CN102272352B - Cvd装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于提供一种能够在不导致生产成本高昂及装置大型化的情况下飞跃性地提高基座的品质和生产性的CVD装置。在该CVD装置中，在通过支承部件支承碳质基材(5)的状态下向内部导入气体，由此在碳质基材(5)的表面形成SiC覆膜，所述CVD装置的特征在于，所述支承部件具备载置所述碳质基材(5)并支承碳质基材下部的下部支承部件(6)和支承所述碳质基材(5)上部的上部支承部件(13)，该上部支承部件(13)设置在所述碳质基材(5)的外周缘，并且在该上部支承部件(13)形成有V字状的槽(13d)，在由该V字状的槽(13d)构成的碳质基材配置空间(17)内，以具有充分的游隙的状态配置所述碳质基材(5)。

Description

CVD装置
技术领域
本发明涉及在碳质基材的表面形成SiC覆膜的CVD装置。
背景技术
例如，在半导体外延生长中使用的基座(suscepter)等由在碳质基材的表面形成有SiC被覆层的材质构成。SiC覆膜向碳质基材表面的形成通常通过使碳化氢那样的含有碳源的卤化有机硅化合物在还原性气流中发生热分解反应而在碳质基材的表面直接蒸镀SiC的CVD法(化学性气相析出法)来进行，但形成的SiC覆膜需要作为没有针孔的极致密且均质的层而被覆在碳质基材的整面。
在此，在形成上述SiC覆膜时，以多点支承碳质基材并将碳质基材以横置(放倒状态)来进行覆膜形成。然而，在该方法中，存在以下所示的课题。
(1)由于支承点未形成SiC覆膜，因此当要在整面形成SiC覆膜时，在形成了SiC覆膜后，必须打开CVD装置并变更碳质基材的支承点，再次形成SiC覆膜，因此基座的制造成本高昂。
(2)由于SiC覆膜的形成在高温下进行，因此基座发生翘曲，尤其是基座的厚度小时，翘曲显著。而且，在使碳质基材为横向而进行覆膜形成时，是在碳质基材的表面存在微粒的状态下形成SiC覆膜。因此，存在基座品质下降这一课题。
考虑到上述课题而提出有如下的一种方案：在CVD反应的中途实施将被处理基材(碳质基材)的一端从支承叶片抬起而变更支承叶片与被处理基材的接触位置这一动作，从而不用打开CVD装置就能形成SiC覆膜(参照下述专利文献1)。然而，这种提案无法解决上述(2)所示的课题。
考虑上述情况而提出有如下的一种方案：通过将碳质基材悬架于具有比碳质基材的贯通孔的直径小的截面积的旋转支承杆，而使碳质基材的支承接点连续移动(参照下述专利文献2)。根据该提案，能够解决上述(1)(2)的课题。然而，在上述专利文献2所示的提案中，仅适用于具有孔的基座，而且额外需要用于使旋转支承杆工作的驱动机构等，从而产生CVD装置的生产成本高昂或导致CVD装置大型化这些新的课题。
因此，如图20所示，提出有基座独立式的CVD装置。具体而言，在该CVD装置中，在前端锥状的支承台50的刀口支承部50a载置碳质基材51并利用销52支承碳质基材51的两面。若形成为这种结构，则能够适用于没有孔的基座，而且，不需要用于使旋转支承杆工作的驱动机构等，因此能够防止CVD装置的生产成本高昂或CVD装置的大型化。
【专利文献1】日本特开2003-213429号公报
【专利文献2】日本特开昭63-134663号公报
然而，在上述的现有结构中，由于是仅利用销52来支承碳质基材51的两面的结构，因此碳质基材51有时会向C方向或D方向旋转而偏向倾斜方向，甚至倾倒。当碳质基材51如后者那样倾倒时，若仅一个碳质基材51倾倒的话，问题还不那么大，但有时由于一个碳质基材51的倾倒，导致与其相邻的碳质基材51也会倾倒。其结果是，存在多个碳质基材51倾倒而无法形成所希望的SiC覆膜这一课题。而且，当碳质基材51如前者那样旋转时，销52有时会进入到锪孔51a内，因此会产生锪孔51a内的SiC覆膜的膜厚不均，从而存在发生颜色不均的课题。
此外，在CVD装置中，虽然是使支承台50旋转并同时在碳质基材51上形成SiC覆膜的结构，但在CVD装置的内部，在中央部和周边部因距原料气体供给部的距离不同而反应的原料气体的流量、流速不同。因此，当像以往的CVD装置那样将碳质基材51排列成一直线状时，存在因碳质基材51的配置位置的不同而覆膜厚度不同，锪孔面或锪孔51a的翘曲量极大的课题。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种不会导致生产成本高昂或装置的大型化、能够飞跃性地提高基座的品质和生产性的CVD装置。
为了实现上述目的，本发明提供一种CVD装置，在通过支承部件支承碳质基材的状态下向内部导入气体，由此在碳质基材的表面形成SiC覆膜，所述CVD装置的特征在于，所述支承部件具备载置所述碳质基材并支承碳质基材下部的下部支承部件和支承所述碳质基材上部的上部支承部件，该上部支承部件设置在所述碳质基材的外周缘，并且具备两张支承板，在所述支承板之间形成的碳质基材配置空间内，以具有充分的游隙的状态配置所述碳质基材。
在上述结构的上部支承部件中，由于碳质基材的上端的支承(保持)通过两个支承板进行，因此，即使对碳质基材施加外力而使碳质基材产生旋转或错位，也能够在SiC覆膜的形成中抑制碳质基材倾倒的情况。而且，能够防止因一个碳质基材的倾倒而引起的相邻碳质基材的倾倒。
另外，由于以具有充分的游隙的状态在上述支承板之间配置上述碳质基材，因此，当向装置内导入气体时，在该气体流产生的风力的作用下，碳质基材或与上部支承部件的一方的支承板进行接触，或与另一方的支承板进行接触。即，碳质基材与上部支承部件的主体部进行断续接触，因此能够避免碳质基材的局部未被涂敷这一不良情况(即，能够在碳质基材的表面均匀地涂敷SiC覆膜)。此外，由于上部支承部件设置在碳质基材的外周缘，因此能够抑制因上部支承部件进入碳质基材的锪孔内而引起的SiC覆膜的膜厚不均(由此引起的颜色不均)。而且，由于碳质基材是独立式且未通过上部支承部件进行完全固定，因此不会对碳质基材施加大的外力，从而能够抑制基座发生翘曲的情况。
根据以上所述，在利用本发明的CVD装置制作的基座中，翘曲量少，抑制颜色不均发生率而使外观保持良好，因此能够提高基座的品质。
而且，由于无需额外的旋转支承天平等驱动机构等，因此能够防止CVD装置的生产成本高昂或CVD装置的大型化。
所述上部支承部件优选配置在所述碳质基材的上端位置。
当将上部支承部件的配置位置设置在碳质基材的上端位置以外的位置时，碳质基材的倾倒角增大。因此，碳质基材无法在气体流产生的风力的作用下充分摇动，有可能会发生碳质基材的局部未被涂敷这一不良情况。而且，从不妨碍原料气体向基座的流动方面考虑，也优选将上部支承部件配置在碳质基材的上端位置。
所述游隙优选为1mm以上2mm以下。
当游隙超过2mm时，碳质基材的倾倒角增大，与上述同样地会发生碳质基材的局部未被涂敷这一不良情况，而当游隙小于1mm时，即使始终不接触，也会由于原料气体的流路狭窄而难以流动，从而发生基材的局部未被涂敷的不良情况，因此不优选。而且，当游隙小于1mm时，必须提高上部支承部件的加工精度，会导致成本高昂。
另外，在上部支承部件中，优选由一体的所述两张支承板形成的碳质基材配置空间为大致V字状。
如果由两张支承板形成的碳质基材配置空间为大致V字状，则仅通过使上部支承部件上下移动就能够调整游隙量。
优选在所述下部支承部件的表面存在热分解碳质层。
若为上述结构，则由于热分解碳质膜比SiC覆膜的强度弱，因此当从下部支承部件取下基座时，能够抑制从基座剥离SiC覆膜。
优选在所述下部支承部件的表面存在形成有热分解碳质层的热膨胀片。
若为上述结构，则根据与上述同样的理由，当从下部支承部件取下基座时，能够抑制从基座剥离SiC覆膜。而且，这种情况下，无需在每次形成SiC覆膜时更换下部支承部件，而仅更换形成有热分解碳质层的热膨胀片即可，能提高生产性。而且，由于热膨胀片富于挠性，因此在下部支承部件载置碳质基材时的缓冲性优良。从而在载置时，能够抑制碳质基材产生缺口等。尤其是在碳质基材大而重量大时，能充分发挥该作用效果。
当在多个所述碳质基材的表面形成SiC覆膜时，优选各碳质基材配置成距装置的中心为等距离。
在CVD装置的内部，虽然中央部和周边部距原料气体供给部的距离不同，但只要各碳质基材配置成距装置的中心为等距离，就能够消除因碳质基材的配置位置而引起的距原料气体供给部的距离的差异，因此无论在哪个基座中，都能够减少其翘曲量。
【发明效果】
根据本发明，能起到如下的优异效果，即，能够在不导致生产成本高昂及装置大型化的情况下飞跃性地提高基座的品质和生产性。
附图说明
图1是表示本发明的CVD装置的内部结构的立体图。
图2是表示下部支承部件的立体图。
图3是表示下部支承部件的图，其图(a)是侧视图，其图(b)是主视图，其图(c)是其图(b)的B-B线向视剖视图。
图4是表示下部支承部件的主体部的立体图。
图5是表示下部支承部件的主体部的图，其图(a)是侧视图，其图(b)是主视图，其图(c)是其图(b)的A-A线向视剖视图。
图6是表示下部支承部件的接点部的立体图。
图7是表示下部支承部件的接点部的图，其图(a)是主视图，其图(b)是仰视图，其图(c)是侧视图。
图8是表示上部支承部件的图，其图(a)是主视图，其图(b)是立体图。
图9是表示上部支承部件与碳质基材的关系的说明图。
图10是表示碳质基材的支承顺序的图，其图(a)、(b)是表示在下部支承部件上依次配置碳质基材和上部支承部件的状态的主视图和侧视图，其图(c)、(d)是表示将嵌合棒嵌入到嵌合筒中的状态的主视图和侧视图，其图(e)、(f)是表示碳质基材的支承结束状态的主视图和侧视图。
图11是表示上部支承部件与下部支承部件的关系的说明图。
图12是表示本发明CVD装置的内部结构的变形例的立体图。
图13是表示本发明CVD装置的内部结构的另一变形例的立体图。
图14是表示各夹具的配置状态的说明图。
图15是表示上部支承部件的变形例的主视图。
图16是表示上部支承部件的配置位置的变形例的主视图。
图17是表示在膨胀石墨片的外表面形成有热分解碳层的状态的说明图。
图18是表示制作比较基座Z3时的碳质基材与上部支承部件的关系的说明图。
图19是表示基座的翘曲状态的说明图。
图20是表示现有CVD装置的内部结构的立体图。
具体实施方式
如图1所示，本发明的CVD装置具有：底座1、固定在该底座1中央部的支承轴2、从该支承轴2呈放射状地延伸设置的支承棒4、固定在该支承棒4的外端而与支承棒4成为一体的支承环3，在装置工作时，上述部件成为一体地进行旋转。
在上述底座1的延伸部1a的表面具有下部支承部件6，该下部支承部件6用于对各形成有三个锪孔5a的碳质基材5的下部进行支承，如图2及图3(a)～(c)所示，该下部支承部件6由主体部7和载置在该主体部7上部的接点部8构成。如图4及图5(a)～(c)所示，上述主体部7具有：在内部形成有孔7c的基部7a，该孔7c与从上述底座1的延伸部1a突出的突起(未图示)嵌合而与底座1固定在一起；在该基部7a的上表面与基部7a一体形成的凸部7b。该凸部7b的上表面7e成为用于载置上述接点部8的载置面，而且，形成在上表面7e两端的突起7d的高度L1〔参照图5(b)〕大于上述接点部8的厚度L2〔参照图7(b)〕。通过形成为这种结构，在将碳质基材5载置于接点部8的表面之际或之后，即使碳质基材5稍倾斜或移动，也会由于其与突起7d抵接而能防止碳质基材5发生进一步的倾斜等。
另外，如图6及图7(a)～(c)所示，上述接点部8包括由石墨构成的主体部8a和形成在主体部8a的外表面的热分解碳层8b。接点部8的外形成为大致半圆状，其长度L3〔参照图7(c)〕稍小于上述凸部7b的上表面7e的长度L4〔参照图5(b)〕。而且，在上述主体部8a的下表面形成有コ字状的槽8c，其宽度L5稍小于上述凸部7b的上表面7e的宽度L6〔参照图5(a)〕。通过上述两个结构，能够在主体部7的上表面7e顺利地配置接点部8。而且，由于上述热分解碳层8b的强度比通过CVD装置形成的SiC覆膜的强度小，因此在碳质基材5上形成了SiC覆膜后，当从CVD装置取下碳质基材5时，能够防止SiC覆膜从碳质基材5剥离。需要说明的是，热分解碳层8b并不局限于仅形成在上述那样的半圆状的面上，也可以形成在主体部8a的整个外表面。
在此，热分解碳层8b可以通过一般已知的方法来形成，其一例如下所示。首先，在处理炉内配置了主体部8a后，将炉内的压力维持成0.1～10Torr，将炉内的温度维持成1600～2000℃，并导入甲烷气体或丙烷气体等碳化氢气体或氢气。这样，由于上述气体在炉内进行热分解，因此热分解后的碳沉积在主体部8a的表面，从而在主体部8a的表面形成热分解碳层8b。需要说明的是，为了提高热分解碳层8b的纯度，在热分解碳层8b形成之后，优选在四氯化碳等卤素气体气氛下以约2000℃进行热处理。另外，在实施时需要注意以下方面，即：若不放慢堆积速度，则沉积的碳容易稀疏，进而，因改变处理温度等条件而成为高取向组织或乱层结构组织。
另一方面，如图1所示，在上述支承棒4的上表面竖立设置有圆柱状的嵌合棒4a，该嵌合棒4a嵌入到具有比嵌合棒4a的直径稍大的内径的嵌合筒11中。相邻的嵌合筒11彼此通过连结棒12固定，在该连结棒12的大致中央部且上述碳质基材5的外周缘固定有上部支承部件13。如图8(a)、(b)所示，该上部支承部件13在基台13a的上表面形成有用于安装在上述连结棒12上的安装部13b，而在基台13a的下表面形成有主体部13c。在该主体部13c的下部形成有对上述碳质基材5的上端进行支承的V字状的槽13d，由该槽13d形成的空间构成碳质基材配置空间17。而且，上述V字状的槽13d的内表面成为前端锥状的刀口支承13e，由此，能够减少与碳质基材5的接触面积，使SiC覆膜的厚度更均匀。在上述结构的上部支承部件13中，通过两个支承板(是形成V字状的槽13d的两个壁，而不是利用销进行支承)支承(保持)碳质基材5的上端，因此，即使对碳质基材5施加力而使碳质基材5发生错位，也能够在SiC覆膜的形成中抑制碳质基材5的倾倒。
另外，碳质基材5与槽13d的距离L7〔参照图8(a)〕优选为1～2mm左右。这是基于以下所示的理由。即，如图9所示，碳质基材5在CVD装置内的气体流及装置的旋转力的作用下进行转动，因此或与一方的刀口支承13e1抵接，或与另一方的刀口支承13e2抵接。由此，能避免在碳质基材5的局部未形成SiC覆膜的不良情况。然而，当碳质基材5与槽13d的距离L7过大时，碳质基材5的倾倒角θ增大，碳质基材5无法在CVD装置内的气体流的作用下向另一方的刀口支承返回，其结果是，会产生在碳质基材5的局部未形成SiC覆膜这一不良情况。另一方面，当将碳质基材5与槽13d的距离L7限制得过小时，即使始终不接触，也会由于原料气体的流路狭窄而发生未涂敷的情况，或必须提高槽13d的加工精度，从而导致成本高昂。
需要说明的是，根据上述那样的理由，虽然可以认为若碳质基材5的长度(独立时的高度)增大，则可以进一步增大碳质基材5与槽13d的距离L7，但考虑到当前使用的碳质基材5的最大长度，距离L7优选以2mm为限度。
下面，参照图10(a)～(c)，对碳质基材5的配置方法进行说明。需要说明的是，为了简化说明而说明锪孔5a为一个的情况。
首先，如图10(a)、(b)所示，在下部支承部件6上配置碳质基材5，进而在碳质基材5上配置上部支承部件13。接着，如图10(c)、(d)所示，使嵌合棒4a嵌入具有比嵌合棒4a的直径稍大的内径的嵌合筒11中。当嵌入结束时，如图10(e)、(f)所示，成为准备结束状态。需要说明的是，当碳质基材5与上部支承部件13的槽13d的距离L7过小时，例如图11所示，通过使嵌合棒4a嵌入环状的调节部件21，能够调整距离L7。(其他事项)
(1)如图12所示，若在底座1的延伸部1a上不直接配置下部支承部件6，而是经由能够伸缩的支承棒22配置下部支承部件6，则能够对应于短碳质基材5。因此，即使在小批量存在的情况下，也能够与大批量同时处理，从而能够进一步提高生产性。
(2)可以如图14所示将各夹具24呈放射状配置，也可以如图13所示，将碳质基材5沿与径向平行的方向和与径向垂直的方向配置，进行SiC皮膜形成处理。
(3)作为形成在上部支承部件13上的槽13d，并不局限于V字状，如图15所示，也可以为コ字状或U字状。但当形成为这种结构时，无法使碳质基材5与槽13d的距离L7变化，因此仅能够适用于碳质基材5的厚度相同的情况。
(4)上部支承部件13的配置位置并不局限于碳质基材5的上端，如图16所示，也可以配置在碳质基材5的中间位置。但是，这种情况下，即使碳质基材5与槽13d的距离L7与上述同样为1～2mm，图9所示的θ也会增大。因此，上部支承部件13的配置位置最优选为碳质基材5的上端。
(5)在上述接点部8中，热分解碳层8b直接形成在主体部8a的外表面，但并不局限于这种结构，如图17所示，也可以在内侧形状与主体部8a为相同形状的膨胀石墨片26的外表面形成热分解碳层8b，之后使其覆盖主体部8a的外表面。需要说明的是，膨胀石墨片26是指对酸处理后的鳞状天然石墨进行高温膨胀处理，然后通过压缩加压而制作的片状的石墨产品，具有挠性。该片优选杂质少的高纯度品，具体而言，优选20ppm以下，特别优选10ppm以下，其中更优选5ppm以下。此外，热分解碳层8b也可以利用与直接在主体部8a的外表面直接形成热分解碳层8b的方法同样的方法进行形成。
(6)在上述结构的上部支承部件13中，两个支承板(形成V字状的槽13d的两个壁)一体形成，但并不局限于这种结构，也可以分体形成。
【实施例】
以下，基于实施例对本发明进行具体说明，但CVD装置并不受下述实施例的内容的限制。
〔实施例1〕
使用用于实施上述发明的方式的本文所示的CVD装置制作基座。需要说明的是，作为碳质基材(基座)，使用直径为8英寸、厚度为6mm的碳质基材。这种情况在下述实施例2及下述比较例1～3中也同样。
以下，将如此制作的基座称为本发明基座A1。
〔实施例2〕
使用用于实施上述发明的方式中(其他事项)的(5)所示的CVD装置制作基座。
以下，将如此制作的基座称为本发明基座A2。
〔比较例1〕
使用通过支承销多点支承碳质基材、并将碳质基材以横向(放倒状态)配置的CVD装置制作基座。
以下，将如此制作的基座称为比较基座Z1。
〔比较例2〕
使用现有技术的图20中说明的CVD装置制作基座。
以下，将如此制作的基座称为比较基座Z2。
〔比较例3〕
如图18所示，使用使上部支承部件13的主体部13c与碳质基材5始终接触且在下部支承部件6中的主体部8a的外表面未形成热分解碳层8b的CVD装置来制作基座。
以下，将如此制作的基座称为比较基座Z3。
〔实验1〕
研究了上述本发明基座A1、A2及比较基座Z1～Z3的翘曲量、颜色不均发生率、外观及是否存在SiC覆膜剥离，其结果如表1所示。需要说明的是，实验条件(覆膜形成条件)如下所述。
·实验条件
装置内的压力：0.1～760Torr
炉内的温度：1150～1500℃
导入气体：CH3SiCl3(甲基三氯硅烷)和作为载体的氢气
SiC覆膜的膜厚：40～60μm
【表1】
Figure BDA0000072180710000111
需要说明的是，在翘曲量的测定中，如图19所示，锪孔面5a侧成为凹陷的翘曲为正(参照该图实线)，锪孔面5a侧成为凸出的翘曲为负(参照该图虚线)。
由表1可知，使用实施例1及实施例2所示的CVD装置时，由于碳质基材与上部支承部件的主体部断续接触，因此能够避免碳质基材的局部未被涂敷这一不良情况(即，能够在碳质基材的表面均匀涂敷SiC覆膜)。因此，在本发明基座A1、A2中，翘曲量少，能够抑制颜色不均发生率，因此外观保持良好。而且，由于通过两个板状的部件支承碳质基材的上端，因此即使碳质基材稍微发生错位等也能够在初始阶段对错位等进行限制。因此，能够抑制碳质基材的翻倒。另外，由于在下部支承部件的主体部上直接或隔着膨胀石墨形成有比SiC覆膜的剥离强度小的热分解碳层，因此，当从下部支承部件取下本发明基座A1、A2时，能够抑制从基座剥离SiC覆膜。需要说明的是，这种情况下，虽然在基座侧附着有热分解碳，但由于SiC覆膜与热分解碳的热膨胀系数区别较大，因此能够容易地从基座除去热分解碳。
相对于此，在比较例1所示的CVD装置中，由于将厚度极小的碳质基材横向配置而进行覆膜形成，因此比较基座Z1会发生翘曲或弯曲，翘曲量明显增大。而且，因碳质基材的横向载置而在锪孔面侧载有微粒的状态下进行覆膜形成，此外，由于支承销与碳质基材始终相接，因此会残留支承痕迹，由于上述理由，在比较基座Z1中多能看到颜色不均。此外，由于在碳质基材和支承销上直接形成SiC覆膜，因此当从装置取下比较基座Z1时，能看到SiC覆膜的剥离。
另外，使用比较例2所示的CVD装置时，由于碳质基材从刀口支承偏离而使该碳质基材翻倒并进而使相邻的碳质基材也翻倒，因此，在比较基座Z2中能看到有未形成SiC覆膜的部位，且颜色不均发生率升高。而且，由于未形成均匀的SiC覆膜，因此能看到在比较基座Z2中翘曲量增多。此外，由于在碳质基材和刀口支承上直接形成SiC覆膜，因此当从装置取下比较基座Z2时，能看到SiC覆膜的剥离。
此外，使用比较例3所示的CVD装置时，碳质基材一直由上部支承部件支承(即，碳质基材与上部支承部件始终接触)，因此热处理时碳质基材容易受到大的应力，能看到比较基座Z3的翘曲量增多。而且，由于在下部支承部件的表面未形成热分解碳覆膜，因此比较基座Z3的颜色不均发生率升高，而且，从装置取下比较基座Z3时，能看到SiC覆膜的剥离。
【工业实用性】
本发明的CVD装置能够用于半导体外延生长用基座的制造等。
【符号说明】
5：碳质基材
6：下部支承部件
7：主体部
8：接点部
8a：主体部
8b：热分解碳层
13：上部支承部件
13d：槽
13e：刀口支承

Claims (7)

1.一种CVD装置，在通过支承部件支承碳质基材的状态下向内部导入气体，由此在碳质基材的表面形成SiC覆膜，所述CVD装置的特征在于，
所述支承部件具备载置所述碳质基材并支承碳质基材下部的下部支承部件和支承所述碳质基材上部的上部支承部件，
该上部支承部件设置在所述碳质基材的外周缘，并且具备两张支承板，
在所述支承板之间形成的碳质基材配置空间内，以具有充分的游隙的状态配置所述碳质基材，所述充分的游隙是指所述碳质基材或与所述支承板的一方抵接，或与另一方抵接。
2.根据权利要求1所述的CVD装置，其中，
所述上部支承部件配置在所述碳质基材的上端位置。
3.根据权利要求1或2所述的CVD装置，其中，
所述游隙为1mm以上2mm以下。
4.根据权利要求1或2所述的CVD装置，其中，
在上部支承部件中，由一体的所述两张支承板形成的碳质基材配置空间为大致V字状。
5.根据权利要求1或2所述的CVD装置，其中，
在所述下部支承部件的表面存在热分解碳质层。
6.根据权利要求5所述的CVD装置，其中，
在所述下部支承部件与所述热分解碳质层之间存在热膨胀片。
7.根据权利要求1或2所述的CVD装置，其中，
当在多个所述碳质基材的表面形成SiC覆膜时，各碳质基材配置成距装置的中心为等距离。
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