CN102134741A - 用于拉伸具有直径保持不变的区段的硅单晶的方法 - Google Patents

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Abstract

用于拉伸具有直径保持不变的区段的硅单晶的方法，其包括：以单位为[mm/min]的预定的预期拉伸速率vp拉伸单晶；及以不长于(2×18mm)/vp的周期T校正直径波动的方式，通过调节第一加热源的加热功率而调节直径保持不变的区段内的单晶直径至预定的预期直径，所述第一加热源将热量导入单晶以及熔体与单晶临界的区域并设置在熔体上方。

Description

用于拉伸具有直径保持不变的区段的硅单晶的方法
技术领域
本发明涉及用于拉伸具有直径保持不变的区段的硅单晶的方法。在以特定的拉伸速率vp从坩埚中所含的熔体提升单晶体种晶的同时，使单晶生长。该方法的目的是获得具有预定的预期直径的、尽可能长的圆柱体区段的硅单晶，其适合于被进一步加工成半导体晶片。熔体中的温度波动改变单晶生长的结晶速率v。若拉伸速率vp与结晶速率v不相符，则单晶的直径发生改变。因此需要通过调节直径使由熔体中的温度波动引起的相对于预期直径的直径偏差最小化。
背景技术
通过调节拉伸速率vp和/或利用围绕坩埚设置的加热源将热量导入熔体而修正相对于预期直径的偏差，从而可以在独立考虑的情况下令人满意地满足使直径保持不变的区段的直径相对于预期直径的偏差尽可能小的要求。若同时期望在生长的单晶与熔体之间的相界面处的结晶速率v与轴向温度梯度G的比例v/G必须保持在窄的范围内，则明显更难以满足该要求。这通常是所期望的，因为v/G对于究竟是空位(“vacancies”)还是硅间隙原子(“interstitials”)作为固有点缺陷在单晶中占主要地位是决定性的。在过饱和时，空位或硅间隙原子聚集成为更大的单元，并形成缺陷，如FPDs(流动图案缺陷“flow pattern defects”)或Lpits(大蚀刻坑“large etch pits”)。通常必须避免形成这些缺陷，但是这仅在拉伸直径保持不变的区段期间v/G保持在尽可能窄的界限内时才能实现。因为一方面拉伸速率vp与由熔体中的温度波动引起的改变的结晶速率v的适应容易导致离开v/G的窄的界限，另一方面通过改变由围绕坩埚设置的加热源将热量导入熔体的量而校正改变的结晶速率v从而导致相对于预期直径的偏差，所以直径保持不变的区段的直径符合预期直径的要求与使v/G保持在窄的界限内的要求产生矛盾。因此，难以将直径调节至预期直径，而无需忽略v/G的调节，反之亦然。
EP 1 541 721A1描述了用于调节直径的措施和用于调节v/G的措施，但是无法解决所述的矛盾。
发明内容
本发明的目的在于提供改进的方法，其包括有效地调节直径，并同时因此可靠地避免必须接受非期望的缺陷的形成，如FPDs或Lpits。
该目的是通过用于拉伸具有直径保持不变的区段的硅单晶的方法实现的，其包括：
以单位为[mm/min]的预定的预期拉伸速率vp拉伸单晶；及
以不长于(2×18mm)/vp的周期T校正直径波动的方式，通过调节第一加热源的加热功率而调节直径保持不变的区段内的单晶直径至预定的预期直径，所述第一加热源将热量导入单晶以及熔体与单晶临界的区域并设置在熔体上方。
与EP 1 541 721A1中所述方法不同，本发明方法省略了将拉伸速率vp用作调节圆柱体区段的直径的操纵变量。以此方式避免了由于调节直径而导致的拉伸速率vp与结晶速率v之间的偏差。作为代替，利用第一加热源的加热功率调节直径，所述第一加热源将热量导入单晶以及熔体与单晶临界的区域并设置在熔体上方。
EP 0 866 150A1披露了此类加热源的使用导致沿着相界面的轴向温度梯度G是均匀的。
EP 0 926 270A1披露了此类加热源的使用适合于减小直径波动和拉伸速率的波动。
若同样地考虑这两篇文献，则有理由证明将通过调节拉伸速率vp而调节直径的方式代替为与此不同的将设置在熔体上方的加热源的加热功率用作操纵变量的调节方式仍然无法解决所述矛盾。因为根据EP 0 866 150A1所述加热源的使用还导致轴向温度梯度G的改变及因此用于确定缺陷特性的比例v/G的改变。
但是如本发明的发明人所发现，若以不长于(2×18mm)/vp的周期T校正直径波动，则对于比例v/G的影响不会导致不利的后果。若遵守该条件，则通过扩散和相互消除而减少固有点缺陷的浓度差。若周期更长，则空位过量的区域所达到的长度导致硅间隙原子约为18mm的扩散长度不足以实现相互消除。
下面借助附图更详细地阐述本发明。
附图说明
图1所示为从坩埚3中所含的熔体2拉伸硅单晶1的直径保持不变的区段(圆柱体区段)时的状况。
图2所示为拉伸速率vp、在熔体上方设置的第一加热源的加热功率LstR及围绕坩埚设置的第二加热源的加热功率LstF的典型的预定曲线。
图3所示为由热扰动引起的结晶速率v的改变以及作为对此作出的反应通过调节第一加热源的加热功率进行的校正如何影响固有点缺陷的形成。
图4所示为由于调节第一加热源的加热功率作为对于所实施的热扰动的反应而导致的结晶速率v在直径保持不变的区段内的单晶长度上的波动。
图5所示为一个优选的根据本发明的实施方案。
具体实施方式
图1所示为从坩埚3中所含的熔体2拉伸硅单晶1的直径保持不变的区段(圆柱体区段)时的状况。所示的炉构造(“热区”)特别适合于实施本发明。其包括在熔体2上方且围绕生长的单晶1设置的第一加热源4、围绕单晶1且围绕第一加热源4设置的对单晶1屏蔽热辐射的挡热板5、在第一加热源4上方且围绕单晶1设置的用于冷却单晶1的装置6、用于在熔体2上产生和施加磁场优选CUSP场的装置7以及围绕坩埚3设置的第二加热源8。第一加热源4的底面与熔体2的表面之间的距离D优选为30至70mm。单晶1的侧面与第一加热源4的内表面之间的距离d优选为10至50mm。
未示出的调节系统包括具有用于光学测量直径的照相机和图像加工的单元、在所检测的相对于预期直径的直径偏差的情况下用于调节第一加热源4的加热功率的PID调节器以及在所检测的第一加热源4的加热功率相对于预定曲线的偏差的情况下用于调节第二加热源8的加热功率的PID调节器。
图2所示为拉伸速率vp、在熔体上方设置的第一加热源的加热功率LstR及围绕坩埚设置的第二加热源的加热功率LstF的典型的预定曲线。选择预定曲线，使得比例v/G在拉伸单晶的圆柱体区段时在无扰动的进程中保持尽可能恒定，并优选具有不会导致固有点缺陷积聚的数值。借助商用模拟程序可以对于预定的炉构造确定轴向温度梯度G随时间的发展情况。同样地借助评估试验性拉伸的单晶的纵截面内的缺陷分布情况。
熔体内的温度波动尤其是在拉伸单晶的直径保持不变的区段开始时产生的，其原因通常是对流，该温度波动是热扰动，其改变结晶速率v并且在不进行校正性干预的情况下还导致单晶直径的改变。将直径调节至预期直径进而还校正由该热扰动导致的结晶速率v相对于预定结晶速率的偏差。根据本发明，通过将第一加热源的加热功率作为用于调节直径的调节器的操纵变量加以改变，具体而言以不长于(2×18mm)/vp的周期T校正直径波动，从而在产生此类扰动时进行校正性干预。宽度平均为±1kW的功率带通常足以调节直径。第一加热源的尺寸优选使其可以最高25kW的峰值功率释放热量。
图3所示为由热扰动引起的结晶速率v的改变以及作为对此作出的反应通过调节第一加热源的加热功率进行的校正如何影响固有点缺陷的形成，条件是对于无扰动的情况选择拉伸速率vp的预定曲线、第一加热源的加热功率LstR的预定曲线及第二加热源的加热功率LstF的预定曲线，从而使得比例v/G对应于一个临界值，在该临界值时不会过量形成空位和硅间隙原子。所述调节过程于是导致结晶速率v及因此比例v/G的周期性波动。结晶速率v的波动导致交替地形成空位过量的晶体区域V和硅间隙原子过量的晶体区域I。在单晶生长方向上的晶体区域的长度大约对应于在波动的半周期期间生长的晶体长度。因此，在图3中由双箭头所示的点缺陷的扩散可以充分地通过相互消除而减少过量情况，一个晶体区域的长度应当不大于扩散长度或18mm。为了确保这一点，必须以一个时间常数通过调节第一加热源的加热功率而调节直径，该时间常数足够短，从而对于预定的拉伸速率vp获得一个持续时间，在此持续时间中晶体区域不会达到超过18mm的长度。其条件是周期T不长于(2×18mm)/vp[min]。根据本发明实施的直径调节对轴向温度梯度G的影响在短时间内是小的，尤其是对在生长的单晶的中心的轴向温度梯度G的影响。因为通过向着单晶边缘的径向扩散而减少所述点缺陷的过量情况，所以在单晶边缘附近的轴向温度梯度的改变有利于形成一种固有点缺陷，不会产生不利影响。
图4所示为由于调节第一加热源的加热功率作为对于所实施的热扰动的反应而导致的结晶速率v在直径保持不变的区段内的单晶长度上的波动。结晶速率v围绕与预期直径成比例的预定结晶速率以确定的振幅和频率波动，在该预定结晶速率下不会出现固有点缺陷过量的情况。向着更高结晶速率的偏差产生其中空位占主要地位的晶体区域V，而向着更低结晶速率的偏差产生其中硅间隙原子占主要地位的晶体区域I。根据本发明调节直径及由此调节结晶速率v，从而使周期T不长于(2×18mm)/vp[min]。因此，以一个时间常数进行调节，该时间常数足够短，从而无法生长其中一种固有点缺陷占主要地位并且长度超过18mm的晶体区域。
通过调节围绕坩埚设置的第二加热源的加热功率LstF而调节在直径保持不变的区段内的单晶直径，这不适合作为可选的方案。由坩埚和熔体形成的热质量避免对于热扰动作出足够迅速的反应。但是有利地及因此优选地，尤其是在更长的时间段内持续存在偏差的情况下，考虑将第二加热源的加热功率LstF作为用于后期调节第一加热源的加热功率LstR相对于预定曲线的偏差的操纵变量。然后其还表示为比例v/G在单晶中心的扰动。虽然固有点缺陷径向扩散，但是无法消除所述扰动。例如在第一加热源的加热功率相对于预定曲线的偏差平均存在长于(2×18mm)/vp[min]的情况下，通过改变第二加热源的加热功率而修正所述偏差，从而实施所述后期调节。
实施例：
选择拉伸速率vp的预定曲线、第一加热源的加热功率LstR的预定曲线及第二加热源的加热功率LstF的预定曲线，从而在无扰动的进程中不发生FPDs或Lpits形式的固有点缺陷的积聚，利用这些预定曲线拉伸预期直径为305mm的硅单晶。第一加热源4的底面与熔体2的表面之间的距离D为50mm，而单晶1的侧面与第一加热源4的内表面之间的距离d为30mm(图1)。在对应于直径保持不变的区段的确定的生长的长度L的晶体生长期间的不同时间点，通过在长度150mm及400mm处将第二加热源的加热功率LstF跳跃性降低1kW(扰动1和2)以及在长度650mm及900mm处跳跃性升高1kW(扰动3和4)(图5)，从而在熔体中引发热扰动。
对于导致直径改变的这些热扰动作出的反应涉及在扰动1和3的情况下在长度150mm和650mm处调节拉伸速率vp及在扰动2和4的情况下在长度400mm和900mm处调节第一加热源的加热功率LstR，其中在通过LstR进行调节时以小于(2×18mm)/vp的周期T校正直径波动。
在图5所示的结果中，在通过调节拉伸速率vp而调节直径时，仅在对于扰动1和3作出反应的情况下FPDs和Lpits形式的固有点缺陷发生非期望的积聚。

Claims (2)

1.用于拉伸具有直径保持不变的区段的硅单晶的方法，其包括：
以单位为[mm/min]的预定的预期拉伸速率vp拉伸单晶；及
以不长于(2×18mm)/vp的周期T校正直径波动的方式，通过调节第一加热源的加热功率而调节直径保持不变的区段内的单晶直径至预定的预期直径，所述第一加热源将热量导入单晶以及熔体与单晶临界的区域并设置在熔体上方。
2.根据权利要求1的方法，其包括：
通过用于将热量导入单晶及熔体的、围绕包含熔体的坩埚设置的第二加热源的加热功率调节第一加热源的加热功率。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103834991A (zh) * 2014-03-10 2014-06-04 马鞍山明鑫电气科技有限公司 无温度信号处理开环式功率自控晶体生长控制方法
CN111020691A (zh) * 2019-12-03 2020-04-17 徐州鑫晶半导体科技有限公司 拉制晶棒的系统和控制方法
CN113302344A (zh) * 2019-01-28 2021-08-24 Pva特普拉股份公司 用于从熔体拉制柱形的晶体的方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012204000A1 (de) 2012-03-14 2013-09-19 Siltronic Ag Ringförmiger Widerstandsheizer und Verfahren zum Zuführen von Wärme zu einem kristallisierenden Einkristall
DE102013210687B4 (de) 2013-06-07 2018-12-06 Siltronic Ag Verfahren zur Regelung des Durchmessers eines Einkristalls auf einen Solldurchmesser
CN107151817A (zh) * 2016-03-03 2017-09-12 上海新昇半导体科技有限公司 单晶硅的生长方法及其制备的单晶硅锭
DE102019211609A1 (de) 2019-08-01 2021-02-04 Siltronic Ag Verfahren zum Ziehen eines Einkristalls aus Silizium gemäß der Czochralski-Methode aus einer Schmelze

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1344335A (zh) * 1999-03-22 2002-04-10 Memc电子材料有限公司 生长处理中控制硅晶体直径的方法与装置
CN1396965A (zh) * 2000-02-01 2003-02-12 Memc电子材料有限公司 用于控制硅晶体生长使生长速率和直径的偏差减至最小的方法
EP2071060A1 (en) * 2006-09-27 2009-06-17 Sumco Techxiv Corporation Single crystal manufacturing apparatus and method

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5964592A (ja) * 1982-09-30 1984-04-12 Fujitsu Ltd 結晶成長方法
JPH10101482A (ja) * 1996-10-01 1998-04-21 Komatsu Electron Metals Co Ltd 単結晶シリコンの製造装置および製造方法
DE19711922A1 (de) 1997-03-21 1998-09-24 Wacker Siltronic Halbleitermat Vorrichtung und Verfahren zum Ziehen eines Einkristalls
DE19756613A1 (de) * 1997-12-18 1999-07-01 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristalls
JP4035924B2 (ja) * 1999-07-12 2008-01-23 株式会社Ｓｕｍｃｏ 単結晶直径の制御方法及び結晶成長装置
WO2003004734A1 (en) 2000-11-03 2003-01-16 Memc Electronic Materials, Inc. Method for the production of low defect density silicon
EP1541721B1 (en) 2002-07-05 2012-03-07 Sumco Corporation Method of producing silicon monocrystal
DE10339792B4 (de) * 2003-03-27 2014-02-27 Siltronic Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristalls aus Silicium
KR100588425B1 (ko) * 2003-03-27 2006-06-12 실트로닉 아게 실리콘 단결정, 결정된 결함분포를 가진 실리콘 단결정 및 실리콘 반도체 웨이퍼의 제조방법
JP4701738B2 (ja) * 2005-02-17 2011-06-15 株式会社Ｓｕｍｃｏ 単結晶の引上げ方法
DE102007005346B4 (de) * 2007-02-02 2015-09-17 Siltronic Ag Halbleiterscheiben aus Silicium und Verfahren zu deren Herstellung
US8221545B2 (en) * 2008-07-31 2012-07-17 Sumco Phoenix Corporation Procedure for in-situ determination of thermal gradients at the crystal growth front

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1344335A (zh) * 1999-03-22 2002-04-10 Memc电子材料有限公司 生长处理中控制硅晶体直径的方法与装置
CN1396965A (zh) * 2000-02-01 2003-02-12 Memc电子材料有限公司 用于控制硅晶体生长使生长速率和直径的偏差减至最小的方法
EP2071060A1 (en) * 2006-09-27 2009-06-17 Sumco Techxiv Corporation Single crystal manufacturing apparatus and method

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103834991A (zh) * 2014-03-10 2014-06-04 马鞍山明鑫电气科技有限公司 无温度信号处理开环式功率自控晶体生长控制方法
CN113302344A (zh) * 2019-01-28 2021-08-24 Pva特普拉股份公司 用于从熔体拉制柱形的晶体的方法
CN111020691A (zh) * 2019-12-03 2020-04-17 徐州鑫晶半导体科技有限公司 拉制晶棒的系统和控制方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101340804B1 (ko) 2013-12-11
CN102134741B (zh) 2014-02-26
JP5743511B2 (ja) 2015-07-01
US20110126757A1 (en) 2011-06-02
TWI473915B (zh) 2015-02-21
KR20110063287A (ko) 2011-06-10
DE102009056638A1 (de) 2011-06-09
TW201120258A (en) 2011-06-16
US8906157B2 (en) 2014-12-09
JP2011116643A (ja) 2011-06-16
DE102009056638B4 (de) 2013-08-01
SG171512A1 (en) 2011-06-29
SG191568A1 (en) 2013-07-31

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