CN102129264A - 一种完全兼容标准cmos工艺的低温度系数电流源 - Google Patents
一种完全兼容标准cmos工艺的低温度系数电流源 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102129264A CN102129264A CN2011100211579A CN201110021157A CN102129264A CN 102129264 A CN102129264 A CN 102129264A CN 2011100211579 A CN2011100211579 A CN 2011100211579A CN 201110021157 A CN201110021157 A CN 201110021157A CN 102129264 A CN102129264 A CN 102129264A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- pipe
- current source
- pmos
- operational amplifier
- nmos
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
本发明属集成电路技术领域,具体为一种完全兼容标准CMOS工艺的低温度系数电流源。它由四个NMOS管、两个PMOS管、一个补偿电阻和一个运算放大器组成。运算放大器的结构为传统的两级密勒补偿运算放大器,并自带偏置电路。高增益的运算放大器保证差分输入端的电压相同,其余的四个NMOS管、两个PMOS管和一个补偿电阻构成了温度补偿电流源的主体电路,利用电阻、MOS管的迁移率和阈值电压的不同温度系数实现了一种温度系数低、面积小、完全与标准CMOS工艺兼容的新型温度补偿电流源。
Description
技术领域
本发明属于集成电路技术领域,具体涉及一种完全兼容标准CMOS工艺的新型低温度系数电流源。
背景技术
电流源是CMOS集成电路中非常重要的基本电路之一,它为芯片中其它模块提供正常工作所必需的偏置电流,因此它的性能也很大程度上影响了整个芯片的性能。与温度无关的电流源广泛应用于模数转换器、数模转换器、Viterbi解码器中。
目前,多数应用的电流源温度系数较高,大于1000ppm/℃,不能满足高精度电路对参考电流源的要求。虽然近年来出现了一些能够实现低温度系数的电流源,但是它们通常来源于双极型带隙基准,结构比较复杂,占用面积大,制造成本高;有些甚至需要在BiCMOS的工艺下实现,不能与标准CMOS工艺兼容。
所以,如何设计得到一种结构简单、性能稳定、占用芯片面积小,温度系数低、完全与标准CMOS工艺兼容的恒定电流参考源是CMOS高性能集成电路设计领域需要解决的一项重要课题。
发明内容
为了解决上述问题,本发明提出了一种兼容标准CMOS工艺的新型温度补偿电流源,以克服现有电流源面积大、电流随温度变化明显、制造工艺成本高的缺点,迎合当今电子产品对模拟电流源的要求。
本发明提出的兼容标准CMOS工艺的温度补偿电流源,由2个PMOS管4、5,4个NMOS管1、2、3、6,补偿电阻7,运算放大器8经电路连接构成;其中,PMOS管4、5,NMOS管1、2、3、6,补偿电阻7为电流源的主体电路,利用电阻、迁移率、阈值电压的不同温度系数实现电流源的温度补偿;运算放大器具有很高的增益,以保证运算放大器的输入端所连接的节点电压相同。
本发明中,温度补偿电流源的主体电路由PMOS管4、5,NMOS管1、2、3、6,补偿电阻7经电路连接构成;其中,PMOS管4、5的源极接电源,栅极与运算放大器8的输出端28相连接,补偿电阻7的一端与PMOS管4的漏极相连,另一端与连接成二极管形式的NMOS管1的栅极相连,NMOS管1、2、3的源极均接地,NMOS管2的漏极与PMOS管5的漏极、NMOS管6的栅极连接在一起,NMOS管6的漏极接电源,源极与连接成二极管形式的NMOS管3相连。
本发明中,PMOS管4、5,NMOS管1、2、3、6均工作在饱和区,其中,NMOS管2、3的尺寸相同,PMOS管4、5的尺寸相同,以保证三条支路的电流相等,并在版图设计中保证NMOS管1、2的阈值电压相差较小,以满足实现温度补偿电流源的基本条件,NMOS管1的尺寸较大以满足整体环路的稳定要求。
本发明中,应用运算放大器8保证节点9、10电压相等,它由PMOS管11~17,NMOS管19~24,电阻18、26,补偿电容25经电路连接构成;其中,NMOS管19、20连接成电流镜的形式,PMOS管11~14连接成共源共栅电流镜的模式,电阻26连接在PMOS管12的源极与地之间,它们共同组成了放大器的偏置电路;NMOS管21镜像NMOS管20的电流,为运算放大器的第一级提供尾电流源,NMOS管23、24构成差分输入对形式,PMOS管15、16为差分输入管的电流镜负载;PMOS管17作为第二级运放的输入管,它的栅极与第一级运放的输出端27相接,NMOS管22的漏极与PMOS管17的漏极相连,作为PMOS管17的负载,电阻18与电容25串联在第一级运放的输出端与第二级运放的输出端之间,形成密勒补偿,运放的输出端28与PMOS管4、5的栅极连接在一起。其中,所有的MOS管均工作在饱和区,为了实现低功耗、高增益的特点,MOS管的栅长大于1μm,偏置电流、MOS管的宽长比较小。
附图说明
图1 一种兼容标准CMOS工艺的新型低温度系数电流源的电路实现。
图2 本发明中应用的运算放大器的电路实现。
图中标号:1、2、3、6、19、20、21、22、23、24为NMOS管,4、5、11、12、13、14、15、16、17为PMOS管,7为补偿电阻,8为运算放大器,18为补偿电阻,25为补偿电容,26为偏置电阻,9、10为运算放大器的输入端口,27为运算放大器第一级的输出端口,28为运算放大器的输出端口。
具体实施方式
下面结合附图进一步描述本发明。
图1所示为整个温度补偿电流源的电路实现。图中,PMOS管4、5,NMOS管2、3接成电流镜的形式以保证三条之路的电流相等,运算放大器8有足够高的增益使得节点9、10的电压相等,即得到电阻7的压降与NMOS管1的栅源电压之和等于NMOS管2、6的栅源电压之和,通过这一等式关系,使得参考电流源能够利用电阻、MOS管迁移率、阈值电压的不同温度系数实现温度补偿,从而得到一个温度系数较低的参考电流源。其中,PMOS管4、5的源极接电源,栅极与放大器的输出端28相连接,补偿电阻7的一端与PMOS管4的漏极相连,另一端与连接成二极管形式的NMOS管1的栅极相连,NMOS管1、2、3的源极均接地,NMOS管2的漏极与PMOS管5的漏极、NMOS管6的栅极连接在一起,NMOS管6的漏极接电源,源极与连接成二极管形式的NMOS管3相连。PMOS管4、5,NMOS管1、2、3、6均工作在饱和区,其中,NMOS管2、3的尺寸相同,PMOS管4、5的尺寸相同,以保证三条支路的电流相等,并在版图设计中保证NMOS管1、2的阈值电压相差较小,以满足温度补偿所需的假设条件,NMOS管1的尺寸应较大以满足整体环路稳定的要求。
图2所示为图1中运算放大器9的电路实现。图中NMOS管19、20连接成电流镜的形式,PMOS管11~14连接成共源共栅电流镜的模式,电阻26连接在PMOS管12的源极与地之间,它们共同组成了放大器的偏置电路;NMOS管21镜像NMOS管20的电流,为运算放大器的第一级提供尾电流源,NMOS管23、24构成差分输入对形式,PMOS管15、16为差分输入管的电流镜负载;PMOS管17作为第二级运算放大器的输入管与第一级运算放大器的输出端27相接,NMOS管22作为PMOS管17的负载,电阻18与电容25串联在第一级运算放大器的输出端与第二级运算放大器的输出端之间,形成密勒补偿,运算放大器的输出端28与电流源主体电路中的PMOS管4、5的栅极连接在一起。其中,所有的MOS管均工作在饱和区,为了实现低功耗、高增益的特点,所有MOS管的栅长均大于1μm,MOS管的宽长比较小。
本发明所实现的温度补偿电流源具有完全与标准CMOS工艺兼容、温度系数低,结构简单,面积小,成本低等优点,适用于各种模拟电路、模数混合电路中。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,在不脱离本发明原理的前提下,所作出的若干改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (3)
1.一种完全兼容标准CMOS工艺的低温度系数电流源,其特征在于由第四PMOS管(4)、第四PMOS管(5)、第一、第二、第三、第六NMOS管(1、2、3、6)、补偿电阻(7)、运算放大器(8)经电路连接构成;其中,运算放大器(8)具有很高的增益,以保证运算放大器的输入端所连接的节点电压相同,第四PMOS管(4)、第四PMOS管(5)、第一、第二、第三、第六NMOS管(1、2、3、6)、补偿电阻(7)组成电流源的主体电路,利用电阻、MOS管的迁移率和阈值电压的不同温度系数实现电流源的温度补偿;其中:
第四PMOS管(4)、第四PMOS管(5)的源极接电源,栅极与运算放大器(8)的输出端(28)相连接,补偿电阻(7)的一端与第四PMOS管(4)的漏极相连,另一端与连接成二极管形式的第一NMOS管(1)的栅极相连,第一、第二、第三NMOS管(1、2、3)的源极均接地,第二NMOS管(2)的漏极与第五PMOS管(5)的漏极以及第六NMOS管(6)的栅极连接在一起,第六NMOS管(6)的漏极接电源,源极与连接成二极管形式的第三NMOS管(3)相连。
2.根据权利要求1所述的电流源,其特征在于电流源主体电路中,所有MOS管均工作在饱和区,其中,第二、第三NMOS管(2、3)的尺寸相同,第四、第五PMOS管(4、5)的尺寸相同。
3.根据权利要求1所述的电流源,其特征在于所述的运算放大器(8)由第十一~第十七PMOS管(11~17)、第十九~第二十四NMOS管(19~24)、第一、第二电阻(18、26)、补偿电容(25)经电路连接构成;其中,第十九、第二十NMOS管(19、20)连接成电流镜的形式,第十一~第十四PMOS管(11~14)连接成共源共栅电流镜的模式,第二电阻(26)连接在第十二PMOS管(12)的源极与地之间,它们共同组成运算放大器的偏置电路;第二十一NMOS管(21)镜像第二十NMOS管(20)的电流,为运算放大器的第一级提供尾电流源,第二十三、第二十四NMOS管(23、24)构成差分输入对形式,第十五、第十六PMOS管(15、16)为差分输入管的电流镜负载;第十七PMOS管(17)作为第二级运放的输入管,它的栅极与第一级运放的输出端(27)相接,第二十二NMOS管(22)作为第十七PMOS管(17)的负载, 第一电阻(18)与补偿电容(25)串联在第一级运放的输出端与第二级运放的输出端之间,形成密勒补偿,运放的输出端(28)与第四、第五PMOS管(4、5)的栅极连接在一起。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2011100211579A CN102129264A (zh) | 2011-01-19 | 2011-01-19 | 一种完全兼容标准cmos工艺的低温度系数电流源 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2011100211579A CN102129264A (zh) | 2011-01-19 | 2011-01-19 | 一种完全兼容标准cmos工艺的低温度系数电流源 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102129264A true CN102129264A (zh) | 2011-07-20 |
Family
ID=44267377
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2011100211579A Pending CN102129264A (zh) | 2011-01-19 | 2011-01-19 | 一种完全兼容标准cmos工艺的低温度系数电流源 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102129264A (zh) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102354250A (zh) * | 2011-08-25 | 2012-02-15 | 西安电子科技大学 | 适应用于无源uhfrfid标签芯片的带隙基准电路 |
CN103179714A (zh) * | 2011-12-20 | 2013-06-26 | 常熟卓辉光电科技有限公司 | Led驱动芯片的电流源电路 |
CN103441741A (zh) * | 2013-08-30 | 2013-12-11 | 江苏物联网研究发展中心 | 基于带隙基准的减小失调电压的运放电路结构 |
CN106407556A (zh) * | 2016-09-14 | 2017-02-15 | 中国科学院微电子研究所 | 一种集成芯片的制作方法 |
CN107592078A (zh) * | 2017-08-23 | 2018-01-16 | 刘欣亮 | 运算放大器电路及设计方法 |
CN110120791A (zh) * | 2019-05-14 | 2019-08-13 | 电子科技大学 | 一种抗总剂量的cmos运算放大器 |
CN111949063A (zh) * | 2020-08-10 | 2020-11-17 | 上海川土微电子有限公司 | 一种低温漂的带隙基准电压源 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1102400A2 (en) * | 1999-11-22 | 2001-05-23 | Nec Corporation | Band-gap reference circuit |
CN1987713A (zh) * | 2005-12-23 | 2007-06-27 | 深圳市芯海科技有限公司 | 低温度系数带隙基准参考电压源 |
-
2011
- 2011-01-19 CN CN2011100211579A patent/CN102129264A/zh active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1102400A2 (en) * | 1999-11-22 | 2001-05-23 | Nec Corporation | Band-gap reference circuit |
CN1987713A (zh) * | 2005-12-23 | 2007-06-27 | 深圳市芯海科技有限公司 | 低温度系数带隙基准参考电压源 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
《Journal of semicanductors》 20100630 赵喆 All_CMOS temperature compensated current reference 第31卷, 第6期 * |
赵喆: "All_CMOS temperature compensated current reference", 《JOURNAL OF SEMICANDUCTORS》 * |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102354250A (zh) * | 2011-08-25 | 2012-02-15 | 西安电子科技大学 | 适应用于无源uhfrfid标签芯片的带隙基准电路 |
CN102354250B (zh) * | 2011-08-25 | 2013-08-14 | 西安电子科技大学 | 适应用于无源uhfrfid标签芯片的带隙基准电路 |
CN103179714A (zh) * | 2011-12-20 | 2013-06-26 | 常熟卓辉光电科技有限公司 | Led驱动芯片的电流源电路 |
CN103441741A (zh) * | 2013-08-30 | 2013-12-11 | 江苏物联网研究发展中心 | 基于带隙基准的减小失调电压的运放电路结构 |
CN103441741B (zh) * | 2013-08-30 | 2016-05-04 | 江苏物联网研究发展中心 | 基于带隙基准的减小失调电压的运放电路结构 |
CN106407556A (zh) * | 2016-09-14 | 2017-02-15 | 中国科学院微电子研究所 | 一种集成芯片的制作方法 |
CN106407556B (zh) * | 2016-09-14 | 2019-04-30 | 中国科学院微电子研究所 | 一种集成芯片的制作方法 |
CN107592078A (zh) * | 2017-08-23 | 2018-01-16 | 刘欣亮 | 运算放大器电路及设计方法 |
CN110120791A (zh) * | 2019-05-14 | 2019-08-13 | 电子科技大学 | 一种抗总剂量的cmos运算放大器 |
CN111949063A (zh) * | 2020-08-10 | 2020-11-17 | 上海川土微电子有限公司 | 一种低温漂的带隙基准电压源 |
CN111949063B (zh) * | 2020-08-10 | 2022-06-24 | 上海川土微电子有限公司 | 一种低温漂的带隙基准电压源 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102122189A (zh) | 一种宽温度范围兼容标准cmos工艺的温度补偿电流源 | |
CN102129264A (zh) | 一种完全兼容标准cmos工艺的低温度系数电流源 | |
CN101963819B (zh) | 基准电压电路和电子设备 | |
CN101951236B (zh) | 一种数字可变增益放大器 | |
CN104216455B (zh) | 用于4g通信芯片的低功耗基准电压源电路 | |
CN102096436B (zh) | 采用mos器件实现的低压低功耗带隙基准电压源 | |
CN105022441A (zh) | 一种与温度无关的电流基准源 | |
CN102253681A (zh) | 一种完全与标准cmos工艺兼容的温度补偿电流源 | |
CN101557215A (zh) | 一种电压比较器 | |
CN102331809A (zh) | 一种具有栅极漏电补偿的电流镜电路 | |
CN104238617A (zh) | 一种电流型带隙基准源 | |
CN103092252B (zh) | 一种与电源无关的偏置电路 | |
CN202404471U (zh) | 一种带隙基准源 | |
CN201846315U (zh) | 一种数字可变增益放大器 | |
CN102662427A (zh) | 一种电压源电路 | |
CN106020322A (zh) | 一种低功耗cmos基准源电路 | |
CN104881071A (zh) | 低功耗基准电压源 | |
CN109947172B (zh) | 一种低压降高输出电阻镜像电流源电路 | |
US7605654B2 (en) | Telescopic operational amplifier and reference buffer utilizing the same | |
CN103888093A (zh) | 差分信号的共模电平重置电路 | |
CN102545805B (zh) | 两级运算放大器 | |
CN203870501U (zh) | 一种与温度无关的集成电路电流基准源 | |
CN103647519B (zh) | 一种运算放大器的输入级 | |
CN101834575B (zh) | 运算放大器 | |
CN106292832B (zh) | 一种改进型紧凑cmos稳压电路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20110720 |