CN102210017A - 含有微定位系统的快速热处理腔室 - Google Patents

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Abstract

描述了用于快速热处理平坦基板的方法及装置，其包括使该基板轴向地对准于基板支撑件或对准于依实验判定的位置。该方法及装置包括判定该基板与该基板支撑件的相对定向的传感器系统。

Description

含有微定位系统的快速热处理腔室
技术领域
本发明公开用于快速热处理基板的方法及相关装置。更具体地说，公开包括微定位系统的用于快速热处理基板的装置及方法。
背景技术
集成电路已发展成单一芯片上可包括上百万晶体管、电容器及电阻器的复杂器件。芯片设计的发展要求电路更快、电路密度更大，这些都需要日益精确的制造工艺。
快速热处理(RTP)通常包括从辐射热源(诸如灯和/或电阻性加热组件)加热。在现有RTP系统中，将基板加热至所要温度，接着断开辐射热源，从而使基板冷却。在一些系统中，可使气体流至基板上以增强冷却。然而，随着工艺参数继续发展，RTP期间的温度上升幅度及加热均匀性需要更精确的监视及控制。
用于处理基板(本文中也称作“晶片”)的常用工艺为离子注入。离子注入通常使基板经受在快速热处理(RTP)腔室中执行的热处理，该热处理提供分布均匀的热循环而可将基板从室温加热至约450℃至约1400℃。在现有RTP系统中，使用机器人臂将基板移送至将基板支撑于RTP腔室中的结构。需要将基板置放于该结构的中心上以利于基板表面上的均匀热分布。然而，当将基板移送至该结构上时，常常无法精确地重复基板在环形结构上的定位。举例而言，机器人臂可能无法将若干连续基板定位于该结构上的同一中心位置上。基板定位的差异可导致基板表面上的不均匀热分布，从而导致基板的产量减少。
一些快速热处理装置使用“边缘环”形式的基板支撑件以支撑基板或晶片。顾名思义，该边缘环仅沿边缘一周固定基板(通常称作晶片)，以使得最小化与基板的接触。若晶片并未居中于边缘环或其它晶片支撑件上，则晶片任一侧上的不均匀重迭都将造成随晶片(及晶片支撑件)旋转的侧与侧间的不均匀性。机器人置放精确度限于±0.007英寸(inch)。然而，对于晶片偏离晶片支撑件中心置放的每一0.001英寸，晶片可经历1℃的侧与侧间的温差。因此，为了得到在±2℃范围内的温度均匀性，需要将晶片置放于晶片支撑件上使得晶片与晶片支撑件在同轴±0.002英寸内。
因此，在此项技术中，需要在快速热处理腔室中对晶片支撑件上的基板进行微定位或对其进行精确控制的装置及方法。
发明内容
本发明的方面包括使用微定位系统以将大体上平坦的基板与快速热处理腔室中的基板支撑件同轴对准。此举使得处理期间基板上更均匀的加热。
根据一或多个实施例，可能藉由调整晶片、基板支撑件或可选磁悬浮转子中的一或多个的位置以使得晶片与基板支撑件大体上同轴，而将晶片居中于基板支撑件上。相对于基板支撑件的基板位置可由位置传感器系统监视，这些位置传感器系统可将反馈提供至定位机构以精确且可再现地实现基板与基板支撑件的同轴对准。
在一实施例中，用于处理平坦基板的快速热处理装置包含：具有热源的腔室及位于第一位置的用于将基板固定于腔室中的第一基板支撑件。位于第二位置的第二基板支撑件在腔室中用于固定基板。在一实施例中，该第二基板支撑件在热处理期间在周边处固定基板。该第二基板支撑件在一方向上可移动以将基板置放为靠近或远离热源。用以感测基板相对于第二基板支撑件的位置的传感器与致动器连通(communicate)，以改变基板相对于在基板的平面内的第二基板支撑件位置的位置。如本文中所使用，“在基板的平面内”指代大体上平行于基板的平坦表面的平面，例如，如笛卡尔坐标系统的x-y平面中。
可以多种方式配置传感器。根据一或多个实施例的传感器包括光学侦测器。该光学侦测器可包括光源以将光束定向至基板的表面上。该系统也可包括侦测器，其经定位以监视响应所述光束而从基板反射的光的强度。侦测器与基板中的一个或两个可移动，以提供侦测器与基板之间的相对运动。在一些实施例中，该传感器进一步包含与侦测器连通的电子控制器，其中该控制器从侦测器所侦测的反射而产生多个量测，并计算基板表面上发生反射的位置，包括判定这些量测中的哪个对应于基板的边缘。
在一些实施例中，光学侦测器藉由评估第二基板支撑件在基板上或基板在第二基板支撑件上的投影，以侦测基板相对于第二基板支撑件位置的位置。
替代传感器包含相机、照明系统及侦测第二基板支撑件及基板的中心的视觉影像分析系统。在其它实施例中，传感器评估基板支撑件在基板上的或基板在基板支撑件上的投影，以侦测基板相对于基板支撑件位置的位置。
在详细实施例中，第一基板支撑件选自：机器人叶片，和举升销组件；且第二基板支撑件为边缘环。在特定实施例中，该腔室进一步包含腔室盖及至少两个位置传感器。该至少两个位置传感器位于腔室盖上。可选地，反射光束可以从该至少两个传感器经由该腔室盖得以发射。
在一些实施例中，该腔室进一步包含经定位邻近于基板以在多个方向上移动基板的液体或气体喷嘴。
在各种实施例中，该腔室进一步包含在与基板相同的平面中定向的多个定位杆，这些定位杆适于接触基板的边缘以在基板的平面内的多个方向上推动基板。
其它实施例包含适于在基板的平面内的多个方向上移动基板的机构。在一些实施例中，此由在与基板、基板支撑件或磁悬浮转子相同的平面中定向的多个定位杆执行。定位杆经定位以接触基板、基板支撑件或磁悬浮转子的边缘。这些杆能够在多个方向上(例如，在平行于基板的平面的多个方向上)推动基板。
根据一些实施例，基板支撑件耦合至磁悬浮转子。在详细实施例中，可在基板的平行平面的多个方向上移动磁悬浮转子。在一或多个实施例中，磁悬浮转子耦合至包含磁场产生器件的机构，该耦合至磁悬浮转子的机构适于形成磁场，该磁场可变更以在平行于基板的平面的多个方向上移动悬浮转子。
根据一些详细实施例，该腔室进一步包含耦合至磁悬浮转子的磁场产生器件。该磁场可变更以在基板的平面内的多个轴向方向上移动悬浮转子。
在一些详细实施例中，该腔室进一步包含系统控制器，其用以从传感器获得位置信号并将信号发送至一或多个电磁铁以调整第二基板支撑件相对于基板的位置。
在一些特定实施例中，第二基板支撑件包含边缘环，该边缘环包括位于该基板支撑件的内表面上的对准标记，以与基板上的相应对准标记相对准。
在一或多个实施例中，第一基板支撑件包含用于在加载叶片与第二基板支撑件之间移送基板的举升销。举升销可适于穿过基板支撑件中的开口且接触并举升基板。在一些实施例中，包含适于在基板支撑件孔内移动举升销而不使基板支撑件的轴向位置移动的机构。
一或多个详细实施例的装置能够精确且可再现地将基板支撑件与基板定位于同轴的约±0.005英寸内。在更详细实施例中，将基板及基板支撑件定位于同轴约±0.002英寸内，或同轴约±0.001英寸内。
本发明的另一方面针对一种处理基板的方法。该方法包含：将基板移送至处理腔室中。将基板移送至一组举升销。判定基板的边缘的位置。调整基板相对于基板支撑件的位置以使得基板与基板支撑件同轴。将基板移送至基板支撑件。然后，基板随时可接受处理。
这些步骤的次序视使用的特定实施例而有所变化，且不应视为严格的程序顺序。在一些实施例中，在将基板移送至举升销上之前调整基板相对于基板支撑件的相对位置。在其它实施例中，在将基板移送至举升销之后调整相对于基板支撑件的相对位置。在各种实施例中，藉由改变基板的位置、边缘环的位置或举升销的位置中的一或多个来调整基板相对于基板支撑件的相对位置。
本发明的一或多个实施例针对处理基板的方法。将具有边缘的平坦基板移送至处理腔室中的中间基板支撑件上。判定基板的边缘的位置。调整基板相对于第二基板支撑件的位置以使得基板与第二基板支撑件处于实质上居中的定向上。将基板移送至第二基板支撑件并处理基板。
在详细实施例中，在机器人叶片上将基板移送至处理腔室中。中间基板支撑件可包含举升销且可在将基板移送至举升销上之前调整基板相对于第二基板支撑件的相对位置。
在详细实施例中，可藉由改变基板的位置、第二基板支撑件的位置或中间基板支撑件的位置中的一或多个来调整基板相对于第二基板支撑件的相对位置。
在一些特定实施例中，该方法进一步包含以下步骤：经由基板与基板支撑件之间的空间发射来自一个传感器的反射光束，而判定θ调整值以用于将基板置放于第二基板支撑件的中心位置上。在其它详细实施例中，藉由量测第二基板支撑件与基板之间的至少两个位置X及Y的距离来判定θ调整值，且使用至少两个传感器判定用于θ调整的所述至少两个位置X及Y的所述距离。
在一或多个实施例中，藉由在基板支撑件邻近处施加一或多个磁场来调整第二基板支撑件的位置。根据详细实施例，一或多个传感器与控制系统连通，该控制系统与邻近基板支撑件的多个磁铁连通，且响应于由传感器获得的位置而施加磁场。
尽管上述内容谈及同轴定位，但本文中所公开的本发明不限于同轴定位，且可用以相对于基板支撑件将基板定位于任何规定量的轴向位置处(例如在±7mm内)及任何所需规定的r、θ位置处。基板的几何中心不一定为基板的热中心(thermal center)。此外，由于基板支撑件的可变性，即使晶片并非与基板支撑件实体同轴，也可判定具有最佳热处理再现性的最佳位置(r、θ)。因此，即使该位置并非与基板支撑件实体同轴，本发明的实施例也可用以确保最佳地定位晶片。
附图说明
图1示出根据本发明的实施例的快速热处理腔室的简化等角视图；
图2A示出根据一实施例的具有用于感测基板的位置的传感器系统的定位系统的局部侧视图；
图2B示出根据一实施例的具有用于感测基板的位置的传感器系统的定位系统的局部侧视图；
图3A示出根据一实施例的定位系统的局部侧视图；
图3B示出根据一实施例的定位系统的局部侧视图；
图3C示出根据一实施例的定位系统的局部透视图；
图4示出根据本发明的实施例的腔室的局部透视图；
图5示出根据本发明的实施例的腔室的局部透视图；
图6示出根据本发明的实施例的腔室的局部透视图；
图7示出根据本发明的一或多个实施例的定位机构的侧视图；
图8A示出定位机构的实施例的侧视图；
图8B示出定位机构的实施例的侧视图；
图9A为根据本发明的一或多个实施例的基板支撑件的俯视图；
图9B为根据本发明的一或多个实施例的基板支撑件的横截面图；
图9C为根据本发明的一或多个实施例的边缘环的示意图；
图10A为根据本发明的一或多个实施例的处理腔室内的基板支撑件的俯视图；
图10B为根据本发明的一或多个实施例的基板支撑件的边缘环与基板之间的横截面图；
图10C为根据本发明的一或多个实施例的处理腔室内的基板支撑件的俯视图；
图11为根据本发明的一或多个实施例的快速热处理腔室的简化等角视图；及
图12为根据本发明的一或多个实施例的外壳已经移除的定子组件的俯视图。
具体实施方式
在描述本发明的若干示范性实施例之前，应理解本发明不限于以下描述中所陈述的构造或工艺步骤的细节。本发明能够具有其它实施例且能够以各种方式实践或执行。
下文所描述的实施例大体而言针对一种包括用以将基板轴向地与在基板的平面内的基板支撑件对准的微定位系统的RTP系统。如本文中所使用，快速热处理或RTP指能够以约50℃/秒及更高速率(例如100至150℃/秒、及200至400℃/秒的速率)均匀加热晶片的装置或工艺。RTP腔室中的典型降温(冷却)速率在80-150℃/秒的范围中。执行于RTP腔室中的一些工艺要求基板上的温度变化小于几摄氏度。因此，RTP腔室可包括灯或其它适合的加热系统及加热系统控制，其能够以高达100至150℃/秒及200至400℃/秒的速率进行加热，从而使快速热处理腔室区别于不具有能够以这些速率快速加热的加热系统及加热控制系统的其它类型的热腔室。在所示出的实施例中，RTP腔室视需要可包括如下基板支撑件：其适于在腔室内悬浮且旋转而不与腔室的内侧壁有任何接触。
现参看图1，其示出快速热处理腔室100的示范性实施例。处理腔室100包括基板支撑件104、腔室主体102，腔室主体102具有界定内部体积120的壁108、底部110及顶部或盖112。壁108通常包括至少一个基板出入口148以便于基板140(图1中示出了其一部分)的进出。该出入口可耦合至移送腔室(未示出)或负载锁定腔室(未示出)且可用诸如狭缝阀之类的阀(未示出)选择性地进行密封，该阀密封内部体积120而与周围大气隔离。在一实施例中，基板支撑件104是环形的且腔室100包括安置于基板支撑件104的内径上的辐射热源106。辐射热源106通常包含多个灯。可修改的RTP腔室及可使用的基板支撑件的实例在美国专利第6,800,833号及美国专利申请公开案第2005/0191044号中予以描述。
RTP腔室100也包括邻近顶部112、耦合至顶部112或形成在顶部112中的冷却区块180。通常，冷却区块180与辐射热源106间隔开且彼此相对。冷却区块180包含耦合至入口181A及出口181B的一或多个冷却剂通道184。冷却区块180可由工艺阻抗性材料制成，诸如不锈钢、铝、聚合物或陶瓷材料。冷却剂信道184可包含螺旋图案、矩形图案、饼图案或其组合，且可(例如)藉由从两个或两个以上零件铸造冷却区块180和/或制造冷却区块180并接合这些零件，而将信道184整体形成于冷却区块180内。另外或替代地，可将冷却剂通道184钻入冷却区块180中。
入口181A及出口181B可通过阀及适合管件耦合至冷却剂源182，且冷却剂源182与控制器124连通以便于对置于其中的流体的压力和/或流量进行控制。该流体可为水、乙二醇、氮(N2)、氦(He)，或用作热交换介质的其它流体。
在所示出的实施例中，基板支撑件104视需要可适于在内部体积120内磁力地悬浮及旋转。所示出的基板支撑件104能够在处理期间旋转同时垂直地升高及降低，且也可在处理之前、期间或之后不旋转的情况下被升高或降低。此磁悬浮和/或磁旋转可防止或最小化粒子的产生，因为其缺乏或减少了通常升高/降低和/或旋转基板支撑件所必需的移动部件。
腔室100也包括由对热及各种波长的光(其可包括红外线(IR)光谱中的光)透明的材料制成的窗口114，来自辐射热源106的光子可经由窗口114加热基板140。在一实施例中，窗口114由石英材料制成，然而也可使用对热及光透明的其它材料，诸如蓝宝石。窗口114也可包括耦合至窗口114的上表面的多个举升销144，举升销144适于选择性地接触及支撑基板140，以便于移送基板进出腔室100。多个举升销144中的每一个经配置以最小化来自辐射热源106的能量吸收，且可由用于与窗口114的相同材料(诸如石英材料)制成。多个举升销144可经定位及彼此径向地间隔以便于耦合至移送机器人(未示出)的端效器的通行。或者，端效器和/或机器人能够水平及垂直运动以便于移送基板140。
在一实施例中，辐射热源106包括如下形成的灯组件：其中外壳包括多个位于冷却剂组件(未图示)中的蜂窝状管160，该冷却剂组件耦合至冷却剂源183。冷却剂源183可为水、乙二醇、氮(N2)及氦(He)中的一个或组合。外壳壁108、110可由铜材料或其它适合材料制成，并具有形成于其中的适当冷却剂通道以便来自冷却剂源183的冷却剂的流动。该冷却剂冷却腔室100的外壳以使得外壳比基板140更凉。每一管160可含有反射器及高强度灯组件或IR发射器，而形成似蜂窝状的管配置。此紧密堆积的六边形管配置为辐射能源提供高功率密度及良好空间分辨率。在一实施例中，辐射热源106提供充足辐射能以热处理基板，例如，对安置于基板140上的硅层进行退火。辐射热源106可进一步包含环形区域，其中由控制器124供应至多个管160的电压可有变化以增强来自管160的能量的径向分布。加热基板140的动态控制可受一或多个温度传感器117的影响，温度传感器117适于在基板140处量测温度。
在所示出的实施例中，可选择性将定子组件118外接于腔室主体102的壁108且耦合至一或多个致动器组件122，致动器组件122沿腔室主体102的外部而控制定子组件118的高程(elevation)。在一实施例(未图示)中，腔室100包括径向地安置于腔室主体周围(例如，在腔室主体102周围约呈120°角)的三个致动器组件122。定子组件118磁耦合至安置于腔室主体102的内部体积120内的基板支撑件104。基板支撑件104可包含或包括用以充当转子的磁性部分，从而形成用以举升和/或旋转基板支撑件104的磁性轴承组件。在一实施例中，基板支撑件104的至少一部分被耦合至流体源186的槽(未示出)所部分地包围，流体源186可包括适合做为基板支撑件的热交换介质的水、乙二醇、氮(N2)、氦(He)或其组合。定子组件118也可包括外壳190以封闭定子组件118的各种部件及组件。在一实施例中，定子组件118包括堆栈于悬吊线圈组件170上的驱动线圈组件168。驱动线圈组件168适于旋转和/或升高/降低基板支撑件104，而悬吊线圈组件170可适于将基板支撑件104被动地居中于处理腔室100内。或者，旋转及居中功能可由具有单一线圈组件的定子来执行。
大气控制系统164也耦合至腔室主体102的内部体积120。大气控制系统164通常包括节流阀及真空汞以用于控制腔室压力。大气控制系统164可额外地包括用于将处理气体或其它气体提供至内部体积120的气体源。大气控制系统164也可适于传递用于热沉积工艺、热蚀刻工艺及原位清洁腔室组件的处理气体。
腔室100也包括控制器124，其通常包括中央处理单元(CPU)130、支持电路128及内存126。CPU 130可为可用于控制各种行动及子处理器的工业配置中的任何形式的计算机处理器中的一个。内存126或计算机可读媒体可为易获得的内存中的一或多个，诸如随机存取内存(RAM)、只读存储器(ROM)、软盘、硬盘或任何其它形式的数字储存器(本地或远程)，且其通常耦合至CPU130。支持电路128耦合至CPU 130以用于以现有方式支持控制器124。这些电路包括高速缓存、电源、时钟电路、输入/输出电路、子系统等等。
在一实施例中，致动器组件122中的每一个通常包含耦合于从腔室主体102的壁108延伸出的两个凸缘134之间的精密导螺栓132。导螺栓132具有在螺栓旋转时沿导螺栓132轴向地行进的螺帽158。耦合器136耦合于定子118与螺帽158之间以使得在导螺栓132旋转时，耦合器136沿导螺栓132移动以将定子118的高程控制在与耦合器136的界面处。因此，当使致动器122中的一个的导螺栓132旋转以产生其它致动器122的螺帽158之间的相对位移时，定子118的水平面将相对于腔室主体102的中心轴而改变。
在一实施例中，马达138(诸如步进或伺服马达)耦合至导螺栓132以响应于控制器124的信号而提供可控旋转。或者，可用其它类型的致动器122控制定子118的线性位置，诸如气压缸、液压缸、滚珠螺栓、螺线管、线性致动器及凸轮随动件，及其它。
在包括可选定子组件118的实施例中，腔室100也可包括一或多个传感器116，其通常适于侦测腔室主体102的内部体积120内的基板支撑件104(或基板140)的高程。传感器116可耦合至处理腔室100的腔室主体102和/或其它部分，且适于提供能指示基板支撑件104与腔室主体102的顶部112和/或底部110之间的距离的输出，且也可侦测基板支撑件104和/或基板140的未对准。
一或多个传感器116耦合至控制器124，该控制器124从传感器116接收输出量度，且将一信号或多个信号提供至一或多个致动器组件122以升高或降低基板支撑件104的至少一部分。控制器124可利用从传感器116获得的位置量度以调整每一致动器组件122处的定子118的高程，以使得可相对于RTP腔室100和/或辐射热源106的中心轴来调整基板支撑件104及固定于其上的基板140的高程与平面度。举例而言，控制器124可提供多个信号以藉由一个致动器122的行动来升高基板支撑件从而校正基板支撑件104的轴向未对准，或该控制器可将一个信号提供至所有致动器122以便基板支撑件104同时垂直运动。
一或多个传感器116可为能够侦测腔室主体102内的基板支撑件104的接近度的超音波、激光、电感性、电容性或其它类型的传感器。传感器116可耦合至腔室主体102邻近顶部112处或耦合至壁108，然而腔室主体102内及周围的其它位置也可适合，诸如耦合至腔室100外部的定子118。在一实施例中，一或多个传感器116可耦合至定子118且适于穿过壁108感测基板支撑件104(或基板140)的高程和/或位置。在此实施例中，壁108可包括较薄横截面以便进行穿过壁108的位置感测。
腔室100也包括一或多个温度传感器117，其可适于在处理之前、期间及之后感测基板140的温度。在图1中所描绘的实施例中，温度传感器117穿过顶部112而设置，然而也可使用腔室主体102内及周围的其它位置。温度传感器117可为光学高温计，例如具有光纤探头的高温计。传感器117可适于按感测基板的整个直径或基板的一部分的配置耦合至顶部112。传感器117可包含界定实质上等于基板的直径的感测区域，或实质上等于基板的半径的感测区域的图案。举例而言，多个传感器117可按径向或线性配置耦合至顶部112以实现覆盖基板的半径或直径的感测区域。在一实施例(未示)中，多个传感器117可安置于从顶部112的中心附近径向延伸至顶部112的周边部分的直线上。以此方式，基板的半径可由传感器117监视，传感器117将能在旋转期间实现对基板的直径的感测。
如本文中所描述，腔室100适于接收“面朝上”定向的基板，其中使基板的沉积物接收侧或面侧朝向顶部112且基板的“背侧”面向辐射热源106。“面朝上”定向可允许来自辐射热源106的能量被基板140更迅速地吸收，因为视所涉及的处理(也即Ni涂布)而定，基板的背侧有时比基板的正面较低的反射性。通常，未经图案化的“面朝上”定向将更均匀吸收的面呈现至辐射源。
尽管将冷却区块180及辐射热源106描述为分别定位于内部体积120的上部部分及下部部分中，但可颠倒冷却区块180及辐射热源106的位置。举例而言，冷却区块180可确定尺寸且经配置以定位于基板支撑件104的内部直径内，且辐射热源106可耦合至顶部112。在此配置中，石英窗口114可安置于辐射热源106与基板支撑件104之间，诸如与腔室100的上部部分中的辐射热源106邻近。尽管在背侧面向辐射热源106时，基板140可更容易地吸收热且确实能更均匀地吸收辐射能，但在任一配置中基板140可定向为面朝上定向或面朝下定向。
根据一或多个实施例，藉由使用位置传感器系统220侦测基板位置来实现基板相对于基板支撑件104的定位，该位置传感器系统220用于藉由(例如)侦测实质平坦的基板的边缘而感测基板相对于第二基板支撑件的位置。可以多种方式实现基板的边缘的侦测。下文所论述的实例并非意欲限制本发明的范畴。其它基板位置传感器系统220落入本发明的范畴内。举例而言，特定基板位置传感器系统可利用能够侦测基板相对于基板支撑件的位置的超音波、激光、电感性、电容性或其它类型的传感器。
示范性基板位置传感器系统220在美国专利第7,153,185号(“185专利”)中予以详细地描述。在图2A中示出基板位置侦测或传感器系统220的实例。光源225用以将光束227定向至基板200的表面上，光束227被反射为反射束229。侦测器231经定位以监视从基板200反射的光束229的强度。侦测器231及基板200中的一个或两个可移动以提供侦测器231与基板200之间的相对运动。传感器系统220可进一步包括与侦测器连通的电子控制器235，其中控制器235可操作以从侦测器231所侦测的反射产生多个量测。
电子控制器235可包括从光学传感器系统接收信号的通用可程序化数字计算机或与该通用可程序化数字计算机连通。可接着藉由使用笛卡尔x-y坐标系统的基板平面使量测与径向位置相关联。
藉由算法和/或依实验确定的量测，电子控制器235可计算基板表面上发生反射的位置。基于从基板表面反射的性质，控制器可判定哪个量测对应于基板的边缘。此可藉由侦测来从基板的弱反射或根本无反射来判定。尽管将传感器系统220示出为定位于基板的下方，但应了解组件可有利地定位于基板的上方，以便不干扰由灯或用以加热基板的其它加热组件所传递的辐射。另外，传感器系统220的组件应定位以避免干扰光管及可包括高温计的温度侦测系统。
系统220的特定实施例可包括下列特征结构中的一或多个。光束227可在基板的表面上具有小于约一毫米的光斑尺寸。该系统可进一步包括光束聚焦光学器件，其包括折射光学组件(例如透镜)、反射光学组件(例如反射镜)、衍射光学组件(例如光栅)和/或全像光学组件(例如全像光栅)。该装置可进一步包括经定位以在反射光被侦测器侦测之前使从基板表面反射的光准直的准直光学器件。
在光学侦测器系统的另一实施例中，如图2B中所示，光学侦测系统可包括光源及侦测器252，且经配置以评估第二基板支撑件在基板上或基板在第二基板支撑件上的投影以侦测基板相对于第二基板支撑件的位置的位置。在图2B中所示的实施例中，显然是侦测器252经定位以侦测基板支撑件(边缘环)206在基板200上的投影。应了解，光源250及侦测器252可定位于基板200及基板支撑件206的上方以侦测基板200在基板支撑件206上的投影。
在光学侦测系统的另一变化中，光源或其它适当照明系统250可与侦测器252合作，其可为相机且与视觉分析系统254连通。可包括实验数据和/或查找表且包括通用计算机的视觉分析系统254可用以侦测基板支撑件206及基板200的中心。
上文所描述的光学系统中的每一个或其它任何用于侦测或感测基板与晶片支撑件的相对位置的适当方法，都可与用于移动基板支撑件及基板中的一个或两个的系统结合起来使用。下文将进一步描述此类系统的示范性实施例。
上文所描述的位置传感器系统220的各组件可安装于处理腔室的顶部或盖112中。传感器组件可定位于沿腔室的X及Y轴的不同位置以协助侦测晶片的中心位置。或者，传感器系统220的组件可置放于处理腔室的侧壁中。
图3A及图3B也示出定位机构的实施例。在图3A中，在加载叶片202(也称作机器人叶片202)上将基板200装载至腔室中。多个举升销204可穿过反射板214突出且举升基板200离开加载叶片。其实现方法是藉由将举升销定位于反射板214的外周边上并最小化机器人叶片202的平坦区域，以使得基板200的边缘悬于机器人叶片202的至少一部分以外从而允许举升销接触基板的外周边边缘以举升基板离开机器人叶片202。因此，机器人叶片202可在处于伸展状态的各举升销204之间延伸穿越，从而使机器人叶片202能够在销204已举升基板200离开机器人叶片202之后缩回。在另一变化中，机器人叶片202可在与举升销的位置对准的预选位置具有狭槽或切口(未示)以举升基板离开机器人叶片。实现从机器人叶片升离基板的适合方法可在美国专利第6,722,834号及第6,709,218号中找到。扩大反射板214中的孔，从而允许销既能在与边缘环206形式的基板支撑件垂直的方向(箭头212所示)，也能在与边缘环206相同的X-Y平面210内移动。于是加载叶片202可从腔室抽取出来。基板位置传感器系统可判定将基板200位置移动至预选位置所必需的特定调整，该预选位置可预先依实验判定。该预选定向是使基板200相对于腔室中心居中的定向，其可由基板与X-Y平面中的基板支撑件206的相对位置来判定。通常，若基板200与基板支撑件206处于居中定向时基板支撑件206相对于腔室中心居中，则基板200应居中于腔室中。随后举升销204可在反射板214中的扩大孔208内移动直至基板200与边缘环206同轴。一旦基板200处于理想位置，举升销204便可缩回，从而将基板200降低至边缘环206，如图3B中所示。尽管有时可能需要，但由于举升销204不与边缘环206相交，因此无需将孔钻入或凿入边缘环206中。
或者，举升销204可固定在反射板214中。于是该反射板可在与边缘环206相同的平面210内以及垂直于(212)边缘环206移动。从而允许将基板200定位于边缘环206上。
图3C示出边缘环206及反射板214的横截面图。由图可见，反射板214中的孔208比举升销204的直径大。此举允许举升销204在三维中移动以调整基板的位置。
图4示出利用定位机构的腔室的示范性实施例。在加载叶片318上将基板302经由开口320装载至腔室300中，且支撑基板320的加载叶片318保留在腔室中直至获得下文所述的最佳位置。基板位置传感器系统304(例如上文中所描述的类型)可判定是否需要调整基板302相对于第二基板支撑件306的位置，其中第二基板支撑件306图示为在基板302的边缘处支撑基板的边缘环。于是，可使用与基板位置传感器系统304连通且与定位机构连通的计算机或其它适当处理器调整基板302相对于基板支撑件306的位置。可藉由使用径向定位机构施加定向力而进行对边缘环306的调整，该径向定位机构包括在所需的径向方向上推动或移动边缘环306的推动器310。或者，推动器310将定向力施加至磁悬浮转子308以在所要方向上移动基板支撑件306。一旦基板支撑件306与基板302同轴定位，举升销312即从加载叶片举升基板302。在移除加载叶片之后，举升销312可接着将基板302降低至基板支撑件306，从而得到同轴对准的基板支撑件306与基板302。
可以各种其它方式实现藉由施加定向力使边缘环或磁悬浮转子移动。径向定位机构的非限制实例包括一系列推动边缘环306或转子308的定位杆310；推动边缘环或转子的气体或液体喷嘴；或使用定子施加磁场以引起边缘环306或转子308移动。任何适合的推动器机构，诸如螺栓启动、液压启动或气压启动的推动器机构都可用以驱动定位杆310。
在另一实施例中，如图5中所示，在加载叶片404上将基板402装载至腔室400中。基板位置传感器系统406(例如上文所描述的类型)可判定同轴定位基板402与边缘环408所必需的调整。加载叶片404可被推动机构410或马达412移动以定位基板402，该推动机构410或马达412经由处理器或计算机与基板位置传感器系统406连通。举升销414从加载叶片404举升基板402。移除加载叶片404后，举升销414即降低，从而以同轴关系将基板402设置在边缘环408上。
在又一实施例中，如图6中所示，在加载叶片504上将基板502带进腔室500中。上文所描述的类型的基板位置传感器系统506判定以同轴关系置放基板502与边缘环508所必需的调整。基板位置传感器系统与处理器或计算机及定位机构连通。接着，当基板502在加载叶片504上时，使用选自马达驱动定位杆、液压或气压定位杆、液体或气体喷嘴或其它类似构件510中的一或多个的定位机构将基板502推动到位。这些定位机构可甚至位于叶片自身上。一旦对准，举升销512即举升基板502离开加载叶片504。加载叶片504缩回且举升销512以同轴关系将基板502降低至边缘环508上。
在另一实施例中，如图7中所示，当基板600在举升销604上时，基板600可与边缘环602同轴对准。在此实施例中，可藉由任何适合的构件从侧部推动基板600，包括(但不限于)马达驱动定位杆606、液压或气压驱动定位杆和/或经喷嘴608的气体或液体喷嘴的压力。一旦对准，举升销604即缩回，从而以同轴对准关系将基板600降低至边缘环602。
图8A及图8B中所示的其它实施例中，允许在已将基板700置放于边缘环702上之后，将基板700与边缘环702同轴对准。可藉由任何适合的构件实现此对准，包括(但不限于)马达驱动定位杆704、液压或气压驱动定位杆或经喷嘴706的气体或液体喷嘴的压力。一旦与边缘环702同轴对准，基板700随时可接受处理。
一或多个详细实施例的装置能够精确且可再现地将边缘环与基板定位于同轴的约±0.005英寸内。在更详细实施例中，将基板与边缘环定位于同轴约±0.002英寸内，或同轴约±0.001英寸内。
因此，本发明的一或多个实施例针对用于处理基板的快速热处理装置。该装置包含：包括热源的腔室。该装置包括通常采用举升销或机器人叶片的形式，用于将腔室中的基板固定于第一位置的第一基板支撑件，及用于将基板固定于第二位置的第二基板支撑件(例如边缘环)。第二基板支撑件(在特定实施例中包含在基板边缘处支撑基板的边缘环)适于在热处理期间固定基板，且其在一方向上能移动以将基板置放为靠近或远离热源。也包括用于感测基板的轴向位置的传感器系统。该传感器系统与致动器连通，该致动器可操作以引起基板相对于第二基板支撑件的轴向位置的轴向位置发生改变。第一基板支撑件可充当且可称为临时基板支撑件。
图9A为基板支撑件900的一实施例的俯视图。图9B为基板支撑件900的横截面图。基板支撑件900由包含边缘环910、支撑环920及支撑圆柱930的多个部件的组件形成。边缘环910具有便于置放基板902的环形形状。如图9B中所示，边缘环910包括外表面912及平行于外表面912且从外表面912凹入的内表面914。外表面912藉此位于比内表面914更高的水平处，内表面914具有由侧壁915分隔的外边界。侧壁915可稍高于基板902的厚度以便于将其置放于内表面914上。边缘环910也可包括从外表面912向下延伸的外凸缘916。间隙918界定于外凸缘916与侧壁915之间以便于将边缘环910组装于支撑环920上。在一实施例中，边缘环910可简单地安置于支撑环920上而无需附着构件以便容易移除及替换。在详细实施例中，第二基板支撑件可为薄型固体凹入盘。
支撑环920包含薄型扁平区段，且具有向上延伸的内凸缘922及向下延伸的外凸缘924。向上延伸的内凸缘922耦合至边缘环910的外凸缘916。向下延伸的外凸缘924耦合至支撑圆柱930。支撑圆柱930将垂直支撑提供至支撑环920。如图9A中所示，支撑圆柱930的底部932可包含允许空气流入支撑圆柱930中的锯齿状轮廓。
在图9C中图示边缘环910的替代实施例。在此实施例中，内表面914也可包括对准标记919，其可用作促进与基板902上的相应对准标记904相对准的参考。在一实施例中，内表面914上的对准标记919可形成为突起，且基板902的轮缘上的对准标记904可为凹槽。藉此，边缘环910上的基板902的恰当的对准及定向防止由于漏光造成的不均匀的热分布，且改良热传递。
如图10A的俯视图及图10B的侧视图中所示，位置传感器1014及1016也可用以确保基板1002相对于处理腔室1001内的基板支撑件1004的边缘环1003恰当地居中。在一实施例中，可将位置传感器1014及1016置放于基板支撑件1004上方，例如将位置传感器1014及1016安装于邻近腔室盖。位置传感器1014及1016可包括能够侦测基板1002的边缘1006与边缘环1003的侧壁1005之间的距离的超音波传感器、光学传感器、电感性传感器、电容性传感器或其它类型的位置传感器。在另一实施例中，位置传感器1014及1016可发射光束以侦测基板1002相对于边缘环1003的任何不恰当对中。
如图10B中所示，可藉由降低支撑销1007而将基板1002置放于边缘环1003上。为了为基板1002提供基板表面上的均匀热处理，可将基板1002定位于边缘环1003的中心上。藉由在X及Y轴的方向上移动基板支撑件1004，可将边缘环1003调整为与基板1002相接。为了为待定位的基板1002找到边缘环1003的中心位置，可将位置传感器1014及1016定位于不同位置以助侦测中心位置。在一实施例中，位置传感器1014可安装于腔室盖1015上且相对于位于基板1002的边缘1006与边缘环1003的侧壁1005之间的光斑，如图10B中所示。在每一光斑中为基板1002的边缘1006与边缘环1003的侧壁1005之间的距离1008。每一光斑可对应于一轴及与该特定轴相关的距离。举例而言，位置传感器1014的光斑可对应于X轴且位置传感器1016的光斑可对应于Y轴。每一光斑可含有可由位置传感器1014及1016量测的距离1008。在一实施例中，位置传感器1014及1016可发射光束1011以侦测光斑内的距离1008。在另一实施例中，反射光束1011可为圆斑或线。在又一实施例中，该圆斑或线的光斑尺寸可不小于4.5mm。在再一实施例中，反射光束1011可发射在约25-50mm的范围内。可比较在每一光斑处量测的距离1008以找到θ调整值。在一实施例中，所量测距离的精确度可具有约±10μm的范围或更高的精确度。该θ调整值含有X轴的可调距离及Y轴的可调距离。可调距离是将边缘环1003移动至X及Y轴的中心位置所需的调整。在已获得θ调整值之后，接着可调整边缘环1003以将其移动至恰当位置。接着，可将信号发送至机器人臂以从支撑销1007拾取基板1002并将基板1002移送至基板支撑件1004上的恰当位置以便进行热处理。在一实施例中，基板至边缘环的距离具有约0至4.342mm的范围。在特定实施例中，基板至边缘环的距离处于约2.171mm。在详细实施例中，θ调整值与可由垂直运动调整的Z位置的相关调整信息相关联。
图10C为根据本发明的另一实施例的处理腔室1050内的基板支撑件1052的俯视图。或者，也可藉由将传感器置放于处理腔室1050的内部侧壁处来量测边缘环1056与基板1054之间的距离1008。在一实施例中，第一光发射器1068可耦合至内部侧壁的一侧，且第一光接收器1070可耦合至第一光发射器1068所在的侧壁的邻近侧壁以量测对应于X轴的距离1058。第二光发射器1072可耦合至另一内部侧壁，且第二光接收器1074可耦合至第二光发射器1072所在的内部侧壁的邻近侧壁以量测对应于Y轴的距离1059。可藉由由光发射器1068及1072发射的经由光管1078的光束1076来量测距离1058及1059。光束1076可穿过边缘环1056与基板1054之间的距离1058及1059，且可由光接收器1070及1074接收。在已获得距离1058及1059且将其送回至系统控制器124之后，现可计算θ调整值且接着可根据θ调整值调整边缘环1003，即在X及Y轴的方向上移动至基板可定位的中心位置。
图11示出快速热处理腔室1100的详细实施例的简化等角视图。处理腔室1100包括图1所描述的组件，且等效组件的附图标记一致。腔室1100包括一或多个传感器116，传感器116通常位于腔室的外部且适于侦测腔室主体102的内部体积120内的基板支撑件104(或基板140)的高程。传感器116可经由如所示的管状口耦合至腔室主体102和/或处理腔室1100的其它部分，且适于提供能指示基板支撑件104与腔室主体102的顶部112和/或底部110之间的距离的输出，且也可侦测基板支撑件104和/或基板140的未对准。在另一实施例(未图示)中，可将传感器116置放于定子外壳1190的内部，定子外壳1190将允许传感器316与定子118一起上下移动。此实施例将允许传感器116获得位于环区段192上的参考点。在此实施例中，信号将很可能恒定且将寻找信号偏差，且可依据来自马达138的反馈判定垂直位置。
一或多个传感器116可耦合至控制器124，该控制器124从传感器116接收输出量度并将一个信号或多个信号提供至一或多个致动器组件122以升高或降低基板支撑件104。控制器124可利用从传感器116获得的位置量度，调整每一致动器组件122处的定子118的高程，以使得基板支撑件104及固定于其上的基板140的高程与平面度都可相对于腔室1100和/或辐射热源106的中心轴作调整。举例而言，控制器124可提供多个信号以藉由致动器122的行动来升高基板支撑件从而校正基板支撑件104的轴向未对准，或该控制器可将一个信号提供至所有致动器122以便基板支撑件104同时垂直运动。
传感器116可耦合至壁108，然而腔室主体102内及周围的其它位置也为适合的，诸如耦合至腔室1100的外部的定子118。在一实施例中，一或多个传感器116可耦合至定子118且适于穿过壁108感测基板支撑件104(或基板140)的高程和/或位置。在此些实施例中，壁108可包括较薄横截面以便进行穿过壁108的位置感测。
图11的基板支撑件104包括：环形主体1191，其内径经确定尺寸以接收辐射热源106及其它硬件(未图标)。基板支撑件104至少部分地包含磁环区段1192及支撑区段1194。磁环区段1192可至少部分地包含磁性材料(诸如含铁材料)以便于将基板支撑件104磁耦合至定子118。该含铁材料包括低碳钢、不锈钢，其可包括电镀，诸如镍。在一实施例中，磁环区段1192包含环绕中心轴以极性数组安置的多个永久磁铁。磁环区段1192可额外地包括里面形成有一或多个通道的外表面。在一实施例中，磁环区段1192包括成形轮廓，诸如其中形成有一或多个通道的“E”形状或“C”形状。
根据一或多个实施例，可能藉由调整磁悬浮基板支撑件104的位置而将基板140居中于边缘环104上，所以在举升基板140之前使基板支撑件104与举升销144上的基板140同轴。可使用包括一组光学传感器116的反馈系统或与系统控制器124连通的视觉系统实现基板的居中。可使用来自此系统的反馈来执行基板140的置放。定子118可用以以高精密度(例如0.001″或更高)使边缘环104居中于基板140之下，且可补偿高达0.010″的移位。
本发明的一或多个实施例具有将基板140带进腔室1100中的机器人(未图示)，在腔室1100中基板140移送至举升销144上。使用由定子118产生的可变磁场将基板支撑件104居中于基板140之下，定子118改变腔室中的基板支撑件104的位置。图12示出具有已移除的外壳的定子组件118的实施例的俯视图。可调整与系统控制器连通的一系列电磁铁1200的磁场强度以形成电磁偏压，该电磁偏压可推/拉腔室内的基板支撑件。可偏压至少一个电磁铁以推动基板支撑件，且可偏压至少一个电磁铁以拉动基板支撑件。藉由调整位于定子118周围各种位置处的电磁铁1200的磁场强度，可正确地定位基板支撑件。与系统控制器124连通的传感器1202(其可为涡流传感器)可用以侦测腔室内的基板支撑件的位置，从而将采用了位置信号的形式的反馈提供至系统控制器124。来自此些传感器1202的反馈可由系统控制器124评估，其又可提供信号以偏压电磁铁中的一或多个以调整基板支撑件的位置。
图12示出在相隔约120°的位置处定位的电磁铁1200及传感器1202。此仅为说明性的，且不应视为限制本发明。可使用任何适合数目的传感器及电磁铁。举例而言，系统控制器124可使用源于三个传感器的反馈来控制六个电磁铁。
本发明的其它实施例针对处理基板的方法。该方法包含将基板移送至处理腔室中。将基板移送至中间基板支撑件，该中间基板支撑件(例如)可为一组举升销。例如，藉由侦测一或多个基板边缘来判定基板的位置。调整基板相对于基板支撑件的位置以使得基板与基板支撑件相对准在预选的相对定向。基板位置传感器系统经由中央处理单元(例如通用计算机)与定位机构连通，该定位机构对基板相对于基板支撑件的位置进行所需调整。反馈控制系统可用以确保最优化基板与基板支撑件的相对位置直至基板与基板支撑件处于实质同轴对准。将基板移送至第二基板支撑件，该第二基板支撑件可为边缘环。此时基板随时可接受处理。规定的相对定向可以是基板与边缘环的轴向对准，或基板与边缘环基于依经验判定的位置的对准。举例而言，该依经验判定的位置可能并非同轴地对准基板与边缘环，但可对准基板块体的热中心与边缘环的中心。
可使用机器人叶片将基板移送至处理腔室中。中间支撑件可为位于举升销组件上的多个举升销。将基板引入腔室及提供中间支撑件的其它方法也在本发明的范畴内。
这些步骤的次序视使用的特定实施例而有所变化且不应视为严格的程序顺序。在一些实施例中，在将基板移送至举升销上之前调整基板相对于边缘环的相对位置。在其它实施例中，在将基板移送至举升销之后调整相对于边缘环的相对位置。在各种实施例中，藉由改变基板的位置、边缘环的位置或举升销的位置中的一或多个来调整基板相对于边缘环的相对位置。
详细实施例针对同中心定位基板在悬浮基板支撑件上的方法。将基板移送至处理腔室中且置放于临时支撑组件上。使用传感器量测相对于基板支撑件的基板位置。调整基板支撑件的位置以使基板支撑件达到与基板的同中心对准。将基板从临时支撑组件移送至基板支撑件。
在特定实施例中，基板于支撑件上的同中心定位包含如下步骤：偏压至少一个磁铁以拉动基板支撑件或推动基板支撑件。
其它特定实施例针对一种包含腔室、基板支撑件、位置传感器及系统控制器的基板处理装置。基板支撑件安置于腔室中且包含环形主体，该环形主体经配置以支撑其上表面上的基板。基板支撑件磁耦合至经安置邻近于基板支撑件的多个电磁铁。位置传感器可侦测相对于基板支撑件的基板位置。系统控制器与电磁铁连通且可操作以偏压至少一个电磁铁，从而相对于基板移动(即推动或拉动)基板支撑件。
贯穿此说明书的参考“一个实施例”、“特定实施例”、“一或多个实施例”或“一实施例”意谓结合该实施例描述的特定特征结构、结构、材料或特征均包括在本发明的至少一个实施例中。因此，贯穿此说明书各处的诸如“在一或多个实施例中”、“在特定实施例中”、“在一个实施例中”或“在一实施例中”的措辞的出现未必指代本发明的同一实施例。此外，可以任何适合方式在一或多个实施例中组合特定特征结构、结构、材料或特征。
尽管在本文中已参考特定实施例描述本发明，但应理解这些实施例仅仅为了说明本发明的原理及应用。本领域技术人员将易于了解，在不脱离本发明的精神及范畴的情况下可对本发明的方法及装置进行各种修改及变化。因此，预期本发明包括属于附加权利要求书及其等效物的范畴内的修改及变化。

Claims (18)

1.一种用于处理平坦基板的快速热处理装置，该装置包含：
腔室，其包括热源；
第一基板支撑件，其用于将所述基板固定于所述腔室中的第一位置；
第二基板支撑件，其位于第二位置，用于在热处理期间固定所述基板，所述第二基板支撑件在一方向上能移动以将所述基板置放为靠近或远离所述热源；及
传感器，其用以感测所述基板相对于所述第二基板支撑件的位置，所述传感器与致动器连通以改变所述基板相对于所述第二基板支撑件的轴向位置的位置。
2.如权利要求1的装置，其中所述传感器包括光学侦测器。
3.如权利要求2的装置，其中所述传感器包含：
光源，其用以将光束定向至所述基板的表面上；及
侦测器，其经定位以监视从所述基板反射的光的强度，其中所述侦测器与所述基板中的一个或两个能移动以提供所述侦测器与所述基板之间的相对运动。
4.如权利要求3的装置，其中所述传感器进一步包含与所述侦测器连通的电子控制器，其中所述控制器从所述侦测器所侦测的反射产生多个量测并计算所述基板表面上发生反射的位置，包括判定这些所述量测中的哪个对应于所述基板的边缘。
5.如权利要求2的装置，其中所述传感器评估所述第二基板支撑件在所述基板上的或所述基板在所述第二基板支撑件上的投影，以侦测所述基板相对于所述第二基板支撑件的位置的位置。
6.如权利要求2的装置，其中所述传感器包含相机、照明系统及视觉影像分析系统，其侦测所述第二基板支撑件及所述基板的中心。
7.如权利要求2的装置，其进一步包含腔室盖及至少两个位置传感器，所述至少两个位置传感器位于所述腔室盖上，且反射光束可视需要从所述至少两个传感器经由所述腔室盖得以发射。
8.如权利要求1的装置，其进一步包含经定位邻近所述基板的液体或气体喷嘴以在多个轴向方向上移动所述基板。
9.如权利要求1的装置，其进一步包含多个定位杆，这些所述定位杆在与所述基板相同的平面中定向，这些所述定位杆适于接触所述基板的边缘以在所述基板的平面内的多个方向上推动所述基板。
10.如权利要求1的装置，其进一步包含磁悬浮转子及磁场产生器件，所述磁悬浮转子耦合至所述第二基板支撑件，所述磁场产生器件耦合至所述磁悬浮转子，所述磁场能变更以在所述基板的平面内的多个轴向方向上移动所述悬浮转子。
11.如权利要求10的装置，其进一步包含系统控制器，所述系统控制器用以从所述传感器获得位置信号及将信号发送至一或多个电磁铁以调整所述第二基板支撑件相对于所述基板的位置。
12.如权利要求1的装置，其中所述第二基板支撑件包含边缘环，所述边缘环包括位于所述基板支撑件的内表面上的对准标记，所述对准标记用于与所述基板上的相应对准标记相对准。
13.一种处理基板的方法，其包含以下步骤：
将具有边缘的平坦基板移送至处理腔室中的中间基板支撑件上；
判定所述基板的所述边缘的位置；
调整所述基板相对于第二基板支撑件的位置以使得所述基板与所述第二基板支撑件处于实质上居中的定向；
将所述基板移送至所述第二基板支撑件；及
热处理所述基板。
14.如权利要求13的方法，其中在机器人叶片上将所述基板移送至所述处理腔室中，所述中间基板支撑件包含举升销，且在将所述基板移送至所述举升销上之前调整所述基板相对于所述第二基板支撑件的相对位置。
15.如权利要求13的方法，其中藉由改变所述基板的位置、所述第二基板支撑件的位置或所述中间基板支撑件的位置中的一或多个而调整所述基板相对于所述第二基板支撑件的相对位置。
16.如权利要求13的方法，其进一步包含以下步骤：通过所述基板与所述基板支撑件之间的空间发射来自一个传感器的反射光束，以判定θ调整值以用于将所述基板置放于所述第二基板支撑件的中心位置上。
17.如权利要求16的方法，其中一或多个传感器与控制系统连通，所述控制系统与邻近所述基板支撑件的多个磁铁连通，所述一或多个传感器藉由响应于通过传感器获得的位置施加邻近所述基板支撑件的一或多个磁场来调整所述第二基板支撑件的位置。
18.如权利要求17的方法，其中藉由量测所述第二基板支撑件与所述基板之间的至少两个位置X及Y的距离而判定所述θ调整值，且使用至少两个传感器判定用于θ调整的所述至少两个位置X及Y的所述距离。
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