CN102148329A - 一种电阻转换存储器结构及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明揭示了一种电阻转换存储器结构及其制造方法，该电阻转换存储器结构，包括：多个选通单元和多个电阻转换存储单元；其中，每一个选通单元对应两个电阻转换存储单元；所述电阻转换存储单元包括上电极、下电极和夹在所述上、下电极之间的存储材料；所述存储材料与上、下电极的接触面积不等；所述下电极周围包覆有绝缘材料，下电极形成于该绝缘材料的夹缝中，其在垂直下电极表面方向的投影为条形，条形的长宽比大于3∶1；并且所述存储材料部分或者全部嵌在所述绝缘材料之中。本发明的存储器结构具有较高的密度、较低的功耗以及较为简单的工艺，因此在器件的性能和成本上都具有明显的优势。
Description
技术领域
本发明涉及一种电阻转换存储器结构及其制造方法，属于半导体存储器领域。
背景技术
电阻转换存储器是当前炙手可热的下一代非易失性半导体存储器的候选，它在密度、速度、功耗乃至成本方面都具有明显的优势，具有广阔的市场前景。电阻转换存储器有以下几种类型：相变存储器、电阻随机存储器、以及含锑电阻存储器。这些存储器虽然具有不同的机理，是不同的存储类型，然而其共同点是在电信号的作用下能够实现器件单元的电阻在高、低阻值之间的可逆转换，从而实现数据的存储，因为是依靠电阻进行存储，电阻转换存储器还是潜在的多级存储器。
在电阻转换存储器，存储材料与电极之间的接触是影响器件性能的关键，以相变存储器为例，接触面积越小，器件的功耗越低，因此，研究开发人员花费了大量的精力开发具有较小接触面积的结构，其中就有利用侧墙技术获得的“confined结构”和U型结构。“confined结构”的特点是存储材料被包覆在绝缘材料中，得到了比较好的性能，存储材料与下电极的接触为圆形(或者带弧度的形状)；另外值得一提的是U型的结构，通过这种结构，存储器中存储材料与电极材料的接触面积大大地减小，从而明显地降低了功耗，这种结构形成的下电极的表面与周围的绝缘材料平齐，存储材料覆盖在下电极和绝缘材料的上方，并没有被包覆在绝缘材料内。
本发明提出一种单个选通管驱动两个存储单元的电阻转换存储器结构，结构中，存储材料被嵌在绝缘材料内，且上下被电极材料包覆，存储材料与一电极的接触面积为长条形，此条形的长宽比大于3∶1。本发明还包括上述结构的制造方法。
发明内容
本发明主要解决的技术问题在于提供一种电阻转换存储器结构及其制造方法。
为了解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：
一种电阻转换存储器结构，包括：多个选通单元和多个电阻转换存储单元；其中，每一个选通单元对应两个电阻转换存储单元(即一个选通单元可以选通两个电阻转换存储单元)；所述电阻转换存储单元包括上电极、下电极和夹在所述上、下电极之间的存储材料；所述存储材料与上、下电极的接触面积不等；所述下电极周围包覆有绝缘材料，下电极形成于该绝缘材料的夹缝中，其在垂直下电极表面方向的投影为条形，条形的长宽比大于3∶1；并且所述存储材料部分或者全部嵌在所述绝缘材料之中。即存储材料可完全嵌在周围的绝缘材料之内，也可以高出包覆下电极的绝缘材料。
作为本发明的优选方案，同一选通单元与对应的两个电阻转换存储单元的下电极相互连接。
作为本发明的优选方案，所述选通单元为二极管，或为场效应晶体管，或为双极型晶体管。
作为本发明的优选方案，所述存储材料与上电极的接触面积大于该存储材料与下电极的接触面积。
作为本发明的优选方案，所述电阻转换存储单元在电信号的作用下实现单元电阻的可逆变化。
作为本发明的优选方案，所述电阻转换存储单元为相变存储器存储单元，或为电阻随机存储器存储单元，或为含锑存储器存储单元。
作为本发明的优选方案，所述电阻转换存储单元的数据存储类型为双级，或者双级以上。
作为本发明的优选方案，所述垂直下电极表面方向的条形投影的长宽比大于5∶1，或者大于10∶1。
此外，本发明还提供了三种上述电阻转换存储器结构的制造方法。
一种上述电阻转换存储器结构的制造方法，包括以下步骤：
A、在基底上制造外围电路、字线和选通单元阵列；
B、在制造有外围电路、字线和选通单元阵列的基底上沉积绝缘材料甲，通过半导体工艺在绝缘材料甲上开槽，槽的深度直到选通单元的顶部，槽在基底上的投影与选通单元下方的字线相交，使每条槽覆盖在多个选通单元上方；
C、采用化学气相沉积法或者原子层沉积法在步骤B所得结构上沉积电极材料甲；
D、通过半导体工艺沿着字线的方向再次开槽，切断电极材料甲从而形成多个导电条，使不同字线选通单元上方的导电条之间电学绝缘；
E、在步骤D所得结构表面填充绝缘材料乙；
F、化学机械抛光，抛光深度足够到露出绝缘材料甲的顶部，如此便在绝缘材料甲与绝缘材料乙之间的夹缝中形成条形电极；
G、采用回刻工艺，去除条形电极上部的一部分电极材料甲，并加大条形电极顶部的开口；
H、在步骤G所得结构表面填充存储材料；
I、采用化学机械抛光工艺，去除多余的存储材料，只在开口内保留存储材料，得到的存储材料便嵌在绝缘材料内部；或者采用刻蚀工艺，使存储材料形成多个存储单元所需图形，得到的存储材料仅部分嵌在绝缘材料内；
J、制造上电极和位线阵列，以及引线，与外围电路连接，并进行钝化工艺。
作为本发明的优选方案，所述选通单元采用二极管，或场效应晶体管，或双极型晶体管。
作为本发明的优选方案，所述存储材料采用相变材料，或电阻随机存储材料，或含锑材料。
另一种上述电阻转换存储器结构的制造方法，包括以下步骤：
A、在基底上制造外围电路、字线和选通单元阵列；
B、在制造有外围电路、字线和选通单元阵列的基底上沉积绝缘材料甲，通过半导体工艺在绝缘材料甲上开槽，槽的深度直到选通单元的顶部，槽在基底上的投影与选通单元下方的字线相交，使每条槽覆盖在多个选通单元上方；
C、采用化学气相沉积法或者原子层沉积法在步骤B所得结构上沉积电极材料甲；
D、在步骤C所得结构表面填充绝缘材料乙；
E、化学机械抛光，抛光深度足够到露出绝缘材料甲的顶部，如此便在绝缘材料甲与绝缘材料乙之间的夹缝中形成条形电极；
F、通过半导体工艺沿着字线的方向再次开槽，切断电极材料甲，使不同字线上方的各个选通单元对应的电极材料甲之间电学隔离；
G、在步骤F所得结构表面填充绝缘材料丙，并进行化学机械抛光，直到露出条形电极；
H、采用回刻工艺，去除条形电极上部的电极材料甲，并加大条形电极顶部的开口；
I、在步骤H所得结构表面填充存储材料；
J、采用化学机械抛光工艺，去除多余的存储材料，只在开口内保留存储材料，得到的存储材料便嵌在绝缘材料内部；或者采用刻蚀工艺，使存储材料形成多个存储单元所需图形，得到的存储材料仅部分嵌在绝缘材料内；
K、制造上电极和位线阵列，以及引线，与外围电路连接，并进行钝化工艺。
作为本发明的优选方案，所述选通单元采用二极管，或场效应晶体管，或双极型晶体管。
作为本发明的优选方案，所述存储材料采用相变材料，或电阻随机存储材料，或含锑材料。
还有一种上述电阻转换存储器结构的制造方法，包括以下步骤：
A、在基底上制造外围电路、字线和选通单元阵列；
B、在制造有外围电路、字线和选通单元阵列的基底上沉积绝缘材料甲，通过半导体工艺在绝缘材料甲上开多个方槽，方槽的深度直到选通单元的顶部，每个方槽将其下对应的选通单元露出，任意两个方槽不相连；
C、采用化学气相沉积法或者原子层沉积法在步骤B所得结构上沉积电极材料甲；
D、在步骤C所得结构表面填充绝缘材料乙；
E、化学机械抛光，抛光深度足够到绝缘材料甲上方，形成环形电极；
F、采用回刻工艺，去除环形电极上部的电极材料甲，并加大环形电极顶部的开口；
G、在步骤F所得结构表面填充存储材料；
H、采用化学机械抛光工艺，去除多余的存储材料，只在开口内保留存储材料，得到的存储材料便嵌在绝缘材料内部；或者采用刻蚀工艺，使存储材料形成多个存储单元所需图形，得到的存储材料仅部分嵌在绝缘材料内；
I、通过刻蚀，沿着垂直于字线方向开槽，切断同一选通管上方的存储材料，形成两部分存储材料；
J、制造上电极和位线阵列，以及引线，与外围电路连接，并进行钝化工艺。
作为本发明的优选方案，所述选通单元采用二极管，或场效应晶体管，或双极型晶体管。
作为本发明的优选方案，所述存储材料采用相变材料，或电阻随机存储材料，或含锑材料。
本发明的有益效果在于：提供了一种单个选通管驱动两个电阻转换存储单元的结构，因为存储材料嵌在绝缘材料内部，得到的存储单元的体积就很小，存储器转换所需要的功耗较低，稳定性较好。因此，本发明所述的结构具有较高的密度、较低的功耗以及较为简单的工艺，因此在器件的性能和成本上都具有明显的优势。
附图说明
图1A-C是实施例1中一种电阻转换存储器结构示意图。
图2是实施例1中另一种电阻转换存储器结构的示意图。
图3A-0是实施例2中一种电阻转换存储器结构的制造流程示意图。
图4A-B是实施例3中一种电阻转换存储器结构的制造流程示意图。
图5A-K是实施例4中一种电阻转换存储器结构的制造流程示意图。
具体实施方式
本发明揭示了一种单个选通单元选通两个电阻转换存储单元(1S2R)的电阻转换存储器结构及其制造方法。
实施例1
图1A-C所示是一种电阻转换存储器结构的示意图。图1A所示是这种结构的剖面图，可见，在基底001上的单一的字线002上方含有多个选通管004(即选通单元)，而每一个选通管004上方对应两个电阻转换存储单元，且对该结构局部放大之后的图1B所示可见，该电阻转换存储单元包括：第一金属层008和第二金属层009组成的上电极、下电极006和夹在上、下电极之间的存储材料007；图中可见，电阻转换存储单元的存储材料007是完全嵌在绝缘材料003内部的。在此要说明的是，本发明中所有的图都不是按照严格的比例绘制，并且在诸如图1A中，也省略了外围电路，但并不代表没有，在此指出后，后面将不再赘述。
该结构中的电极的种类、层数以及厚度都可以根据实际的需求进行必要的调整，例如该结构在选通管004和下电极006之间还设有过渡电极005。为了更好地显示本发明的结构，对图1B中的电阻转换存储单元部分进行了剖面，图中沿A-A、B-B和C-C方向的投影如图1C所示。可以看到这种存储器件结构中，A-A方向的投影显示下电极在投影方向的形状是长条形的，而且长宽比大于3∶1，优选地，长宽比还可以是大于5∶1，或者大于10∶1。而B-B方向的投影显示，同一选通管上方的两个电阻转换存储单元的下电极是相互连接的，因此一个选通管可以选通两个存储单元。最后，从C-C方向的投影看到，存储材料与上下电极的接触面积并不相同，所述存储材料与上电极的接触面积大于该存储材料与下电极的接触面积。而且还需要特别指出存储材料是嵌在绝缘材料和电极中间的。
图2显示的是另外的一种电阻转换存储器结构，这种结构与图1所示的结构的相似部分在于电极的部分，下电极014也是长条形状的结构，也是1S2R的结构，而区别在于存储材料015并没有全部被嵌入绝缘材料011内，而是部分或者全部在绝缘材料011上方，且上电极016也只有一层。在选通管012与下电极014之间设有过渡电极013。
实施例2
本实施例说明制造如图1A-C所示电阻转换存储器结构的方法。
A、首先制造外围电路、字线和选通管，如图3A所示(图示并没有包含外围电路，且要注意，图所示的各单元并不是按照实际尺寸的比例绘制)，在基底101的上方有字线102阵列，在字线102的上方有选通管103阵列，选通管103之间由绝缘材料104相互隔离开，而选通管的顶层可以有电极层105。结构中的选通管103可以是二极管，也可以是场效应晶体管或者双极型晶体管，二极管也包含多种类型，在此为了表述的方便，以PN二极管为例，然而需要理解，本发明并不局限于PN二极管，自然包括肖特基二极管和氧化物二极管等选通单元。图3A所示结构的俯视图如图3B所示。
B、在步骤A制造的圆晶的上方沉积绝缘材料，并进行半导体工艺加工，形成如图3C和3D所示的结构，可见经过加工后，形成了与字线相交的条状的槽107，所形成的绝缘材料组成图形106，槽107覆盖在二极管的上方，在投影上与字线102相交，相交的角度优选是正交，然而也可以是其它角度，例如89度，85度或者75度和60度等。
C、沉积电极材料，采用的方法优选为化学气相沉积法以及原子层沉积法，电极材料108如图3E所示均匀地包覆在样品的表面，此时的俯视图如图3F所示，材料的厚度根据实际需要的下电极的尺寸进行调整，这也是本发明的一个特点。
D、通过半导体工艺，在沿着字线的方向将电极材料108切割成电学相互隔离的导电条109，如图3G，所示的110为分隔导电条109的槽，导电条109覆盖在二极管上方。
E、填充绝缘材料111，在此选用了与绝缘材料104相同的材料，显然也可以选用与其不同的材料，随后进行化学机械抛光，深度直到能够将导电条109断开分隔成相互隔离的区域形成多个电极112，得到如图3H所示的结构。抛光去除了多余的绝缘材料和多余的导电条109材料，结构在D-D方向的投影如图3I所示。在图3I中，虚线方框113所示区域放大部分如图3J所示，此时电极112的顶部经抛光后与绝缘材料111相平。
F、采用回刻工艺，将电极112上部的一部分电极材料去除，并可选择地加大其在绝缘材料111中的开口，形成开口114，如图3K所示，方便后续的存储材料填充。
G、填充相变材料，并进行化学机械抛光，如图3L所示，经过抛光之后，相变材料115单元彼此之间就会相互不连接，且相变材料单元115嵌在绝缘材料111的内部，图3L的俯视图如图3M所示。显然，本实施例提到的相变材料可以用其他电阻转换材料代替，在此需要明确指出，比如相变材料115可以是含锑材料，也可以是特定的金属氧化物，如此就可以对应获得含锑电阻转换存储器和电阻随机存储器的存储器件。
H、随后沉积上电极材料，并进行光刻，获得上电极和位线，如图3N所示，上电极可以包含过渡层116和上层金属117，得到的116和117可作为存储器的位线，位线显然在图3N的垂直于纸面方向延伸，覆盖在多个存储单元上方，其投影与字线相交。图3N的俯视图如图30所示。
I、引线、钝化等工艺。
本实施例中的方法步骤可以根据实际的制作需要，进行适当的调整，例如，可以在步骤C之后有所调整，该制作步骤如下，其中各步骤与上述方法步骤类似，故省略示意图：
A、首先在基底上制造外围电路、字线和选通单元阵列；
B、在制造有外围电路、字线和选通单元阵列的基底上沉积绝缘材料甲，通过半导体工艺在绝缘材料甲上开槽，槽的深度直到选通单元的顶部，槽在基底上的投影与选通单元下方的字线相交，使每条槽覆盖在多个选通单元上方；
C、采用化学气相沉积法或者原子层沉积法在步骤B所得结构上沉积电极材料甲；
D、在步骤C所得结构表面填充绝缘材料乙；
E、化学机械抛光，抛光深度直到露出绝缘材料甲的顶部，在绝缘材料甲与绝缘材料乙之间的夹缝中形成条形电极；
F、通过半导体工艺沿着字线的方向再次开槽，切断电极材料甲，使不同字线上方的各个选通单元对应的电极材料甲之间电学隔离；
G、在步骤F所得结构表面填充绝缘材料丙，并进行化学机械抛光，直到露出条形电极；
H、回刻工艺，去除条形电极上部的电极材料甲，并加大条形电极顶部的开口；
I、在步骤H所得结构表面填充存储材料；
J、再一次化学机械抛光工艺，只在开口内保留存储材料，使存储材料形成多个存储单元所需图形；
K、制造上电极和位线阵列，以及引线，与外围电路连接，并进行钝化工艺等。
实施例3
在获得了图3K所示的结构后，还可以通过电阻转换存储材料和电极材料(可以包含多层)的先后沉积，不采用化学机械抛光，而是用刻蚀方法代替，从而形成图4A所示的结构，在此结构中，仅有一部分的电阻转换存储材料嵌在绝缘材料的内部，采用的电极也有所不同。此外，位线121与存储材料的图形化是同时制造的，因此，同一位线下方的存储单元的存储材料也是连续的。
图4A中沿E-E、F-F、G-G方向的投影如图4B所示，可见，位线121的下方都含有电阻存储材料120。与实施例2的区别在于，所得结构的电阻存储材料并不是全部嵌入在绝缘材料的内部，而是有部分存储材料高出绝缘材料的顶部，并且如图4B所示，相邻的电极共享一根存储材料线。
实施例4
本实施例说明制造另一种电阻转换存储器结构的方法。
A、首先在基底201上制作外围电路、字线202和选通管203，并且在选通管203的上方开方槽206，形成的结构如图5A所示，选通管203可以是二极管，也可以是场效应晶体管或者双极型晶体管，二极管也包含多种类型，在此为了表述的方便，以肖特基二极管为例，然而需要理解，本发明并不局限于肖特基二极管。俯视图如图5B所示，绝缘材料204将各个选通管隔离开来。
B、沉积电极材料207，采用的方案优先为化学气相沉积法以及原子层沉积法，得到如图5C所示的结构。
C、填充绝缘材料208，绝缘材料208可以与绝缘材料204相同，也可以不同，并进行化学机械抛光，得到如图5D所示的结构，抛光后，去除了多余的绝缘材料，俯视图如图5E所示。可见得到的电极对209为环形的结构。图5D中的放大区域如图5F所示，在G-G方向的投影如图5G所示。
D、半导体回刻工艺，将电极材料上部的电极材料去除，并可选择地加大绝缘材料的开口210和211，如图5H和5I所示。
E、填充相变存储材料212，并进行化学机械抛光。
F、沉积电极，并进行光刻，获得上电极，上电极可以包含过渡层213和上层金属214，如图5J和5K所示，并且是相邻的位线215之间没有残留的相变存储材料。
显然作为步骤E)的替代，可以采用反应离子刻蚀法代替化学机械抛光，从而形成如图2所示的结构，在此就不再赘述。
这里本发明的描述和应用是说明性的，并非想将本发明的范围限制在上述实施例中。这里所披露的实施例的变形和改变是可能的，对于那些本领域的普通技术人员来说实施例的替换和等效的各种部件是公知的。本领域技术人员应该清楚的是，在不脱离本发明的精神或本质特征的情况下，本发明可以以其它形式、结构、布置、比例，以及用其它组件、材料和部件来实现。在不脱离本发明范围和精神的情况下，可以对这里所披露的实施例进行其它变形和改变。
Claims (18)
1.一种电阻转换存储器结构，其特征在于，包括：
多个选通单元和多个电阻转换存储单元；其中，每一个选通单元对应两个电阻转换存储单元；所述电阻转换存储单元包括上电极、下电极和夹在所述上、下电极之间的存储材料；所述存储材料与上、下电极的接触面积不等；所述下电极周围包覆有绝缘材料，下电极形成于该绝缘材料的夹缝中，其在垂直下电极表面方向的投影为条形，条形的长宽比大于3∶1；并且所述存储材料部分或者全部嵌在所述绝缘材料之中。
2.根据权利要求1所述一种电阻转换存储器结构，其特征在于：同一选通单元与对应的两个电阻转换存储单元的下电极相互连接。
3.根据权利要求1所述一种电阻转换存储器结构，其特征在于：所述选通单元为二极管，或为场效应晶体管，或为双极型晶体管。
4.根据权利要求1所述一种电阻转换存储器结构，其特征在于：所述存储材料与上电极的接触面积大于该存储材料与下电极的接触面积。
5.根据权利要求1所述一种电阻转换存储器结构，其特征在于：所述电阻转换存储单元在电信号的作用下实现单元电阻的可逆变化。
6.根据权利要求1所述一种电阻转换存储器结构，其特征在于：所述电阻转换存储单元为相变存储器存储单元，或为电阻随机存储器存储单元，或为含锑存储器存储单元。
7.根据权利要求1所述一种电阻转换存储器结构，其特征在于：所述电阻转换存储单元的数据存储类型为双级，或者双级以上。
8.根据权利要求1所述一种电阻转换存储器结构，其特征在于：所述垂直下电极表面方向的条形投影的长宽比大于5∶1。
9.根据权利要求1所述一种电阻转换存储器结构，其特征在于：所述垂直下电极表面方向的条形投影的长宽比大于10∶1。
10.一种电阻转换存储器结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
A、在基底上制造外围电路、字线和选通单元阵列；
B、在制造有外围电路、字线和选通单元阵列的基底上沉积绝缘材料甲，通过半导体工艺在绝缘材料甲上开槽，槽的深度直到选通单元的顶部，槽在基底上的投影与选通单元下方的字线相交，使每条槽覆盖在多个选通单元上方；
C、采用化学气相沉积法或者原子层沉积法在步骤B所得结构上沉积电极材料甲；
D、通过半导体工艺沿着字线的方向再次开槽，切断电极材料甲从而形成多个导电条，使不同字线选通单元上方的导电条之间电学绝缘；
E、在步骤D所得结构表面填充绝缘材料乙；
F、化学机械抛光，抛光深度足够到露出绝缘材料甲的顶部，如此便在绝缘材料甲与绝缘材料乙之间的夹缝中形成条形电极；
G、采用回刻工艺，去除条形电极上部的一部分电极材料甲，并加大条形电极顶部的开口；
H、在步骤G所得结构表面填充存储材料；
I、采用化学机械抛光工艺，去除多余的存储材料，只在开口内保留存储材料，得到的存储材料便嵌在绝缘材料内部；或者采用刻蚀工艺，使存储材料形成多个存储单元所需图形，得到的存储材料仅部分嵌在绝缘材料内；
J、制造上电极和位线阵列，以及引线，与外围电路连接，并进行钝化工艺。
11.根据权利要求10所述一种电阻转换存储器结构的制造方法，其特征在于：所述选通单元采用二极管，或场效应晶体管，或双极型晶体管。
12.根据权利要求10所述一种电阻转换存储器结构的制造方法，其特征在于：所述存储材料采用相变材料，或电阻随机存储材料，或含锑材料。
13.一种电阻转换存储器结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
A、在基底上制造外围电路、字线和选通单元阵列；
B、在制造有外围电路、字线和选通单元阵列的基底上沉积绝缘材料甲，通过半导体工艺在绝缘材料甲上开槽，槽的深度直到选通单元的顶部，槽在基底上的投影与选通单元下方的字线相交，使每条槽覆盖在多个选通单元上方；
C、采用化学气相沉积法或者原子层沉积法在步骤B所得结构上沉积电极材料甲；
D、在步骤C所得结构表面填充绝缘材料乙；
E、化学机械抛光，抛光深度足够到露出绝缘材料甲的顶部，如此便在绝缘材料甲与绝缘材料乙之间的夹缝中形成条形电极；
F、通过半导体工艺沿着字线的方向再次开槽，切断电极材料甲，使不同字线上方的各个选通单元对应的电极材料甲之间电学隔离；
G、在步骤F所得结构表面填充绝缘材料丙，并进行化学机械抛光，直到露出条形电极；
H、采用回刻工艺，去除条形电极上部的电极材料甲，并加大条形电极顶部的开口；
I、在步骤H所得结构表面填充存储材料；
J、采用化学机械抛光工艺，去除多余的存储材料，只在开口内保留存储材料，得到的存储材料便嵌在绝缘材料内部；或者采用刻蚀工艺，使存储材料形成多个存储单元所需图形，得到的存储材料仅部分嵌在绝缘材料内；
K、制造上电极和位线阵列，以及引线，与外围电路连接，并进行钝化工艺。
14.根据权利要求13所述一种电阻转换存储器结构的制造方法，其特征在于：所述选通单元采用二极管，或场效应晶体管，或双极型晶体管。
15.根据权利要求13所述一种电阻转换存储器结构的制造方法，其特征在于：所述存储材料采用相变材料，或电阻随机存储材料，或含锑材料。
16.一种电阻转换存储器结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
A、在基底上制造外围电路、字线和选通单元阵列；
B、在制造有外围电路、字线和选通单元阵列的基底上沉积绝缘材料甲，通过半导体工艺在绝缘材料甲上开多个方槽，方槽的深度直到选通单元的顶部，每个方槽将其下对应的选通单元露出，任意两个方槽不相连；
C、采用化学气相沉积法或者原子层沉积法在步骤B所得结构上沉积电极材料甲；
D、在步骤C所得结构表面填充绝缘材料乙；
E、化学机械抛光，抛光深度足够到绝缘材料甲上方，形成环形电极；
F、采用回刻工艺，去除环形电极上部的电极材料甲，并加大环形电极顶部的开口；
G、在步骤F所得结构表面填充存储材料；
H、采用化学机械抛光工艺，去除多余的存储材料，只在开口内保留存储材料，得到的存储材料便嵌在绝缘材料内部；或者采用刻蚀工艺，使存储材料形成多个存储单元所需图形，得到的存储材料仅部分嵌在绝缘材料内；
I、通过刻蚀，沿着垂直于字线方向开槽，切断同一选通管上方的存储材料，形成两部分存储材料；
J、制造上电极和位线阵列，以及引线，与外围电路连接，并进行钝化工艺。
17.根据权利要求16所述一种电阻转换存储器结构的制造方法，其特征在于：所述选通单元采用二极管，或场效应晶体管，或双极型晶体管。
18.根据权利要求16所述一种电阻转换存储器结构的制造方法，其特征在于：所述存储材料采用相变材料，或电阻随机存储材料，或含锑材料。
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