CN102122189A - 一种宽温度范围兼容标准cmos工艺的温度补偿电流源 - Google Patents
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Abstract
本发明属集成电路技术领域,具体为一种宽温度范围兼容标准CMOS工艺的温度补偿电流源。它由四个NMOS管、三个PMOS管、一个补偿电阻和一个运算放大器组成。运算放大器的结构为传统的两级密勒补偿运算放大器,并自带偏置电路。高增益的运算放大器保证差分输入端的电压相同,其余的四个NMOS管、三个PMOS管和一个补偿电阻构成了温度补偿电流源的主体电路,利用电阻、MOS管的迁移率和阈值电压的不同温度系数实现了一种温度系数低、面积小、适应温度变化范围大、完全与标准CMOS工艺兼容的新型温度补偿电流源。
Description
技术领域
本发明属于集成电路技术领域,具体涉及一种宽温度范围兼容标准CMOS工艺的新型温度补偿电流源。
背景技术
电流源是CMOS集成电路中非常重要的基本电路之一,它为芯片中其它模块提供正常工作所必需的偏置电流,因此它的性能也很大程度上影响了整个芯片的性能。与温度无关的电流源广泛应用于模数转换器、数模转换器、Viterbi解码器中。
目前,多数应用的电流源温度系数较高,大于1000ppm/℃,且能适应的温度变化范围不大,不能满足高精度电路对参考电流源的要求。虽然近年来出现了一些能够实现低温度系数的电流源,但是它们通常来源于双极型带隙基准,结构比较复杂,占用面积大,制造成本高;有些甚至需要在BiCMOS的工艺下实现,不能与标准CMOS工艺兼容。
所以,如何设计得到一种结构简单、性能稳定、占用芯片面积小,温度系数低、适应大范围温度变化、完全与标准CMOS工艺兼容的恒定电流参考源是CMOS高性能集成电路设计领域需要解决的一项重要课题。
发明内容
为了解决上述问题,本发明提出了一种宽温度范围兼容标准CMOS工艺的新型温度补偿电流源,以克服现有电流源面积大、电流随温度变化明显、制造工艺成本高、适应温度变化范围小的缺点,迎合当今电子产品对模拟电流源的要求。
本发明提出的宽温度范围兼容标准CMOS工艺的温度补偿电流源,由二个PMOS管4、5,三个NMOS管1、2、3,补偿电阻6,运算放大器7经电路连接构成;其中,两个PMOS管4、5,三个NMOS管1、2、3,补偿电阻6为电流源的主体电路,利用电阻、迁移率、阈值电压的不同温度系数实现电流源的温度补偿;运算放大器具有很高的增益,以保证运算放大器的输入端所连接的节点电压相同。
本发明中,新型温度补偿电流源的主体电路由第四、第五PMOS管4、5,第一、第二、第三NMOS管1、2、3,补偿电阻6经电路连接构成;其中,第四、第五PMOS管4、5的源极接电源,栅极与运算放大器的输出端26相连接,补偿电阻6的一端与第四PMOS管4的漏极相连,另一端与连接成二极管形式的第一NMOS管1的栅极相连,第一、第二、第三NMOS管1、2、3均连接成二极管形式,其中第一、第二NMOS管1、2的源极均接地,第二NMOS管2的漏极与第五PMOS管5的漏极连接在一起。
本发明中,第四、第五 PMOS管4、5,第一、第二、第三NMOS管1、2、3均工作在饱和区,其中,第一、第二、第三NMOS管1、2、3的尺寸相同,第五PMOS管5的尺寸是第四PMOS管4的两倍,以保证两条支路的电流为两倍的关系,补偿电阻6的电阻值与第三NMOS管3的跨导在同一量级以保证建立负反馈。另外,在版图设计中要求第一、第二NMOS管1、2的阈值电压相差较小,以满足实现温度补偿电流源的基本条件,第一NMOS管1的尺寸较大,第四、第五PMOS管4、5的尺寸较小,以满足整体环路的稳定要求。
本发明中,应用运算放大器7保证节点8、9电压相等,它由第十八~第二十三NMOS管18~23、第十~第十六PMOS管10~16、第一电阻16、第二电阻25、补偿电容24经电路连接构成;其中,第十八、第十九NMOS管18、19连接成电流镜的形式,第十~第十三PMOS管10~13连接成共源共栅电流镜的模式,第二电阻25连接在第十一PMOS管11的源极与电源之间,它们共同组成了放大器的偏置电路;第二十NMOS管20镜像第十九NMOS管19的电流,为运放的第一级提供尾电流源,第二十二、第二十三NMOS管22、23构成差分输入对形式,第十四、第十五PMOS管14、15为差分输入管的电流镜负载;第十七PMOS管17作为第二级运放的输入管,它的栅极与第一级运放的输出端27相接,第二十一NMOS管21作为第十七PMOS管17的负载,第一电阻16与补偿电容24串联在第一级运放的输出端与第二级运放的输出端之间,形成动态的密勒补偿,运放的输出端26与第四、第五PMOS管4、5的栅极连接在一起。其中,除了第十八NMOS管18工作在线性区,其他MOS管均工作在饱和区。为了实现低功耗、高增益的特点,MOS管的栅长大于1μm,偏置电流、MOS管的宽长比较小。
附图说明
图1 一种宽温度范围兼容标准CMOS工艺的新型温度补偿电流源的电路实现。
图2 本发明中应用的运算放大器的电路实现。
图中标号:1、2、3、18、19、20、21、22、23为NMOS管,4、5、10、11、12、13、14、15、17为PMOS管,6为补偿电阻,7为运算放大器,24为补偿电容,25为偏置电阻, 8、9为运算放大器的输入端口,26为运算放大器的输出端口。
具体实施方式
下面结合附图进一步描述本发明。
图1所示为整个温度补偿电流源的电路实现。图中,PMOS管4、5接成电流镜的形式以保证两条支路电流为二倍的关系,运算放大器7有足够高的增益使得节点8、9的电压相等,即得到电阻6与NMOS管1的栅源电压之和等于NMOS管2、3的栅源电压之和,通过这一等式关系,使得参考电流源能够利用电阻、MOS管迁移率、阈值电压的不同温度系数实现温度补偿,从而得到一个温度系数较低的参考电流源。其中,PMOS管4、5的源极接电源,栅极与放大器的输出端26相连接,补偿电阻6的一端与PMOS管4的漏极相连,另一端与连接成二极管形式的NMOS管1的栅极相连,NMOS管1、2、3均连接成二极管形式,其中NMOS管1、2的源极均接地,NMOS管2的漏极与PMOS管5的漏极连接在一起。 PMOS管4、5,NMOS管1、2、3均工作在饱和区,其中,NMOS管1、2、3的尺寸相同,PMOS管5的尺寸是PMOS管4的两倍,以保证两条支路的电流为两倍的关系,补偿电阻6的电阻值与NMOS管3的跨导在同一量级以保证建立负反馈、并在版图设计中保证NMOS管1、2的阈值电压相差较小,以满足实现温度补偿电流源的基本条件,NMOS管1的尺寸较大、PMOS管4、5的尺寸较小以满足整体环路的稳定要求。
图2所示为图1中运算放大器7的电路实现。图中NMOS管18、19连接成电流镜的形式,PMOS管10~13连接成共源共栅电流镜的模式,电阻25连接在PMOS管11的源极与电源之间,它们共同组成了放大器的偏置电路;NMOS管20镜像NMOS管19的电流,为运放的第一级提供尾电流源,NMOS管22、23构成差分输入对形式,PMOS管14、15为差分输入管的电流镜负载;PMOS管17作为第二级运放的输入管,它的栅极与第一级运放的输出端27相接,NMOS管21作为PMOS管17的负载,电阻16与电容24串联在第一级运放的输出端与第二级运放的输出端之间,形成动态的密勒补偿,运放的输出端26与PMOS管4、5的栅极连接在一起。其中,除了NMOS管18工作在线性区,其他MOS管均工作在饱和区。为了实现低功耗、高增益的特点,MOS管的栅长大于1μm,偏置电流、MOS管的宽长比较小。
本发明所实现的温度补偿电流源具有完全与标准CMOS工艺兼容、温度系数低,适应温度变化范围大、结构简单,面积小,成本低等优点,适用于各种模拟电路、模数混合电路中。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,在不脱离本发明原理的前提下,所作出的若干改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (3)
1.一种宽温度范围兼容标准CMOS工艺的温度补偿电流源,其特征在于由第四、第五PMOS管(4、5),第一、第二、第三NMOS管(1、2、3),补偿电阻(6),运算放大器(7)经电路连接构成;其中,运算放大器具有很高的增益,以保证运算放大器的输入端所连接的节点电压近似相等;第四、第五PMOS管(4、5),第一、第二、第三NMOS管(1、2、3),补偿电阻(8)组成电流源的主体电路,利用电阻、MOS管的迁移率和阈值电压的不同温度系数实现电流源的温度补偿;其中:
其中,第四、第五PMOS管(4、5)的源极接电源,栅极与运算放大器的输出端(26)相连接;补偿电阻(6)的一端与第四PMOS管(4)的漏极相连,另一端与连接成二极管形式的第一NMOS管(1)的栅极相连;第一、第二、第三NMOS管(1、2、3)均连接成二极管形式,第一、第二NMOS管(1、2)的源极链接地,第三NMOS管(3)的源链接到第二NMOS管(2)的漏极,第三NMOS管(3)的漏端与第五PMOS(5)的漏端相连。
2.根据权利要求1所述的电流源,其特征在于所有MOS管均工作在饱和区,其中,第一、第二、第三NMOS管(1、2、3)的尺寸相同,第五PMOS管(5)的尺寸是第四PMOS(4)的两倍,以保证两条支路的电流是二倍的关系,补偿电阻(6)的电阻值比第三NMOS管(3)的跨导大,以保证建立负反馈。
3.根据权利要求1所述的电流源,其特征在于所述的运算放大器(7)由第十八~第二十三NMOS管(18~23)、第十~第十六PMOS管(10~16)、第一电阻16、第二电阻25、补偿电容(24)经电路连接构成;其中,第十八、第十九NMOS管(18、19)连接成电流镜的形式,第十~第十三PMOS管(10~13)连接成共源共栅电流镜的模式,第二电阻(25)连接在第十一PMOS管(11)的源极与电源之间,它们共同组成运算放大器的偏置电路;第二十NMOS管(20)镜像第十九NMOS管(19)的电流,为运算放大器的第一级提供尾电流源,第二十二、第二十三NMOS管(22、23)构成差分输入对形式,第十四、第十五PMOS管(14、15)为差分输入管的电流镜负载;第十七PMOS管(17)作为第二级运放的输入管,它的栅极与第一级运放的输出端(27)相接,第二十一NMOS管(21)作为第十七PMOS管(17)的负载,第一电阻(16)与补偿电容(24)串联在第一级运放的输出端与第二级运放的输出端之间,形成动态的密勒补偿,运放的输出端(26)与第四、第五PMOS管(4、5)的栅极连接在一起。
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