CN102163690A - 封装的制造方法、压电振子以及振荡器 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种无需复杂工艺就能制作高质量和高精度的制品的封装的制造方法、压电振子以及振荡器。该封装具有相互接合而在内侧形成腔室的底基板和盖基板、以及将腔室的内部和由玻璃材料构成的底基板的外部导通的贯通电极，该封装的制造方法具有：贯通孔形成步骤，在底基板用晶片上形成贯通孔；铆钉插入步骤，在贯通孔内插入由金属材料构成的导电性的铆钉；熔敷步骤，将底基板用晶片加热到比玻璃材料的软化点高的温度，使底基板用晶片熔敷在铆钉上；以及冷却步骤，对底基板用晶片进行冷却，铆钉的一个端部的截面积大于其它部分的截面积，一个端部位于底基板的外部。

Description

封装的制造方法、压电振子以及振荡器

技术领域

本发明涉及电子部件用的封装，该封装具有相互接合且在内侧形成腔室的多个基板以及将腔室的内部与多个基板中的底基板的外部进行导通的贯通电极。

背景技术

近年，在便携电话或便携信息终端设备中使用利用石英等作为时刻源或控制信号等的定时源、基准信号源等的压电振子。公知有各种这样的压电振子，作为其中之一，公知有表面安装型的压电振子。作为这种压电振子，一般公知有使用底基板和盖基板将形成有压电振动片的压电基板从上下夹入来接合的3层结构类型的压电振子。在该情况下，压电振动片安装在底基板上，被收容于形成在底基板和盖基板之间的腔室内。

并且，近年来，还开发出2层结构类型的压电振子，而不是上述的3层结构类型的压电振子。该2层结构类型的压电振子是通过将底基板和盖基板直接接合而使封装为2层结构，在形成于两基板之间的腔室内收容有压电振动片。该2层结构类型的压电振子与3层结构类型的压电振子相比，在可实现薄型化等方面优良，因而被优选使用。

作为这样的2层结构类型的压电振子的封装之一，公知有这样的封装：通过在形成于玻璃材料的底基板上的贯通孔内填充银膏等的导电部件并烧制来形成贯通电极，并将腔室内的石英振动片和设于底基板外侧的外部电极电连接。

不过，该方法由于在贯通孔和导电部件之间有细微间隙等而使外部空气进入封装内而引起封装内真空度的劣化，结果，有时引起石英振子的特性劣化。作为其对策，如专利文献1～3中提出的那样，具有这样的方法：将带有头部的电极销嵌入到形成于底基板上的贯通孔内，然后在玻璃的软化点以上的温度进行加热，使玻璃和电极销熔敷，防止真空度的劣化。

【专利文献1】日本特开2003-209198号公报

【专利文献2】日本特开2002-121037号公报

【专利文献3】日本特开2002-124845号公报

在使用专利文献1～3记载的封装制造方法制造出的封装中，嵌入到底基板内的电极销不使其头部而是使细的芯材部的前端在封装的外侧露出。因此，在套上帽部件进行密封前进行频率调整的情况下，产生很大困难。在进行该频率调整时，需要在使测定用的探头销与在封装的外侧露出的贯通电极接触来进行测定的同时进行频率调整以达到期望的频率。然而，由于电极销的芯材部的截面积非常小，因而具有产生接触不良的问题。

为了简单实施频率调整，还考虑了预先在封装的外侧露出的贯通电极上形成外部电极。然而，用于将电子部件安装在底基板上的迂回电极和位于底基板外侧的外部电极的双方形成在接合盖基板之前的底基板上。因此，电极形成的工艺非常复杂，不仅不能稳定地制作底基板，而且非常难以确保质量。

发明内容

本发明正是鉴于上述问题而完成的，本发明的目的是提供一种不需要复杂工艺就能制造高质量和高精度的制品的封装的制造方法。

为了解决上述课题，本发明采用了以下手段。

即，本发明涉及的封装的制造方法，该封装具有相互接合而在内侧形成腔室的多个基板、以及将所述腔室的内部和所述多个基板中的由玻璃材料构成的底基板的外部导通的贯通电极，其特征在于，所述封装的制造方法具有：贯通孔形成步骤，在所述底基板用晶片上形成贯通孔；铆钉插入步骤，在所述贯通孔内插入由金属材料构成的导电性的铆钉；熔敷步骤，将所述底基板用晶片加热到比所述玻璃材料的软化点高的温度，使所述底基板用晶片熔敷在所述铆钉上；以及冷却步骤，对所述底基板用晶片进行冷却，所述铆钉的一个端部的截面积大于其它部分的截面积，所述一个端部露出到所述底基板的外部。所述铆钉例如是一个端部经由阶梯与作为其它部分的芯材部连接的形状，所述铆钉的一个端部可以呈大致圆板状或大致矩形板状。并且，所述铆钉例如是一个端部与其它部分平滑连接的形状，可以是呈大致圆锥台状的形状。

根据本发明，作为成为贯通电极的铆钉，使用一个端部的截面积大于其它部分的截面积的铆钉，当底基板完成时使铆钉中的一个端部在底基板的外部露出。因此，可充分确保用于使例如在频率调整时使用的测定器的探头销与铆钉中的截面积大的一个端部接触的面积。

并且，本发明涉及的封装的制造方法，其特征在于，在对所述底基板用晶片进行冷却之后，包含所述铆钉中的所述一个端部的一部分在内对所述底基板用晶片的表面进行研磨。

根据本发明，保留铆钉中的一个端部的一部分来对底基板用晶片的表面进行研磨。因此，可通过研磨给底基板用晶片的一个表面带来平坦度，同时可保留铆钉中的截面积大的一个端部，确保用于接触在频率调整时使用的测定器的探头销的区域。

本发明涉及的压电振子，其特征在于，在使用本发明的封装的制造方法制造出的封装的腔室内，收纳有安装在所述铆钉的另一端部上的压电振动片。并且，本发明涉及的振荡器，其特征在于，该振荡器具有：本发明的压电振子；以及作为振子电连接了所述压电振子的集成电路。

根据本发明，由于可充分确保用于使例如在频率调整时使用的测定器的探头销与成为贯通电极的铆钉接触的区域，因而不需要预先在封装的外侧露出的贯通电极上形成外部电极的复杂工艺。因此，电极形成的工艺简单，可稳定地制作底基板，可实现质量确保和提高。而且，可确保压电振动片和外部电极的稳定的导电性，还能确保压电振子的腔室内的稳定的气密性，因而可使压电振子的性能均匀。

附图说明

图1是示出本发明的实施方式的压电振子的一例的外观立体图。

图2是图1所示的压电振子的剖视图，是图3的A-A线的剖视图。

图3是图1所示的压电振子的剖视图，是图2的B-B线的剖视图。

图4是示出在制造图1所示的压电振子时使用的铆钉的一例的外观立体图。

图5是示出在制造图1所示的压电振子时使用的铆钉的另一例的外观立体图。

图6是示出在制造图1所示的压电振子时使用的铆钉的另一例的外观立体图。

图7是示出制造图1所示的压电振子的流程的流程图。

图8是说明图7所示的流程图的贯通孔形成步骤的图，是示出在成为底基板的原料的底基板用晶片上形成贯通孔后的状态的立体图。

图9是说明图7所示的流程图的贯通孔形成步骤的图，是示出贯通孔形成用模和底基板用晶片的图。

图10是说明图7所示的流程图的贯通孔形成步骤的图，是示出贯通孔形成用模形成用于在底基板用晶片上形成贯通孔的凹部后的状态的图。

图11是说明图7所示的流程图的贯通孔形成步骤的图，是示出使用贯通孔形成用模形成用于在底基板用晶片上形成贯通孔的凹部后的状态的图。

图12是说明图7所示的流程图的贯通孔形成步骤的图，是示出使用研磨等的方法形成贯通孔后的状态的图。

图13是说明图7所示的流程图的铆钉插入步骤的图。

图14是说明图7所示的流程图的熔敷步骤的图，是示出熔敷步骤前的状况的图。

图15是说明图7所示的流程图的熔敷步骤的图，是示出熔敷步骤后的状况的图。

图16是说明图7所示的流程图的研磨步骤的图，是示出研磨步骤后的状况的图。

图17是示出在使用图6所示的铆钉的变型例时研磨步骤后的状况的图。

图18是在底基板用晶片上形成贯通电极后的图。

图19是在使用图5所示的铆钉的变型例时在底基板用晶片上形成贯通电极后的图。

图20是示出本发明的实施方式的振荡器的一例的图。

标号说明

1：压电振子(封装)；2：底基板；3：盖基板；4：腔室；5：压电振动片；7、8：贯通电极；21、22：贯通孔；31：芯材；36：基座部；37：铆钉；41：底基板用晶片；100：振荡器；101：集成电路。

具体实施方式

以下，参照图1～图4说明作为本发明的实施方式的封装的一例的压电振子。

如图1～图3所示，本实施方式的压电振子1形成为将底基板2和盖基板3层叠为2层的箱状，是在内部的腔室4内收纳有压电振动片5的表面安装型的压电振子1。然后，压电振动片5和设置在底基板2的外侧的外部电极6、7通过贯通底基板2的一对贯通电极8、9电连接。

底基板2是由玻璃材料，例如碱石灰玻璃构成的透明的绝缘基板，形成为板状。在底基板2上形成有用于形成一对贯通电极8、9的一对贯通孔21、22。盖基板3与底基板2一样是由玻璃材料，例如碱石灰玻璃构成的透明的绝缘基板，形成为能与底基板2重合的大小的板状。然后，盖基板3在与底基板2接合的接合面侧具有收容有压电振动片5的矩形状的凹部3a。当底基板2和盖基板3重合时，凹部3a成为收容压电振动片5的腔室4。然后，盖基板3在使凹部3a与底基板2侧对置的状态下，经由接合材料23与底基板2阳极接合。

压电振动片5是矩形状的AT切石英振动片，当被施加了预定电压时进行振动。压电振动片5在其外表面上具有用于产生厚度剪切振动的一对激励电极(未图示)、和与该一对激励电极电连接的一对安装电极(未图示)。压电振动片5通过使其基部借助导电性粘接剂28(或者金属凸块)接合在底基板2的上面，来安装在底基板2上。

然后，压电振动片5的第1激励电极经由一个安装电极和一个贯通电极8与一个外部电极6电连接，压电振动片5的第2激励电极经由另一个安装电极、迂回电极27以及另一个贯通电极9与另一个外部电极7电连接。外部电极6、7设置在底基板2的底面的长度方向的两端。另外，也可以将外部电极形成在底基板2的底面的4角，将其中的2个用作虚设的外部电极。

贯通电极8、9是在贯通孔21、22中配设由导电性的金属材料构成的铆钉37来形成的，通过该铆钉37确保稳定的电导通性。一个贯通电极8位于一个外部电极6的上方且压电振动片5的基部的下方附近，另一个贯通电极9位于另一个外部电极7的上方且压电振动片5的前端部的下方附近。

如图4所示，铆钉37是直径小且截面积小的大致圆柱状的芯材部31和直径大且截面积大的大致圆板状的基座部31经由阶梯大致同轴状连接的形状。铆钉37使其基座部36露出到底基板2的底面。也就是说，铆钉37使截面积大的一个端部即基座部36侧露出到底基板2的底面。铆钉37通过熔敷固定在由玻璃材料构成的底基板2上，芯材部31和基座部36完全堵塞贯通孔21、22，维持腔室4内的气密。另外，铆钉37使用例如钴、Fe-Ni合金(42合金)等的热膨胀系数接近底基板2的玻璃材料(优选是同等或稍低)的导电性金属材料形成。

(封装的制造方法)

下面参照图7～图16和图18说明收容上述压电振动片的封装(压电振子)的制造方法。

首先，进行制作在后面成为底基板2的底基板用晶片41的步骤(S10)。首先，形成图8所示的底基板用晶片41。具体地说，将碱石灰玻璃研磨加工到预定厚度进行清洗，之后通过蚀刻等去除最表面的加工变质层(S11)。另外，在图8中，示出底基板用晶片41的一部分，实际上，底基板用晶片41是圆板状。并且，图8中的虚线M表示在后面的切断步骤中切断底基板用晶片41的切断线。并且，图8中的贯通孔21、22是在后述的将贯通电极8、9形成于底基板用晶片41上的步骤中形成的。接下来，进行在底基板用晶片41上形成贯通电极8、9的贯通电极形成步骤(S10A)。

(贯通孔形成步骤)

首先，形成贯通底基板用晶片41的贯通孔21、22(S12)。贯通孔21、22的形成，如图9和图10所示，是使用由碳材料构成的贯通孔形成用模51，在按压底基板用晶片41的同时对底基板用晶片41加热来进行的，贯通孔形成用模51具有平板部52和形成在平板部52的一面的凸部53。之后，通过将转印图11所示的凸部53的形状而形成凹部的底基板用晶片41研磨到图12的状态，将贯通孔21、22形成在底基板用晶片41上。

贯通孔形成用模51的平板部52是在按压底基板用晶片41时，与底基板用晶片41的一个表面41a相接的平坦部件。另外，底基板用晶片41的一个表面41a为底基板2的底面。贯通孔形成用模51的凸部53是在按压底基板用晶片41时，将凸部53的形状转印到底基板用晶片41上而形成成为贯通孔21、22的凹部的部件。在凸部53的侧面形成脱模用的锥形，该大致圆锥台状的凸部53的形状被转印到贯通孔21、22上。另外，在后面的制造步骤中，底基板用晶片41熔敷在铆钉37上，从而贯通孔21、22由铆钉37堵塞。

在贯通孔形成步骤中，首先，如图9所示，将贯通孔形成用模51设置成使凸部53为上侧，在其上设置底基板用晶片41。然后，配置在加热炉内，在约900℃左右的高温状态下施加压力，如图10和图11所示，将凸部53的形状转印到底基板用晶片41上而形成凹部。之后，如图12所示，通过研磨底基板用晶片41的未形成有凹部的另一表面，在底基板用晶片41上形成大致圆锥台状的贯通孔21、22。另外，在对底基板用晶片41进行加热时，也可以使贯通孔形成用模51的凸部53贯通底基板用晶片41，并省略上述研磨步骤。

此时，由于平板部52和凸部53由碳材料构成，因而经加热软化后的底基板用晶片41不会粘接在平板部52和凸部53上。因此，可从底基板用晶片41上简单地取下贯通孔形成用模51。并且，由于平板部52和凸部53由碳材料构成，因而可防止吸附从高温状态的底基板用晶片41产生的气体，在底基板用晶片41上产生气孔，可降低底基板用晶片41的气孔率。由此，可确保腔室4的气密性。

然后，逐渐降低温度来使底基板用晶片41冷却。该冷却方法在冷却步骤的说明中详述，该冷却步骤在熔敷步骤后进行。

(铆钉插入步骤)

接下来，进行将铆钉37插入到贯通孔21、22内的步骤(S13)。如图13所示，将底基板用晶片41设置在后述的熔敷模61的加压模63上，将铆钉37从上侧插入到贯通孔21、22内，使用加压模63和后述的熔敷模61的支承模62夹住底基板用晶片41和铆钉37，如图14所示，使其上下反转。将铆钉37插入到贯通孔21、22内的步骤使用嵌套机来进行。此时，基座部36采用比贯通孔21、22的开口大的平面形状。铆钉37由于具有基座部36，因而容易插入到贯通孔21、22内，作业性良好。并且，如图14所示，铆钉37的芯材部31的前端不从底基板用晶片41的另一表面41b突出，在芯材部31的前端和加压模63的加压模平板部67之间形成间隙。

(熔敷步骤)

接下来，进行对底基板用晶片41进行加热，使底基板用晶片41熔敷在铆钉37上步骤(S14)。如图14所示，熔敷步骤是这样进行的：在具有设置于底基板用晶片41的下侧的支承模62和设置于底基板用晶片41的上侧的加压模63的由碳材料构成的熔敷模61上，各设置1枚底基板用晶片41，在按压底基板用晶片41的同时对底基板用晶片41进行加热。

支承模62是保持底基板用晶片41的下侧和铆钉37的模，具有比底基板用晶片41的平面形状大，沿着在贯通孔21、22内插入有铆钉37且基座部36的一部分从底基板用晶片41的表面41a突出的底基板用晶片41的下侧的形状。支承模62具有：在保持底基板用晶片41时与底基板用晶片41的表面41a相接的支承模平板部65、以及与基座部36相接且与基座部36相当的凹部的支承模凹部66。支承模凹部66是针对设置在底基板用晶片41的贯通孔21、22内的铆钉37的基座部36的位置来形成的。通过将基座部36嵌入到支承模凹部66内，支承模62可保持铆钉37，可防止铆钉37脱落或者芯材部31偏移。

加压模63是按压底基板用晶片41的上侧的模，具有与支承模62相同的平面形状，具有与底基板用晶片41的另一个表面41b相接的加压模平板部67。加压模平板部67是与底基板用晶片41的另一个表面41b相接的平坦部件。并且，加压模63在其端部具有贯通加压模63的狭缝70。狭缝70可以用作对底基板用晶片41进行加热按压时的空气或底基板用晶片41的剩余玻璃材料的排出孔。

熔敷步骤首先将设置在熔敷模61上的底基板用晶片41和铆钉37在放于金属制的网状带上的状态下放入加热炉内进行加热。然后，利用配置在加热炉内的压力机等，使用加压模63，以例如30～50g/cm²的压力对底基板用晶片41进行加压。加热温度采用比底基板用晶片41的玻璃材料的软化点(例如545℃)高的温度，例如约900℃。

使加热温度逐渐上升，在比玻璃材料的软化点高出约5℃左右、例如550℃的时刻暂时停止上升并保持，之后再上升到约900℃。通过这样在比玻璃材料的软化点高出约5℃的温度暂时停止温度上升并保持，可使底基板用晶片41的软化均匀。

然后，通过在高温状态下对底基板用晶片41进行加压，使底基板用晶片41熔敷在铆钉37上，铆钉37处于堵塞贯通孔21、22的状态。另外，通过在熔敷模61上形成另一凸部或凹部，也能使底基板用晶片41熔敷在铆钉37上并在底基板用晶片41上形成凹部或凸部。

(冷却步骤)

然后，对底基板用晶片41进行冷却(S15)。底基板用晶片41的冷却是使温度从熔敷步骤的加热时的约900℃逐渐下降。关于冷却速度，与从约900℃到形成底基板用晶片41的玻璃材料的应变点+50℃的冷却速度相比，从应变点+50℃到应变点-50℃之间的冷却速度慢。特别是，从形成底基板用晶片41的玻璃材料的退火点到应变点进行退火。从应变点+50℃到应变点-50℃之间的冷却例如使底基板用晶片41移动到另一个炉来进行。

这样，通过在应变点±50℃之间进行退火，可防止在底基板用晶片41上产生应变。并且，由于底基板用晶片41的玻璃材料和铆钉37的金属材料的热膨胀系数不同，因而当在底基板用晶片41发生应变时，有时在贯通孔21、22与铆钉37之间产生间隙，或者在铆钉37附近产生裂纹。通过防止底基板用晶片41的应变，可保持底基板用晶片41可靠熔敷在铆钉37上的状态。

另外，从应变点-50℃到常温的冷却速度比从应变点+50℃到应变点-50℃之间的冷却速度快，可以缩短冷却时间。这样，形成图15所示的、铆钉37的芯材部31堵塞贯通孔21、22的状态的底基板用晶片41。这里，由于在熔敷步骤前的状态下，在铆钉37的芯材部31的前端和加压模63的加压模平板部67之间形成间隙，因而该间隙由玻璃材料填充。因此，在底基板用晶片41的另一个表面41b上铆钉37的芯材部31不露出，底基板用晶片41的另一个表面41b被转印加压模平板部67的形状而成为平坦。另外，在贯通孔形成步骤中，对加热后的底基板用晶片41进行冷却的方法也采用上述的冷却方法。

(研磨步骤)

接下来，将底基板用晶片41的表面41a、41b从两侧进行研磨，对铆钉37的基座部36的一部分和芯材部31的一部分进行研磨(S16)。此时，由于底基板用晶片41的另一个表面41b是平坦，因而可以将其用作研磨的基准面，最初对底基板用晶片41的一个表面41a进行研磨，能进行平坦度非常高的研磨。铆钉37的基座部36和芯材部31的研磨使用公知方法进行。然后，如图16所示，底基板用晶片41的表面41a、41b和贯通电极8、9(铆钉37)的露出面处于大致表面均匀的状态。此时，不是对基座部36的全体进行研磨，而是例如对一半进行研磨以保留基座部36的一部分。这样，在底基板用晶片41上形成贯通电极8、9。

然后，进行在底基板用晶片41的表面41a上对导电性材料进行图形化，形成接合膜的接合膜形成步骤(S17)，并且，进行迂回电极形成步骤(S18)。这样，底基板用晶片41的制作步骤结束。

频率调整是在底基板用晶片41上配置压电振动片5并在贯通电极8、9上进行安装，之后，将频率调整到期望频率。图18示出从表面41a侧观察该底基板用晶片41的图。如图18所示，在成为底基板2的底面的底基板用晶片41的表面41a上，铆钉37的基座部36露出。然后，使用于进行频率调整的网络分析器之类的测定器的探头销与基座部36接触。在经由该探头销使用测定器测定压电振动片5的频率的同时，进行频率调整。

然后，在与底基板2的制作同时或前后时刻，制作在后面成为盖基板3的盖基板用晶片(S30)。在制作盖基板3的步骤中，首先，形成在后面成为盖基板3的圆板状的盖基板用晶片。具体地说，将碱石灰玻璃研磨加工到预定厚度进行清洗后，通过蚀刻等去除最表面的加工变质层(S31)。然后，在盖基板用晶片上通过蚀刻或压力加工等形成腔室4用的凹部3a(S32)。之后，对盖基板用晶片的表面进行研磨(S33)。

然后，在由这样形成的底基板用晶片41和盖基板用晶片形成的腔室4内配置压电振动片5并安装在贯通电极8、9上，将底基板用晶片41和盖基板用晶片进行阳极接合。然后，形成与一对贯通电极8、9分别电连接的一对外部电极6、7，对压电振子1的频率进行微调整。然后，进行使晶片体小片化的切断，通过进行内部的电特性检查来形成收容了压电振动片5的封装(压电振子1)。

在上述的本实施方式的封装的制造方法中，在底基板用晶片41上形成贯通电极8、9的步骤中，使用支承模62保持在贯通孔21、22内插入了铆钉37后的底基板用晶片41，将底基板用晶片41加热到比玻璃材料的软化点高的温度并使用加压模63进行按压，从而使底基板用晶片41熔敷在芯材部31上，形成贯通电极8、9。然后，在研磨步骤中，不是对贯通电极8、9的基座部36全部进行研磨，而是保留截面积比芯材部31大的基座部36并使其在底基板用晶片41的表面41a上露出。因此，可确保在频率调整步骤中用于接触测定器的探头销的足够面积，可非常容易地进行接触，测定也稳定，质量也稳定。

(变型例)

下面，使用图5、图6、图17和图19来说明上述的实施方式的变型例，对与上述实施方式相同或同样的部件、部分使用相同标号而省略说明，对不同结构进行说明。

图5所示的铆钉37具有大致矩形板状的基座部36而取代图4所示的铆钉37中的大致圆板状的基座部36。该图5所示的铆钉37也使截面积大的一个端部即基座部36在底基板2的底面露出。图19是从使用了图5所示的铆钉7时的底基板用晶片41的表面41a观察该底基板用晶片41的图。在图5所示的铆钉37中，也与上述实施方式一样以保持基座部36的方式进行研磨，因而截面积比芯材部31大的基座部36在底基板用晶片的底面露出。因此，可确保在频率调整步骤中用于接触测定器的探头销的足够面积，可非常容易地进行接触，测定也稳定，质量也稳定。

图6所示的铆钉37不是图4和图5所示的铆钉37那样基座部36和芯材部31经由阶梯连接的形状，而是仅由大致圆锥台状的芯材部31形成。该图6所示的铆钉37也使截面积大的一个端部在底基板2的底面露出。图17是示出使用图6所示的铆钉37时的底基板用晶片41的研磨步骤后的状况的图。在图6所示的铆钉37中，芯材部31的截面积大的部分在底基板用晶片的底面露出。因此，可确保在频率调整步骤中用于接触测定器的探头销的足够面积，可非常容易地进行接触，测定也稳定，质量也稳定。特别是，图6所示的铆钉37采用不存在基座部36的大致圆锥台状的形状。因此，在如图4和图5所示的铆钉37那样对基座部36进行研磨时，无需注意控制研磨量，研磨步骤变得简便。

(振荡器)

下面，参照图20说明本发明涉及的振荡器的一个实施方式。如图20所示，本实施方式的振荡器100是将压电振子1构成为与集成电路101电连接的振子的振荡器。该振荡器100具有安装有电容器等的电子部件102的基板103。在基板103上安装有振荡器用的上述集成电路101，在该集成电路101的附近安装有压电振子1。该电子部件102、集成电路101以及压电振子1通过未图示的布线图形分别电连接。另外，各构成部件使用未图示的树脂来模制。

在这样构成的振荡器100中，当向压电振子1施加电压时，该压电振子1内的压电振动片5振动。该振动根据压电振动片5具有的压电特性被转换为电信号，作为电信号被输入到集成电路101。所输入的电信号由集成电路101进行各种处理，作为频率信号被输出。由此，压电振子1作为振子发挥功能。并且，集成电路101的结构通过根据要求选择性设定例如RTC(实时时钟)模块等，除了钟表用单功能振荡器等以外，还能附加这样的功能：控制该设备或外部设备的动作日和时刻，或者提供时刻和日历等。

根据上述的本实施方式的振荡器100，由于具有腔室4内的气密可靠、压电振动片5和外部电极6、7的导通性被稳定确保、动作可靠性提高的高质量的压电振子1，因而振荡器100自身也一样能稳定确保导通性、可提高工作可靠性并实现高质量。而且除此以外，还能获得长期稳定的高精度的频率信号。

以上，说明了本发明的封装的制造方法的实施方式，然而本发明不限定于上述的实施方式，能在不背离本发明主旨的范围内进行适当变更。例如，在上述的实施方式中，贯通孔21、22是通过将贯通孔形成模51按压底基板用晶片41并对底基板用晶片41进行加热来形成的，然而还可以使用喷砂法等在底基板用晶片41上形成贯通孔21、22。并且，关于铆钉37的形状，只要在底基板用晶片41的表面41a(底基板2的底面)露出的一侧的截面积比其它部分大即可，而不管其形状如何。而且，不一定需要对底基板用晶片41的一个表面41a进行研磨。总之，只要能够取得在本发明中期望的功能即可。

Claims (8)

1.一种封装的制造方法，该封装具有相互接合而在内侧形成腔室的多个基板、以及将所述腔室的内部和所述多个基板中的由玻璃材料构成的底基板的外部导通的贯通电极，其特征在于，该封装的制造方法具有：

贯通孔形成步骤，在底基板用晶片上形成贯通孔；

铆钉插入步骤，在所述贯通孔内插入由金属材料构成的导电性的铆钉；

熔敷步骤，将所述底基板用晶片加热到比所述玻璃材料的软化点高的温度，使所述底基板用晶片熔敷在所述铆钉上；以及

冷却步骤，对所述底基板用晶片进行冷却，

所述铆钉的一个端部的截面积大于其它部分的截面积，所述一个端部露出到所述底基板的外部。

2.根据权利要求1所述的封装的制造方法，其特征在于，所述铆钉是一个端部经由阶梯与作为其它部分的芯材部连接的形状。

3.根据权利要求2所述的封装的制造方法，其特征在于，所述铆钉的一个端部呈大致圆板状或大致矩形板状。

4.根据权利要求1所述的封装的制造方法，其特征在于，所述铆钉是一个端部与其它部分平滑连接的形状。

5.根据权利要求4所述的封装的制造方法，其特征在于，所述铆钉是呈大致圆锥台状的形状。

6.根据权利要求1～5中的任意一项所述的封装的制造方法，其特征在于，在对所述底基板用晶片进行冷却之后，包含所述铆钉中的所述一个端部的一部分在内对所述底基板用晶片的表面进行研磨。

7.一种压电振子，其特征在于，在使用权利要求1～6中的任意一项所述的封装的制造方法制造出的封装的腔室内，收纳有安装在所述铆钉的另一端部上的压电振动片。

8.一种振荡器，其特征在于，该振荡器具有：

权利要求7所述的压电振子；以及

作为振子电连接了所述压电振子的集成电路。

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