μm+Ni-B：1μm)的镀层。将所得复合材料的物性值示于表8。此外，进行与实施例1相同的评价并将结果示于表9。
符号的说明
1生长基板
2在生长基板上形成的氮化物的缓冲层
3n型的III-V族半导体层
4发光层
5p型的III-V族半导体层
6合金层(反射层)
7合金层
8复合材料基板
9透明导电层
10表面涂敷层
11基材

Claims (16)

1.用于LED发光元件的复合材料基板，其特征在于，所述复合材料基板通过在多孔体中浸渗铝合金或纯铝并加工成具有预定的板厚及表面粗糙度的复合材料体后在该复合材料体的表面形成厚度为0.5-15μm的金属层而制成，温度为25℃时的热导率为100-500W/mK，温度为25℃-150℃时的线热膨胀系数为4×10-6/K-9×10-6/K，所述多孔体由碳化硅形成且气孔率为10-50体积％并在600～700℃加热，所述金属层含有Ni。
2.如权利要求1所述的复合材料基板，其特征在于，所述多孔体具有50MPa以上的3点弯曲强度，其通过液态模锻法在30MPa以上的浸渗压力下被所述铝合金或纯铝浸渗。
3.如权利要求1或2所述的复合材料基板，其特征在于，所述复合材料体的板厚为0.05-0.5mm，表面粗糙度(Ra)为0.01-0.5μm。
4.如权利要求1或2所述的复合材料基板，其特征在于，所述复合材料体的板厚为0.05-0.5mm、表面粗糙度(Ra)为0.01-2μm，且形成了所述金属层的一面被加工成表面粗糙度(Ra)为0.01-0.5μm。
5.如权利要求1或2所述的复合材料基板，其特征在于，3点弯曲强度为50MPa以上，体积电阻率为10-9-10-5Ω·m。
6.如权利要求5所述的复合材料基板，其特征在于，板厚为0.05mm-0.5mm，至少一个主面的表面粗糙度(Ra)为0.01-0.5μm，在温度为25℃的5当量的HCl溶液中浸渍1分钟后的至少一个主面的重量减少量及在温度为75℃的10当量的NaOH溶液中分别浸渍1分钟后的至少一个主面的重量减少量分别为0.2mg/cm2以下。
7.用于LED发光元件的复合材料基板的制造方法，其特征在于，具有以下工序：
(a)准备多孔体并在600～700℃下加热，所述多孔体由碳化硅形成，且气孔率为10-50体积％；
(b)在所述多孔体中浸渗铝合金或纯铝并加工成具有预定的板厚及表面粗糙度的复合材料体；
(c)在所述复合材料体的表面形成厚度为0.5-15μm的金属层，所述金属层含有Ni，
所述LED发光元件的复合材料基板在温度为25℃时的热导率为100-500W/mK，在温度为25℃-150℃时的线热膨胀系数为4×10-6/K-9×10-6/K。
8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，在工序(a)中，所述多孔体具有50MPa以上的3点弯曲强度；在所述工序(b)中，通过液态模锻法在30MPa以上的浸渗压力下，在所述多孔体中浸渗所述铝合金或纯铝。
9.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，在工序(b)中，使复合材料体的板厚为0.05-0.5mm，使表面粗糙度(Ra)为0.01-0.5μm。
10.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，在工序(b)中，使复合材料体的板厚为0.05-0.5mm，使表面粗糙度(Ra)为0.01-2μm；在工序(c)中，将复合材料体的形成了金属层的一面加工成表面粗糙度(Ra)为0.01-0.5μm。
11.LED发光元件的制造方法，其特征在于，具有以下工序：
(1)使III-V族半导体晶体在圆板状或平板状的单晶生长基板的一个主面上外延生长；
(2)通过金属层将权利要求1-6中任一项所述的用于LED发光元件的复合材料基板接合于所述III-V族半导体晶体的表面之后，通过激光照射、蚀刻、磨削中的任一种方法除去所述单晶生长基板；
(3)对所述III-V族半导体晶体的除去了所述单晶生长基板的一侧的表面进行加工并形成电极后，进行裁切加工。
12.如权利要求11所述的LED发光元件的制造方法，其特征在于，单晶生长基板由选自单晶蓝宝石、单晶碳化硅、单晶GaAs、单晶Si的材料制备。
13.如权利要求11或12所述的LED发光元件的制造方法，其特征在于，用选自AlN、SiC、GaN、GaAs的材料对单晶生长基板进行表面涂敷。
14.如权利要求11或12所述的LED发光元件的制造方法，其特征在于，III-V族半导体晶体为GaN、GaAs、GaP中的任意一种。
15.如权利要求13所述的LED发光元件的制造方法，其特征在于，III-V族半导体晶体为GaN、GaAs、GaP中的任意一种。
16.LED发光元件，其特征在于，能够通过权利要求11-15中任一项所述的LED发光元件的制造方法得到。
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Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2011007874A1 (ja) * 2009-07-17 2012-12-27 電気化学工業株式会社 Ｌｅｄチップ接合体、ｌｅｄパッケージ、及びｌｅｄパッケージの製造方法
JP5789512B2 (ja) 2009-07-31 2015-10-07 電気化学工業株式会社 Ｌｅｄ搭載用ウエハとその製造方法、及びそのウエハを用いたｌｅｄ搭載構造体
US9908282B2 (en) 2010-05-25 2018-03-06 Mossey Creek Technologies, Inc. Method for producing a semiconductor using a vacuum furnace
JP5881280B2 (ja) * 2010-08-20 2016-03-09 デンカ株式会社 Ｌｅｄ発光素子用保持基板の製造方法及びｌｅｄ発光素子の製造方法
US9006086B2 (en) 2010-09-21 2015-04-14 Chien-Min Sung Stress regulated semiconductor devices and associated methods
US8778784B2 (en) 2010-09-21 2014-07-15 Ritedia Corporation Stress regulated semiconductor devices and associated methods
CN102893419A (zh) * 2010-10-29 2013-01-23 铼钻科技股份有限公司 应力被调节的半导体装置及其相关方法
JP2013012623A (ja) * 2011-06-30 2013-01-17 Denki Kagaku Kogyo Kk Ｌｅｄ発光素子用保持基板、その製造方法及びｌｅｄ発光素子
WO2013013138A1 (en) * 2011-07-20 2013-01-24 Mossey Creek Solar, LLC Substrate for use in preparing solar cells
US9299888B2 (en) * 2011-09-13 2016-03-29 Denka Company Limited Clad material for LED light-emitting element holding substrate, and method for manufacturing same
US9543493B2 (en) 2011-11-22 2017-01-10 Mossey Creek Technologies, Inc. Packaging for thermoelectric subcomponents
EP2910545B1 (en) * 2012-10-19 2017-04-12 Kao Corporation Method for producing n,n-dialkylhomofarnesic acid amide
US20140305478A1 (en) 2013-04-15 2014-10-16 Mossey Creek Solar, LLC Method for Producting a Thermoelectric Material
CN103540830B (zh) * 2013-11-14 2015-08-26 湖南航天工业总公司 一种制备碳化硅和金刚石颗粒增强铝基复合材料的方法
US10233125B2 (en) * 2014-03-18 2019-03-19 Denka Company Limited Aluminium-silicon carbide composite, and power-module base plate
JP6452969B2 (ja) * 2014-06-25 2019-01-16 デンカ株式会社 アルミニウム−炭化珪素質複合体及びその製造方法
WO2016013648A1 (ja) * 2014-07-24 2016-01-28 電気化学工業株式会社 複合体及びその製造方法
CN104451238A (zh) * 2014-12-02 2015-03-25 常熟市东涛金属复合材料有限公司 一种电子封装用新型高导热率金属复合材料的制备方法
JP6497616B2 (ja) * 2015-03-26 2019-04-10 株式会社アライドマテリアル ヒートスプレッダ
CN107848902A (zh) 2015-07-31 2018-03-27 电化株式会社 铝‑碳化硅质复合体及其制造方法
WO2019060503A2 (en) * 2017-09-20 2019-03-28 eChemion, Inc. FABRICATION OF IMPROVED MATERIALS OF BIPOLAR METALLIC PLATE BASED ON GRAPHITE
EP3686323B1 (en) * 2017-09-22 2024-07-31 Tokuyama Corporation Group iii nitride single crystal substrate
EP3875267A4 (en) * 2018-10-31 2022-08-03 Mitsubishi Materials Corporation METALLIC FILM OXIDE CARBON ELEMENT AND THERMAL PLATE
WO2022249918A1 (ja) * 2021-05-26 2022-12-01 デンカ株式会社 アルミニウム－ダイヤモンド系複合体の製造方法
WO2023200492A2 (en) * 2021-10-12 2023-10-19 Slt Technologies, Inc. Aluminum-containing nitride ceramic matrix composite, method of making, and method of use

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5218216A (en) 1987-01-31 1993-06-08 Toyoda Gosei Co., Ltd. Gallium nitride group semiconductor and light emitting diode comprising it and the process of producing the same
JPS63188938A (ja) 1987-01-31 1988-08-04 Toyoda Gosei Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法
US4988645A (en) * 1988-12-12 1991-01-29 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Cermet materials prepared by combustion synthesis and metal infiltration
JPH0361556A (ja) 1989-07-31 1991-03-18 Ricoh Co Ltd 光プリントヘッド
JP2512250B2 (ja) 1991-09-13 1996-07-03 松下電器産業株式会社 動画表示ワ―クステ―ション
JPH11130568A (ja) * 1997-10-24 1999-05-18 Denki Kagaku Kogyo Kk 複合体とそれを用いたヒートシンク
WO2000027776A1 (en) * 1998-11-11 2000-05-18 Advanced Materials International Company, Ltd. Carbon-based metal composite material, method for preparation thereof and use thereof
JP3468358B2 (ja) * 1998-11-12 2003-11-17 電気化学工業株式会社 炭化珪素質複合体及びその製造方法とそれを用いた放熱部品
JP3496816B2 (ja) * 1999-06-25 2004-02-16 電気化学工業株式会社 金属−セラミックス複合体とそれを用いた放熱部品
US6485816B2 (en) * 2000-01-31 2002-11-26 Ngk Insulators, Ltd. Laminated radiation member, power semiconductor apparatus, and method for producing the same
EP1345264B1 (en) * 2000-11-29 2012-04-11 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Integral-type ceramic circuit board and method of producing same
US20060183625A1 (en) * 2002-07-09 2006-08-17 Kenichiro Miyahara Substrate for forming thin film, thin film substrate, optical wave guide, luminescent element and substrate for carrying luminescent element
CN100420048C (zh) * 2003-03-14 2008-09-17 住友电气工业株式会社 半导体器件
JP4110524B2 (ja) * 2003-03-20 2008-07-02 信越半導体株式会社 発光素子及び発光素子の製造方法
CN100541845C (zh) 2003-07-09 2009-09-16 日亚化学工业株式会社 发光器件及照明装置
TWI234295B (en) 2003-10-08 2005-06-11 Epistar Corp High-efficiency nitride-based light-emitting device
JP4244210B2 (ja) 2004-09-08 2009-03-25 電気化学工業株式会社 アルミニウム−セラミックス複合体及びその製造方法
US7256483B2 (en) 2004-10-28 2007-08-14 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Package-integrated thin film LED
JP5413707B2 (ja) * 2005-06-06 2014-02-12 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 金属−セラミック複合基板及びその製造方法
KR20080077094A (ko) * 2006-01-13 2008-08-21 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 알루미늄-탄화규소질 복합체 및 그것을 사용한 방열 부품
JP2008098526A (ja) 2006-10-13 2008-04-24 Toyoda Gosei Co Ltd 発光素子
US9318327B2 (en) * 2006-11-28 2016-04-19 Cree, Inc. Semiconductor devices having low threading dislocations and improved light extraction and methods of making the same
JP5273922B2 (ja) * 2006-12-28 2013-08-28 株式会社アライドマテリアル 放熱部材および半導体装置
JP2008263126A (ja) 2007-04-13 2008-10-30 Oki Data Corp 半導体装置、該半導体装置の製造方法、ｌｅｄヘッド、及び画像形成装置
JP5172232B2 (ja) * 2007-07-25 2013-03-27 電気化学工業株式会社 アルミニウム−セラミックス複合体とその製造方法
WO2010007974A1 (ja) * 2008-07-17 2010-01-21 電気化学工業株式会社 アルミニウム－ダイヤモンド系複合体の製造方法

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