CN102290097B - 一种sram存储器 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种SRAM存储器，包括由第一至第六P型MOS管(P1-P6)、第一至第四N型MOS管(N1-N4)构成的存储单元。所述第三P型MOS管(P3)和第四P型MOS管(P4)的栅极均与字线非信号相连，所述第三P型MOS管(P3)通过其源极和漏极连接于第一访问节点(A)和第一存储节点(Q)之间，所述第四P型MOS管(P4)通过其源极和漏极连接于第二访问节点(B)和第二存储节点(NQ)之间。所述第五P型MOS管(P5)的漏极与所述第一N型MOS管(N1)的漏极连接，所述第六P型MOS管(P6)的漏极与所述第二N型MOS管(N2)的漏极连接。本发明能够有效的降低静态的漏电电流从而降低整体的功耗，并且极大的增强了存储单元的稳定性。

Description

一种SRAM存储器
技术领域
本发明涉及集成电路技术，尤其涉及一种SRAM存储器。
背景技术
SRAM(Static RAM)，即静态随机存储器，它由晶体管组成。对于晶体管而言，接通代表1，断开表示0，并且状态会保持到接收了一个改变信号为止。这些晶体管不需要刷新，但停机或断电时，它们同动态的随机存储器一样，会丢掉信息。SRAM的速度非常快，通常能以20ns或更快的速度工作。一个动态随机存储器的存储单元仅需一个晶体管和一个小电容.而每个SRAM单元则需要四到六个晶体管和其他零件。
图1为现有技术的6T(即6个晶体管)结构的SRAM存储单元。其中P1、P2代表两个P型MOS管，N1、N2、N3、N4代表四个N型MOS管。其中WL表示字线信号，BL表示位线信号，NBL表示位线非信号，Q和NQ表示存储节点。MOS管N3和N4的栅极与字线信号WL连接，漏极分别与位线信号BL、位线非信号NBL连接，源极分别与存储节点Q、NQ连接。MOS管P1和N1、P2和N2分别构成反相器，用以锁存存储节点Q与NQ的数据。
在6T结构的SRAM存储单元待机(standby)状态下，字线信号WL无效，位线信号BL和位线非信号NBL都会被预充电到电源电压VDD。假设当前存储节点Q存储的为数据“0”，此时MOS管N3和P1应该处于关断状态，但由于MOS晶体管随着工艺的发展导通阈值电压(Vth)越来越低，此时的N3和P1将不会彻底的关断，而是存在着较小的漏电电流，同时从存储节点NQ经过N2到地也会有漏电电流。而对于大容量的SRAM存储器，其中大量的存储单元都是处在待机(standby)状态，因此将会产生较大的漏电电流，而如何有效的降低静态漏电电流从而降低整体的功耗也是现在SRAM设计的一个难点。
目前有以下几种方法能够降低SRAM存储器在待机阶段中的漏电电流：1、降低电源电压；2、使用高阈值MOS器件；3、使用一些控制漏电电流的技术。传统的6T结构SRAM存储单元由于受到静态噪声容限(SNM)的限制，电源电压不可能降的很低，其次降低电源电压会使性能下降，因而在很多高性能要求的环境下，电源电压一般不能被降低。使用高阈值MOS晶体管设计SRAM存储单元需要工艺的支持。前两种方案的局限性使得人们发明了很多控制漏电电流的方法。在控制漏电电流的技术中，主要关注于低漏电电流存储单元的设计，下面介绍其中一些方案。
2004年举行的第30届欧洲固态电路会议上Ingvar Carlson等人在“AHigh Density，Low Leakage，5T SRAM for Embedded Caches”中设计了一种5T结构的单端口的存储单元，该存储单元能够降低75％的漏电电流。但由于其结构中晶体管尺寸的异样性，使得该单元在不同的工艺库设计中可移植性变差。
2006年举行的第19届国际超大规模集成电路设计会议上Sanjeev K.Jain等人发表的“A low leakage and SNM free SRAM cell design in deep submicron CMOS technology”中提出了一种非对称式的SRAM 8T结构的存储单元，该单元在存储数据0时能够降低50％的漏电电流。但是非对称式结构对存储的数据为1时，并不会降低漏电电流，同时非对称结构使得存储单元读写操作变为单端模式，从而降低了读写速度。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够降低漏电电流的SRAM存储器，从而能够极大的降低整体功耗以及增强稳定性。
为了实现上述目的，本发明提供了一种SRAM存储器，包括由第一至第六P型MOS管、第一至第四N型MOS管构成的存储单元，其中所述第一P型MOS管的栅极与所述第二N型MOS管的漏极连接于第二存储节点，所述第二P型MOS管的栅极与所述第一N型MOS管的漏极连接于第一存储节点；所述第一P型MOS管的源极与所述第二P型MOS管的源极均连接高电源电平；所述第一P型MOS管的漏极与所述第五P型MOS管的源极连接于第一访问节点，所述第二P型MOS管的漏极与所述第六P型MOS管的源极连接于第二访问节点；所述第一N型MOS管的栅极与第五P型MOS管的栅极连接，所述第二N型MOS管的栅极与所述第六P型MOS管的栅极连接；所述第五P型MOS管的漏极与所述第一N型MOS管的漏极连接，所述第六P型MOS管的漏极与所述第二N型MOS管的漏极连接；所述第一N型MOS管和第二N型MOS管的源极均连接低电源电平；所述第三N型MOS管和第四N型MOS管的栅极均与字线信号连接，所述第三N型MOS管通过其源极和漏极连接于位线信号和第一访问节点之间，所述第四N型MOS管通过其源极和漏极连接于位线非信号和第二访问节点之间；所述第三P型MOS管和第四P型MOS管的栅极均与字线非信号相连，所述第三P型MOS管通过其源极和漏极连接于第一访问节点和第一存储节点之间，所述第四P型MOS管通过其源极和漏极连接于第二访问节点和第二存储节点之间。
根据本发明的存储单元结构，能够减少87％的漏电电流，同时本发明存储单元中的访问节点和存储节点分离，增加了整体的静态噪声容限，增强了存储单元的稳定性。
附图说明
通过以下结合附图以举例方式对本发明的实施方式进行详细描述后，本发明的其他特征、特点和优点将会更加明显。
图1是现有技术的6T结构的SRAM存储单元结构图；
图2是本发明一个实施例的10T结构的SRAM存储单元结构图；
图3是本发明另一个实施例的10T结构的SRAM存储单元结构图。
具体实施方式
图2是本发明一个实施例的10T结构的SRAM存储单元结构图。10T结构的SRAM存储单元结构包括由第一至第六P型MOS管P1-P6、第一至第四N型MOS管N1-N4构成的存储单元，其中第一P型MOS管P1的栅极与第二N型MOS管N2的漏极连接于第二存储节点NQ，第二P型MOS管P2的栅极与第一N型MOS管N1的漏极连接于第一存储节点Q；第一P型MOS管P1的源极与第二P型MOS管P2的源极均连接高电源电平，例如连接到电源电压端；第一P型MOS管P1的漏极与第五P型MOS管P5的源极连接于第一访问节点A，第二P型MOS管P2的漏极与第六P型MOS管P6的源极连接于第二访问节点B；第一N型MOS管N1的栅极与第五P型MOS管P5的栅极连接，第二N型MOS管N2的栅极与第六P型MOS管P6的栅极连接；第五P型MOS管P5的漏极与第一N型MOS管N1的漏极连接，第六P型MOS管P6的漏极与第二N型MOS管N2的漏极连接；第一N型MOS管N1和第二N型MOS管N2的源极均连接低电源电平，例如连接到地端；第三N型MOS管N3和第四N型MOS管N4的栅极均相连字线信号WL，第三N型MOS管N3通过其源极和漏极连接于位线信号BL和第一访问节点A之间，第四N型MOS管N4通过其源极和漏极连接于位线非信号NBL和第二访问节点B之间；第三P型MOS管P3和第四P型MOS管P4的栅极均与字线非信号NWL相连，第三P型MOS管P3通过其源极和漏极连接于第一访问节点A和第一存储节点Q之间，第四P型MOS管P4通过其源极和漏极连接于第二访问节点B和第二存储节点NQ之间。
现以数据“1”写入到10T结构的SRAM存储单元为例来描述数据的写入阶段：当前字线信号WL和字线非信号NWL处于有效状态，此时，与字线信号WL连接的第三N型MOS管N3和第四N型MOS管N4处于导通状态，与字线非信号NWL连接的第三P型MOS管和第四P型MOS管P4同样处于导通状态。将要写入的数据“1”首先会通过写入电路变成“1”和“0”后分别加到位线信号BL和位线非信号NBL上，由于第三P型MOS管P3通过其源极和漏极连接于第一访问节点A和第一存储节点Q之间，第四P型MOS管P4通过其源极和漏极连接于第二访问节点B和第二存储节点NQ之间，因此互补的位线信号BL和位线非信号NBL分别通过第三N型MOS管N3和第三P型MOS管P3、第四N型MOS管N4和第四P型MOS管P4将数据分别写入到存储节点Q和NQ上，从而使存储节点Q＝1、QB＝0，当写入过程结束后，字线信号WL和字线非信号NWL处于无效状态。
现以10T结构的SRAM存储单元读出数据“1”为例来描述数据的读出阶段：当前位线信号BL和位线非信号NBL将会被预充电到电源电压VDD，之后字线信号WL和字线非信号NWL处于有效状态，与字线非信号NWL连接的第三P型MOS管和第四P型MOS管P4同样处于导通状态，与字线非信号NWL连接的第三P型MOS管和第四P型MOS管P4同样处于导通状态。由于存储单元中存放的是数据“1”，则存储节点Q＝1、存储节点NQ＝0。第二N型MOS管N2首先通过第三P型MOS管P3和第三N型MOS管N3对位线信号BL放电，与第三N型MOS管N3连接的位线信号BL电位下降，从而使位线信号BL、位线非信号NBL间的电位产生电压差，位线信号BL和位线非信号NBL上的电压差通过敏感放大器进行检测，最后再送到输出电路，读出数据“1”。
针对10T结构的SRAM存储单元处在待机(standby)状态为例进行描述：当前字线信号WL和字线非信号NWL处于无效状态，此时位线信号BL和位线非信号NBL的变化无法被写入存储单元中。此时第三N型MOS管N3和第三P型MOS管P3以及第四N型MOS管N4和第四P型MOS管P4处于截止状态。在存储单元当前存储节点Q＝1时，第六P型MOS管P6处于截止状态，则由第二P型MOS管P2、第四N型MOS管N4流经第二N型MOS管N2到地的漏电电流得到阻断，同样在存储单元当前的存储节点NQ＝1时，第五P型MOS管P5则截止，由第一P型MOS管P1、第三N型MOS管N3流经第一N型MOS管N1到地的漏电电流得到阻断。
图3是本发明另一个实施例的10T结构的SRAM存储单元结构图。10T结构的SRAM存储单元结构包括由第一至第二、第五至第六P型MOS管P1-P2、P5-P6、第一至第六N型MOS管N1-N6构成的存储单元，其中第一P型MOS管P1的栅极与第二N型MOS管N2的漏极连接于第二存储节点NQ，第二P型MOS管P2的栅极与第一N型MOS管N1的漏极连接于第一存储节点Q；第一P型MOS管P1的源极与第二P型MOS管P2的源极均连接高电源电平；第一P型MOS管P1的漏极与第五P型MOS管P5的源极连接于第一访问节点A，第二P型MOS管P2的漏极与第六P型MOS管P6的源极连接于第二访问节点B；第一N型MOS管N1的栅极与第五P型MOS管P5的栅极连接，第二N型MOS管N2的栅极与第六P型MOS管P6的栅极连接；第五P型MOS管P5的漏极与第一N型MOS管N1的漏极连接，第六P型MOS管P6的漏极与第二N型MOS管N2的漏极连接；第一N型MOS管N1和第二N型MOS管N2的源极均连接低电源电平；第三N型MOS管N3和第四N型MOS管N4的栅极均与字线信号WL连接，第三N型MOS管N3通过其源极和漏极连接于位线信号BL和第一访问节点A之间，第四N型MOS管N4通过其源极和漏极连接于位线非信号NBL和第二访问节点B之间；第五N型MOS管N5和第六N型MOS管N6的栅极均与字线信号WL相连，第五N型MOS管N5通过其源极和漏极连接于第一访问节点A和第一存储节点Q之间，第六N型MOS管N6通过其源极和漏极连接于第二访问节点B和第二存储节点NQ之间。
现以数据“1”写入到10T结构的SRAM存储单元为例来描述数据的写入阶段：当前字线信号WL处于有效状态，此时第三N型MOS管N3和第五N型MOS管N5、第四N型MOS管N4和第六N型MOS管N6处于导通状态，将要写入的数据“1”通过写入电路变成“1”和“0”后分别加到两条控制信号：位线信号BL和位线非信号NBL上，因此互补的位线信号BL和位线非信号NBL分别通过第三N型MOS管N3和第五N型MOS管N5、第四N型MOS管N4和第六N型MOS管N6将数据分别写入到第一存储节点Q和第二存储节点NQ上，从而使Q＝1，QB＝0，写入过程结束后，字线信号WL处于无效状态。
现以10T结构的SRAM存储单元读出数据“1”为例来描述数据的读出阶段：当前位线信号BL和位线非信号NBL将会被预充电到电源电压VDD，之后字线信号WL处于有效状态，此时第三N型MOS管N3和第五N型MOS管N5、第四N型MOS管N4和第六N型MOS管N6处于导通状态，由于存储单元中存放的是数据“1”，则存储节点Q＝1、存储节点NQ＝0。第二N型MOS管N2首先通过第三N型MOS管N3和第五N型MOS管N5对位线信号BL放电，与第三N型MOS管N3连接的位线信号BL电位下降，从而使位线信号BL、位线非信号NBL间电位产生电压差，位线信号BL和位线非信号NBL上的电压差通过敏感放大器进行检测，最后再送到输出电路，读出数据“1”。
针对10T结构的SRAM存储单元处在待机(standby)状态为例进行描述：当前字线信号WL处于无效状态，此时位线信号BL和位线非信号NBL的变化无法被写入存储单元中。此时第三N型MOS管N3和第五型MOS管N5，第四N型MOS管N4和第六N型MOS管N6处于截止状态。在存储单元当前存储节点Q＝1时，第六P型MOS管P6处于截止状态，则由第二P型MOS管P2、第四N型MOS管N4流经第二N型MOS管N2到地的漏电电流得到阻断，同样在存储单元当前的存储节点NQ＝1时，第五P型MOS管P5则截止，由第一P型MOS管P1、第三N型MOS管N3流经第一N型MOS管N1到地的漏电电流得到阻断。
需要特别说明的是，本发明可以应用到涉及存储数据的各种电子设备中。
显而易见，在不偏离本发明的真实精神和范围的前提下，在此描述的本发明可以有许多变化。因此，所有对于本领域技术人员来说显而易见的改变，都应包括在本权利要求书所涵盖的范围之内。本发明所要求保护的范围仅由所述的权利要求书进行限定。

Claims (3)

1.一种SRAM存储器，包括由第一至第六P型MOS管（P1-P6）、第一至第四N型MOS管（N1-N4）构成的存储单元，其中所述第一P型MOS管(P1)的栅极与所述第二N型MOS管（N2）的漏极连接于第二存储节点（NQ），所述第二P型MOS管(P2)的栅极与所述第一N型MOS管（N1）的漏极连接于第一存储节点（Q）；所述第一P型MOS管(P1)的源极与所述第二P型MOS管(P2)的源极均连接高电源电平；所述第一P型MOS管(P1)的漏极与所述第五P型MOS管(P5)的源极连接于第一访问节点（A），所述第二P型MOS管(P2)的漏极与所述第六P型MOS管(P6)的源极连接于第二访问节点（B）；所述第一N型MOS管（N1）的栅极与第五P型MOS管(P5)的栅极连接于第二存储节点（NQ），所述第二N型MOS管（N2）的栅极与所述第六P型MOS管(P6)的栅极连接于第一存储节点（Q）；所述第五P型MOS管(P5)的漏极与所述第一N型MOS管（N1）的漏极连接，所述第六P型MOS管(P6)的漏极与所述第二N型MOS管（N2）的漏极连接；所述第一N型MOS管（N1）和第二N型MOS管（N2）的源极均连接低电源电平；所述第三N型MOS管（N3）和第四N型MOS管（N4）的栅极均连接字线信号，所述第三N型MOS管（N3）通过其源极和漏极连接于位线信号和第一访问节点（A）之间，所述第四N型MOS管（N4）通过其源极和漏极连接于位线非信号和第二访问节点（B）之间；所述第三P型MOS管（P3）和第四P型MOS管（P4）的栅极均相连字线非信号,所述第三P型MOS管（P3）通过其源极和漏极连接于第一访问节点（A）和第一存储节点（Q）之间，所述第四P型MOS管（P4）通过其源极和漏极连接于第二访问节点（B）和第二存储节点（NQ）之间。
2.根据权利要求1所述的SRAM存储器，其特征在于：所述第三P型MOS管（P3）和第四P型MOS管(P4)分别用第五N型MOS管（N5）和第六N型MOS管(N6)代替，所述第五N型MOS管和第六N型MOS管的栅极均连接字线信号，所述第五N型MOS管（N5）通过其源极和漏极连接于第一访问节点（A）和第一存储节点（Q）之间，所述第六N型MOS管（N6）通过其源极和漏极连接于第二访问节点（B）和第二存储节点（NQ）之间。
3.一种电子设备，包括如权利要求1所述的SRAM存储器。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103778954B (zh) * 2014-02-24 2016-08-31 哈尔滨工业大学 抗多节点翻转的存储器
CN105225690B (zh) * 2014-05-29 2018-01-26 展讯通信（上海）有限公司 Sram存储单元及存储阵列
CN105336363B (zh) * 2014-05-29 2018-01-26 展讯通信（上海）有限公司 Sram存储单元、存储阵列及存储器
CN105206298B (zh) * 2014-05-29 2018-01-26 展讯通信（上海）有限公司 Sram存储单元、存储阵列及存储器
CN105336364B (zh) * 2014-05-29 2017-11-21 展讯通信（上海）有限公司 Sram存储单元、存储阵列及存储器
CN105336362B (zh) * 2015-12-10 2018-01-23 中北大学 抗辐射加固的静态随机存取储存器

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101290807A (zh) * 2007-04-17 2008-10-22 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 静态随机存取存储器电路稳定性的仿真方法
CN101364433A (zh) * 2007-08-07 2009-02-11 台湾积体电路制造股份有限公司 具有省电模组的静态随机存取存储器装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7542329B2 (en) * 2006-07-19 2009-06-02 International Business Machines Corporation Virtual power rails for integrated circuits

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101290807A (zh) * 2007-04-17 2008-10-22 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 静态随机存取存储器电路稳定性的仿真方法
CN101364433A (zh) * 2007-08-07 2009-02-11 台湾积体电路制造股份有限公司 具有省电模组的静态随机存取存储器装置

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
A 32kb 10T Sub-Threshold SRAM Array With Bit-Interleaving and Differential Read Scheme in 90 nm CMOS;Ik Joon Chang,etc.;《IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS》;20090228;第40卷(第2期);全文 *
Ik Joon Chang,etc..A 32kb 10T Sub-Threshold SRAM Array With Bit-Interleaving and Differential Read Scheme in 90 nm CMOS.《IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS》.2009,第40卷(第2期),全文.
吴晨等.静态随机存取存储器漏电流功耗降低技术.《微电子学》.2010,第40卷(第4期),全文.
静态随机存取存储器漏电流功耗降低技术;吴晨等;《微电子学》;20100831;第40卷(第4期);全文 *

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