CN106463399B - 用于低压热处理的光导管结构窗 - Google Patents

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Abstract

本发明公开的实施方式涉及用于半导体基板的热处理的光导管结构。在一个实施方式中，用于热处理腔室的光导管窗结构包括透明板及多个光导管结构，多个光导管结构形成在与透明板耦接的透明材料中，多个光导管结构的各个包含反射表面且具有纵轴，该纵轴以与透明板的平面有实质垂直关系的方式设置。

Description

用于低压热处理的光导管结构窗
领域
本发明公开用于半导体处理的设备与方法。更特定言之，本发明公开的实施方式涉及半导体基板的热处理的光导管结构，其可特别用于低压外延沉积腔室和/或快速热处理腔室中。
背景
热处理通常实施于半导体工业中。半导体基板经受上下文中诸多转换的热处理，该诸多转换包括栅极源、漏极与沟道结构的掺杂、活化与退火、硅化、结晶、氧化及类似转换。多年来，热处理的技术从简单的烘焙炉(furnace baking)进步到各种形式逐渐快速的热处理(RTP)、尖峰退火(spike annealing)及其他热处理。
随着半导体装置特征的临界尺寸缩小，对于热处理期间的热预算有时需要更严格的限制。许多前述的热处理使用灯头形式的灯加热，灯头包含经定位而将辐射能导向基板的多个光源。然而，用于灯头中的高强度灯在灯头的材料内产生高温。于许多处理中该温度经控制而能够冷却基板。例如，在RTP期间，来自灯的热辐射一般用于在受控环境中快速加热基板至高达约1,350摄氏度的最大温度。依据处理过程，此最大温度维持小于一秒至若干分钟的特定时间。基板接着冷却至室温以用于进一步处理。为了能够冷却到室温，冷却灯头。然而，基于诸多因素，灯头温度的控制是困难的。
所需的是能够改善热处理腔室内灯头的温度控制的方法与设备。
概述
本发明公开的实施方式涉及用于半导体基板的热处理的光导管结构。
在一个实施方式中，提供一种用于热处理腔室中的光导管窗结构。光导管窗结构包括透明板及多个光导管结构，多个光导管结构形成在与透明板耦接的透明材料中，多个光导管结构的各个包含反射表面且具有纵轴，该纵轴以与透明板的表面界定的平面有实质垂直关系的方式设置。
在另一个实施方式中，提供一种用于热处理腔室中的灯头组件。灯头组件包括光导管窗结构及与光导管窗结构耦接的辐射热源，其中光导管窗结构包含形成在透明材料中的多个光导管结构，以及辐射热源包含多个管，多个管的各个具有设置于其中的能量源且与光导管结构中的一个实质对齐。
在另一个实施方式中，提供一种处理腔室。处理腔室包括具有内部空间的腔室、与腔室耦接的光导管窗结构及辐射热源，光导管窗结构具有与腔室内部空间连接的透明板，辐射热源与光导管窗结构的透明板于腔室内部空间外的一位置耦接，其中光导管窗结构包含与透明板耦接的穿孔透明材料。
附图简要说明
本发明公开的特征已简要概述于前，并在以下有更详尽的讨论，可以通过参考所附附图中绘示的本发明实施方式以作了解。然而，值得注意的是，所附附图只绘示了本发明的典型实施方式，而由于本发明可允许其他等效的实施方式，所附附图并不会视为本发明范围的限制。
图1是具有光导管窗结构的一个实施方式的处理腔室的简化等角视图。
图2A至图2D是表示图1的光导管窗结构的一个实施方式的各式视图。
图3是表示光导管窗结构与灯头组件细节的图1的处理腔室的部分的侧面截面图。
图4是示出另一个光导管窗结构实施方式的处理腔室的示意截面图。
图5是图4中横跨截面线5-5的光导管窗结构的截面图。
图6是可与如本说明书所述的光导管窗结构一起使用的光导管结构的一个的侧面截面图。
图7是可与如本说明书所述的光导管窗结构一起使用的光导管结构的一个的顶部截面图。
图8至图10是表示可与本说明书所述处理腔室一起使用的光导管窗结构的额外实施方式的部分侧面截面图。
为便于理解，在可能的情况下，使用相同的元件符号代表图标中相同的元件。可以考虑，一个实施方式中公开的元件可有利地用于其它实施方式中而无需赘述。
具体描述
本说明书所述的实施方式涉及用于热处理腔室的光导管窗结构，如沉积腔室、蚀刻腔室、退火腔室、注入腔室、用于发光二极管形成的腔室以及其他处理腔室。光导管窗结构可用于可自加州圣克拉拉市的应用材料公司(Applied Materials,Inc.,of SantaClara,California)取得的处理腔室中，所述处理腔室诸如是
Figure GDA0002023085150000031
快速热处理(RTP)腔室以及减压外延沉积腔室。本说明书所述的光导管窗结构的实施方式也可用于来自其他制造商的处理腔室。
图1是根据一个实施方式具有光导管窗结构101的快速热处理腔室100(RTP腔室)的简化等角视图。处理腔室100包括无接触或磁悬浮的基板支撑件102及腔室主体104，腔室主体104具有侧壁108、底部110以及顶部112以界定内部空间120。侧壁108通常包括基板出入口148以用于进出基板140(图1所示的部分)。出入口148可与传送腔室(未图示)或负载锁定腔室(未图示)耦接并可选择性地以阀密封，如狭缝阀(未图示)。在一个实施方式中，基板支撑件102是环状且经调整尺寸而容纳灯头组件105于基板支撑件102的内部直径中。灯头组件105包括光导管窗结构101及辐射热源106。
基板支撑件102经调整而于内部空间120内磁悬浮及旋转。基板支撑件102在处理期间垂直举升与下降时能够旋转，以及也可在处理前、处理中或处理后举升或下降而没有旋转。此磁悬浮和/或磁旋转防止或减少粒子产生，此粒子产生是由于没有或减少部件旋转和/或部件相对于彼此移动之间的接触，所述部件通常用于升举/下降和/或旋转基板支撑件。
定子组件118外接腔室主体104的侧壁108且与一或多个致动器组件122耦接，致动器组件122控制定子组件118沿着腔室主体104外部的上升。在一个实施方式(未图示)中，处理腔室100包括于腔室主体附近径向设置的三个致动器组件122，例如，于腔室主体104附近以约120度设置。定子组件118与设置于腔室主体104的内部空间120内的基板支撑件102磁性耦接。基板支撑件102可包括作为转子119功能的磁性部分，因而产生磁轴承组件(magnetic bearing assembly)以升举和/或旋转基板支撑件102。支撑环121与转子119耦接以支撑基板140的周边边缘。支撑环121经调整尺寸以稳定支撑基板140而最低程度地将基板140的背侧部分自辐射热源106发射的能量屏蔽。定子组件118包括堆叠于悬吊线圈组件170上的驱动线圈组件168。驱动线圈组件168经调整而旋转和/或升举/下降基板支撑件102，而悬吊线圈组件170可经调整而被动地将基板支撑件102置中于处理腔室100。或者，旋转与置中的功能可由具有单一线圈组件的定子执行。
在一个实施方式中，致动器组件122的各个一般包括耦接于两个凸缘134之间的精密导螺杆132，两个凸缘134自腔室主体104的侧壁108延伸。导螺杆132具有螺帽158，当螺杆旋转时，螺帽158沿着导螺杆132轴向移动。耦接部136置放于定子组件118与螺帽158之间，而将螺帽158耦接至定子组件118，使得当导螺杆132旋转时，耦接部136沿着导螺杆132移动以控制定子组件118在与耦接部136的界面处的举升。因此，当致动器组件122的一个的导螺杆132经旋转而产生其他致动器组件122的螺帽158的各个之间的相对位移时，定子组件118的水平平面相对于腔室主体104的中心轴改变。
在一个实施方式中，马达138(如步进器或伺服马达)与导螺杆132耦接以响应控制器124的信号提供可控制的旋转。或者，可使用其他类型的致动器组件122以控制定子组件118的线性位置，如气压缸、液压缸、滚珠螺杆、螺线管、线性致动器与凸轮随动器等。
可经调整而受惠于本说明书公开的实施方式的RTP腔室的示范例是
Figure GDA0002023085150000041
及
Figure GDA0002023085150000042
处理系统，其可自加州圣克拉拉市的应用材料公司取得。虽然所述设备与快速热处理腔室及外延沉积腔室一起使用，但是本说明所述实施方式可用于使用灯加热装置来加热的其他处理系统与装置中。
光导管窗结构101包括透明板114与透明主体125。本说明书使用的技术用语“透明”是材料传递辐射的能力，例如用于加热其他物品的光波或其他波长，以及特定言之，可见光谱的波长与非可见波长，如在红外线(IR)光谱。例如，透明板114与透明主体125可由对热与各种波长的光(其可包含IR光谱的光)透明的材料制成。在某些实施方式中，透明板114与透明主体125系对一波长范围中的IR辐射透明，该波长范围自可见光谱的标称红光边缘(如约700纳米(nm)至约800nm的波长)延伸至约1毫米(mm)。
光导管窗结构101包括于透明主体125中形成的多个光导管结构160。多个光导管结构160的各个可包括管状结构或穿孔、柱形式等形状，且与辐射热源106的多个能量源162实质轴向对齐。本说明书所用的技术用语“管状(tubular)”代表具有内部空间包含于其侧壁之间的结构。光导管结构160的密堆积排列经调整尺寸并间隔开而与一个实施方式中的辐射热源106(示于图1中)的管127的各个实质轴向对齐。然而，管127与光导管160之间的某些不对齐也可用于提供高功率密度与良好空间分辨率。透明板114可具有实质均匀的厚度以及可具有固体(solid)截面。例如，透明板114可没有穿孔。提供光导管结构160作为光导管，来自辐射热源106的多个能量源162的光子可在处理期间穿过所述光导管以加热基板140。在一个实施方式中，光导管结构是中空的。在另一个实施方式中，光导管结构是中空且被覆盖于带有反射涂层(如金属反射器，Ag、Al、Cr、Au、Pt等或介电堆叠反射器)的侧面表面上。在另一个实施方式中，光导管结构具有固体透明主体800(示于图8中)，固体透明主体800插入于固体主体提供全部内部反射(TIR)的地方。在另一个实施方式中，光导管结构具有反射器，反射器插入于反射器可与冷却灯头热耦接的地方或反射器可由对流冷却的地方。
处理腔室100也可包括一或多个邻近传感器116，邻近传感器116一般经调整而检测基板支撑件102(或基板140)于腔室主体104的内部空间120中的举升。传感器116可与腔室主体104和/或处理腔室100的其他部分耦接以及经调整而提供指示基板支撑件102与腔室主体104的顶部112和/或底部110之间的距离的输出，以及也可检测基板支撑件102和/或基板140的不对齐。
处理腔室100也包括控制器124(一般包括中央处理单元(CPU)130)、支持电路128与存储器126。CPU 130可以是可以在工业设施中用于控制各式动作与子处理器的任意形式计算机处理器中的一种。存储器126，或计算机可读取介质可以是一或多个容易取得的存储器，如随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、软盘、硬盘，或任何其他的数字存储器，本地端的或是远程的，并通常与CPU 130耦接。支持电路128与CPU 130耦接而用传统方式支持控制器124。这些电路包括高速缓冲存储器、电源供应器、时钟电路、输入/输出电路与子系统，以及类似物。
灯头组件105可包括辐射热源106与光导管窗结构101两者。光导管窗结构101可包括固定器159，所述固定器159至少部分环绕光导管窗结构101。固定器159可以是密封构件，如o型环，或夹持至处理腔室100的侧壁108的边缘。在某些实施方式中，固定器159可包括用于将光导管窗结构101夹持至侧壁108的边缘，且可包括设置于透明板114与透明主体125之间的o型环。辐射热源106包括由壳体123组成的灯组件，壳体123包括多个紧密间隔的管127。管127可以以蜂巢状光导管排列形成。壳体123可包括由金属材料(如铜材料)形成的坯(billet)，以及可包括承座，带有能量源162设置于各承座中。电路板115可与壳体123和控制器124耦接以控制能量源162。能量源162可独立控制或在区域162中。
各管127可包含反射器与一个能量源162，能量源162可以是高强度灯、激光、激光二极管、发光二极管、IR发射器或以上各者的组合。各管127可与光导管窗结构101的光导管结构160的各者实质轴向对齐。光导管结构160用于传输能量源162的各者往基板140所发射的能量。在一个实施方式中，灯头组件105提供足够的辐射能以热处理基板140，例如，将设置于基板140上的硅层退火。灯头组件105可进一步包括环状区域，其中可变化由控制器124供应至多个能量源162的电压以加强来自灯头组件105的能量的径向分布。基板140加热的动态控制可受一或多个温度传感器117(于下有更详尽的描述)影响，温度传感器117经调整而测量横跨基板140的温度。
在一个实施方式中，透明板114与透明主体125皆由石英材料制成，即便可使用其他对能量透明(如在红外线光谱的波长)的材料，如蓝宝石。透明板114与透明主体125可由具有低内含公差(inclusion tolerances)的透明熔融石英材料制成。透明板114包括与透明板114的上表面耦接的多个升举销144以利于基板进出处理腔室100的传送。例如，定子组件118可经致动而向下移动，导致转子119往灯头组件105移动。本说明书使用的任何方向，如“向下”或“下”以及“向上”或“上”是基于所示附图中的腔室的定向，而可能不是实施中的实际方向。
支撑基板140的支撑环121与转子119一起移动。在预期的高度，基板140接触设置于透明板114上的升举销144。转子119(与支撑环121)的向下移动可持续直到转子119环绕灯头组件105的固定器159。转子119(与支撑环121)的向下移动可持续直到支撑环121与基板140间隔一距离，基板140稳定的支撑于升举销144上。可选择升举销144的高度以支撑基板140并将基板140沿着一平面对齐，该平面与基板出入口148的平面实质共平面或邻近于基板出入口148的平面。多个升举销144可定位于光导管结构160之间并且彼此径向隔开以便于终端受动器(end effector)(未示出)通过基板出入口148。或者，终端受动器和/或机械臂可能能够进行水平和垂直移动，以促进基板140的传送。多个升降销144的各者可定位于光导管结构160之间以最小化自辐射热源106的能量吸收。多个升举销144的各者可由用于透明板114的相同材料制成，如石英材料。
大气控制系统164也与腔室主体104的内部空间120耦接。大气控制系统164一般包括用于控制腔室压力的节流阀与真空泵。大气控制系统164可额外地包括用于将处理或其他气体提供至内部空间120的气体源。大气控制系统164也可经调整而传送用于热沉积处理的处理气体。在处理期间，内部空间120一般维持在真空压力。本发明的态样包括灯头组件105至少部分设置于内部空间120(且受负压于其中)而灯头组件105的部分在内部空间120(即周围大气)外的实施方式。此排列提供有效地能量传输到基板140，而增强控制辐射热源106的温度的能力。
处理腔室100还包括一或多个温度传感器117，温度传感器117可经调整而于处理前、处理中与处理后感测基板140的温度。在图1所示的实施方式中，温度传感器117设置通过顶部112，即便可使用位于腔室主体104内以及附近的其他位置。温度传感器117可以是光学高温计，如具有光纤探针的高温计。传感器117可经调整而以一配置耦合至顶部112以感测基板的整个直径或基板的部分。传感器117可包括界定与基板直径实质相等的感测区域或与基板半径实质相等的感测区域的图案。例如，多个传感器117可以径向或线性配置而耦接至顶部112而使感测区域能够横跨基板的半径或直径。在一个实施方式中(未图示)，多个传感器117可设置于自顶部112的约略中心处往顶部112的周边部分径向延伸的一在线。以此方式，可由传感器117监控基板的半径，而能够在旋转期间感测基板的半径。
处理腔室100还包括邻近于顶部112、耦接于顶部112或于顶部112中形成的冷却块180。一般来说，冷却块180与灯头组件105分隔与对立。冷却块180包括与入口181A和出口181B耦接的一或多个冷却通道184。冷却块180可由抗处理材料制成，如不锈钢、铝、聚合物或陶瓷材料。冷却通道184可包括螺旋图案、矩形图案、圆形图案或以上的组合且通道184可于冷却块180内整体形成，例如通过铸造冷却块180和/或自两个或两个以上的块件及接合块件制造冷却块180。另外或或者，冷却通道184可钻入冷却块180。入口181A与出口181B可由阀及适当的管路而与冷却剂源182耦接且冷却剂源182与控制器124连接以利于控制设置于其中的流体的压力和/或流动。流体可以是水、乙二醇、氮(N2)、氦(He)或用作热交换介质的其他流体。
如本说明书所述，处理腔室100经调整而接收“正面上(face-up)”定向的基板，其中基板的沉积接收侧或面朝向冷却块180定向且基板的“背侧”面向灯头组件105。因为基板的背侧可较基板的正面有较差的反射性，所以“正面上”定向可允许来自灯头组件105的能量被基板140更快速的吸收。
用于某些热腔室的传统灯头组件可以是圆顶状(即自边缘往中心倾斜或弯曲)以将结构完整性提供至灯头组件以抵抗腔室中的低压。当灯头组件是圆顶状时(如在外延腔室中)，个别灯与基板之间的距离不同的，其对于基板的加热和/或加热时间有不良影响。然而，本发明所述的光导管窗结构101提供灯头组件105，其中能量源162距离基板140的距离是实质相同的。本发明所述的光导管窗结构101的实施方式可减少能量源162与基板140之间的距离约27％至44％(27％可以是相较于离传统圆顶状灯头组件中的基板最近的灯，而44％可以是相较于离传统圆顶状灯头组件中的基板最远的灯)。在某些实施方式中，各能量源162最上面部分距离基板140在最下面处理位置时的距离为约距离基板140约75mm。
图2A至图2C是表示可用于图1的处理腔室100中的光导管窗结构101的一个实施方式的各个视图。图2A是光导管窗结构101的等角、部分分解视图。图2B是横跨图2A的线2B-2B的光导管窗结构101的截面图。图2C是横跨图2B的线2C-2C的光导管窗结构101的截面图。图1所示的升举销144未示于图2A至图2C中。
在一个实施方式中，光导管窗结构101包括固定器159、透明板114与透明主体125。如图所示，透明板114可以是与固定器159耦接的固体、平坦构件。透明板114与透明主体125皆可由透明材料制成，如石英或蓝宝石。同样地，固定器159可由透明材料制成，如石英。透明板114与透明主体125皆可通过扩散焊接处理或其他合适的连接方法连接。光导管结构160的各个可以是中空管。
光导管结构160的截面可包括圆形形状、矩形形状、三角形形状、方块形状、六边形形状或以上的组合，或其他多边形和/或不规则形状。一种形成光导管窗结构101的方法包括将一块透明材料钻孔以产生光导管结构160。在一个实施方式中，透明主体125可包括穿孔透明材料，其中所述穿孔的各个形成光导管结构160。透明板114可通过接合处理而与透明主体125(即维持于光导管结构160之间的材料)连接，如陶瓷焊接技术、密封玻璃连结、扩散焊接处理或其他合适的接合方法。光导管结构160所示具有圆形截面，但在某些实施方式中，光导管结构160的至少部分的截面形状可以是六边形。在替代的形成方法中，光导管窗结构101可由烧结石英形成，而使用消耗性材料的成型柱形成光导管结构160。例如，消耗性材料(如碳)的柱可以紧密堆叠排列分隔而石英于碳附近烧结以形成透明主体125。其后，消耗性材料可烧出形成光导管结构160。柱可包括圆形截面以产生环状光导管结构160，或多边形状以产生具有多边形截面的光导管结构160。
如图2B所示，光导管结构160的各个包括纵轴A，纵轴A与透明板114的主要表面界定的平面实质垂直。本说明书所用的技术用语“实质垂直”指相对于透明板114的主要表面的平面略大于或小于90度的角度，如约80度至约100度，如约85度至约95度。在一个实施方式中，当透明板114耦接至固定器159与灯头组件105的壳体123时，密封内部空间200可包含于固定器159的内侧壁内，以及于光导管结构160、透明板114与透明主体125间的孔洞207中。在某些实施方式中，固定器159可包括入口205与出口210。入口205与出口210可与冷却剂源215耦接，冷却剂源215将流体循环通过密封内部空间200以及光导管结构160间的孔洞207以冷却光导管窗结构101。流体可以是水、乙二醇、氮(N2)、氦(He)或用作热交换介质的其他流体。小间隙220(如图2C所示)提供光导管结构160附近的流体的流动以利于光导管结构160各个的冷却。此外，或作为替代，为了将冷却流体流动通过入口205与出口210，入口205与出口210中的一或两者可与真空泵(示于图2B中)耦接以提供低压至密封内部空间200以及光导管结构160之间的孔洞207与间隙220。真空泵可用于减少密封内部空间200与孔洞207中的压力，以及减少内部空间120与密封内部空间200之间的压力梯度。
再参考图1，透明板114可暴露于腔室主体104的内部空间120中的低压。透明板114所暴露的压力可以是约80Torr，或更高的真空，如约5Torr至约10Torr。透明主体125至透明板114与壳体123两者连接提供额外的结构刚性给透明板114，因而允许透明板114没有失败地抵抗压差。在一个实施方式中，透明板114的厚度可以是约3mm至约10mm。在某些实施方式中，透明板114是约6mm。光导管窗结构101的透明主体125的厚度在一个实施方式中可以是约39mm至约44mm，如约40mm。光导管结构160的尺寸可包括与辐射热源106的管127的主要尺寸(如直径)实质相等的主要尺寸(可以是直径)。光导管结构160的长度可与透明主体125的厚度相同。
再参考图2B，光导管结构160可包括反射表面225。反射表面225可包括由反射材料(如银(Ag)或金(Au))制成的衬套、涂层或以上的组合。在某些实施方式中，反射表面225包括作光导管结构160的各个的内表面为衬(line)的管状衬套230。在某些实施方式中，管状衬套230的各个与灯头组件105的壳体123耦接并经配置而与光导管结构160的内表面啮合而能够被动或对流冷却。
图2D是图2B所示的光导管窗结构101与灯头组件105的部分的放大示意图，表示用于冷却光导管窗结构101与灯头组件105的壳体123的一或两者的冷却剂流动路径的另一个实施方式。在此实施方式中，未使用入口205(示于图2B)与出口210。反之，冷却剂源215与形成于壳体123中的流体导管250耦接。流体导管250可用于将上述的冷却剂流动通过壳体123并流动进入光导管结构160和/或于光导管结构160附近流动。在某些实施方式中，冷却剂可流动通过流体导管250以冷却管状衬套230以及能量源162。
在一个实施方式中，冷却剂自冷却剂源215流动至流体导管250并通过管状衬套230与透明主体125之间形成的第一通道255。管状衬套230可经调整尺寸而具有略小于透明主体125厚度的一长度，使得冷却剂流体流动进入气室256，气室256于管状衬套230的上表面与透明板114的下表面之间形成。冷却剂可接着向下流动往辐射热源106的管127并进入邻近于能量源162的一或多个第二通道260。第二通道260的至少部分可将辐射热源106的管127与邻近的第一通道255流体耦接。在此方法，冷却流体可用于冷却管状衬套230、能量源162与灯头组件105的壳体123的部分。
图3是图1的处理腔室100的部分的侧面截面图。在此图中，基板140由升举销144与支撑环121支撑。在基板140传送入处理腔室100后，基板140的定位可用于开始基板140上的热处理，在处理腔室100中，基板140可由辐射热源106加热。如果支撑环121比基板140热，则辐射热源106的开环加热可用于升高基板(由升举销144支撑)的温度至接近支撑环121的温度以防止基板140的热应力。当充分加热基板140，基板140可传送至支撑环121并自升举销144抬离而允许基板140在处理期间旋转。
为了加热基板140，辐射热源106的能量源162提供有来自电源(power source)300的功率(power)。电源300可以是多区域电源而将能量提供至一或多组辐射热源106的能量源162。例如，第一或外部区域305A可包括壳体123周边上的一外部组能量源162或一子组(subset)能量源162。同样地，第二或内部区域305B可包括外部区域305A内的一组或子组的能量源162。在一个实施方式中，能量源162可分为约十个可以闭环加热方法独立控制的同心区域。
当加热基板140时，灯头组件105(特别是辐射热源106)受到温度上升，且辐射热源106的温度可根据本说明书所述的实施方式适当控制。例如，灯头组件105的至少部分设置于处理腔室100(即在周围压力中)的内部空间120之外，其提供辐射热源106增强的温度控制。辐射热源106的改良温度控制促进更有效率的处理腔室100。
在一个实施方式中，辐射热源106与冷却剂源315耦接以利于辐射热源106的壳体123的冷却。冷却剂源315可以是水、乙二醇、氮(N2)、氦(He)或用作热交换介质的其他流体的冷却剂。冷却剂可流动遍布壳体123以及于辐射热源106的能量源162之间流动。
图4绘示具有设置于处理腔室400中的光导管窗结构101的另一个实施方式的处理腔室400的示意截面图。处理腔室400可用于处理一或多个基板，包括将材料沉积于基板140的上表面上。虽然未于本说明书详加讨论，但是沉积的材料可包括砷化镓、氮化镓或氮化铝镓。处理腔室400可包括本发明所述的灯头组件105(其包括用于加热的能量源162的阵列)，除此之外，还有设置于处理腔室400内的基板支撑件404的背侧402。基板支撑件404可以是如图所示的碟状基板支撑件404或相似于图1与图3所示的支撑环121的环状基板支撑件，其将基板自基板的边缘支撑以利于将基板暴露于光导管窗结构101的热辐射。在图4中，与图1至图3中所述的部件相似的部件将使用相同的元件符号，且除非特别注记，为求简短，相似的操作与描述将不会重复。此外，图4所述的光导管窗结构101的实施方式可用于图1与图3的处理腔室100中，反之亦然。
基板支撑件404位于处理腔室400内的上圆顶406与光导管窗结构101的透明板114之间。上圆顶406、透明板114的上表面与底环408(设置于上圆顶406与光导管窗结构101的装载凸缘或边缘410之间)一般界定处理腔室400的内部区域。基板支撑件404一般将处理腔室400的内部空间分为基板之上的处理区域412与基板支撑件404之下的净化区域414。基板支撑件404在处理期间可由中央轴415旋转，以最小化处理腔室400内的热与处理气体流动空间异常的影响，以及因此利于基板140的均匀处理。基板支撑件404由中央轴415支撑，在基板传送处理期间以及(在某些例子中)基板140处理中，中央轴415可在垂直方向(以箭头图示)移动基板140。基板支撑件404可由碳化硅或具有碳化硅涂层的石墨形成以吸收来自能量源162的能量并将辐射能传导至基板140。多个升举销405可自中央轴415往外设置于处理腔室400中。升举销405可耦接至致动器(未图示)以将升举销405于处理腔室400中相对于且独立于基板支撑件404垂直移动。基板140可以传送进入处理腔室400并透过装载端口(未图示)而定位于基板支撑件404上。所示基板支撑件404于图4的上升处理位置，且经致动器(未图示)而垂直横过至处理位置下的装载位置以允许升举销405接触基板140并将基板140自基板支撑件404分隔开。机械臂(未图示)可接着进入处理腔室400通过装载口而啮合基板140并将基板140自处理腔室400移除。
一般来说，上圆顶406与透明板114以及透明主体125由透明材料形成，如以上所述的石英材料或蓝宝石材料。在此实施方式中，光导管窗结构101的透明板114包括凹陷部分416，其可提供额外的结构刚性给光导管窗结构101。然而，在其他实施方式中，透明板114可以是如图1所示的平的或平坦的。凹陷部分416提供凹形或圆顶形给光导管窗结构101并能够使透明板114的截面尺寸变薄而在低压操作时提供结构刚性。
在一个实施方式中，具有平坦透明板114的光导管窗结构101的厚度可为约40mm，而具有凹形(如图4所示的凹陷部分416)透明板114的光导管窗结构101的厚度可为约35mm。光导管窗结构101的边缘410可耦接于侧壁108与底环408之间。密封件418(如o型环)可用于将边缘410密封至侧壁108与底环408。上圆顶406可使用设置于底环408与夹持环420之间用于密封的密封件418而耦接至底环408与夹持环420。
能量源162可经配置而将基板140加热至约200摄氏度至约1600摄氏度范围内的温度。各能量源162可耦接至电源300与控制器(如图3所示)。在处理期间或处理后，灯头组件105可由图3所示与所述的冷却剂源315冷却。或者或另外，灯头组件105可由对流冷却来冷却。
在一个实施方式中，光导管结构160与能量源162的一或两者的至少部分可往处理腔室400的中心轴向内倾斜。例如，靠近中央轴415的光导管结构160和/或能量源162可相对于透明板114的平面向内倾斜约30度至约45度而将辐射能量导向基板支撑件404的中心区域(即在中央轴415之上)。在一个示范例中，来自能量源162的至少部分的辐射能以相对于透明板114平面的非正常角度穿过透明板114。
圆形屏蔽件422可选择性地设置于基板支撑件404附近。底环408也可由衬垫组件424围绕。屏蔽件422防止或最小化热/光噪自能量源162泄漏至基板140的装置侧428，而为处理气体提供预热区域。屏蔽件422可由CVD SiC、以SiC涂层的烧结石墨、长成的SiC、不透明的石英、涂层石英或任何抵抗处理与净化气体的化学分解(chemical breakdown)的相似、适合的材料制成。衬垫组件424经调整尺寸而嵌入于底环408的内周内或被底环408的内周环绕。衬垫组件424将处理空间(即处理区域412与净化区域414)自处理腔室400的金属壁屏蔽。金属壁可与前驱物反应并造成处理空间中的污染。虽然衬垫组件424所示为单一主体，但是衬垫组件424可包括一或多个衬垫。
处理腔室400也可包括用于基板140上温度测量/控制的光学高温计426。光学高温计426所作的温度测量可执行于基板140的装置侧428上。因此，光学高温计426只可感应来自热基板140的辐射，以及来自能量源162而直接到达光学高温计426的最小背景辐射。反射器430可选择性地放置于上圆顶406外以反射基板140辐射出到基板140上的光。反射器430可紧固于夹持环420。反射器430可以由如铝或不锈钢的金属制成。反射的效率可以通过提供高反射涂层(如金(Au))改善。反射器430可以具有与冷却源(未图示)连接的一或多个端口432。端口432可连接至于反射器430中或反射器430上形成的通道434。通道434经配置而流动流体，如水或气体，如氦、氮或其他冷却反射器430的气体。
可自处理气体源436供应的处理气体通过处理气体入口438引入处理区域412，处理气体入口438形成于底环408的侧壁中。处理气体入口438经配置而将处理气体引导在一般径向向内的方向。在薄膜形成处理期间，基板支撑件404可位于处理位置(邻近于处理气体入口438以及在约与处理气体入口438相同高度处)中，而允许处理气体以层流状态沿着横跨基板140的上表面的流动路径440向上与环绕流动。处理气体通过气体出口444离开处理区域412(沿着流动路径442)，气体出口444位于与处理气体入口438相对地处理腔室400的侧上。可由与气体出口444耦接的真空泵446来促进处理气体通过气体出口444的移除。随着处理气体入口438与气体出口444彼此对齐且几乎设置于同一高度，相信当此平行排列与上圆顶406结合时，此平行排列将能够有横跨基板140的一般平坦、均匀气体流动。进一步的径向均匀性可经由通过基板支撑件404的基板140旋转而提供。
净化气体可自净化气体源448通过选择性净化气体入口450而供应至净化区域414，净化气体入口450于底环408的侧壁中形成。净化气体入口450设置在处理气体入口438下的高度。如果使用圆形屏蔽件422或预热环(未图示)，圆形屏蔽件或预热环可设置于处理气体入口438与净化气体入口450之间。在其他情况下，净化气体入口450经配置而将净化气体引导于一般径向向内方向中。在薄膜形成处理期间，基板支撑件404可位于一位置，使得净化气体以层流状态沿着横跨基板支撑件404的背侧402的流动路径452向下与环绕流动。不受限于任何特定理论，相信净化气体的流动能防止或实质避免处理气体流动进入净化区域414或减少处理气体扩散进入净化区域414(即基板支撑件404下的区域)。净化气体(沿着流动路径454)离开净化区域414并通过气体出口444而从处理腔室排气出去，气体出口444位于相对于净化气体入口450的处理腔室400的侧上。
同样地，在净化处理期间，基板支撑件404可位于上升的位置以允许净化气体横跨基板支撑件404的背侧402侧向流动。本领域技术人员可以理解，因为气体入口或出口等的位置、尺寸或数量可经调整而进一步促成基板140上的均匀材料沉积，所以处理气体入口、净化气体入口与气体出口用于说明用途。另一个选择可以是通过处理气体入口438提供净化气体。在某些实施方式中，净化气体入口450可经配置而将净化气体引导在向上方向以将处理气体限制在处理区域412中。
图5是横跨图4的截面线5-5的光导管窗结构101的截面图。光导管窗结构101与图2C所示的实施方式实质相同，除了边缘410(取代固定器159)与中央通道505之外。中央通道505可包括圆形侧壁510，圆形侧壁510具有内直径以容纳中央轴415以及允许中央轴415(示于图4)的移动。在此实施方式中，边缘410、圆形侧壁510以及透明板114(未图示于截面图中)与透明主体125可由以上所述的材料形成并可由上述的示范方法接合。虽然中央通道505和/或中央轴415一般相对于处理腔室400的纵轴置中，但是其他通道可设置于除了中心之外的光导管窗结构101位置处。例如，一或多个通道(未图示)可提供于容纳轴，该轴相对于处理腔室400的纵轴偏离中心。
图6是可与本说明书所述的光导管窗结构101一起使用的光导管结构160中的一个的侧面截面图。光导管结构160可以是圆形且包括涂层600。涂层600可以是反射材料，如银(Ag)或金(Au)。
图7是可与本说明书所述的光导管窗结构101一起使用的光导管结构160中的一个的顶部截面图。光导管结构160可以是六边形截面且包括涂层600。
图8至图10是表示光导管窗结构101的额外实施方式的侧面截面图。在图8中，光导管结构160的空间包括本说明所述的透明材料制成的光导管柱800。光导管柱800可以是提供TIR的固体透明主体。虽然此附图中只有一个光导管结构160，但是本说明书所述的光导管窗结构中的其他光导管结构160可包括光导管柱800。在一个实施方式中，具有光导管柱800设置于其中的光导管结构160的至少部分可往处理腔室400(图4)的中央轴向内倾斜而引导辐射能以相对于透明板114平面的非正常角度穿过透明板114。图9表示具有衬套230设置于其中的光导管结构160与灯头组件105的壳体123热耦接。在此实施方式中，灯头组件105包括与冷却剂源215耦接的通道900。冷却剂源215在一个实施方式中可包括水。
图10表示较小的光导管1005形成于或设置于透明材料125中。光导管1005可包括透明杆1010或用于插入透明杆1010。透明杆1010可由本说明书所述的蓝宝石或其他透明材料制成。在一个实施方式中，透明杆1010经由选择性的光纤缆线1020而用于与传感器1015耦接，如光学高温计。透明杆1010可具有约1mm至2mm的直径。透明杆1010可具有自透明板114的表面延伸至透明杆1010的端部的长度，透明杆1010的端部设置于灯头组件105的壳体123以及电路板115(示于图4)之下。在透明板114下的透明材料125内的特定径向位置或区域处具有一或多个小的光导管(如光导管1005)允许温度传感器(如传感器1015)显著更靠近基板支撑件104和/或基板140(示于图4)的平面。透明杆1010靠近基板支撑件104和/或基板140允许较小的测量点，其能够有更精密的温度控制。虽然未图示出透明杆的阵列(如透明杆1010)，但是透明杆的阵列可用于本说明书所述的处理腔室中以在处理期间控制基板140的温度。
使用本说明书所述的光导管窗结构101允许灯头组件105(示于图3与图4中)设置于腔室内部空间之外。在某些实施方式中，本说明书所述的光导管窗结构101的透明板114提供处理腔室边界(如发生处理的内部空间的边界)。密封件(如o型环或类似物)可用于密封腔室的内部空间120以及允许灯头组件105定位于内部空间之外。使用本发明所述的光导管窗结构101提供灯头组件105与基板之间更接近的间隔，同时保留能量源162(示于图1与图4中)的强度和/或辐射图案(radiance pattern)。
虽然前面所述涉及特定实施方式，但在不违背本发明的基本范围下，可设计其他与进一步的实施方式，而本发明的范围由随附权利要求书的范围决定。

Claims (15)

1.一种用于热处理腔室中的光导管窗结构，所述光导管窗结构包括：
透明板；及
多个光导管结构，所述多个光导管结构形成在与所述透明板耦接的透明材料中，所述多个光导管结构的各个包含反射表面以及具有纵轴，所述纵轴以与所述透明板的顶表面界定的平面有实质垂直关系的方式设置，
其中透明杆设置在所述透明材料中，并且将所述透明板与传感器耦接。
2.如权利要求1所述的光导管窗结构，进一步包括：
固定器，所述固定器与所述透明板连接且环绕所述多个光导管结构，其中所述固定器包含密封外壳。
3.如权利要求1所述的光导管窗结构，其中所述透明板包括凹陷部分。
4.如权利要求1所述的光导管窗结构，其中所述光导管结构的各个包括圆形形状。
5.如权利要求1所述的光导管窗结构，其中所述光导管结构的各个包括多边形形状。
6.如权利要求1所述的光导管窗结构，进一步包括：
壳体，所述壳体与所述透明材料的表面耦接，所述壳体具有与所述多个光导管结构实质对齐的开口。
7.如权利要求6所述的光导管窗结构，其中所述壳体包括导电材料。
8.如权利要求1所述的光导管窗结构，其中所述反射表面包括反射涂层。
9.如权利要求1所述的光导管窗结构，其中所述反射表面包括反射材料制成的管状衬套。
10.一种用于热处理腔室中的灯头组件，所述灯头组件包括：
光导管窗结构；及
辐射热源，所述辐射热源与所述光导管窗结构耦接，其中所述光导管窗结构包含形成在透明材料中的多个光导管结构和与所述透明材料耦接的透明板，及所述辐射热源包含多个管，所述多个管的各个具有设置于所述多个管中的能量源且与所述光导管结构中的一个光导管结构实质对齐，
其中透明杆设置在所述透明材料中，并且将所述透明板与传感器耦接。
11.如权利要求10所述的灯头组件，其中所述多个光导管结构的至少一部分包括反射表面。
12.如权利要求11所述的灯头组件，其中所述反射表面包括反射材料制成的管状衬套。
13.如权利要求11所述的灯头组件，其中所述反射表面包括反射涂层。
14.如权利要求10所述的灯头组件，其中所述光导管结构的各个包括圆形形状。
15.如权利要求10所述的灯头组件，其中所述光导管结构的各个包括多边形形状。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10410890B2 (en) * 2013-06-21 2019-09-10 Applied Materials, Inc. Light pipe window structure for thermal chamber applications and processes
US10475674B2 (en) * 2015-03-25 2019-11-12 SCREEN Holdings Co., Ltd. Light irradiation type heat treatment apparatus and method for manufacturing heat treatment apparatus
JP6587955B2 (ja) * 2016-02-24 2019-10-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置
JP6847610B2 (ja) * 2016-09-14 2021-03-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置
US10573498B2 (en) * 2017-01-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Substrate processing apparatus including annular lamp assembly
US10720348B2 (en) * 2018-05-18 2020-07-21 Applied Materials, Inc. Dual load lock chamber
US20220068675A1 (en) * 2020-09-03 2022-03-03 Applied Materials, Inc. Epi chamber with full wafer laser heating
US20220367216A1 (en) * 2021-05-11 2022-11-17 Applied Materials, Inc. Multi-zone lamp heating and temperature monitoring in epitaxy process chamber

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5155336A (en) * 1990-01-19 1992-10-13 Applied Materials, Inc. Rapid thermal heating apparatus and method
CN1507648A (zh) * 2001-04-17 2004-06-23 �������ɭ 用于集成电路的快速热处理系统
CN1922457A (zh) * 2004-02-27 2007-02-28 应用材料股份有限公司 对构图的晶片背面进行快速热退火处理的方法
CN101128716A (zh) * 2004-10-26 2008-02-20 应用材料股份有限公司 用于热处理硅晶圆的低温测温方法和装置
CN101952946A (zh) * 2008-02-22 2011-01-19 应用材料股份有限公司 半导体处理室的银反射件

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4489234A (en) * 1983-03-25 1984-12-18 General Electric Company Radiant-energy heating and/or cooking apparatus with honeycomb coverplate
US5892886A (en) 1996-02-02 1999-04-06 Micron Technology, Inc. Apparatus for uniform gas and radiant heat dispersion for solid state fabrication processes
US6333493B1 (en) * 1999-09-21 2001-12-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Heat treating method and heat treating apparatus
JP4540796B2 (ja) * 2000-04-21 2010-09-08 東京エレクトロン株式会社 石英ウインドウ、リフレクタ及び熱処理装置
US6350964B1 (en) 2000-11-09 2002-02-26 Applied Materials, Inc. Power distribution printed circuit board for a semiconductor processing system
JP2002208466A (ja) 2001-01-05 2002-07-26 Tokyo Electron Ltd 加熱ランプと加熱処理装置
US7509035B2 (en) * 2004-09-27 2009-03-24 Applied Materials, Inc. Lamp array for thermal processing exhibiting improved radial uniformity
JP4733405B2 (ja) * 2005-02-22 2011-07-27 株式会社国際電気セミコンダクターサービス 熱処理装置及び熱処理方法
JP2007012846A (ja) 2005-06-30 2007-01-18 Ushio Inc 光照射式加熱装置および光照射式加熱方法
US8283607B2 (en) * 2008-04-09 2012-10-09 Applied Materials, Inc. Apparatus including heating source reflective filter for pyrometry
JPWO2011021549A1 (ja) 2009-08-18 2013-01-24 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US9449858B2 (en) * 2010-08-09 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Transparent reflector plate for rapid thermal processing chamber
KR101073435B1 (ko) * 2010-11-02 2011-10-17 (주) 예스티 열처리 장치
US9905444B2 (en) 2012-04-25 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Optics for controlling light transmitted through a conical quartz dome

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5155336A (en) * 1990-01-19 1992-10-13 Applied Materials, Inc. Rapid thermal heating apparatus and method
CN1507648A (zh) * 2001-04-17 2004-06-23 �������ɭ 用于集成电路的快速热处理系统
CN1922457A (zh) * 2004-02-27 2007-02-28 应用材料股份有限公司 对构图的晶片背面进行快速热退火处理的方法
CN101128716A (zh) * 2004-10-26 2008-02-20 应用材料股份有限公司 用于热处理硅晶圆的低温测温方法和装置
CN101952946A (zh) * 2008-02-22 2011-01-19 应用材料股份有限公司 半导体处理室的银反射件

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