CN202465868U - 石墨盘、具有上述石墨盘的反应腔室 - Google Patents

Abstract

本实用新型实施例提供一种化学气相沉积工艺的石墨盘和含有上述石墨盘的反应腔室，所述石墨盘具有凹槽，所述凹槽所在的位置具有与之对应的支撑架，所述支撑架用于将衬底悬置，使得衬底与石墨盘不接触。本实用新型通过将衬底悬置，使得石墨盘对衬底的加热为热辐射为主，从而改善了对衬底尤其是发生了翘曲变形的衬底的加热的均匀性，改善了化学气相沉积工艺的均匀性。

Description

石墨盘、具有上述石墨盘的反应腔室

技术领域

本实用新型涉及化学气相沉积(CVD)技术领域，特别涉及化学气相沉积设备的石墨盘、反应腔室。

背景技术

MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种化学气相外延沉积工艺。它以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和Ⅴ、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长的源材料，以热分解反应方式在石墨盘上进行沉积工艺，生长各种Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。

下面对现有的化学气相沉积工艺的原理进行说明。具体地，以MOCVD为例，请参考图1所示的现有的化学气相沉积工艺设备的结构示意图。

手套箱10内形成有相对设置的喷淋头11和石墨盘12。所述喷淋头11内可以设置多个小孔，所述喷淋头11用于提供反应气体。所述石墨盘12内具有多个凹槽，每个凹槽内对应放置一片衬底121，所述衬底121的材质通常为价格昂贵的蓝宝石。所述石墨盘12的下方还形成有加热单元13，所述加热单元13对石墨盘12进行加热，石墨盘12受热升温，能够以热辐射和热传导方式对衬底121进行加热。由于衬底121放置在石墨盘12中，两者接触，因此石墨盘12对衬底121的加热以热传导为主。

在进行MOCVD工艺时，反应气体自喷淋头11的小孔进入石墨盘12上方的反应区域(靠近衬底121的表面的位置)，所述衬底121由于加热单元13的热传导加热而具有一定的温度，从而该温度使得反应气体之间进行化学反应，从而在衬底121表面沉积外延材料层。

在实际中发现，现有的化学气相沉积工艺的均匀性不高，外延芯片的良率偏低。

实用新型内容

本实用新型实施例解决的问题是提供了一种石墨盘、含有上述石墨盘的反应腔室和对衬底的加热方法，提高了对衬底(尤其是发生了变形的衬底)的加热的均匀性，改善了化学气相沉积工艺的均匀性，提高了外延芯片的良率。

为了解决上述问题，本实用新型提供一种化学气相沉积工艺的石墨盘，具有凹槽，所述凹槽所在的位置具有与之对应的支撑架，所述支撑架用于将衬底悬置，使得衬底与石墨盘不接触。

可选地，所述支撑架的形状为环形，所述支撑架环绕所述凹槽的底部一周，所述支撑架位于衬底的下方。

可选地，所述凹槽的侧壁与底部构成V型。

可选地，所述支撑架与其中放置的衬底的厚度之和等于所述凹槽的深度。

可选地，所述支撑架悬挂于所述凹槽两侧的石墨盘上，所述支撑架的顶部固定于所述凹槽的两侧的石墨盘上，所述支撑架的底部用于放置衬底。

可选地，所述支撑架的形状为Z型或阶梯型。

可选地，所述支撑架的正面、衬底的正面与石墨盘的正面齐平。

可选地，所述石墨盘中具有孔洞，位于衬底的边缘对应石墨盘中，所述孔洞用于减小石墨盘对衬底的边缘的热辐射。

可选地，所述支撑架的材质为透明材质或绝热材质。

可选地，所述透明材质为石英、蓝宝石中的一种或其混合。

可选地，所述绝热材质为陶瓷、氧化锆或两者的混合。

可选地，所述支撑架的与衬底接触的表面上形成有多个孔隙，用于减小所述支撑架与衬底的接触面积。

可选地，所述支撑架的用于放置衬底的部分为双环形结构或多个支撑柱。

可选地，所述凹槽的深度范围为300微米～2毫米，所述支撑架的高度范围为290微米～1.7毫米。

本实用新型还提供一种化学气相沉积工艺过程中对衬底的加热方法，利用与凹槽对应的支撑架，将所述衬底悬置，使得所述衬底与石墨盘不接触，利用石墨盘的热辐射对所述衬底进行加热。

相应地，本实用新型还提供一种化学气相沉积设备的反应腔室，包括所述的石墨盘。

与现有技术相比，本实用新型具有以下优点：

本实用新型实施例提供的石墨盘的凹槽具有与之对应的支撑架，利用该支撑架将衬底悬置，使得衬底与石墨盘不接触，在进行化学气相沉积工艺时，石墨盘作为衬底的热源(石墨盘在加热单元的加热下升温，能够以热辐射和热传导方式提供热量)，由于衬底与石墨盘不接触，因此利用本实用新型所述的石墨盘能够实现对衬底的加热以热辐射方式为主，而现有技术将衬底直接放置在石墨盘的凹槽中(即衬底与石墨盘直接接触)，因此现有技术对衬底的加热以热传导为主，当衬底发生翘曲变形时，现有技术容易造成衬底的各点受热不均匀，导致衬底上形成的外延材料层不均匀，由于本实用新型利用热辐射方式加热，消除了现有技术利用热传导加热给衬底上各点的加热的不均匀造成的影响，提高了对衬底加热的均匀性，相应改善了化学气相沉积工艺的均匀性和衬底上形成的外延材料层的均匀性；

进一步优化地，所述支撑架的正面、衬底的正面与石墨盘的正面齐平，可以避免衬底两侧的石墨盘和支撑架影响衬底的正面的气流的分布，进一步改善衬底正面的气流分布的均匀性；

进一步优化地，所述石墨盘中具有孔洞，位于与所述衬底的边缘对应的石墨盘中，所述孔洞用于减小石墨盘对衬底的边缘的热辐射，使得衬底的边缘与衬底的中部受到的热辐射的基本相同，从而进一步提高衬底受热的均匀性；

进一步优化地，所述支撑架的与衬底接触的表面上形成有多个孔隙，用于减小所述支撑架与衬底的接触面积，减少了来自石墨盘的热传导，进一步改善了衬底受热的均匀性；

进一步优化地，所述支撑架悬挂于所述凹槽两侧的石墨盘上，所述支撑架的顶部固定于所述凹槽的两侧的石墨盘上，所述支撑架的底部用于放置衬底，所述支撑架的形状为Z型圆环，当衬底需要随着石墨盘一起转动的时候，有利于保证衬底在石墨盘中的位置相对稳定。

附图说明

图1是现有技术的MOCVD装置的结构示意图；

图2是翘曲变形的蓝宝石衬底与石墨盘的结构示意图；

图3是翘曲变形的硅衬底与石墨盘的结构示意图；

图4是本实用新型第一实施例的石墨盘的结构示意图；

图5是图4所示的石墨盘的俯视结构示意图；

图6是本实用新型第二实施例的石墨盘的结构示意图；

图7是本实用新型第三实施例的石墨盘的结构示意图；

图8是本实用新型第四实施例的石墨盘的结构示意图；

图9是本实用新型第五实施例的石墨盘的结构示意图；

图10是本实用新型第六实施例的石墨盘的结构示意图；

图11是图9中支撑架的底部结构示意图；

图12是本实用新型第七实施例的石墨盘的结构示意图；

图13是本实用新型第八实施例的石墨盘的结构示意图；

图14是本实用新型第九实施例的石墨盘的结构示意图；

图15为翘曲变形的硅衬底温度分布曲线。

具体实施方式

现有技术的化学气相沉积工艺的均匀性不高，外延芯片的良率偏低。经过发明人研究发现，由于衬底受热不均匀(衬底的各点有温差)导致化学气相沉积工艺后在衬底上形成的外延材料层不均匀。造成衬底受热不均匀的原因之一就是，衬底在化学气相沉积工艺过程中由于应力发生了翘曲变形。通常衬底放置于石墨盘中，两者接触，石墨盘能够以热传导和热辐射两种方式对衬底进行加热。当衬底翘曲变形后，衬底原本应与石墨盘接触的各点与石墨盘之间的距离不同，使得衬底受热不均匀。并且发明人还发现，基于不同的材质，衬底在应力的作用下发生的翘曲变形的趋势不同。虽然不同材质的衬底发生翘曲变形的趋势不同，但是均会造成衬底受热不均匀。

具体地，请参考图2所示的翘曲变形的蓝宝石衬底与石墨盘的结构示意图。石墨盘12内具有凹槽，石墨盘12的正面朝向喷淋头(未图示)，石墨盘12的凹槽内放置有衬底121，所述衬底121的正面朝向喷淋头。所述衬底121的材质为蓝宝石，由于应力作用，衬底121的背面(与正面相对的表面)原本位于同一平面的三点A点、B点、C点形成了圆弧状(圆弧的开口向上)，而整个衬底121在凹槽内呈碗口上的碗状。对于A点和C点与石墨盘12直接接触，因此A点和C点可以以热辐射和热传导两种方式接受来自石墨盘12的热量，并且可以把部分热量逐渐向B点传递，而B点悬置于石墨盘12上方，只能以热辐射方式接受来自石墨盘12的热量，这使得衬底121的各点受热不均匀，衬底121的温度自边缘向中心降低。

对于材质为硅的衬底，其翘曲变形与蓝宝石衬底相反。请参考图3所示的翘曲变形的硅衬底与石墨盘的结构示意图，与图2相同的结构采用相同的标号表示。衬底121正面向上放置于石墨盘12内，其材质为硅，由于应力作用，所述衬底121的背面原本位于同一平面的三点A点、B点和C点形成了圆弧状(圆弧的开口向下)，但是该圆弧的开口方向与蓝宝石衬底的背面的圆弧的开口方向相反，整个衬底121呈碗口向下(倒扣)的碗状。衬底121背面的C点由于与石墨盘12直接接触，其能够同时以热传导和热辐射两种方式接收来自石墨盘12的热量，并且C点将热量向衬底121的中部传递，而对于B点和A点只能以热辐射的方式接受来自石墨盘12的热量，这使得衬底121的边缘温度高，中部温度低，并且对于发生图3所述的变形，衬底中部接受的热传导的热量比图2中的衬底中部接受的热传导的热量小，更加加剧了衬底121温度分布的不均匀。

并且无论是蓝宝石衬底或硅衬底，由于对衬底加热的“边缘效应”(即衬底边缘的升温速度大于衬底中部的升温速度，使得衬底边缘的温度高于衬底中部的温度)的影响，这使得现有的方法对衬底加热普遍有受热不均匀的问题。并且如前所述，硅衬底由于其翘曲变形为为开口向下，其边缘与中部的温度不均匀的问题更为严重。但是利用硅作为化学气相沉积工艺的衬底制作外延芯片是LED芯片制作领域的技术发展趋势，而硅衬底的翘曲变形问题暂时没有有效的解决办法。如何在衬底(尤其是硅衬底)发生翘曲变形的情况下对其实现较为均匀的加热，是本实用新型要解决的技术问题。

为了解决上述问题，本实用新型提出一种对新的对衬底的加热方法，所述方法利用与凹槽对应的支撑架，将所述衬底悬置，使得所述衬底与石墨盘不接触，利用石墨盘的热辐射对所述衬底进行加热。所述方法适用于MOCVD工艺，当然，也适用于其他的衬底受热变形后以热辐射加热会影响工艺均匀性的化学气相沉积工艺。

本实用新型通过改变对衬底的加热方式，使得现有的热传导(为主要加热方式)和热辐射共同对衬底进行加热的方式转变为采用以热辐射对衬底进行加热或以热辐射加热为主对衬底进行加热，提高了衬底的各点受热的均匀性。在衬底发生翘曲变形的情况下，虽然衬底各点与下方的石墨盘的距离有差异，但是上述差异对热辐射加热的影响较小，因此，采用本实用新型实施例的方法可以实现对翘曲变形的衬底实现较为均匀的加热。

以MOCVD设备为例，现有的MOCVD设备的石墨盘中通常设置有凹槽，衬底放置于凹槽内，本实用新型可以通过凹槽内或凹槽两侧的石墨盘上设置支撑架，将衬底悬置于石墨盘上，从而使得所述衬底与石墨盘不接触，利用石墨盘的热辐射对所述衬底进行加热。

下面结合实施例对本实用新型的技术方案进行详细的说明。为了更好地说明本实用新型的技术方案，请结合图4所示的本实用新型第一实施例的石墨盘的结构示意图。作为一个实施例，石墨盘20的正面向上，石墨盘20内具有凹槽，所述凹槽具有侧壁和底部。所述凹槽的侧壁为凹槽的沿着垂直于所述石墨盘20正面的两侧，凹槽的底部露出下方的石墨盘20。本实用新型所述的石墨盘的正面是指石墨盘的朝向喷淋头(未示出)一侧的表面，以上定义全文适用，特此说明。

本实用新型所述的支撑架21位于凹槽的底部，且该支撑架21环绕凹槽的底部一周，衬底22位于支撑架21上方。作为一个实施例，图4所示的石墨盘20中仅有一个凹槽，在其他的实施例中，石墨盘20中可以有多个凹槽。

所述支撑架21用于将衬底22悬置，使得衬底22与石墨盘20不接触，从而消除由于衬底22与石墨盘20接触带来的热传导，使得石墨盘20对衬底22的加热为热辐射或以热辐射为主。

请结合图5，为图4所示的石墨盘的俯视示意图。所述支撑架21的形状为环形。该环形的支撑架21环绕凹槽的侧壁和底部一周，衬底22位于支撑架21上。

请继续参考图4，作为本实用新型的一个可选实施例，支撑架21位于衬底22的下方。衬底22的背面与石墨盘20不接触。所述支撑架21的高度L应满足，当衬底22呈现碗状的变形(即衬底22的中部朝向凹槽的底部变形)时，衬底22的背面仍然与石墨盘20不接触。作为本实用新型的又一可选实施例，所述支撑架21的高度L与衬底22的厚度D之和应等于凹槽的深度H。本实用新型所述的衬底22的厚度D是指未发生形变的衬底的正面(朝向喷淋头一侧的表面)和背面(与正面相对的表面)之间的距离，本实用新型所述的支撑架的高度L是指支撑架21的正面与背面(与正面相对、且与喷淋头距离最远的一侧的表面)的距离。作为一个实施例，所述凹槽的深度H范围为300微米～2毫米，所述衬底22的厚度范围为300微米～1.5毫米，相应地，所述支撑架21的高度范围为290微米～1.7毫米。

本实施例中，虽然衬底22的侧面与凹槽的侧壁仍然有部分接触，通过该部分接触，石墨盘20能够以热传导方式将部分热量传给衬底22，但是热传导方式传导的热量有限，对衬底22的受热的均匀性影响不大。在其他的实施例中，可以在衬底22的两侧与石墨盘20之间设置绝热层，该绝热层的材质可以为陶瓷。

作为一个实施例，所述支撑架21的宽度应尽可能小，以减小与衬底22的接触。作为优选的实施例，所述支撑架21的宽度范围为其上方放置衬底的半径的1/10～1/20，以保证能够稳定的将衬底22悬空。

作为一个实施例，所述支撑架21的材质为石墨，其可以与石墨盘20一体化加工而成，也可以单独加工，然后通过螺丝螺母等机械零件与石墨盘20固定在一起或者通过耐热胶与石墨盘20粘合为一体。

作为本实用新型的一个的实施例，所述支撑架21的材质可以为透明材质，这样保证支撑架21下方的石墨盘20的热量可以透过支撑架21传输至衬底22。例如所述支撑架21的材质可以为石英、蓝宝石或者两者的混合。本实施例中，所述支撑架21的材质为蓝宝石。作为本实用新型的又一实施例，所述支撑架21的材质还可以为绝热材质，这样可以减少石墨盘21将热量传递给衬底22，比如所述支撑架21的材质可以为陶瓷、氧化锆或两者的混合。

由于石墨盘20在工艺过程中可能会旋转运动，为了保证衬底22在石墨盘20中能稳定，所述凹槽的侧壁与底部可以有一定的倾斜，凹槽的侧壁和底部形成V型，目的是使得凹槽的底部的直径大于凹槽的正面的开口处的直径，从而整个凹槽呈圆台状，保证衬底22在随石墨盘20的旋转过程中的位置相对稳定。

下面请结合图6所示的本实用新型第二实施例的石墨盘的结构示意图。与第一实施例相同的结构采用相同的标号。本实施例与前一实施例的区别在于，石墨盘20中具有孔洞，该孔洞位于衬底22的边缘的凹槽下方的石墨盘20内。所述孔洞用于减小石墨盘20对衬底22边缘的热辐射。

因为发明人发现，在对衬底22进行加热时，由于边缘效应的影响，衬底22的边缘的温度通常高于衬底22的中部的温度，本实用新型通过在衬底22的边缘的石墨盘20中设置孔洞，可以减少对衬底22的边缘的热辐射，从而使得衬底22的边缘的温度与衬底22的中部的温度一致。本实用新型实施例的孔洞位于衬底22两侧的石墨盘20中，该孔洞设置在石墨盘20的正面，也是为了便于石墨盘20的加工制作。在其他的实施例中，所述孔洞还可以位于衬底边缘附近的其他位置，比如该孔洞可以位于衬底的边缘下方的石墨盘中，也可以位于衬底的边缘的两侧的石墨盘中；该孔洞可以与凹槽相连通，或者该孔洞与凹槽之间可以有部分石墨盘隔绝，具体将在后续的实施例中进行详细的说明。

下面请参考图7所示的本实用新型第三实施例的石墨盘的结构示意图。与第一实施例相同的结构采用相同的标号表示。本实施例与第一实施例的区别在于，所述支撑架21悬挂于所述凹槽两侧的石墨盘20上，所述支撑架21的顶部固定于所述凹槽的两侧的石墨盘20上，所述支撑架21的底部用于放置衬底22。

所述支撑架21为阶梯型。即，支撑架21的顶部与凹槽两侧的石墨盘20的正面接触，支撑架21的侧面石墨盘20接触，所述支撑架21的底部悬置于凹槽上。所述支撑架21的底部用于放置衬底22，支撑架21的侧壁将衬底22的侧面与石墨盘20隔离，使得衬底22与石墨盘20完全不接触，这样可以减小石墨盘20以热传导方式将热量传输给衬底22，使得石墨盘20对衬底22的加热以热辐射方式为主，从而进一步改善对衬底22的受热的均匀性。

作为优选的实施例，所述支撑架21的正面、衬底22的正面与石墨盘20的正面齐平，这样可以防止支撑架21和石墨盘20对衬底22上方的气体带来影响，提高衬底22上方的气流分布的均匀性。本实用新型所述的支撑架的正面是指支撑架的朝向喷淋头(未示出)一侧的表面，以上定义适用于全文。

作为本实用新型的一个实施例，所述石墨盘20中具有孔洞，该孔洞位于衬底22的边缘的凹槽的底部，所述孔洞用于减小石墨盘20对衬底22的边缘的热辐射。本实施例中，所述孔洞与凹槽相连通，可以在利用同一工艺步骤制作，便于石墨盘20的加工和制作。

下面请结合图8所示的本实用新型第四实施例的石墨盘的结构示意图，与前一实施例相同的部件采用相同的标号表示。本实施例与前一实施例的区别在于，凹槽的侧壁和底部形成V型，相应地，支撑架21的形状为Z型，所述支撑架21悬挂于凹槽两侧的石墨盘20上，所述支撑架21的顶部固定于凹槽的两侧的石墨盘20上，所述支撑架21的底部用于放置衬底22。采用本实施例所述的Z型的支撑架21可以更好地固定衬底22，防止衬底22随着石墨盘20转动时被甩出去。本实施例中，孔洞位于衬底22的边缘的下方的石墨盘20中。

下面请参考图9所示的本实用新型第五实施例的石墨盘的结构示意图，与前一实施例相同的结构采用相同的标号表示。本实施例与前一实施例的区别在于，所述衬底22的正面、支撑架21的正面和石墨盘20的正面齐平，这样有利于改善衬底22表面的气体分布的均匀性。

下面请参考图10所示的本实用新型第六实施例的石墨盘的结构示意图，与前一实施例相同的结构采用相同的标号表示。本实施例与前一实施例的区别在于，衬底22的边缘的侧壁和底部的石墨盘20中均形成有孔洞，并且在本实施例中该孔洞与凹槽相连通。在其他的实施例中，所述孔洞与凹槽之间还可以有部分石墨盘20隔离。本实施例中，所述支撑架21的形状为阶梯型，该支撑架21的侧壁与凹槽两侧的石墨盘20不接触，这样可以防止石墨盘20通过支撑架21的侧壁将热量传导给衬底22，防止对衬底22的边缘加热过多造成衬底22的边缘温度高于衬底22的中部的温度，进一步改善衬底22的温度分布的均匀性。

本实施例中，所述支撑架21的底部与石墨盘20不接触，也可以防止石墨盘20通过支撑架21将热量传递给衬底22的边缘，减小衬底22的边缘与中部的温度差异，进一步改善衬底22的温度的分布的均匀性。

为了进一步减小石墨盘通过支撑架传导给衬底的热量，改善衬底的边缘和中部的温度分布的均匀性，作为可选的实施例，还可以在支撑架的与衬底接触的部分形成孔隙，这样进一步减小支撑架与衬底的接触面积。具体地，请参考图11所示的图9中的的支撑架的底部的结构示意图。作为一个实施例，支撑架的顶部(未图示)放置于石墨盘上，支撑架的底部(即用于放置衬底的部分)为双环形结构。如图，该支撑架的底部具体包括外环211、内环212和连接外环211和内环212的连接桥213。采用所述双环形结构的支撑架与衬底的接触面积少，减少了石墨盘通过支撑架向衬底的热传导的热量传输。

请参考图12所示本实用新型第七实施例的石墨盘的结构示意图。与第六实施例相同的结构采用相同的标号表示。本实施例与第六实施例的区别在于，衬底22正面向上放置于阶梯形的支撑架21上，所述衬底22的正面、支撑架21的正面和石墨盘20的正面齐平。本实施例与第六实施例的区别在于，孔洞的形状和位置不同。本实施例的孔洞位于衬底121的边缘的底部，与凹槽底部相连通。本实用新型的孔洞的深度自凹槽的侧壁下方沿衬底121的径向向衬底121的中部方向的依次减小，整个孔洞呈三角状。采用所述孔洞可以进一步消除衬底边缘的热辐射。

请参考图15所示翘曲变形的硅衬底温度分布曲线。其中横轴D表示与衬底的中心的距离(单位为毫米)，纵轴T表示温度(单位为K)。图中并未定量地沿径向标出衬底上的温度，而是定性地示出了沿径向衬底的温度变化趋势，虚线左侧为衬底中部，虚线右侧为衬底边缘。其中曲线1为采用现有技术的石墨盘对翘曲变形的硅衬底加热的模拟结果。曲线1表明衬底的中部温度分布比衬底的边缘温度分布均匀，由于边缘效应的影响，衬底的边缘的温度比衬底的中部的温度高，并且越靠近衬底的边缘温度上升越快，温度分布的均匀性越差，衬底的边缘和中部的最大温差超过10K。曲线2为采用本实施例的石墨盘对翘曲变形的硅衬底加热的模拟结果。曲线2的衬底中部的温度分布比衬底边缘的温度分布更为均匀，与曲线1相比，衬底的边缘的温度变化较为平缓，衬底的边缘和中部的最大温差小于4K，这说明采用本实用新型实施例的石墨盘可以有效改善衬底上温度分布的均匀性。

下面请参考图13所示的第八实施例的石墨盘的结构示意图。与第七实施例相同的结构采用相同的标号表示。与前一实施例的区别在于，支撑架21位于凹槽的中部，且所述支撑架21由多个支撑柱构成。本实施例中，所述支撑柱的数目为3个，所述支撑柱呈等边三角形排布，等边三角形的中心与凹槽的中心位于同一垂直线上(该垂直线与凹槽的底部垂直)。采用本实施例的支撑柱结构将衬底悬置于凹槽内，可以进一步减小衬底与石墨盘之间的热传导。

下面请参考图14所示的本实用新型第九实施例的石墨盘的结构示意图。与前一实施例相同的结构采用相同的标号表示。本实施例与前一实施例的区别在于，石墨盘20内的凹槽的侧壁和底部形成V型，且衬底22的边缘的下方和两侧的石墨盘20内均形成有孔洞，这样可以进一步减少对衬底22的边缘的热辐射。

综上，本实用新型实施例提供的石墨盘的凹槽具有与之对应的支撑架，利用该支撑架将衬底悬置，使得衬底与石墨盘不接触，在进行化学气相沉积工艺时，石墨盘作为衬底的热源(石墨盘在加热单元的加热下升温，能够以热辐射和热传导方式提供热量)，由于衬底与石墨盘不接触，因此利用本实用新型所述的石墨盘能够实现对衬底的加热以热辐射方式为主，而现有技术将衬底直接放置在石墨盘的凹槽中(即衬底与石墨盘直接接触)，因此现有技术对衬底的加热以热传导为主，当衬底发生翘曲变形时，现有技术容易造成衬底的各点受热不均匀，导致衬底上形成的外延材料层不均匀，由于本实用新型利用热辐射方式加热，消除了现有技术利用热传导加热给衬底上各点的加热的不均匀造成的影响，提高了对衬底加热的均匀性，相应改善了化学气相沉积工艺的均匀性和衬底上形成的外延材料层的均匀性；

进一步优化地，所述支撑架的正面、衬底的正面与石墨盘的正面齐平，可以避免衬底两侧的石墨盘和支撑架影响衬底的正面的气流的分布，进一步改善衬底正面的气流分布的均匀性；

进一步优化地，所述石墨盘中具有孔洞，位于与所述衬底的边缘对应的石墨盘中，所述孔洞用于减小石墨盘对衬底的边缘的热辐射，使得衬底的边缘与衬底的中部受到的热辐射的基本相同，从而进一步提高衬底受热的均匀性；

进一步优化地，所述支撑架的与衬底接触的表面上形成有多个孔隙，用于减小所述支撑架与衬底的接触面积，减少了来自石墨盘的热传导，进一步改善了衬底受热的均匀性；

进一步优化地，所述支撑架悬挂于所述凹槽两侧的石墨盘上，所述支撑架的顶部固定于所述凹槽的两侧的石墨盘上，所述支撑架的底部用于放置衬底，所述支撑架的形状为Z型圆环，当衬底需要随着石墨盘一起转动的时候，有利于保证衬底在石墨盘中的位置相对稳定。

虽然本实用新型已以较佳实施例披露如上，但本实用新型并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本实用新型的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (12)

1.一种化学气相沉积工艺的石墨盘，具有用于放置衬底的凹槽，其特征在于，所述凹槽所在的位置具有与之对应的支撑架，所述支撑架用于将衬底悬置，使得衬底与石墨盘不接触。

2.如权利要求1所述的石墨盘，其特征在于，所述支撑架的形状为环形，所述支撑架环绕所述凹槽的底部一周，所述支撑架位于衬底的下方。

3.如权利要求1所述的石墨盘，其特征在于，所述凹槽的侧壁与底部构成V型。

4.如权利要求2所述的石墨盘，其特征在于，所述支撑架与其中放置的衬底的厚度之和等于所述凹槽的深度。

5.如权利要求1所述的石墨盘，其特征在于，所述支撑架悬挂于所述凹槽两侧的石墨盘上，所述支撑架的顶部固定于所述凹槽的两侧的石墨盘上，所述支撑架的底部用于放置衬底。

6.如权利要求5所述的石墨盘，其特征在于，所述支撑架的形状为Z型或阶梯型。

7.如权利要求5所述的石墨盘，其特征在于，所述支撑架的正面、衬底的正面与石墨盘的正面齐平。

8.如权利要求1所述的石墨盘，其特征在于，所述石墨盘中具有孔洞，位于衬底的边缘对应石墨盘中，所述孔洞用于减小石墨盘对衬底的边缘的热辐射。

9.如权利要求1所述的石墨盘，其特征在于，所述支撑架的与衬底接触的表面上形成有多个孔隙，用于减小所述支撑架与衬底的接触面积。

10.如权利要求9所述的石墨盘，其特征在于，所述支撑架的用于放置衬底的部分为双环形结构或多个支撑柱。

11.如权利要求1所述的石墨盘，其特征在于，所述凹槽的深度范围为300微米～2毫米，所述支撑架的高度范围为290微米～1.7毫米。

12.一种化学气相沉积设备的反应腔室，其特征在于，包括如权利要求1所述的石墨盘。

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