CN102123944A - 任选地在第二碳源存在下由硅氧化物和碳化硅反应制备硅 - Google Patents

任选地在第二碳源存在下由硅氧化物和碳化硅反应制备硅 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种通过在高温下将硅氧化物、碳化硅以及任选地加入反应混合物中的第二碳源反应以制备硅的方法。本发明还涉及一种能够用于所公开方法的组合物。本发明的核心部分在于在制备硅或者在约等摩尔量制备硅中使用碳化硅作为反应引发剂和/或反应促进剂。

Description

任选地在第二碳源存在下由硅氧化物和碳化硅反应制备硅
本发明涉及一种在高温下通过转化硅氧化物制备硅的方法，其通过向反应混合物中添加碳化硅和任选存在的第二碳源进行。本发明进一步公开了一种组合物，其能够用于根据本发明的方法中。本发明的核心在于，在制备硅时使用催化量的、或者近似等摩尔量的碳化硅作为反应起动剂(starter)和/或反应促进剂。
已知的制备硅的方法是根据下面的反应方程式在碳存在的条件下还原二氧化硅而进行的(UIImann’s Encyclopedia of Industrial Chemistry，A23卷，第721-748页，第5版，1993 VCH Weinheim)。
SiO2+2C→Si+2CO
为了使该反应能够进行，需要优选1700℃以上的非常高的温度，该温度可在例如电弧光炉中实现。尽管反应温度高，但是该反应还是开始得极慢，且随后还以低速率进行。由于相关的反应时间长，所以该方法是高能源消耗型的，且昂贵。
如果需要将硅用于太阳能应用或微电子工业中，例如通过外延法制备高纯硅，或氮化硅(SiN)、硅氧化物(SiO)、氮氧化硅(SiON)、碳氧化硅(SiOC)或者碳化硅(SiC)，生产的硅必须满足极高的纯度要求。这在生产这些材料的薄层时更是如此。在上述应用领域中，即使起始化合物中的杂质在(μg/kg)ppb至ppt的范围内也是棘手的。一般预先将硅转化为卤代硅烷，随后再将卤代硅烷转化为高纯度的半导体硅或太阳能硅，例如在约1100℃下采用CVD(化学气相沉积)工艺。对所有工业应用的共同之处是要求待转化卤代硅烷有极高纯度，其中的污染物最多可在几mg/kg(ppm范围)的范围内，而半导体工业中污染物在几μg/kg(ppb范围)的范围内。
由于它们的电特性，周期表中的第Ⅲ和第Ⅴ族元素特别具有破坏性，因此，硅中污染物的限制对于这些元素来说极低。例如对于五价磷和砷而言，它们会导致所制备硅的掺杂，在作为n-型半导体时这是有问题的。三价硼同样会导致所制备硅的不期望的掺杂，以至于会得到p-型半导体。例如，就太阳能级硅(Sisg)而言，其应具有99.999％(5个9)或99.9999％(6个9)的纯度。适合生产半导体的硅(电子级硅，Sieg)甚至要求更高的纯度。由于这些原因，甚至由硅氧化物与碳反应得到的冶金硅也应满足高纯度要求，以使得在采用夹杂卤代化合物例如三氯化硼的卤代硅烷制备硅(Sisg或Sieg)之后复杂的纯化步骤能够最小化。特别的困难是由于含硼化合物的污染而引起的，因为硼在硅中熔化，且在固相中具有0.8的分布系数，因此通过区域熔炼几乎不可能从硅中除去硼(DE 2 546 957 A1)。
通常从现有技术已知的是用于制备硅的方法。例如，DE 29 45 141 C2描述了在电弧光中还原由SiO2构成的多孔玻璃体。用于还原所需的碳颗粒可嵌入多孔玻璃体中。通过该公开方法得到的硅中，硼的含量少于1ppm，所以其适合用于制备半导体元件。
DE 30 13 319公开了一种制备特定纯度硅的方法，由二氧化硅和含碳还原剂如炭黑进行反应，其具有最大硼和磷含量的规格要求。含碳还原剂以片的方式与高纯度粘结剂如淀粉一起使用。
本发明的一个目的在于增加制备硅的方法的经济可行性，通过发现一种用于该方法的没有上文提到的缺点的反应起动剂和反应促进剂。与此同时，该反应起动剂和/或反应促进剂应尽可能纯净且便宜。
出于前面所提及的原因，特别优选的反应起动剂和/或反应促进剂自身应当不向熔融硅中引入任何棘手的杂质，或者优选仅有极少量的杂质。
本发明目的通过根据权利要求1和9的特征的本发明的方法和创造性组合物，以及权利要求14和15的创造性用途实现。优选的实施方式可在从属权利要求和说明书中发现。
根据本发明的方法能够以多种方式进行；根据一个特别优选的变例，通过向硅氧化物中加入碳化硅，或者向方法中含有硅氧化物的组合物中加入碳化硅，在高温下转化特别是二氧化硅的硅氧化物；在这种情况下，当以近似化学计量比加入特别是二氧化硅的硅氧化物和碳化硅，亦即约1摩尔的SiO2与2摩尔的SiC以制备硅时，该方式是特别优选的；更优选地，制备硅的反应混合物由硅氧化物和碳化硅组成。
这种方法的进一步优势在于：由于SiC的加入，形成每单元Si所释放的CO相应地减少。因此，极大地限制本发明方法的气体流速被有利地降低。因此，通过加入碳化硅的方法强化是有益可行的。
根据另一个特别优选的变例，通过向硅氧化物中加入碳化硅和第二碳源，在高温下转化特别是二氧化硅的硅氧化物，或者转化在含有硅氧化物的组合物中的碳化硅和第二碳源。在这种变例中，可将碳化硅的浓度降低到这样一种程度，其更多地是作为反应起动剂和/或反应促进剂，而较少地是作为反应物。在该方法中，优选也可以使约1摩尔的二氧化硅与约1摩尔的碳化硅以及约1摩尔的第二碳源反应。
根据本发明，该方法中将碳化硅加入硅氧化物中，或者任选地在含有硅氧化物的组合物中加入碳化硅，在高温下转化硅氧化物以制备硅；更优选地，采用的能量源为电弧光。本发明的核心在于，加入碳化硅作为反应起动剂和/或反应促进剂和/或作为反应物，和/或将其加入方法的组合物中。碳化硅因而单独地向方法中提供。优选将碳化硅作为反应起动剂和/或反应促进剂加入方法中或组合物中。由于碳化硅仅在温度约2700至3070℃时才自分解，所以其能够作为反应起动剂和/或反应促进剂、或作为反应物而加入方法中来制备硅是令人惊讶的。更令人惊讶的是，在一个试验中发现，在电弧光点火之后，由于少量粉状碳化硅的加入，原本开始和进行都极缓慢的二氧化硅和特别是石墨的碳之间的反应会在短时间内明显加快。观察到了发光现象的产生，并且，整个随后的反应都在强烈明亮的发光下令人惊讶地持续进行，更优选直至反应结束。
第二碳源定义为不由碳化硅组成、不具有任何碳化硅或不含任何碳化硅的化合物或材料。因此，第二碳源不由碳化硅组成、不具有碳化硅或不含任何碳化硅。第二碳源的作用不仅是纯反应物，尽管碳化硅也是反应起动剂和/或反应促进剂。可用的第二碳源包括特别是糖、石墨、煤、木炭、炭黑、焦炭、硬煤、褐煤、活性炭、焦煤(petcoke)、木片或粒状的木材、稻壳或茎干、碳纤维、富勒烯和/或碳氢化合物，特别是气态或液态的碳氢化合物，以及上面提及的至少两种化合物的混合物，只要它们具有合适的纯度，且没有不期望的化合物或元素会污染本方法。第二碳源优选选自上面提及的化合物。第二碳源中硼和/或磷，或者含硼和/或含磷化合物的污染物以重量份计就硼而言应少于10ppm，特别是在10ppm和0.001ppt之间，对磷而言应少于20ppm，特别是在20ppm和0.001ppt之间。ppm、ppb和/或ppt数据应理解为是基于mg/kg、μg/kg等的重量比。
优选地，硼含量在7ppm和1ppt之间，优选在6ppm和1ppt之间，更优选在5ppm和1ppt之间或更少，例如0.001ppm至0.001ppt，优选在分析检测的极限范围内。磷含量优选应在18ppm和1ppt之间，优选在15ppm和1ppt之间，更优选在10ppm和1ppt之间或更低。磷含量优选在分析检测的极限范围内。通常，这些限制适用于本方法中的所有反应物或添加剂，以便适于制备太阳能硅和/或半导体硅。
合适的硅氧化物通常包括所有含硅氧化物的化合物和/或矿物质，只要它们具有适于本方法及由此而来的本方法产品的纯度，以及不向本方法中引入任何破坏性元素和/或化合物，或者与残余物燃烧。如上文详述，本方法中采用含有纯的或高纯度硅氧化物的化合物或材料。硅氧化物中的硼和/或磷、或含硼和/或磷化合物的污染物，对于硼应少于10ppm，特别是在10ppm和0.001ppt之间，而对于磷应少于20ppm，特别是在20ppm和0.001ppt之间。优选地，硼含量在7ppm和1ppt之间，优选在6ppm和1ppt之间，更优选在5ppm和1ppt之间或更低，或者例如在0.001ppm和0.001ppt之间，优选在分析检测的极限范围内。硅氧化物中磷含量优选应在18ppm和1ppt之间，优选在15ppm和1ppt之间，更优选在10ppm和1ppt之间或更低。磷含量优选在分析检测的极限范围内。
特别合适的硅氧化物为石英、石英岩和/或以常规方式制备的硅氧化物。这些硅氧化物可以是结晶型的二氧化硅，例如摩根石(玉髓)，α-石英(低温石英)、β-石英(高温石英)、鳞石英、方石英、柯石英、超石英，或其它无定形SiO2。此外，可优选采用硅石，特别是沉淀硅石或硅石凝胶、气相SiO2、气相硅石，或本方法和/或组合物中的硅石。典型的气相法硅石是平均直径为5至50nm、比表面积为50至600m2/g的无定形SiO2粉末。上述列举不应理解为是排他性的；本领域的技术人员应该理解，也可在本方法和/或组合物中采用适于本方法的其它硅氧化物源。
特别是SiO2的所述硅氧化物起初可以粉状的形式、微粒的形式、多孔的形式、泡沫的形式、作为挤出物、作为压制物和/或作为多孔玻璃体进料和/或使用，任选地与其它添加剂一起，特别是与第二碳源和/或碳化硅一起，以及任选存在的粘结剂和/或成型助剂。优选采用粉状多孔二氧化硅作为成型体，特别是挤出物或压制物，更优选地与第二碳源一起的挤出物或压制物，例如球团或压块(briquette)。通常，本方法或组合物中所有的固体反应物如二氧化硅、碳化硅和任选存在的第二碳源应采用为反应的进行提供最大可能的表面积的形式。
优选以下面规定的摩尔比和/或重量百分比，在本方法中使用特别是二氧化硅的硅氧化物和碳化硅及任选存在的第二碳源，其中的数字可基于本方法中的反应物，特别是基于反应混合物：对于1摩尔的硅氧化物如一氧化硅，如Patinal
Figure BPA00001330298700051
，可加入约1摩尔的第二碳源，及少量的作为反应起动剂或反应促进剂的碳化硅。碳化硅作为反应起动剂和/或反应促进剂的常用量为例如基于反应混合物的总重量，特别是包含硅氧化物、碳化硅和第二碳源以及任选其它添加剂的0.0001重量％至25重量％，优选0.0001至20重量％，更优选0.0001至15重量％，特别是1至10重量％。
特别优选地，对于1摩尔的特别是二氧化硅的硅氧化物可类似地添加到方法中约1摩尔的碳化硅和约1摩尔的第二碳源。当采用含有碳纤维或类似其它含碳化合物的碳化硅时，第二碳源的摩尔用量可相应地降低。
对于1摩尔的二氧化硅，可加入约2摩尔的第二碳源，和少量的碳化硅作为反应起动剂和/或反应促进剂。碳化硅作为反应起动剂和/或反应促进剂的典型用量为基于反应混合物的总重量，特别是包含硅氧化物、碳化硅和第二碳源以及任选其它添加剂的约0.0001重量％至25重量％，优选0.0001至20重量％，更优选0.0001至15重量％，特别是1至10重量％。
根据一个优选的选择，对于1摩尔的二氧化硅，在方法中可采用约2摩尔的碳化硅作为反应物，而第二碳源可任选地以小量存在。第二碳源的典型用量为基于反应混合物的总重量，特别是包含硅氧化物、碳化硅和第二碳源以及任选其它添加剂的约0.0001重量％至29重量％，优选0.001％至25重量％，更优选0.01至20重量％，最优选0.1至15重量％，特别是1至10重量％。
就化学计量而言，根据下面的反应方程式，特别是二氧化硅可以与碳化硅和/或第二碳源反应：
SiO2+2C→Si+2CO
SiO2+2SiC→3Si+2CO或
SiO2+SiC+C→2Si+2CO或
SiO2+0.5SiC+1.5C→1.5Si+2CO或
SiO2+1.5SiC+0.5C→2.5Si+2CO等等。
由于二氧化硅能够以摩尔比1摩尔对2摩尔与碳化硅和/或第二碳源反应，所以经由碳化硅和第二碳源的摩尔比来控制本方法是可行的。碳化硅和第二碳源一起优选应以近似2摩尔对1摩尔二氧化硅的比率在方法中一起使用或存在。该2摩尔的碳化硅和任选存在的第二碳源因而可以由2摩尔的SiC和0摩尔的第二碳源、直到0.00001摩尔的SiC和1.99999摩尔的第二碳源(C)组成。根据下表1，碳化硅与第二碳源的比率优选在约2摩尔与约1摩尔的二氧化硅反应的化学计量比中变化：
表1
Figure BPA00001330298700061
例如，在根据本发明的方法中，对于约1摩尔的二氧化硅而言，该2摩尔的SiC和任选存在的C由以下组成：2至0.00001摩尔的SiC和0至1.99999摩尔的C，特别是0.0001至0.5摩尔的SiC和1.9999至1.5摩尔的C，优选0.001至1摩尔的SiC和1.999至1摩尔的C，更优选0.01至1.5摩尔的SiC和1.99至0.5摩尔的C，特别优选使用0.1至1.9摩尔的SiC和1.9至0.1摩尔的C。
在根据本发明的方法或创造性组合物中采用的可用的碳化硅可以是所有的多型相(polytype phase)碳化硅；碳化硅可任选用SiO2钝化层涂覆。优选在本方法中使用具有不同稳定性的个体多型相，因为它们使得能够例如控制本方法中的反应进程或反应的开始。高纯度碳化硅是无色的，且优选在本方法中使用。此外，在本方法或组合物中使用的碳化硅可以是工艺SiC(金刚砂)、冶金碳化硅、碳化硅粘合基质、开孔或致密的碳化硅陶瓷，例如硅酸盐结合碳化硅、重结晶SiC(RSiC)、反应结合、渗硅碳化硅(SiSiC)、烧结碳化硅、热(等静)压制碳化硅(HpSiC，HiPSiC)、和/或液相烧结碳化硅(LPSSiC)、碳纤维增强碳化硅复合材料(CMC，陶瓷基复合材料)和/或这些化合物的混合物，只要其污染足够低即可，以使制得的硅适合用于制备太阳能硅和/或半导体硅。
碳化硅中硼和/或磷或含硼和/或含磷化合物污染物对于硼而言优选少于10ppm，特别是在10ppm和0.001ppt之间，而对于磷少于20ppm，特别是在20ppm和0.001ppt之间。碳化硅中的硼含量优选在7ppm和1ppt之间，优选在6ppm和1ppt之间，更优选在5ppm和1ppt之间或更低，或者例如在0.001ppm和0.001ppt之间，优选在分析检测的极限范围内。碳化硅中磷含量优选应在18ppm和1ppt之间，优选在15ppm和1ppt之间，更优选在10ppm和1ppt之间或更低。磷含量优选在分析检测的极限范围内。
由于碳化硅越来越多地以复合材料使用，例如用于生产半导体、刹车盘材料或者隔热材料及其它产品，根据本发明的方法和创造性组合物提供了一种在使用后以简单方式回收这些产品、或者在制备它们的过程中所得废料或弃料的方法。对于待回收碳化硅的唯一前提是要具有用于本方法的足够纯度，优选回收的碳化硅满足上文关于硼和/或磷的规定。
向本方法中添加的碳化硅可以a)以粉末的形式、以微粒的形式和/或以片的形式，和/或b)在特别是石英玻璃的多孔玻璃、挤出物和/或压制物中存在，例如球团或压块，任选地与其它添加剂一起。其它添加剂可以是例如-但不仅限于-硅氧化物或第二碳源，例如糖、石墨、碳纤维和加工助剂，如粘结剂。
所用的反应参与物，亦即硅氧化物、碳化硅和任选存在的第二碳源可以分别单独地、或连续地或分批在组合物中向方法中添加。优选在本方法过程中这样添加碳化硅，其能够实现特别经济可行的过程。为了维持反应持续地加速，连续或逐步添加碳化硅因而应该是有益的。
反应在用于制备硅如冶金硅的常规熔炼炉，或其它合适的熔炼炉如感应炉中进行。设计这样的熔炼炉、特别优选采用电弧光作为能量源的电炉是本领域的技术人员熟知的，且不构成本申请的一部分。直流炉具有一个熔化电极和一个基极，而交流炉典型地具有三个熔化电极。电弧光的长度通过电极调节器调节。电弧光炉通常基于一个由耐火材料制成的反应室，在较低的区域能够抽出(tap off)或排放液体硅。在较高的区域添加原料，其中还安装了用于产生电弧光的石墨电极。这些炉通常在1800℃区域的温度下运行。此外，本领域的技术人员已知炉内部本身必须不会对制备的硅产生污染。
本发明的方法能够以这样的方式进行：
a)将碳化硅与特别是二氧化硅的硅氧化物以及任选存在的第二碳源分别单独地供应到方法中，特别是供应到反应室中，随后任选混合，和/或
b)将碳化硅与硅氧化物、特别是二氧化硅以及任选存在的一种组合物中的第二碳源一起加入方法中，和/或
c)将硅氧化物、特别是二氧化硅与一种组合物中的第二碳源，特别是以挤出物或压制物形式、优选以球团或压块形式一起加入方法中，和/或
d)将一种组合物中的碳化硅与第二碳源一起加入或供应到方法中。该组合物可包括物理混合物、挤出物或压制物，或其它碳纤维增强的碳化硅。
如已对碳化硅进行过的详述，碳化硅和/或硅氧化物以及任选的第二碳源可作为待回收的材料供应到方法中。对所有待回收化合物的唯一前提是要求它们在本方法中具有用于形成硅的足够纯度，由此可以通过本方法来制备太阳能硅和/或半导体硅。可回收的硅氧化物包括石英玻璃如碎玻璃。举几个例子来说，这些可以是Suprasil、SQ1、Herasil、Spektrosil A。可例如经由在特定波长如157nm或193nm下的吸收来检测这些石英玻璃的纯度。就第二碳源而言，可采用例如几乎用完的电极，其已经被转化为期望的形式，例如粉末。
通过根据本发明的方法制备或得到的硅优选适于a)在制备太阳能硅或半导体硅的方法中进行进一步处理，或b)作为太阳能硅或半导体硅。
所制得硅中含硼和/或含磷化合物污染物对于硼而言应在少于10ppm至0.0001ppt的范围内，特别是在5ppm至0.0001ppt的范围内，优选3ppm至0.0001ppt的范围内，或更优选在1ppb至0.0001ppt范围内，以上所述以重量份计。磷含量应在少于10ppm至0.0001ppt的范围内，特别是在5ppm至0.0001ppt的范围内，优选在3ppm至0.0001ppt的范围内，或更优选在从1ppb至0.0001ppt的范围内，以上所述以重量份计。通常所述污染物的范围没有下限，其仅仅通过目前分析方法的检测极限来确定代替。对于含硼和/或含磷化合物的检测，可行的方法包括ICP-MS或其它的光谱分析或电阻测量。
本发明还提供了一种特别适合用于该制备硅的本方法的组合物，并且其品质优选适于作为太阳能硅或制备太阳能硅和/或半导体硅，所述组合物包括硅氧化物和碳化硅以及任选存在的第二碳源。特别是二氧化硅的可用的硅氧化物、碳化硅以及任选存在的第二碳源包括特别是上文提及的那些；它们优选还满足上文详述的纯度要求。
碳化硅也可存在于该组合物中，根据上文的备注，a)以粉末的形式、以微粒的形式和/或以片的形式，和/或b)在多孔玻璃、特别是石英玻璃中存在，在挤出物和/或压制物中存在，任选与其它添加剂一起。在其它实施方式中，该组合物可包括渗硅的碳化硅和/或含有碳纤维的碳化硅。当相应的碳化硅被送去回收时，这些组合物是优选的，因为所述碳化硅无法以另外的方式使用，例如生产废弃物或废品。当纯度足够用于根据本发明的方法时，就能够用这种方式将碳化硅、碳化硅陶瓷，例如加热板、刹车盘材料送去回收。一般地，作为生产结果的这些产品已经具有了足够的纯度。因此本发明还提供了在制备硅的方法中回收碳化硅。
相应地，特是二氧化硅的硅氧化物也可以以下形式存在于该组合物中：粉末的形式、微粒的形式、多孔的形式、泡沫的形式，作为挤出物、球团和/或多孔玻璃体，任选地与其它添加剂一起，特别是与第二碳源和/或碳化硅一起。优选所述组合物中硅氧化物与第二碳源一起以挤出物的形式存在，更优选以球团的形式存在。
本发明还进一步提供了根据前述任何权利要求在硅的制备中以碳化硅作为反应起动剂和/或反应促进剂的用途，或者相对于硅氧化物以近似等摩尔量使用碳化硅，或者特别是按照上文限定的、优选作为制备太阳能硅和/或半导体硅的粗产品的硅氧化物与SiC和C的比率来制备硅、特别是制备太阳能硅时的碳化硅的用途。本发明还提供了根据本发明的方法所制备的硅作为太阳能电池和/或半导体的基材、或者特别是作为用于制备太阳能硅的初始原料的用途。
本发明还提供了包括独立配制物(formulation)的试剂盒(Kit)，特别是在独立的容器例如箱、袋和或罐中，特别是以尤其是二氧化硅的硅氧化物、碳化硅和/或第二碳源的挤出物或粉末的形式，特别是根据上文的备注使用。优选在所述试剂盒中，硅氧化物直接与第二碳源作为挤出物、特别是作为球团存在于一个容器中，碳化硅作为粉末存在于第二容器中。
下面的实施例是对本发明的详细说明，而非通过这些实施例限制本发明。
实施例1
使SiO2(AEROSIL
Figure BPA00001330298700101
 OX 5O)与C(石墨)以约75∶25的重量比在SiC存在的条件下反应。
工艺过程：将作为能量源的电弧电光源以已知方式点燃。通过SiO2和C之间气态化合物的排出，可观察到反应的缓慢开始。随后，加入1重量％的粉状SiC。在经过很短的时间后，通过发光现象的产生，可观察到反应极大地增速。随后，添加SiC后的反应在强烈、明亮的橙色发光中进一步进行(约1000℃)。反应结束后得到了固体，基于其典型的深棕色(M.J.Mulligan等的Trans.Soc.Can.[3]21 Ⅲ[1927]263/4；Gmelin 15，Part B第1页[1959])，并借助于扫描电子显微镜(SEM)时，可以确认其为硅。
实施例2
使SiO2(AEROSIL OX 5O)与C以约65∶35的重量比在SiC存在的条件下反应。
工艺过程：将作为能量源的电弧电光源以已知的方式点燃。SiO2和C之间的反应以缓慢的方式开始，气体的产生就是证据。加入1重量％的粉状SiC。短时间后，这导致反应明显地加速，通过发光现象可进行识别。添加SiC后，反应在强烈、闪烁的发光中进一步进行。反应结束后，得到的固体通过SEM和EDX分析(能量分散性X-射线光谱)确认为硅。
对比实施例
使SiO2(AEROSIL
Figure BPA00001330298700112
 OX 5O)与C以65∶35的混合物在高温(1700℃)下在管中反应。反应几乎不开始，且没有任何显著的进展。没有观察到明亮的发光现象。

Claims (16)

1.一种通过在高温下转化硅氧化物以制备硅的方法，其特征在于：
将碳化硅加入硅氧化物中，或者在包括硅氧化物的组合物中加入碳化硅。
2.权利要求1的方法，其特征在于：
将第二碳源另外加入，或者第二碳源存在于该组合物中。
3.权利要求1或2的方法，其特征在于：
该硅氧化物为二氧化硅。
4.权利要求1-3之一的方法，其特征在于：
将碳化硅作为反应起动剂和/或反应促进剂和/或作为反应物加入。
5.权利要求1-4之一的方法，其特征在于：
该碳化硅
a)以粉状、粒状和/或片状的形式加入，和/或
b)在多孔玻璃或挤出物和/或压制物中存在，并任选地与其它添加剂一起存在。
6.权利要求1-5之一的方法，其特征在于：
a)将碳化硅与硅氧化物以及任选存在的第二碳源分别单独地供应到方法中，并任选随后混合，和/或
b)将碳化硅与硅氧化物及任选存在的一种组合物中的第二碳源一起加入方法中，和/或
c)将硅氧化物与一种组合物中的第二碳源一起加入方法中，和/或
d)将一种组合物中的碳化硅与第二碳源一起加入方法中。
7.权利要求1-6之一的方法，其特征在于：
将碳化硅和/或硅氧化物以及任选存在的第二碳源作为待回收的材料供应到方法中。
8.权利要求1-7之一的方法，其特征在于：
该硅适于
a)在制备太阳能硅或半导体硅的方法中进一步进行处理，或
b)作为太阳能硅或半导体硅。
9.一种适合用于权利要求1-8之一方法中的组合物，其特征在于：
该组合物包括硅氧化物和碳化硅，以及任选存在的第二碳源。
10.权利要求9的组合物，其特征在于：
该硅氧化物为二氧化硅。
11.权利要求9或10的组合物，其特征在于：
该碳化硅
a)以粉状、粒状和/或片状的形式存在，和/或
b)在多孔玻璃、挤出物和/或压制物中存在，任选地与其它添加剂一起存在。
12.权利要求9-11之一的组合物，其特征在于：
该硅氧化物以粉状的形式、粒状的形式、多孔的形式、泡沫的形式、作为挤出物、作为压制物和/或作为多孔玻璃体存在，并任选地与其它添加剂一起存在，特别是与第二碳源和/或碳化硅一起存在。
13.权利要求9-12之一的组合物，其特征在于：
该组合物包括渗硅的碳化硅，或包括含有碳纤维的碳化硅。
14.前述权利要求之一的碳化硅在制备硅中或在近似等摩尔量下制备硅中作为反应起动剂和/或反应促进剂的用途。
15.权利要求1-8制备的硅作为用于太阳能电池和/或半导体的基材的用途。
16.一种试剂盒，其包括单独的配制物，特别是硅氧化物、碳化硅和/或第二碳源的挤出物和/或粉末，特别是在根据任意前述权利要求的方法中，或用于根据任意前述权利要求的用途。
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