JP6347508B2 - 電子部品装置 - Google Patents
電子部品装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6347508B2 JP6347508B2 JP2014053272A JP2014053272A JP6347508B2 JP 6347508 B2 JP6347508 B2 JP 6347508B2 JP 2014053272 A JP2014053272 A JP 2014053272A JP 2014053272 A JP2014053272 A JP 2014053272A JP 6347508 B2 JP6347508 B2 JP 6347508B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base
- electronic component
- hole
- recess
- rivet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 11
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 5
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 4
- 230000006355 external stress Effects 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 3
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017709 Ni Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003267 Ni-Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003262 Ni‐Co Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
この電子部品装置では、基部と蓋体を接合することでその内部に収容部を形成し、収容部内に電子部品素子が配設される。電子部品素子は、基部の内側に形成した内部配線と接続され、更に、基部を貫通する貫通電極を介して外部配線と接続されている。
このような電子部品装置として、基部と蓋体とをセラミックやガラス材で形成し、内部に水晶振動子を電子部品素子として収容した技術が特許文献1で提案されている。
例えば、電子部品装置では、高い信頼性を確保するために気密性良くシールすることが重要となるが、電子部品装置の小型化に伴い、セラミック等の厚みが薄くなり、セラミックやガラス材同士を均一に接合することが難しく、製造歩留まりや気密の信頼性が低くなりがちであった。
また、電子部品装置の小型化に対応するために、材料厚0.2mmより薄いセラミック等を使用した場合、全体の強度が低下してしまうという問題がある。
更に、基部を貫通する貫通電極を形成しているが、電子部品装置に外部応力が加わった場合に、基部にクラックが発生したり、貫通電極と基部とが離れることで気密性が損なわれるという問題がある。
(2)請求項2に記載の発明では、電子部品素子と、前記電子部品素子が収容される収容部の一部を構成し、少なくともその表面が絶縁材で構成された基部と、前記基部と接合され、前記収容部の他の一部を構成する蓋体と、前記基部に形成された貫通孔と、前記基部における前記貫通孔の近傍の両面又は一方の面に形成された凹部と、前記基部の内側面に形成された前記電子部品素子と電気的に接続された内部配線と、前記基部の外側面に形成された外部配線と、前記貫通孔を貫通し、両側に形成された頭部の一方が前記内部配線と、他方が前記外部配線と電気的に接続された導電性のリベットと、を備え、前記基部は、金属材料で形成され、前記貫通孔及び前記凹部を含めた表面に電気絶縁膜が形成され、前記リベットは、前記凹部が形成されている側の前記頭部が当該凹部に食い込んでいる、ことを特徴とする電子部品装置を提供する。
(3)請求項3に記載の発明では、電子部品素子と、前記電子部品素子が収容される収容部の一部を構成し、少なくともその表面が絶縁材で構成された基部と、前記基部と接合され、前記収容部の他の一部を構成する蓋体と、前記基部に形成された貫通孔と、前記基部における前記貫通孔の近傍の両面又は一方の面に形成された凹部と、前記基部の内側面に形成された前記電子部品素子と電気的に接続された内部配線と、前記基部の外側面に形成された外部配線と、前記貫通孔を貫通し、両側に形成された頭部の一方が前記内部配線と、他方が前記外部配線と電気的に接続された導電性のリベットと、を備え、前記内部配線と前記外部配線の一方又は双方は、前記凹部の内側にも形成され、前記リベットは、前記凹部が形成されている側の前記頭部が当該凹部に食い込んでいる、ことを特徴とする電子部品装置を提供する。
(4)請求項4に記載の発明では、電子部品素子と、前記電子部品素子が収容される収容部の一部を構成し、少なくともその表面が絶縁材で構成された基部と、前記基部と接合され、前記収容部の他の一部を構成する蓋体と、前記基部に形成された貫通孔と、前記基部における前記貫通孔の近傍の両面又は一方の面に形成された凹部と、前記基部の内側面に形成された前記電子部品素子と電気的に接続された内部配線と、前記基部の外側面に形成された外部配線と、前記貫通孔を貫通し、両側に形成された頭部の一方が前記内部配線と、他方が前記外部配線と電気的に接続された導電性のリベットと、を備え、前記基部は、非導電性の樹脂で形成され、前記基部の貫通孔は、尖端部を有するリベットの貫通により形成され、前記リベットは、前記凹部が形成されている側の前記頭部が当該凹部に食い込んでいる、ことを特徴とする電子部品装置を提供する。
(5)請求項5に記載の発明では、前記基部は、金属材料で形成され、前記貫通孔及び前記凹部を含めた表面に電気絶縁膜が形成されている、ことを特徴とする請求項1、又は請求項3に記載の電子部品装置を提供する。
(6)請求項6に記載の発明では、前記内部配線と前記外部配線の一方又は双方は、前記凹部の内側にも形成されている、ことを特徴とする請求項1、又は請求項4に記載の電子部品装置を提供する。
(7)請求項7に記載の発明では、前記基部は、非導電性の樹脂で形成され、前記基部の貫通孔は、尖端部を有するリベットの貫通により形成されている、ことを特徴とする請求項1に記載の電子部品装置を提供する。
(8)請求項8に記載の発明では、前記凹部は、前記貫通孔の全周囲を囲んで形成されている、ことを特徴とする請求項1から請求項7のうちの何れか1の請求項に記載の電子部品装置を提供する。
(9)請求項9に記載の発明では、前記貫通孔の内周面には、前記内部配線と前記外部配線と電気的に接続する貫通面電極がメッキにより形成されている、ことを特徴とする請求項1から請求項8のうちのいずれか1の請求項に記載の電子部品装置を提供する。
(10)請求項10に記載の発明では、前記基部と前記蓋体の少なくとも一方に、前記電子部品素子を収容する収容部を構成する収容凹部が形成されている、ことを特徴とする請求項1から請求項9のうちのいずれか1の請求項に記載の電子部品装置を提供する。
(1)実施形態の概要
本実施形態の電子部品装置は、金属平板や炭素繊維基板から収容凹部が形成された基部1と、収容凹部の開放部分側を覆う蓋体(リッド)2により、収容凹部内に収容した水晶振動子、電池、センサー部品等の電子部品素子を密封封止する。
基部1の底面部に電子部品素子を配設し、電子部品素子の両電極と接続する内部配線を底面部内側に形成し、底面部外側に外部配線を形成する。基部1の底面部に貫通孔100を形成し、導電性のリベット4をかしめることで、内部配線と外部配線を電気的に接続している。
貫通孔100の近傍(リベット4の頭部が届く範囲内)には、貫通孔100の全周を取り巻くように環状の凹部110が基部1の両面に形成され、導電性のリベット4の両頭部がかしめによって凹部110に食い込むことで嵌合している。
リベット4を貫通電極として使用し、基部1の貫通孔100周辺に形成した凹部110にリベット4の両側の頭部を食い込ませることで、強固なかしめ状態を保持することができ、電子部品装置の収容凹部内の不活性ガスまたは真空による気密封止状態を維持することができる。
また、強固なかしめ状態が保持されるため、外部応力が発生しても、リベット4と内部配線、外部配線との接続部における電気抵抗が上昇したり、電気的接続状態が破断したりすることを防止できる。
また、基部1と蓋体2を金属材料で形成することで、例えば、0.2mm以下の薄い材料でも十分に強度を確保することが可能になり、プレス加工や絞り加工により容易に形成することも可能になる。基部1を金属材料で形成することにより、クラックの発生も回避することができる。
図1は本実施形態に係る水晶振動子を収容した電子部品装置の側断面を模式的に示した図である。図1は図2のBB断面を表している。
図2は、電子部品装置の内部構造を表した図で、図1のAA断面を表す。
また、本明細書では、基部1、蓋体2について、水晶振動子8が設置される収容凹部と対向する側を内側、その反対側を外側という。
本実施形態の電子部品装置は、図1に示されるように、収容凹部が形成された基部1と、蓋体2を備えており、水晶振動子8が配設された収容凹部内は不活性ガス又は真空状で気密封止されている。
電子部品装置の外形寸法は、高さ(収容凹部の深さ方向)が0.5mm、長さ方向(図2の横方向)が1.6mm、縦(図2の上下方向)1.2mmに形成されている。
底面部の材料厚は、0.05mm〜0.2mmが好ましく、より好ましくは0.05mm〜0.1mmである。
一方、基部1の側面部(周辺部)の材料厚は0.05mm〜0.2mmが好ましく、より好ましくは0.05mm〜0.1mmである。
この水晶振動子8は、一端側に正負1対の電極が形成されている。図1に示されるように、水晶振動子8は、他端側が基部1の底面部から所定の間隔だけ浮いた状態で、一端側の両電極が導電性接着材7a、7bによって基部1に固定されている。
底面部の外側には、両貫通孔を含む所定領域に外部配線5a、5bが形成されており、一方の貫通孔内には、内部配線3aと外部配線5aとを電気的に接続するリベット4aが配設され、他方の貫通孔内には内部配線3bと外部配線5bとを接続するリベット4bが配設されている。
リベット4a、4bは、基部1を貫通する貫通電極として機能し、その詳細な形状については後述する。
リベット4a、4bを通す貫通孔の周囲には、リベット4の強固なかしめ状態を保持するために、環状の凹部110(後述する)が形成されている。
リベット4a、4bの材質はリベット頭部が凹部110に食い込みやすい材料として、アルミニウムやアルミニウム合金が推奨される。しかし、必ずしもこれらに限定されるものではなく、銅やニッケル及び合金等、ステンレスを使用することも可能である。
なお本実施形態では、内部配線3a、3bと外部配線5a、5bに対応した領域に電気絶縁膜6が形成されているが、底面部の内側と外側、及び貫通孔の全体に電気絶縁膜6を形成するようにしてもよい。
内部配線3a、3bは、電気絶縁膜6上に銅メッキによって形成されている。ただし、電子部品素子の電流容量に制限を加えない高伝導率の材料である、ナノ金属、例えば銀ナノ金属を、電気絶縁膜6上にインクジェット塗布することで形成するようにしてもよい。
なお、外部配線5a、5bは、外部電極として機能するため、金属材料を電気絶縁膜6上に貼り付けことで形成するようにしてもよい。外部配線5a、5bとして金属材料を貼り付ける場合には、リベット4a、4bを通す貫通孔を形成すると共に、環状の凹部110(後述する)を基部1ではなく貼り付ける金属材料に形成する。
蓋体2の材料厚は、基部1と同様に、0.05mm〜0.2mmが好ましく、より好ましくは0.05mm〜0.1mmである。
本実施形態の蓋体2は、基部1と同様に金属で形成されているが、少なくとも基部1との接合部分が金属で構成されていればよい。
即ち、基部1の表面には、Ni層がメッキされた上に、さらに、ろう材としてAg、Pd、Au、Al等のメッキ層が形成され、蓋体2の表面は、ろう材としてのNi、Au、Ag、Pd、Al等のメッキ層が形成されている。
なお、メッキ層については、電気絶縁膜6の下面になる基部1全体に形成してもよいが、シーム溶接における封止材9(ろう材)として機能するため、少なくとも、収容凹部を形成する側面部の開放端側の面、即ち、蓋体2と金属封止される面に形成されていればよい。
なお、基部1と蓋体2とのの接合は、シーム溶接以外の金属接合、例えば、ろう付、拡散接合、他の溶接、異種金属接合などを用いることも可能である。
以上の金属封止は、電子部品装置の収容凹部に不活性ガスを充填する場合には当該不活性ガス環境下において行われ、また、収容凹部内を真空にする場合には減圧環境下において行われる。
基部1、及び貫通電極4a、4bの熱膨張率は、0.05×10−4/deg以上0.20×10−4/deg以下の範囲であることが好ましい。
基部1の熱膨張率は、前記電気絶縁膜6の熱膨張率と同様の値か、若しくは大きい値であることが好ましい。
熱膨張率が同様の値である場合、互いの部材が破損されることなく熱密着させることができる。
一方、基部1の熱膨張率が大きい場合、これらの熱膨張率の差が0.01×10−4/deg以下であれば、互いの接触面積を出来るだけ大きくすることで熱膨張率の差による破損を回避しつつ、熱膨張率の差の効果によって、ほどよく基部1が貫通孔の内部方向に収縮され、前記貫通孔の内壁に基材の酸化膜を設けなくても、基部1と貫通孔内の電気絶縁膜6とを密着させることができる。これにより、作業工程が簡略化され生産性が良好な電子部品装置が得られる。
また、蓋体2本体の中央部に開口部を形成しタブレット状のガラスを配置し、通炉させることにより透明ガラス(図示せず)と蓋体2とを気密絶縁的に封着させることができる。
蓋体2本体の中央部のガラス形状(レンズ形状でも良い)は、基部1と密接可能な滑らかな平面を有し、且つ、基部1を気密封止できれば特に限定されるものではない。上記のような蓋体2本体の中央部のガラス形状を有するものは、発光、受光センサー用の電子部品装置として使用可能である。
図3はリベット4のかしめによる取り付け状態の詳細を表したものである。
なお、電子部品装置内に収容される電子部品素子の正負に応じて、内部配線、リベット、外部配線は2つずつ配設されその両者は符号aとbで区別しているが、両者の状態は共通するため、図3及びその説明では内部配線3、リベット4、外部配線5として表記している。以下a、bの区別符号を省略して説明する。
本実施形態の凹部110は、貫通孔100の全周を囲む環状に形成されており、全周に亘って凹部110が形成されることで電子部品装置内の気密性をより向上させることができる。ただし、凹部110は、全周に亘る環状でなくてもよく、貫通しない穴や溝を複数形成することでも、気密性を向上させることができる。
また、凹部110は本実施形態のように断面逆テーパ形状であることが好ましいが、開放側が広くなるテーパ形状や、断面均一幅形状とすることも可能であり、この場合には断面逆テーパ形状よりも凹部110の形成が容易である。
更に、図3に示した凹部110は、基部1の両面に形成されているが、いずれか一方の面に形成するようにしてもよい。
そして、形成した電気絶縁膜6上(基部1の凹部110の内側を含む)に、内部配線3と外部配線5が形成されている。
基部1の両面に形成された内部配線3と外部配線5は、貫通孔100を通しかしめられたリベット4によって接続されている。
リベット4は、かしめられることによって内部配線3と外部配線5とを接続するだけでなく、貫通孔100を密封すると共に、頭部が凹部100内に食い込んでいる。
このようにリベット4の頭部が貫通孔100の全周に亘って環状に形成された凹部110内に食い込むことで、貫通孔110部分の密閉度が上がる。
また、かしめによって内部配線3、外部配線5との接合も強度になるが、内部配線3、外部配線5が凹部110内にも形成されているので頭部が食い込むことによってより強度の強い接合を得ることができる。これにより、接合部の内部抵抗を下げることができる。
図4、図5は、リベット4の取り付け工程を表したものである。
図4(a)に示す本加工工程前の基部1は、金属平板や炭素繊維基板から、収容凹部が形成された後の底面部を表している。なお、収容凹部の形成については本加工工程の後に行うようにしてもよい。
最初に図4(b)に示すように、基部1の所定位置2カ所に貫通孔100を形成する。実際には長尺(リードフレーム状)の金属平板の主方面からのプレス加工により、連続的に貫通孔開け加工及び切削加工を施す。
なお、このプレス加工の際に、収容凹部を形成するようにしてもよい。
また、貫通孔100の形成は研削加工やレーザ加工によることも可能である。
ここで、所定距離は、貫通孔100の半径より大きく、かしめ後のリベット4の両頭部(生リベットの頭部とかしめ部)の半径未満であることが必要である。
環状の凹部100については、その厚さ方向の断面形状としてテーパ状、逆テーパ状、平行状等の各種形状に加工することが可能であるが、上述したように、かしめ後の密着強度を高めるために本実施形態では逆テーパ状に形成される。
図6(c−1)に示すように、研削砥石の軸を、逆テーパの一方の傾斜面に合わせて傾斜させ、貫通部100の中心軸を中心として回転させながら環状の溝111を形成する。
次に図6(c−2)に示すように、研削砥石の軸を反対側の傾斜面に合わせ傾斜させ、同中心軸を中心に回転させて環状の溝112を形成する。
次に図6(c−3)に示すように、研削砥石の軸を水平に戻して凹部110の底面部を平面に研削する。なお、凹部110の底面については必ずしも平らである必要がないため、図6(c−2)に示した状態で凹部110を完成させることも可能である。
また、電気絶縁膜6は、貫通電極として機能するリベット4の頭部が凹部110内に食い込むため、凹部110内にも形成する。
この内部配線3及び外部配線5については、凹部110の内面にも形成する。
なお、電気絶縁膜6の厚さは1〜2μmで、内部配線3と外部配線5の厚さは4〜5μmである。このため、現説明の対象である内部配線3と外部配線5について厚く記載し、説明済みの電気絶縁膜6については符号のみを記してその表示を省略している(以下の図についても同じ。)。
次に、生リベット40を両側からかしめることで、図5(g)に示すように、両端の頭部を環状の凹部110に食い込ませる。この食い込みにより、形成後のリベット4は、強固にかしめられると共に、凹部110内を含めて基部1の表面に形成された内部配線3、外部配線5と接続される。
なお、図5では、挿通する生リベット40として中実リベットを使用する場合について表示したが、胴部が中空の中空リベットを使用することも可能である。
以下、非導電材として樹脂を使用した基部501を例に説明する。この例では、非導電材を使用しているので、電気絶縁膜6の形成は不要である。
図7、図8は、リベット504の取り付け工程を表したものである。
図7(a)に示すように、収容凹部が形成された樹脂製の基部501を用意する。
次に、図7(b)に示すように、基部501の底面部に凹部511を形成し、凹部511の内面を含めた所定領域に内部配線503と外部配線505を形成する。
なお、凹部511については、図6で説明した方法で研削加工により形成するようにしてもよいが、基部501が樹脂なので収容凹部の成型時にあわせて形成するようにしてもよい。
なお、図では生リベット5040の胴部が円錐形状の場合を例に説明したが、円柱の端部を尖がらせた形状の生リベットを使用するようにしてもよい。この場合には貫通孔510は生リベットの胴部に合わせた円柱形となる。
また、貫通孔510を生リベット5040で形成するのではなく、凹部511と同様に、樹脂成型時に貫通孔を形成するようにしてもよい。この場合には、図5で説明した円筒形の胴部を有する通常の生リベット40を使用する。
これに対し、平板状に形成した基部1の中央部に電子部品素子を配置すると共に電気絶縁膜6(樹脂で基部を形成する場合には不要)と電気系統(導電接着剤、内部配線、貫通電極、外部配線)を形成し、蓋体2に収容凹部を形成すると共に収容凹部を基部1にかぶせることで密封するようにしてもよい。
2 蓋体
3a、3b 内部配線
4a、4b リベット
5a、5b 外部配線
6 電気絶縁膜
7a、7b 導電性接着材
8 水晶振動子
9 封止材
40 生リベット
100 貫通孔
110 凹部
Claims (10)
- 電子部品素子と、
前記電子部品素子が収容される収容部の一部を構成し、少なくともその表面が絶縁材で構成された基部と、
前記基部と接合され、前記収容部の他の一部を構成する蓋体と、
前記基部に形成された貫通孔と、
前記基部における前記貫通孔の近傍の両面又は一方の面に、表面側ほど断面積が小さくなる逆テーパ状に形成された凹部と、
前記基部の内側面に形成された前記電子部品素子と電気的に接続された内部配線と、
前記基部の外側面に形成された外部配線と、
前記貫通孔を貫通し、両側に形成された頭部の一方が前記内部配線と、他方が前記外部配線と電気的に接続された導電性のリベットと、
を備え、
前記リベットは、前記凹部が形成されている側の前記頭部が当該凹部に食い込んでいる、
ことを特徴とする電子部品装置。 - 電子部品素子と、
前記電子部品素子が収容される収容部の一部を構成し、少なくともその表面が絶縁材で構成された基部と、
前記基部と接合され、前記収容部の他の一部を構成する蓋体と、
前記基部に形成された貫通孔と、
前記基部における前記貫通孔の近傍の両面又は一方の面に形成された凹部と、
前記基部の内側面に形成された前記電子部品素子と電気的に接続された内部配線と、
前記基部の外側面に形成された外部配線と、
前記貫通孔を貫通し、両側に形成された頭部の一方が前記内部配線と、他方が前記外部配線と電気的に接続された導電性のリベットと、
を備え、
前記基部は、金属材料で形成され、前記貫通孔及び前記凹部を含めた表面に電気絶縁膜が形成され、
前記リベットは、前記凹部が形成されている側の前記頭部が当該凹部に食い込んでいる、
ことを特徴とする電子部品装置。 - 電子部品素子と、
前記電子部品素子が収容される収容部の一部を構成し、少なくともその表面が絶縁材で構成された基部と、
前記基部と接合され、前記収容部の他の一部を構成する蓋体と、
前記基部に形成された貫通孔と、
前記基部における前記貫通孔の近傍の両面又は一方の面に形成された凹部と、
前記基部の内側面に形成された前記電子部品素子と電気的に接続された内部配線と、
前記基部の外側面に形成された外部配線と、
前記貫通孔を貫通し、両側に形成された頭部の一方が前記内部配線と、他方が前記外部配線と電気的に接続された導電性のリベットと、
を備え、
前記内部配線と前記外部配線の一方又は双方は、前記凹部の内側にも形成され、
前記リベットは、前記凹部が形成されている側の前記頭部が当該凹部に食い込んでいる、
ことを特徴とする電子部品装置。 - 電子部品素子と、
前記電子部品素子が収容される収容部の一部を構成し、少なくともその表面が絶縁材で構成された基部と、
前記基部と接合され、前記収容部の他の一部を構成する蓋体と、
前記基部に形成された貫通孔と、
前記基部における前記貫通孔の近傍の両面又は一方の面に形成された凹部と、
前記基部の内側面に形成された前記電子部品素子と電気的に接続された内部配線と、
前記基部の外側面に形成された外部配線と、
前記貫通孔を貫通し、両側に形成された頭部の一方が前記内部配線と、他方が前記外部配線と電気的に接続された導電性のリベットと、
を備え、
前記基部は、非導電性の樹脂で形成され、
前記基部の貫通孔は、尖端部を有するリベットの貫通により形成され、
前記リベットは、前記凹部が形成されている側の前記頭部が当該凹部に食い込んでいる、
ことを特徴とする電子部品装置。 - 前記基部は、金属材料で形成され、前記貫通孔及び前記凹部を含めた表面に電気絶縁膜が形成されている、
ことを特徴とする請求項1、又は請求項3に記載の電子部品装置。 - 前記内部配線と前記外部配線の一方又は双方は、前記凹部の内側にも形成されている、
ことを特徴とする請求項1、又は請求項4に記載の電子部品装置。 - 前記基部は、非導電性の樹脂で形成され、
前記基部の貫通孔は、尖端部を有するリベットの貫通により形成されている、
ことを特徴とする請求項1に記載の電子部品装置。 - 前記凹部は、前記貫通孔の全周囲を囲んで形成されている、
ことを特徴とする請求項1から請求項7のうちの何れか1の請求項に記載の電子部品装置。 - 前記貫通孔の内周面には、前記内部配線と前記外部配線と電気的に接続する貫通面電極がメッキにより形成されている、
ことを特徴とする請求項1から請求項8のうちのいずれか1の請求項に記載の電子部品装置。 - 前記基部と前記蓋体の少なくとも一方に、前記電子部品素子を収容する収容部を構成する収容凹部が形成されている、
ことを特徴とする請求項1から請求項9のうちのいずれか1の請求項に記載の電子部品装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014053272A JP6347508B2 (ja) | 2014-03-17 | 2014-03-17 | 電子部品装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014053272A JP6347508B2 (ja) | 2014-03-17 | 2014-03-17 | 電子部品装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015177095A JP2015177095A (ja) | 2015-10-05 |
JP6347508B2 true JP6347508B2 (ja) | 2018-06-27 |
Family
ID=54255972
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014053272A Expired - Fee Related JP6347508B2 (ja) | 2014-03-17 | 2014-03-17 | 電子部品装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6347508B2 (ja) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS463537Y1 (ja) * | 1967-10-14 | 1971-02-06 | ||
JPS60130561U (ja) * | 1984-02-10 | 1985-09-02 | 三洋電機株式会社 | 密閉型電池 |
JPH1154548A (ja) * | 1997-08-04 | 1999-02-26 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 非接触タグにおけるicチップ電極接続構造 |
JP2008034787A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに半導体装置およびその製造方法 |
JP5479874B2 (ja) * | 2009-12-10 | 2014-04-23 | セイコーインスツル株式会社 | パッケージの製造方法及びパッケージ |
JP5368377B2 (ja) * | 2010-06-02 | 2013-12-18 | 三菱電機株式会社 | 電子部品パッケージおよびその製造方法 |
-
2014
- 2014-03-17 JP JP2014053272A patent/JP6347508B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015177095A (ja) | 2015-10-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6300676B1 (en) | Small size electronic part and a method for manufacturing the same, and a method for forming a via hole for use in the same | |
JP6247006B2 (ja) | 電子デバイス、発振器及び電子デバイスの製造方法 | |
JP5952425B2 (ja) | 電子部品収納用容器および電子装置 | |
US20150155849A1 (en) | Surface mounting quartz crystal unit and method of fabricating the same | |
US9585264B2 (en) | Package for housing semiconductor element and semiconductor device | |
US9066461B2 (en) | Base member, manufacturing method for electronic device, and electronic apparatus | |
JP6342643B2 (ja) | 電子デバイス | |
US20130255387A1 (en) | Vibration device and method for manufacturing vibration device | |
JP4957123B2 (ja) | センサーユニットおよびその製造方法 | |
JP5052459B2 (ja) | 半導体センサー装置 | |
JP6347508B2 (ja) | 電子部品装置 | |
US7061086B2 (en) | Silicon package for piezoelectric device | |
JP6429266B2 (ja) | 電子部品装置 | |
JP2014036081A (ja) | 電子デバイスの製造方法、電子デバイス、電子機器、および移動体 | |
JP6482282B2 (ja) | 電子部品 | |
JP2009201018A (ja) | 水晶振動子及び水晶振動子の製造方法 | |
JP5034240B2 (ja) | 電池の製造方法 | |
JP5225824B2 (ja) | 電子部品パッケージ及び電子部品パッケージの製造方法 | |
JP2013157386A (ja) | ベース基板、電子デバイス、ベース基板の製造方法、及び電子デバイスの製造方法 | |
JP2015153834A (ja) | 電子部品 | |
JP2009031005A (ja) | 半導体圧力センサ | |
JP2010219876A (ja) | 圧電デバイス | |
JP6763756B2 (ja) | パッケージ | |
JP2007013608A (ja) | 圧電振動子の製造方法及び圧電振動子 | |
JP2007078444A (ja) | 圧力センサ及び圧力センサの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170113 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171010 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171113 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171220 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180518 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20180525 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180525 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6347508 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |