CN102135680A - 液晶显示装置和电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种液晶显示装置和电子设备。该液晶显示装置包括：元件基板，包括晶体管器件；对向基板，设置为隔着液晶层面对该元件基板；背光，设置在该元件基板的位于该对向基板相反侧的一侧；第一和第二测量部分，分别形成在该元件基板和该对向基板的位于该液晶层侧的表面上且用于测量该元件基板和该对向基板的结合位置之间的偏差；测量开口部分，设置在该第二测量部分侧；以及遮光层，设置在该元件基板和该第二测量部分之间，并且防止从该背光发射的光透射通过该测量开口部分。

Description

液晶显示装置和电子设备

技术领域

本发明涉及液晶显示装置和电子设备，更具体地，本发明涉及具有测量部分的液晶显示装置和电子设备，该测量部分形成在元件基板和对向基板的表面上，并且用于测量元件基板和对向基板的结合位置偏差。

背景技术

在现有技术中，已知具有形成在元件基板和对向基板的表面上且用于测量元件基板和对向基板的结合位置偏差的测量部分的液晶显示装置和电子设备(例如，见日本专利特开2000-250021号公报)。

在上述日本专利特开2000-250021号公报中，公开了一种液晶显示装置，该液晶显示装置包括：TFT侧玻璃基板(元件基板)；对向侧玻璃基板(对向基板)，设置为隔着液晶层面对TFT侧玻璃基板；用于TFT基板侧面板的对准标记(测量部分)，形成在TFT侧玻璃基板的表面上；用于对向基板侧面板的对准标记(测量部分)，形成在对向侧玻璃基板的表面上；以及背光，设置在TFT侧玻璃基板的位于液晶层相反侧的一侧。在该液晶显示装置中，在结合TFT侧玻璃基板和对向侧玻璃基板的工艺中，TFT侧玻璃基板和对向侧玻璃基板可通过彼此重叠TFT基板侧面板的对准标记和对向基板侧面板的对准标记而结合在一起。

发明内容

然而，在上述日本专利特开2000-250021号公报中公开的液晶显示装置中，具有这样的缺点，例如，当从背光发射的光从TFT侧玻璃基板朝着对向侧玻璃基板发射时，光在形成对准标记的部分被遮挡，但是光透射通过没有形成对准标记的部分。从而，当从背光发射的光透射通过没有形成对准标记的部分时，存在从对向侧玻璃基板侧发生光泄漏的问题。

因此，所希望的是提供能防止从背光发射的光从对向基板侧泄漏的液晶显示装置和电子设备。

根据本发明的实施例，所提供的液晶显示装置包括：元件基板，包括晶体管器件；对向基板，设置为隔着液晶层面对元件基板；背光，设置在元件基板的位于对向基板相反侧的一侧；第一测量部分，形成在元件基板的位于液晶层侧的表面上，并且用于测量元件基板和对向基板的结合位置偏差；第二测量部分，形成在对向基板的位于液晶层侧的表面上，并且用于测量元件基板和对向基板的结合位置偏差；测量开口部分，设置在第二测量部分侧；以及遮光层，设置在元件基板和第二测量部分之间，并且防止从背光发射的光透射通过测量开口部分。

根据如上所述的液晶显示装置，通过在元件基板第二测量部分之间设置遮光层以防止从背光发射的光透射通过测量开口部分，从背光发射的光被元件基板和第二测量部分之间设置的遮光层遮挡。从而，可以防止从背光发射的光从对向基板侧泄漏。

在上述液晶显示装置中，优选遮光层设置为在平面图中至少覆盖对应于测量开口部分的区域。在这样的构造中，从背光发射的光被遮光层遮挡，从而至少可以防止光透射通过测量开口部分。因此，可以可靠地防止从背光发射的光从测量开口部分泄漏。

在上述液晶显示装置中，优选第一测量部分和第二测量部分分别包括第一刻度层和第二刻度层，它们具有用于读取数值的刻度形状，并且在第一测量部分的位于背光相反侧的一侧的表面上，遮光层设置为具有反映构成第一测量部分的第一刻度层的形状的形状。在这样的构造中，可以读出反映第一刻度层形状的遮光层的外部形状(刻度形状)。从而，通过读取遮光层的外部形状(刻度)和第二刻度层，可以测量元件基板和对向基板的结合位置偏差。

优选地，上述液晶显示装置还包括形成在第一测量部分和遮光层之间的绝缘膜，其中绝缘膜形成有反映构成第一测量部分的第一刻度层的形状的形状，并且遮光层形成有反映绝缘膜的刻度的形状的形状，绝缘膜的刻度的形状反映了构成第一测量部分的第一刻度层的形状。在这样的构造中，还是在绝缘膜形成在第一测量部分和遮光层之间的情况下，可以读出遮光层的外部形状(刻度)。从而，通过读出遮光层和第二刻度层的外部形状，可以测量元件基板和对向基板的结合位置之间的偏差。

在上述具有包括第一刻度层的第一测量部分和包括第二刻度层的第二测量部分的液晶显示装置中，优选第一刻度层和第二刻度层在平面图中形成为梳齿形状，第一刻度层的位于背光相反侧的一侧的表面上形成的遮光层形成为在平面图中反映第一刻度层的刻度的形状的梳齿形状，遮光层的梳齿部分的宽度形成为大约等于第二刻度层的梳齿部分和梳齿部分之间的宽度，并且第一刻度层的梳齿部分的宽度小于遮光层的梳齿部分的宽度。在这样的构造中，通过读出在平面图中遮光层的梳齿部分重叠第二刻度层的梳齿部分和梳齿部分之间的间隔而没有任何间隙时的刻度上的位置，可以测量元件基板和对向基板的结合位置的偏差量。

在上述具有包括第一刻度层的第一测量部分和包括第二刻度层的第二测量部分的液晶显示装置中，优选晶体管器件包括栅极电极、源极电极和漏极电极，第一刻度层由与晶体管器件的栅极电极相同的金属层形成，并且遮光层由与晶体管器件的源极电极和漏极电极相同的金属层形成。在这样的构造中，与第一刻度层与晶体管器件的栅极电极分别形成的情况以及遮光层与晶体管器件的源极电极与和漏极电极分别形成的情况不同，可以抑制在制造第一刻度层和遮光层时制造工艺数量的增加。

在上述液晶显示装置中，遮光层优选设置在元件基板和第一测量部分之间，以防止从背光发射的光透射通过测量开口部分。在这样的构造中，从背光发射的光被元件基板和第一测量部分之间设置的遮光层遮挡，从而，可以防止光通过第一测量部分透射通过测量开口部分。另外，通过相对于第一测量部分设置遮光层到元件基板侧，第一测量部分和第二测量部分可以从对向基板侧的测量开口部分直接视觉识别。从而，通过采用第一测量部分和第二测量部分可以更加精确地测量元件基板和对向基板的结合位置之间的偏差。

在这样的情况下，优选第一测量部分和第二测量部分分别包括第一刻度层和第二刻度层，第一刻度层和第二刻度层具有用于读取数值的刻度形状，晶体管器件包括栅极电极、源极电极和漏极电极，第一刻度层由与晶体管器件的源极电极和漏极电极相同的金属层形成，并且遮光层由与晶体管器件的栅极电极相同的金属层形成。通过如上构造，与第一刻度层与晶体管器件的源极电极和漏极电极分开形成的情况以及遮光层与晶体管器件的栅极电极分开形成的情况不同，可以抑制在制造第一刻度层和遮光层时制造工艺数量的增加。

优选地，上述液晶显示装置包括设置在对向基板的位于背光侧的表面上的黑矩阵，其中第二测量部分由与黑矩阵相同的层形成。在这样的构造中，与第二测量部分和黑矩阵分开形成的情况不同，可以抑制在制造第二刻度层时制造工艺数量的增加。

根据本发明的另一个实施例，提供一种电子设备，该电子设备包括上述液晶显示装置的任何一个。根据上述电子设备，可获得包括能够防止从背光发射的光从对向基板侧泄漏的液晶显示装置的电子设备。

附图说明

图1是示出根据本发明实施例的液晶显示装置的示意性结构的概念图。

图2是示出比较示例的液晶显示装置的示意性结构的概念图。

图3是根据本发明第一实施例的液晶显示装置的平面图。

图4是根据本发明第一实施例的液晶显示装置的测量开口部分周边的平面图。

图5是根据本发明第一实施例的液晶显示装置的测量开口部分周边的放大平面图。

图6是沿着图4所示的200-200线剖取的截面图。

图7是沿着图4所示的300-300线剖取的截面图。

图8是沿着图5所示的400-400线剖取的截面图。

图9是根据本发明第二实施例的液晶显示装置的截面图。

图10是示出采用根据本发明第一和第二实施例的液晶显示装置的电子设备的第一示例的示意图。

图11是示出采用根据本发明第一和第二实施例的液晶显示装置的电子设备的第二示例的示意图。

图12是示出采用根据本发明第一和第二实施例的液晶显示装置的电子设备的第三示例的示意图。

具体实施方式

在下文，将参考附图描述本发明的实施例。

首先，在描述本发明的详细实施例前，参考图1和2，将与比较示例对比描述根据本发明实施例的液晶显示装置100的示意性结构(构成)。

根据本发明实施例的液晶显示装置100，如图1所示，包括TFT基板(元件基板)102和对向基板103，其间夹设有液晶层101。另外，背光104用于从TFT基板102侧发光到对向基板103侧，设置到TFT基板102的Z1方向侧。尽管图1中没有示出，但是在围绕根据本发明实施例的液晶显示装置100的显示区域的框架区域中，在平面图中具有刻度形状的TFT基板侧标记(第一测量部分(第一刻度层))105形成在TFT基板102的表面上。另外，在TFT基板侧标记105和TFT基板102的表面上，形成绝缘膜106。该绝缘膜106形成为反映TFT基板侧标记105的刻度形状的形状。在绝缘膜106的表面上，形成遮光层107。这里，在根据本发明实施例的液晶显示装置100中，遮光层107形成为防止从背光104发射的光透射通过对向基板侧标记108b的周边区域中形成的测量开口部分109。另外，遮光层107形成在TFT基板102上，以在平面图中覆盖(重叠)对应于TFT基板侧标记105、对向基板侧标记108b和测量开口部分109的区域，并且形成为大于测量开口部分109的开口面积。另外，遮光层107包括刻度部分107a，该刻度部分107a反映绝缘膜106的形状，而绝缘膜106的形状反映TFT基板侧标记105的刻度的形状。在遮光层107的表面上，形成绝缘膜110。

另外，在对向基板103的表面上(在Z1方向侧的表面上)，形成黑矩阵108a。在该黑矩阵108a中，设置用于测量TFT基板102和对向基板103的偏差的测量开口部分109。在对向基板103的表面上，用于测量TFT基板102和对向基板103的结合位置偏差的对向基板侧标记(第二测量部分(第二刻度层))108b与测量开口部分109对应地形成。对向基板侧标记108b形成为在平面图中与TFT基板侧标记105和遮光层107的刻度部分107a重叠。通过测量开口部分109检测遮光层107的刻度部分107a的刻度和对向基板侧标记108b的刻度偏差，实现了可测量TFT基板102和对向基板103的结合位置偏差的构造。另外，在对向基板侧标记108b和对向基板103的表面上形成覆盖层111。

在图1所示的示例中，遮光层107形成在TFT基板侧标记105和对向基板侧标记108b之间，以覆盖TFT基板侧标记105。然而，本发明不限于此。因此，遮光层107可以设置在TFT基板侧标记105和TFT基板102之间。在此情况下，在测量结合偏差时，不采用遮光层107而是采用TFT基板侧标记105和对向基板侧标记108b测量结合偏差。另外，这一点将在稍后描述的第二实施例中详细描述。

接下来，在本发明比较示例的液晶显示装置150中，如图2所示，TFT基板侧标记105形成在TFT基板102的表面上。另外，绝缘膜106形成在TFT基板侧标记105的表面上。对向基板103侧的构造类似于图1所示的根据本发明实施例的液晶显示装置100的构造。另外，比较示例的液晶显示装置150构造为TFT基板102和对向基板103的结合位置偏差可以由通过测量开口部分109检测TFT基板侧标记105的刻度和对向基板侧标记108b的刻度来测量。另外，在比较示例的液晶显示装置150的构造中，本发明实施例的遮光层107(见图1)没有形成在绝缘膜106的表面上。从而，从背光104发射的光透射通过测量开口部分109。

如上所述，图1所示的根据本发明实施例的液晶显示装置100，与图2所示的比较示例的液晶显示装置150不同，从背光104发射的光由遮光层107遮挡。从而，可以防止从测量开口部分109的光泄漏的发生。

在下文，将描述其中上述根据本发明的实施例的示意性构造更加具体化的实施例。

(第一实施例)

参考图3至8描述根据本发明第一实施例的液晶显示装置100a的构造。在第一实施例中，将描述本发明的实施例应用于垂直电场模式的液晶显示装置100a的情况。

根据第一实施例的液晶显示装置100a，如图3所示，包括具有大约矩形形状的TFT基板1和具有大约矩形形状的对向基板2。这里，TFT基板1是根据本发明实施例的“元件基板”的示例。TFT基板1和对向基板2通过密封构件3结合在一起，其间夹设有稍后描述的液晶层20。密封构件3沿着TFT基板1和对向基板2的外边缘部分涂敷。另外，在TFT基板1的表面上，设置用于驱动液晶显示装置100a的驱动IC 4。另外，TFT基板1和对向基板2包括显示区域5和框架区域6，显示区域5中设置多个像素，框架区域6形成为围绕显示区域5。在TFT基板1的Z1方向侧，设置背光7(见图6)。该背光7构造为从TFT基板1朝着对向基板2发光。

另外，作为显示区域5和框架区域6的详细截面结构，如图6所示，栅极电极8a在显示区域5中形成TFT基板1的表面上。另外，由与栅极电极8a相同的金属层形成的TFT基板侧标记8b在框架区域6中形成在TFT基板1的表面上。这里，TFT基板侧标记8b是根据本发明实施例的“第一测量部分”和“第一刻度层”的示例。如图4所示，TFT基板侧标记8b形成在TFT基板1的表面上的四个拐角，以沿X方向和Y方向延伸。另外，如图5所示，TFT基板侧标记8b在平面图中具有梳齿形状。TFT基板侧标记8b包括多个梳齿部分8c和多个连接部分8d，多个梳齿部分8c形成在X方向上，并且具有用于读取数值的刻度形状，多个连接部分8d形成在Y方向上，并且连接多个梳齿部分8c。如图4和5所示，诸如“-2”、“-1”、“0”、“+1”和“+2”等数字部分8e形成为靠近TFT基板侧标记8b。如图8所示，数字部分8e由与栅极电极8a(见图6)和TFT基板侧标记8b相同的金属层形成。

另外，在显示区域5中，在栅极电极8a和TFT基板1的表面上，形成包括由SiN等形成的栅极绝缘膜9a的绝缘膜9。另外，绝缘膜9在框架区域6中形成在TFT基板侧标记8b和TFT基板1的表面上。形成在TFT基板侧标记8b的表面上的绝缘膜9形成反映TFT基板侧标记8b的刻度形状的形状(梳齿形状)。另外，形成在数字部分8e的表面上的绝缘膜9形成反映数字部分8e的数值形状的形状(数值)。

另外，在显示区域5中，半导体层10形成为隔着绝缘膜9面对栅极电极8a。半导体层10由a-Si或n⁺Si形成。在半导体层10的上侧，形成源极电极11和漏极电极12。由栅极电极8a、绝缘膜9、半导体层10、源极电极11和漏极电极12构造薄膜晶体管13。

在第一实施例中，在框架区域6中，在TFT基板侧标记8b的表面上设置的绝缘膜9的表面上，设置稍后将描述的遮光层14a，该遮光层14a由与薄膜晶体管13的源极电极11和漏极电极12相同的金属层形成，并且用于防止从背光7发射的光透射通过测量开口部分21a。遮光层14a在平面图中设置在对应于TFT基板侧标记8b、对向基板侧标记21b和测量开口部分21a的区域中。另外，遮光层14a形成为反映TFT基板侧标记8b形状的形状。从而，遮光层14a具有对应于TFT基板侧标记8b的刻度部分14b。此外，如图5所示，刻度部分14b包括对应于TFT基板侧标记8b的梳齿部分8c的梳齿部分14c和对应于连接部分8d的连接部分14d。TFT基板侧标记8b的梳齿部分8c的宽度W1小于遮光层14a的刻度部分14b的梳齿部分14c的宽度W2。

另外，如图4所示，遮光层14a形成为近似“L”形状，并且在平面图中形成为覆盖形成在Y方向上的TFT基板侧标记8b和形成在X方向上的TFT基板侧标记8b。如图6所示，遮光层14a形成在绝缘膜9上以在平面图中覆盖(重叠)对应于测量开口部分21a的区域，并且形成为面积大于测量开口部分21a的开口面积。通过读出遮光层14a的刻度部分14b和对向基板侧标记21b之间的偏差，实现了可以测量TFT基板1和对向基板2的结合位置偏差的构造。另外，在形成于数字部分8e的表面上的绝缘膜9的表面上形成的遮光层14a中，形成反映数字部分8e的数值形状的形状的数字部分14e(见图5)。

另外，在显示区域5中，由SiN等形成的钝化膜15形成为覆盖源极电极11和漏极电极12。在钝化膜15中，形成接触孔15a。在框架区域6中，与显示区域5形成的钝化膜15相同的层(钝化膜15)形成在遮光层14a的表面上。

在显示区域5中，由光敏丙烯酸树脂形成的平坦化膜(OVL)16形成在钝化膜15的表面上。在平坦化膜16中，形成接触孔16a。另外，在框架区域6中，与显示区域5中形成的平坦化膜16相同的层(平坦化膜16)形成在钝化膜15的表面上。

另外，在显示区域5中，由ITO(铟锡氧化物)或IZO(铟锌氧化物)等形成的透明电极形成的像素电极17形成在平坦化膜16的表面上。在接触部分12a中，像素电极17和漏极电极12通过钝化膜15的接触孔15a和平坦化膜16的接触孔16a彼此结合。另外，在像素电极17的表面上，形成取向膜18，取向膜18由聚酰亚胺等形成的有机膜形成。另外，在框架区域6中，与显示区域5中形成的取向膜18相同的层(取向膜18)形成在平坦化膜16的表面上。

对向基板2设置为面对TFT基板1，其间插设有液晶层20。在显示区域5中，由树脂等形成的黑矩阵(BM)21c形成在对向基板2的Z1方向侧的表面上。另外，在框架区域6中，用于测量TFT基板1和对向基板2之间的偏差的测量开口部分21a设置在黑矩阵21c中。如图3所示，测量开口部分21a在对应于框架区域6中对向基板2的四个拐角的部分中形成为近似“L”形状。在TFT基板1的对应于测量开口部分21a的表面区域中，形成遮光层14a的刻度部分14b，并且，在对向基板2的对应于测量开口部分21a的区域中，形成对向基板侧标记21b。另外，实现了遮光层14a的对应于TFT基板侧标记8b的刻度部分14b和对向基板侧标记21b可以从测量开口部分21a视觉识别的构造。

另外，如图6所示，在框架区域6中，对向基板侧标记21b形成在对向基板2的表面上。这里，对向基板侧标记21b是根据本发明实施例的“第二测量部分”和“第二刻度层”的示例。对向基板侧标记21b由与黑矩阵21c相同的层形成，黑矩阵21c形成在显示区域5中对向基板2的Z1方向侧的表面上。另外，如图3和4所示，对向基板侧标记21b形成在对向基板2的四个拐角上，以沿着X方向和Y方向延伸。另外，如图5所示，对向基板侧标记21b在平面图上看具有梳齿形状。对向基板侧标记21b包括形成在X方向上并且具有用于读取数值的刻度形状的多个梳齿部分21d，以及形成在Y方向上并且连接多个梳齿部分21d的多个连接部分21e。

对向基板侧标记21b在梳齿部分21d和梳齿部分21d之间的宽度W3与遮光层14a的刻度部分14b的梳齿部分14c的宽度W2近似相同。对向基板侧标记21b的连接部分21e和遮光层14a的刻度部分14b在平面图上看设置为在X方向上彼此偏离的状态。如图5所示，对向基板侧标记21b在梳齿部分21d和梳齿部分21d之间的宽度W3形成为与遮光层14a的在梳齿部分14c和梳齿部分14c之间的宽度W4不同。换言之，对向基板侧标记21b的梳齿部分21d的间距和遮光层14a的梳齿部分14c的间距形成为彼此不同。从而，通过读出遮光层14a的梳齿部分14c与对向基板侧标记21b的梳齿部分21d和梳齿部分21d之间的间隔重叠而没有任何间隙的刻度上的位置，可以测量TFT基板1和对向基板2的结合位置之间的偏差量。如图6所示，在遮光层14a的梳齿部分14c没有间隙地与对向基板侧标记21b的梳齿部分21d和梳齿部分21d之间的间隔重叠的情况下，从背光7发射的光可以由对应于测量开口部分21a的区域中设置的遮光层14a遮挡。另外，如图7所示，还是在TFT基板侧标记8b和对向基板侧标记21b设置为在平面图上看彼此重叠的情况下，从背光7发射的光可以由在对应于测量开口部分21a的区域中设置的遮光层14a遮挡。

另外，如图6所示，在显示区域5中，包括R(红)、G(绿)和B(蓝)等颜色的滤色器(CF)22形成在黑矩阵21c的表面上。在滤色器22的表面上，形成覆盖层(OVC)23，覆盖层(OVC)23由丙烯酸基光敏树脂形成，并且用作保护层。另外，在框架区域6中，与显示区域5中形成的覆盖层23相同的层形成在对向基板侧标记21b和对向基板2的表面上。

另外，在显示区域5中，公用电极24由ITO(铟锡氧化物)或IZO(铟锌氧化物)等透明电极构造，形成在覆盖层23的表面上。在公用电极24的表面上，形成由树脂形成的光间隔物(photo spacer，PS)25。光间隔物25具有调整单元间隙(TFT基板1和对向基板2之间的距离)的功能。另外，在光间隔物25和公用电极24的表面上，形成由聚酰亚胺等形成的取向膜26。在框架区域6中，与显示区域5中形成的取向膜26相同的层(取向膜26)形成在覆盖层23的表面上。

接下来，将参考附图5描述读出TFT基板侧标记8b和对向基板侧标记21b的刻度的操作。

为了测量TFT基板1和对向基板2的结合位置偏差，读出一部分的数值，在该部分中，遮光层14a的刻度部分14b的梳齿部分14c在平面图上看没有任何间隙地与对向基板侧标记21b的梳齿部分21d和梳齿部分21d之间的间隔重叠。例如，在图5所示的状态下，遮光层14a的刻度部分14b的梳齿部分14c没有任何间隙地与对向基板侧标记21b的梳齿部分21d和梳齿部分21d之间的间隔重叠的部分的数值为“0”。从而TFT基板1和对向基板2之间的偏差量确定为“0”。

根据第一实施例，如上所述，通过设置遮光层14a以在平面图中覆盖对应于测量开口部分21a和对向基板侧标记21b的区域，从背光7发射的光由TFT基板1和对向基板侧标记21b之间设置的遮光层14a遮挡。从而，它能防止从背光7发射的光从对向基板2侧泄漏。

另外，根据第一实施例，如上所述，通过设置遮光层14a以具有反映TFT基板侧标记8b的表面上的TFT基板侧标记8b的形状的形状，可以读出反映TFT基板侧标记8b形状的遮光层14a的刻度部分14b。从而，通过读出遮光层14a的刻度部分14b和对向基板侧标记21b(刻度)，可以测量TFT基板1和对向基板2的结合位置偏差。

另外，根据第一实施例，如上所述，通过形成绝缘膜9以具有反映TFT基板侧标记8b形状的形状，并且形成遮光层14a以具有反映绝缘膜9的刻度形状的形状，在绝缘膜9中反映了TFT基板侧标记8b的形状，即使在绝缘膜9形成在TFT基板侧标记8b和遮光层14a之间的情况下，也可读出遮光层14a的刻度部分14b。从而，通过读出遮光层14a的刻度部分14b和对向基板侧标记21b，可以测量TFT基板1和对向基板2的结合位置偏差。

另外，根据第一实施例，如上所述，通过构造遮光层14a的梳齿部分14c的宽度W2近似等于对向基板侧标记21b的在梳齿部分21d和梳齿部分21d之间的宽度W3，并且构造TFT基板侧标记8b的梳齿部分8c的宽度W1小于遮光层14a的梳齿部分14c的宽度W2，通过读出遮光层14a的梳齿部分14c没有任何间隙地与对向基板侧标记21b的梳齿部分21d和梳齿部分21d之间的间隔重叠的刻度上的位置，可以测量TFT基板1和对向基板2的结合位置之间的偏差量。

另外，根据第一实施例，如上所述，通过由与薄膜晶体管13的栅极电极8a相同的金属层形成TFT基板侧标记8b，并且通过由与薄膜晶体管13的源极电极11和漏极电极12相同的金属层形成遮光层14a，与TFT基板侧标记8b和薄膜晶体管13的栅极电极8a分开形成的情况以及遮光层14a和薄膜晶体管13的源极电极11及漏极电极12分开形成的情况不同，可以抑制在制造TFT基板侧标记8b和遮光层14a时的制造工艺数量的增加。

另外，根据第一实施例，如上所述，通过由与黑矩阵21c相同的层形成对向基板侧标记21b，与对向基板侧标记21b和黑矩阵21c分开形成的情况不同，可以抑制在制造对向基板侧标记21b时制造工艺数量的增加。

(第二实施例)

接下来，将参考图9描述本发明的第二实施例。在该第二实施例中，与第一实施例中遮光层形成在TFT基板侧标记的表面上不同，TFT基板侧标记形成在遮光层的表面上。

在根据第二实施例的液晶显示装置100b中，遮光层208b形成在TFT基板1的表面上。另外，遮光层208b形成为覆盖对应于位于对向基板2侧的测量开口部分21a和对向基板侧标记21b的整个区域。从而，可以防止从背光发射的光透射通过测量开口部分21a。该遮光层208b由与根据上述第一实施例的薄膜晶体管13的栅极电极8a相同的金属层形成。另外，在遮光层208b的表面上，隔着绝缘膜9形成TFT基板侧标记214a。TFT基板侧标记214a的刻度可以从测量开口部分21a直接视觉识别。这里，TFT基板侧标记214a是根据本发明实施例的“第一测量部分”和“第一刻度层”的示例。

另外，TFT基板侧标记214a的宽度W5近似等于对向基板侧标记21b和对向基板侧标记21b之间的间隔(宽度)W6。TFT基板侧标记214a和TFT基板侧标记214a之间的间隔(宽度)W7大于对向基板侧标记21b和对向基板侧标记21b之间的间隔(宽度)W6。换言之，TFT基板侧标记214a的间距和对向基板侧标记21b的间距形成为彼此不同。从而，通过从测量开口部分21a直接读出TFT基板侧标记214a没有任何间隙地与对向基板侧标记21b和对向基板侧标记21b之间的间隔重叠位置的刻度，可以测量TFT基板1和对向基板2的结合位置的偏差量。第二实施例的其它构造与上述第一实施例的相同。

根据第二实施例，如上所述，通过设置遮光层208b在TFT基板1和TFT基板侧标记214a之间以防止从背光7发射的光透射通过测量开口部分21a，从背光7发射的光由TFT基板1和TFT基板侧标记214a之间设置的遮光层208b遮挡。从而，防止了光通过TFT基板侧标记214a透射通过测量开口部分21a。另外，通过相对于TFT基板侧标记214a设置遮光层208b到TFT基板1侧，TFT基板侧标记214a和对向基板侧标记21b可以从位于对向基板2侧的测量开口部分21a直接视觉识别。因此，通过利用TFT基板侧标记214a和对向基板侧标记21b，可以更加精确地测量TFT基板1和对向基板2的结合位置之间的偏差。

另外，根据第二实施例，如上所述，通过由与薄膜晶体管13的源极电极11和漏极电极12相同的金属层形成TFT基板侧标记214a，并且由与薄膜晶体管13的栅极电极8a相同的金属层形成遮光层208b，与TFT基板侧标记214a和薄膜晶体管13的源极电极11及漏极电极12分开形成的情况以及遮光层208b和薄膜晶体管13的栅极电极8a分开形成的情况不同，可以抑制在制造TFT基板侧标记214a和遮光层208b时制造工艺数量的增加。

(应用示例)

图10至12是描述分别采用上述根据本发明实施例的液晶显示装置100和根据第一和第二实施例的液晶显示装置100a和100b的电子设备的第一至第三示例的示意图。将参考图10至12描述采用根据本发明实施例的液晶显示装置100和根据第一和第二实施例的液晶显示装置100a和100b的电子设备。

如图10至12所示，根据本发明实施例的液晶显示装置100以及根据第一和第二实施例的液晶显示装置100a和100b可以应用于PC(个人计算机)500作为第一示例、移动电话600作为第二示例以及个人数字助理(PDA)700作为第三示例，等等。

在图10所示的第一示例的PC500中，根据本发明实施例的液晶显示装置100以及根据第一和第二实施例的液晶显示装置100a和100b可以用在诸如键盘的输入单元510和显示屏520等中。在图11所示的第二示例的移动电话600中，根据本发明实施例的液晶显示装置100以及根据第一和第二实施例的液晶显示装置100a和100b用在显示屏610中。在图12所示的第三示例的个人数字助理700中，根据本发明实施例的液晶显示装置100以及根据第一和第二实施例的液晶显示装置100a和100b用在显示屏710中。

这里公开的实施例在所有方面是示例性的，而不应视为限制的目的。本发明的范围不是由上述实施例的描述限制，而是由所附权利要求限制，并且该范围中包括与所附权利要求等同的意义和范围内的所有变化。

例如，在上述的第一和第二实施例中，采用垂直电场模式的示例示出为示例。然而，本发明不限于此。在本发明的实施例中，可以采用垂直电场之外的平面内转换模式的液晶显示装置。

根据上述的第一和第二实施例，分别示出了采用TFT基板侧标记和对向基板侧标记的示例作为第一测量部分和第二测量部分的示例。然而，本发明不限于此。例如，标记之外的测量部分可以用作根据本发明实施例的第一测量部分和第二测量部分。

另外，在上述的第一和第二实施例中，示出了遮光层由金属层形成的示例。然而，本发明不限于此。例如，遮光层可以由树脂等形成。

另外，在上述的第一实施例中，示出了遮光层由与源极电极和漏极电极相同的金属层形成的示例。然而，本发明不限于此。例如，遮光层可以由与源极电极和漏极电极的层不同的金属层形成。

另外，在上述的第一实施例中，示出了遮光层形成在对应于TFT基板侧标记和测量开口部分的区域中的示例，并且在上述的第二实施例中，示出了遮光层形成在整个面上的示例。然而，本发明不限于此。例如，遮光层可以仅形成在对应于其中没有形成TFT基板侧标记和对向基板侧标记的测量开口部分的区域中。另外，在上述的第一实施例中，在遮光层仅形成在对应于测量开口部分的区域中的情况下，TFT基板侧标记8b的宽度构造为等于对向基板侧标记21b和对向基板侧标记21b之间的间隔，并且通过采用TFT基板侧标记8b和对向基板侧标记21b测量结合偏差。

另外，在第二实施例中，示出了遮光层由与栅极电极相同的金属层形成的示例。然而，本发明不限于此。例如，遮光层可以由树脂等形成。

另外，在第二实施例中，示出了TFT基板侧标记由与源极电极和漏极电极相同的金属层形成的示例。然而，本发明不限于此。例如，TFT基板侧标记可以由与源极电极和漏极电极的层不同的金属层形成。

另外，在上述第一和第二实施例中，示出了对向基板侧标记由与黑矩阵相同的层形成的示例。然而，本发明不限于此。例如，对向基板侧标记可以由与黑矩阵不同的层形成。

本申请包含2010年1月27日提交日本专利局的日本优先权专利申请JP2010-015109中公开的相关主题，其全部内容通过引用结合于此。

本领域的技术人员应当理解的是，在所附权利要求或其等同方案的范围内，根据设计需要和其他因素，可以进行各种修改、结合、部分结合和替换。

Claims (10)

1.一种液晶显示装置，包括：

元件基板，包括晶体管器件；

对向基板，设置为隔着液晶层面对该元件基板；

背光，设置在该元件基板的位于该对向基板相反侧的一侧；

第一测量部分，形成在该元件基板的位于该液晶层侧的表面上，并且用于测量该元件基板和该对向基板的结合位置之间的偏差；

第二测量部分，形成在该对向基板的位于该液晶层侧的表面上，并且用于测量该元件基板和该对向基板的结合位置之间的偏差；

测量开口部分，设置在该第二测量部分侧；以及

遮光层，设置在该元件基板和该第二测量部分之间，并且防止从该背光发射的光透射通过该测量开口部分。

2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中该遮光层设置为在平面图中至少覆盖对应于该测量开口部分的区域。

3.根据权利要求1或2所述的液晶显示装置，

其中该第一测量部分和该第二测量部分分别包括第一刻度层和第二刻度层，该第一刻度层和该第二刻度层具有用于读取数值的刻度形状，并且

其中该遮光层在该第一测量部分位于该背光相反侧的一侧的表面上设置为具有反映构成该第一测量部分的该第一刻度层的形状的形状。

4.根据权利要求3所述的液晶显示装置，还包括：

绝缘膜，形成在该第一测量部分和该遮光层之间，

其中该绝缘膜形成为其形状反映构成该第一测量部分的该第一刻度层的形状，并且

其中该遮光层形成为其形状反映该绝缘膜的刻度的形状，该绝缘膜的刻度的形状反映构成该第一测量部分的该第一刻度层的形状。

5.根据权利要求3或4所述的液晶显示装置，

其中该第一刻度层和该第二刻度层在平面图中形成梳齿形状，

其中该遮光层形成在该第一刻度层的位于该背光相反侧的一侧的表面上，且在平面图中，形成为反映该第一刻度层的刻度的形状的梳齿形状，

其中该遮光层的梳齿部分的宽度形成为约等于该第二刻度层的梳齿部分和梳齿部分之间的宽度，并且

其中该第一刻度层的梳齿部分的宽度小于该遮光层的梳齿部分的宽度。

6.根据权利要求3或4所述的液晶显示装置，

其中该晶体管器件包括栅极电极、源极电极和漏极电极，

其中该第一刻度层由与该晶体管器件的栅极电极相同的金属层形成，并且

其中该遮光层由与该晶体管器件的源极电极和漏极电极相同的金属层形成。

7.根据权利要求1或2所述的液晶显示装置，其中该遮光层设置在该元件基板和该第一测量部分之间，以防止从该背光发射的光透射通过该测量开口部分。

8.根据权利要求7所述的液晶显示装置，

其中该第一测量部分和该第二测量部分分别包括第一刻度层和第二刻度层，该第一刻度层和该第二刻度层具有用于读取数值的刻度形状，

其中该晶体管器件包括栅极电极、源极电极和漏极电极，

其中该第一刻度层由与该晶体管器件的源极电极和漏极电极相同的金属层形成，并且

其中该遮光层由与该晶体管器件的栅极电极相同的金属层形成。

9.根据权利要求1至4中的任何一项所述的液晶显示装置，还包括：

黑矩阵，设置在该对向基板的位于该背光侧的表面上，

其中该第二测量部分由与该黑矩阵相同的层形成。

10.一种电子设备，包括：

根据权利要求1至4中的任何一项所述的液晶显示装置。

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