CN102225764A - 碳化钽粉体的制备方法 - Google Patents

碳化钽粉体的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102225764A
CN102225764A CN201110136108XA CN201110136108A CN102225764A CN 102225764 A CN102225764 A CN 102225764A CN 201110136108X A CN201110136108X A CN 201110136108XA CN 201110136108 A CN201110136108 A CN 201110136108A CN 102225764 A CN102225764 A CN 102225764A
Authority
CN
China
Prior art keywords
powder
tantalum carbide
temperature
resol
tantalum
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201110136108XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN102225764B (zh
Inventor
唐竹兴
张鹤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shandong University of Technology
Original Assignee
Shandong University of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shandong University of Technology filed Critical Shandong University of Technology
Priority to CN 201110136108 priority Critical patent/CN102225764B/zh
Publication of CN102225764A publication Critical patent/CN102225764A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102225764B publication Critical patent/CN102225764B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Abstract

本发明提供一种碳化钽粉体的制备方法,包括配料、混合、固化、制粉、压制成型、烧成、脱碳和制粉,其特征在于:将酚醛树脂与粒度为0.1~3μm的氧化钽粉体混合形成泥料,在40℃~100℃的温度下固化,制粉,压制成块体,然后在1300℃~2000℃的温度惰性或还原性气氛中烧制6~8小时制得碳化钽块体,经脱碳后粉碎制得碳化钽粉体。本发明具有工艺简单,碳化钽粉体纯度高,成本低的特点。

Description

碳化钽粉体的制备方法
技术领域
本发明涉及一种碳化钽粉体的制备方法,属于陶瓷粉体制备技术领域。
背景技术
目前,碳化钽粉体主要由氧化钽碳热还原法制得,其反应方程式为:
Ta2O5+7C=2TaC+5CO↑
上述反应过程属于固-固反应类型,反应进程是由物质扩散控制的。这种方法的缺点是氧化钽粉体和炭黑或石墨粉体混合不均匀且炭黑或石墨粉体活性较低,使氧化钽还原不完全,成为产物的杂质。另外,残存在碳化钽粉体中的炭黑或石墨粉体活性低,脱碳时需较高温度(大于600℃)才能使C在氧化气氛中生成一氧化碳或二氧化碳排除掉,温度越高粉体中的氧含量越高,造成碳化钽粉体质量下降。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中存在的缺陷,提供一种成本低、烧结活性好的碳化钽粉体的反应合成方法。其技术方案为:
本发明所述的碳化钽粉体的制备方法,是采用酚醛树脂形成的高活性碳为碳源还原氧化钽粉体制备碳化钽粉体,包括以下步骤:
①原料制备:
第一步:将0.1~3μm的氧化钽粉体与酚醛树脂以重量比为5∶0.5~1的比例在混碾机中混合均匀,在80~100℃的温度下固化,然后在制粉机中粉碎制成平均粒径为10~20μm的原料粉1。
第二步:将上述原料粉1与酚醛树脂以重量比为5∶1~2的比例在混碾机中混合均匀,在50~100℃的温度下固化,然后在制粉机中粉碎制成平均粒径为20~50μm原料粉2。
第三步:将上述原料粉2与酚醛树脂以重量比为5∶2~3的比例在混碾机中混合均匀,在40~80℃的温度下固化,然后在制粉机中粉碎制成平均粒径为50~100μm原料粉3。
②碳化钽粉体合成:
将上述原料粉3在0.5~3Mpa的压力下压块,然后在1300℃~2000℃的温度下惰性或还原性气氛气氛烧制6-8小时制得碳化钽块体。
③脱碳处理
将上述碳化钽块体在350~550℃的温度下氧化气氛保温6~12小时脱碳,冷却后粉碎制得碳化钽粉体。
所述的碳化钽粉体的制备方法,氧化钽粉体与酚醛树脂混合分步进行。
本发明与现有技术相比,具有以下优点:
1、本发明采用酚醛树脂将氧化钽粉体包裹起来形成孤立的微米级的氧化钽颗粒,当温度升高时酚醛树脂碳化形成活性很高的多孔高活性碳,使得氧化钽与碳反应的开始温度得到大幅度下降,获得的多孔高活性碳的微孔通道能够顺利地将氧化钽与碳反应生成的一氧化碳排出,同时,可根据所需高活性碳量适当减小酚醛树脂用量或减小步骤;
2、酚醛树脂碳化后形成的高活性多孔高活性碳包裹了氧化钽颗粒,在反应形成碳化钽时抑制了碳化钽晶粒的生长,可获得晶粒尺寸均一的碳化钽粉体;
3、该技术工艺简单、稳定,生产成本低,粉体应用性能好。
具体实施方式
实施例1
1、原料制备:
第一步:将0.1μm的氧化钽粉体与酚醛树脂以重量比为5∶0.5的比例在混碾机中混合均匀,在80℃的温度下固化,然后在制粉机中粉碎制成平均粒径为10μm的原料粉1。
第二步:将上述原料粉1与酚醛树脂以重量比为5∶1的比例在混碾机中混合均匀,在50℃的温度下固化,然后在制粉机中粉碎制成平均粒径为20μm原料粉2。
第三步:将上述原料粉2与酚醛树脂以重量比为5∶2的比例在混碾机中混合均匀,在40℃的温度下固化,然后在制粉机中粉碎制成平均粒径为50μm原料粉3。
2、碳化钽粉体合成:
将上述原料粉3在0.5Mpa的压力下压块,然后在1300℃℃的温度下惰性或还原性气氛气氛烧制6小时制得碳化钽块体。
3、脱碳处理
将上述碳化钽块体在350℃的温度下氧化气氛保温12小时脱碳,冷却后粉碎制碳化钽粉体。
所用原料的纯度均为99.99%纯。
实施例2
1、原料制备:
第一步:将1.5μm的氧化钽粉体与酚醛树脂以重量比为5∶0.75的比例在混碾机中混合均匀,在90℃的温度下固化,然后在制粉机中粉碎制成粒度为15μm的原料粉1。
第二步:将上述原料粉1与酚醛树脂以重量比为5∶1.5的比例在混碾机中混合均匀,在75℃的温度下固化,然后在制粉机中粉碎制成粒度为35μm原料粉2。
第三步:将上述原料粉2与酚醛树脂以重量比为5∶2.5的比例在混碾机中混合均匀,在60℃的温度下固化,然后在制粉机中粉碎制成粒度为75μm原料粉3。
2、碳化钽粉体合成:
将上述原料粉3在1.5Mpa的压力下压块,然后在1650℃℃的温度下惰性或还原性气氛气氛烧制7小时制得碳化钽块体。
3、脱碳处理
将上述碳化钽块体在450℃的温度下氧化气氛保温9小时脱碳,冷却后粉碎制得碳化钽粉体。
所用原料的纯度均为99.99%纯。
实施例3
1、原料制备:
第一步:将3μm的氧化钽粉体与酚醛树脂以重量比为5∶1的比例在混碾机中混合均匀,在100℃的温度下固化,然后在制粉机中粉碎制成粒度为20μm的原料粉1。
第二步:将上述原料粉1与酚醛树脂以重量比为5∶2的比例在混碾机中混合均匀,在100℃的温度下固化,然后在制粉机中粉碎制成粒度为50μm原料粉2。
第三步:将上述原料粉2与酚醛树脂以重量比为5∶3的比例在混碾机中混合均匀,在80℃的温度下固化,然后在制粉机中粉碎制成粒度为100μm原料粉3。
2、碳化钽粉体合成:
将上述原料粉3在3Mpa的压力下压块,然后在2000℃℃的温度下惰性或还原性气氛气氛烧制8小时制得碳化钽块体。
3、脱碳处理
将上述碳化钽块体在550℃的温度下氧化气氛保温6小时脱碳,冷却后粉碎制得碳化钽粉体。
所用原料的纯度均为99.99%纯。

Claims (1)

1.一种碳化钽粉体的制备方法,其特征在于:采用酚醛树脂碳化形成的高活性碳为碳源还原氧化钽粉体制备碳化钽粉体,包括以下步骤:
①原料制备:
第一步:将0.1~3μm的氧化钽粉体与酚醛树脂以重量比为5∶0.5~1的比例在混碾机中混合均匀,在80~100℃的温度下固化,然后在制粉机中粉碎制成平均粒径为10~20μm的原料粉1。
第二步:将上述原料粉1与酚醛树脂以重量比为5∶1~2的比例在混碾机中混合均匀,在50~100℃的温度下固化,然后在制粉机中粉碎制成平均粒径为20~50μm原料粉2。
第三步:将上述原料粉2与酚醛树脂以重量比为5∶2~3的比例在混碾机中混合均匀,在40~80℃的温度下固化,然后在制粉机中粉碎制成平均粒径为50~100μm原料粉3。
②碳化钽粉体合成:
将上述原料粉3在0.5~3Mpa的压力下压块,然后在1300℃-2000℃的温度下惰性或还原性气氛气氛烧制6-8小时制得碳化钽块体。
③脱碳处理
将上述碳化钽块体在350~550℃的温度下氧化气氛保温6~12小时脱碳,冷却后粉碎制得碳化钽粉体。
CN 201110136108 2011-05-25 2011-05-25 碳化钽粉体的制备方法 Expired - Fee Related CN102225764B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201110136108 CN102225764B (zh) 2011-05-25 2011-05-25 碳化钽粉体的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201110136108 CN102225764B (zh) 2011-05-25 2011-05-25 碳化钽粉体的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102225764A true CN102225764A (zh) 2011-10-26
CN102225764B CN102225764B (zh) 2013-02-13

Family

ID=44806778

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 201110136108 Expired - Fee Related CN102225764B (zh) 2011-05-25 2011-05-25 碳化钽粉体的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102225764B (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102560127A (zh) * 2012-02-29 2012-07-11 江西景泰钽业有限公司 用钽电容器废料制备超细碳化钽的方法
CN102779656A (zh) * 2012-07-10 2012-11-14 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司 一种降低钽电容器漏电流值的烧结方法
CN103253670A (zh) * 2013-05-17 2013-08-21 航天材料及工艺研究所 一种碳热还原法低温制备TaC粉体的方法
CN103265031A (zh) * 2013-05-17 2013-08-28 航天材料及工艺研究所 一种碳热还原法低温制备ZrC-WC或ZrC-TaC混合粉体的方法
CN103449435A (zh) * 2013-08-27 2013-12-18 哈尔滨工业大学 碳包覆生产微纳米级碳化物陶瓷的方法
CN103482625A (zh) * 2012-06-14 2014-01-01 中国人民解放军63971部队 一种碳化铌和碳化钽电极的制备方法
CN105502398A (zh) * 2016-03-01 2016-04-20 郑州大学 一种熔盐辅助镁热还原合成碳化钽超细粉体的方法
CN110746190A (zh) * 2019-11-15 2020-02-04 武汉理工大学 一种碳化钽陶瓷的低温快速制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000044222A (ja) * 1998-07-30 2000-02-15 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 炭化タンタルの製造方法
CN101003371A (zh) * 2006-12-31 2007-07-25 株洲硬质合金集团有限公司 制备细颗粒碳化钽的方法
CN101723367A (zh) * 2009-12-23 2010-06-09 北京科技大学 一种纳米碳化钽粉末的制备方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000044222A (ja) * 1998-07-30 2000-02-15 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 炭化タンタルの製造方法
CN101003371A (zh) * 2006-12-31 2007-07-25 株洲硬质合金集团有限公司 制备细颗粒碳化钽的方法
CN101723367A (zh) * 2009-12-23 2010-06-09 北京科技大学 一种纳米碳化钽粉末的制备方法

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102560127A (zh) * 2012-02-29 2012-07-11 江西景泰钽业有限公司 用钽电容器废料制备超细碳化钽的方法
CN102560127B (zh) * 2012-02-29 2013-05-08 江西景泰钽业有限公司 用钽电容器废料制备超细碳化钽的方法
CN103482625A (zh) * 2012-06-14 2014-01-01 中国人民解放军63971部队 一种碳化铌和碳化钽电极的制备方法
CN103482625B (zh) * 2012-06-14 2018-05-08 中国人民解放军63971部队 一种碳化铌和碳化钽电极的制备方法
CN102779656A (zh) * 2012-07-10 2012-11-14 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司 一种降低钽电容器漏电流值的烧结方法
CN103253670A (zh) * 2013-05-17 2013-08-21 航天材料及工艺研究所 一种碳热还原法低温制备TaC粉体的方法
CN103265031A (zh) * 2013-05-17 2013-08-28 航天材料及工艺研究所 一种碳热还原法低温制备ZrC-WC或ZrC-TaC混合粉体的方法
CN103253670B (zh) * 2013-05-17 2015-04-22 航天材料及工艺研究所 一种碳热还原法低温制备TaC粉体的方法
CN103265031B (zh) * 2013-05-17 2015-10-21 航天材料及工艺研究所 一种碳热还原法低温制备ZrC-WC或ZrC-TaC混合粉体的方法
CN103449435A (zh) * 2013-08-27 2013-12-18 哈尔滨工业大学 碳包覆生产微纳米级碳化物陶瓷的方法
CN105502398A (zh) * 2016-03-01 2016-04-20 郑州大学 一种熔盐辅助镁热还原合成碳化钽超细粉体的方法
CN110746190A (zh) * 2019-11-15 2020-02-04 武汉理工大学 一种碳化钽陶瓷的低温快速制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102225764B (zh) 2013-02-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102225764B (zh) 碳化钽粉体的制备方法
CN102249688B (zh) 硼化锆粉体的制备方法
CN102285652B (zh) 碳化铌粉体的制备方法
CN109252081A (zh) 一种高熵合金粘结相超细碳化钨硬质合金及其制备方法
CN107585768B (zh) 一种氧化-还原法制备超细碳化钨粉末的方法
CN110156475B (zh) 一种碳氮化铀锆粉末的微波合成方法
CN102225762B (zh) 碳化铪粉体的制备方法
CN102249687B (zh) 硼化铪粉体的制备方法
CN101824574A (zh) 一种超粗晶粒硬质合金的制备方法
CN102534333A (zh) 一种制备细晶高致密度tzm合金的方法
CN102649571A (zh) 超细碳化钨粉末的生产方法
CN102212731B (zh) 一种兼具高强度和高韧性的双晶硬质合金的工业化制备方法
CN103011148A (zh) 一种制备各向同性石墨的方法
CN102285661B (zh) 硼化钨粉体的制备方法
CN102225763B (zh) 碳化钒粉体的制备方法
KR100832567B1 (ko) 큰 결정립 핵연료 소결체 제조방법
CN102249689B (zh) 氮化铝粉体的制备方法
CN108118234B (zh) 一种CBN混合式含硼金刚石的制备方法及一种Fe基合金触媒
CN112873972B (zh) 一种金刚石合成用石墨柱的制备工艺
CN102285662B (zh) 硼化铌粉体的制备方法
CN106346021A (zh) 一种高压氢还原制备钴粉的方法
CN103484703A (zh) 一种碳化钨-碳化钛固溶体的制备方法
CN110931160B (zh) 铁基超导前驱粉、其制备方法、铁基超导线带材
CN102912206B (zh) 一种制造粗晶粒碳化钨硬质合金的方法
CN102249686B (zh) 硼化钽粉体的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20130213

Termination date: 20150525

EXPY Termination of patent right or utility model