CN217298088U - 硅外延用石墨基座 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种硅外延用石墨基座，所述硅外延用石墨基座部件包括石墨基座本体，设有存放凹槽，用以存放衬底基片，存放凹槽为圆形，存放凹槽槽底为弧形面，且存放凹槽槽底开设有若干排气孔，若干排气孔均布在存放凹槽槽底。本实用新型提供的硅外延用石墨基座，能够完全与受热膨胀变形后的衬底基片贴合，衬底基片与石墨基座直接接触，确保衬底基片受热均匀。
Description
技术领域
本实用新型属于半导体技术领域，具体涉及一种硅外延用石墨基座。
背景技术
单晶硅外延片是指在一块加热到适当温度的单晶硅衬底上，通过化学气相沉积法，将硅原子沉积，生长出特定的单晶薄膜。外延片生长技术处于半导体产业链中的上游环节，是整个后续工序的基础，对最终产品品质，产品成本控制影响最大。目前用于承载衬底基片的装置包括石墨预热环和设置在石墨预热环中间的石墨基座，衬底基片放置在石墨基座的凹槽上。
但是，在生产过程中，衬底基片常常出现受热不均的情况，导致生长出的单晶薄膜质量低下，达不到预期效果。
实用新型内容
本实用新型实施例提供一种硅外延用石墨基座，旨在使衬底基片在石墨基座上受热均匀。
为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：提供一种硅外延用石墨基座，包括：
石墨基座本体，设有存放凹槽，用以存放衬底基片，所述存放凹槽为圆形，所述存放凹槽槽底为弧形面，且所述存放凹槽槽底开设有若干排气孔，若干所述排气孔均布在所述存放凹槽槽底。
在一种可能的实现方式中，所述放凹槽槽底中心在竖直方向上的高度低于槽底边缘在竖直方向上的高度，以贴合受热后的衬底基片。
在一种可能的实现方式中，所述石墨基座本体上还设有环形台阶，所述环形台阶设在所述存放凹槽的上侧。
在一种可能的实现方式中，所述环形台阶的轴线与所述存放凹槽的轴线重合。
在一种可能的实现方式中，所述环形台阶的台阶面为朝向所述存放凹槽轴线的斜面，所述台阶面的下侧边缘与所述存放凹槽的侧壁连接。
在一种可能的实现方式中，所述台阶面与所述存放凹槽的上表面的夹角为5°到20°。
在一种可能的实现方式中，所述台阶面与所述存放凹槽的上表面的夹角为15°。
在一种可能的实现方式中，若干所述排气孔为800到1000个。
在一种可能的实现方式中，所述石墨基座本体上涂覆有碳化硅涂层。
在一种可能的实现方式中，所述存放凹槽的尺寸为6英寸或者8英寸。
本实用新型提供的硅外延用石墨基座的有益效果是：与现有技术相比，本实用新型提供的硅外延用石墨基座上的存放凹槽槽底为弧形面，能够完全与受热膨胀变形后的衬底基片贴合，衬底基片与石墨基座直接接触，确保衬底基片受热均匀，同时在存放凹槽槽底均匀开设有若干排气孔，一方面，用来排出气体，便于衬底基片落入存放凹槽内，另一方面，由于若干排气孔均匀布设在存放凹槽的槽底上，能够确保衬底基片受热均匀。
附图说明
图1为本实用新型实施例提供的硅外延用石墨基座的立体结构示意图；
图2为本实用新型实施例提供的硅外延用石墨基座的主视结构示意图；
图3为沿图2中A-A线的剖视结构图；
附图标记说明：
10、石墨基座本体；11、存放凹槽；12、排气孔；13、环形台阶。
具体实施方式
为了使本实用新型所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
请一并参阅图1至图3，现对本实用新型提供的硅外延用石墨基座进行说明。硅外延用石墨基座，包括石墨基座本体10，设有存放凹槽11，用以存放衬底基片，存放凹槽11为圆形，存放凹槽11槽底为弧形面，且存放凹槽11槽底开设有若干排气孔12，若干排气孔12均布在存放凹槽11槽底。
本实用新型提供的硅外延用石墨基座的有益效果是：与现有技术相比，本实用新型提供的硅外延用石墨基座上的存放凹槽11槽底为弧形面，能够完全与受热膨胀变形后的衬底基片贴合，衬底基片与石墨基座直接接触，确保衬底基片受热均匀，同时在存放凹槽11槽底均匀开设有若干排气孔12，一方面，用来排出气体，便于衬底基片落入存放凹槽11内，另一方面，由于若干排气孔12均匀布设在存放凹槽11的槽底上，能够确保衬底基片受热均匀。
如图1和图3所示，在一种具体的实施方式中，放凹槽槽底中心在竖直方向上的高度低于槽底边缘在竖直方向上的高度，以贴合受热后的衬底基片，确保衬底基片受热均匀。
如图1至图3所示，在一种具体的实施方式中，石墨基座本体10上还设有环形台阶13，环形台阶13设在存放凹槽11的上侧，环形台阶13的轴线与存放凹槽11的轴线重合，环形台阶13的台阶面为朝向存放凹槽11轴线的斜面，台阶面的下侧边缘与存放凹槽11的侧壁连接，台阶面与存放凹槽11的上表面的夹角为5°到20°，具体的，在本实施方式中选用15°。
需要理解的时，向存放凹槽11内放置衬底基片时，即使衬底基片与存放凹槽11错位，此时，衬底基片会局部搭设在环形台阶13上，由于台阶面为朝向存放凹槽11轴线的斜面，衬底基片会在重力作用下滑入存放凹槽11内，能够大幅降低用来放置衬底基片的设备的精度，同时确保衬底基片不会出现与存放凹槽11搭边的情况，提高硅外延片质量。
如图1和图2所示，在一种具体的实施方式中，若干排气孔12为800到1000个，具体的，在本实施方式中若干排气孔12为900个，用来排出气体，便于衬底基片落入存放凹槽11内。
如图1和图2所示，在一种具体的实施方式中，石墨基座本体10上涂覆有碳化硅涂层，碳化硅涂层在高温下的稳定性，保证了整个硅外延片外延生长过程环境的洁净度。
如图1和图2所示，在一种具体的实施方式中，存放凹槽11的尺寸为6英寸或者8英寸，以配合衬底基片的尺寸。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种硅外延用石墨基座，其特征在于，包括：
石墨基座本体(10)，设有存放凹槽(11)，用以存放衬底基片，所述存放凹槽(11)为圆形，所述存放凹槽(11)槽底为弧形面，且所述存放凹槽(11)槽底开设有若干排气孔(12)，若干所述排气孔(12)均布在所述存放凹槽(11)槽底。
2.如权利要求1所述的硅外延用石墨基座，其特征在于，所述放凹槽槽底中心在竖直方向上的高度低于槽底边缘在竖直方向上的高度，以贴合受热后的衬底基片。
3.如权利要求1所述的硅外延用石墨基座，其特征在于，所述石墨基座本体(10)上还设有环形台阶(13)，所述环形台阶(13)设在所述存放凹槽(11)的上侧。
4.如权利要求3所述的硅外延用石墨基座，其特征在于，所述环形台阶(13)的轴线与所述存放凹槽(11)的轴线重合。
5.如权利要求4所述的硅外延用石墨基座，其特征在于，所述环形台阶(13)的台阶面为朝向所述存放凹槽(11)轴线的斜面，所述台阶面的下侧边缘与所述存放凹槽(11)的侧壁连接。
6.如权利要求5所述的硅外延用石墨基座，其特征在于，所述台阶面与所述存放凹槽(11)的上表面的夹角为5°到20°。
7.如权利要求6所述的硅外延用石墨基座，其特征在于，所述台阶面与所述存放凹槽(11)的上表面的夹角为15°。
8.如权利要求1所述的硅外延用石墨基座，其特征在于，若干所述排气孔(12)为800到1000个。
9.如权利要求1所述的硅外延用石墨基座，其特征在于，所述石墨基座本体(10)上涂覆有碳化硅涂层。
10.如权利要求1所述的硅外延用石墨基座，其特征在于，所述存放凹槽(11)的尺寸为6英寸或者8英寸。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202220023958.2U CN217298088U (zh) | 2022-01-05 | 2022-01-05 | 硅外延用石墨基座 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202220023958.2U CN217298088U (zh) | 2022-01-05 | 2022-01-05 | 硅外延用石墨基座 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN217298088U true CN217298088U (zh) | 2022-08-26 |
Family
ID=82923440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202220023958.2U Active CN217298088U (zh) | 2022-01-05 | 2022-01-05 | 硅外延用石墨基座 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN217298088U (zh) |
-
2022
- 2022-01-05 CN CN202220023958.2U patent/CN217298088U/zh active Active
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