CN102110736A - 一种基于胶体量子点的红外光电探测器及其制备方法 - Google Patents
一种基于胶体量子点的红外光电探测器及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102110736A CN102110736A CN2010105394853A CN201010539485A CN102110736A CN 102110736 A CN102110736 A CN 102110736A CN 2010105394853 A CN2010105394853 A CN 2010105394853A CN 201010539485 A CN201010539485 A CN 201010539485A CN 102110736 A CN102110736 A CN 102110736A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- quantum dot
- photoelectric detector
- pedot
- infrared photoelectric
- colloid quantum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 title claims 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 2
- MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N [60]pcbm Chemical compound C123C(C4=C5C6=C7C8=C9C%10=C%11C%12=C%13C%14=C%15C%16=C%17C%18=C(C=%19C=%20C%18=C%18C%16=C%13C%13=C%11C9=C9C7=C(C=%20C9=C%13%18)C(C7=%19)=C96)C6=C%11C%17=C%15C%13=C%15C%14=C%12C%12=C%10C%10=C85)=C9C7=C6C2=C%11C%13=C2C%15=C%12C%10=C4C23C1(CCCC(=O)OC)C1=CC=CC=C1 MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 claims abstract description 28
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 claims abstract description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 15
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 claims description 12
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 3
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 claims description 3
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 claims description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- -1 Poly[2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene] Polymers 0.000 claims description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- GRPQBOKWXNIQMF-UHFFFAOYSA-N indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [Sn+4].[O-2].[In+3] GRPQBOKWXNIQMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 claims 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 claims 1
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 abstract description 5
- 238000005215 recombination Methods 0.000 abstract description 5
- 230000006798 recombination Effects 0.000 abstract description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 22
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 11
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 10
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 239000004054 semiconductor nanocrystal Substances 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XCAUINMIESBTBL-UHFFFAOYSA-N lead(ii) sulfide Chemical compound [Pb]=S XCAUINMIESBTBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000008399 tap water Substances 0.000 description 2
- 235000020679 tap water Nutrition 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 238000005381 potential energy Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000005476 size effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
本发明涉及一种基于胶体量子点的红外光电探测器及其制备方法,属于光电探测器技术领域。在ITO玻璃表面旋涂一层PEDOT:PSS空穴注入层,然后真空烘烤;再在PEDOT:PSS空穴注入层上旋涂一层有机活性层;最后真空条件下在有机活性层上蒸镀电极,即得到红外光电探测器。本发明的光电探测器结构简单;能够探测红外波段;PbS胶体量子点的加入降低激子的复合速率,从而增加光电探测器的光电导率;PbS胶体量子点的加入对聚合物具有敏化作用,从而使光电流增加更快;PCBM和MEH-PPV混合物的使用能够形成良好的互穿网络结构,使得光生激子有效地分离并快速传输,复合几率大大降低,光电流明显增大,能量转换效率提高。
Description
技术领域
本发明涉及一种基于胶体量子点的红外光电探测器及其制备方法,属于光电探测器技术领域。
背景技术
近年来,有机-无机复合光电导器件的研究受到了国内外科研工作者的广泛关注,并取得了许多研究成果。随着对半导体纳米晶的制备技术及其性质研究的突破,推动了纳米晶/聚合物复合器件的发展,人们纷纷将半导体纳米晶与有机聚合物相复合并应用于光电导器件的研究。
半导体纳米晶由于具有量子尺寸效应使其吸收光谱的峰位可以通过控制量子点的尺寸和形貌进行调节,有机聚合物可以通过溶液甩膜方式在衬底上成膜,具有工艺简单、成本低廉的优点,从而广泛应用于光电器件的制作中。另外,有机聚合物本身具有相对较大的激子束缚能以及低的电子迁移率等特性。因此将半导体纳米晶与有机(聚合物)材料复合并制备有机-无机复合光电导器件是目前应用研究的热点之一。这种光电导器件是构建施主-受主异质结的器件,在两种材料的界面处要求存在着由于电子亲合能和离化能之差形成的静电力,这就要求聚合物分子的电子亲合势和离化能比纳米晶要大,这样才会形成内建电场,从而驱使电荷分离。如果势能差大于激子束缚能,这些局域内电场会很强并使光生激子解离。另外,硫化铅(PbS)是一种重要的直接窄禁带半导体材料,在室温下,其禁带宽度约为0.4eV,其波尔激子半径则相对较大(~18nm)。这些特性使PbS对红外辐射很敏感,相对于其他溶液法制备的半导体量子点材料,PbS表现出了极大的优势而被广泛用作为红外探测材料。另外,由于MEH-PPV具有较低的离化势能(约在4.9eV和5.1ev之间)以及PCBM具有很好的空穴传输性能。因此,我们选用MEH-PPV和PCBM来作为载流子受体及载流子传输材料,并用PbS量子点来敏化它们,从而使器件的吸收光谱扩展到红外波段。此外,MEH-PPV与PbS量子点之间相近的HOMO能级以及PCBM与PbS量子点之间相近的LUMO能级分别有利于量子点产生的空穴和电子向相应电极的传输。
发明内容
本发明的目的是为了提供一种基于胶体量子点的红外光电探测器及其制备方法,即利用胶体量子点PbS掺入到有机聚合物或有机聚合物的混合物中使其对太阳光的吸收增强并将其吸收光谱由可见光波段拓展到红外波段,从而增强了光电流强度、进而提高红外光电探测器灵敏度的制备技术和方法。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的。
本发明的一种基于胶体量子点的红外光电探测器,包括氧化铟锡(ITO)玻璃、PEDOT:PSS空穴注入层、有机活性层和电极;其中有机活性层包括胶体量子点和有机聚合物;
上述的PEDOT:PSS是由PEDOT和PSS两种物质构成,PEDOT是EDOT(3,4-乙撑二氧噻吩单体)的聚合物,PSS是聚苯乙烯磺酸盐,PEDOT和PSS的质量比为1∶2.5;
上述胶体量子点为吸收峰在红外波段(波长大于800nm)的半导体材料,优选为PbS;
上述的有机聚合物为MEH-PPV和PCBM的混合物;
其中MEH-PPV为Poly[2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene],PCBM为[6,6]-Phenyl C61butyric acid methyl ester;胶体量子点、MEH-PPV和PCBM的质量比为2∶1∶4;
上述电极为功函数小于等于4.3eV的金属电极优选为铝电极、多层金属电极优选为Ca/Al或者金属合金优选为Mg/Ag合金;
上述的红外光电探测器还可以包括电子传输层和空穴传输层。
本发明的一种基于胶体量子点的红外光电探测器的制备方法,具体步骤为:
在ITO玻璃表面旋涂一层PEDOT:PSS空穴注入层,然后真空烘烤,烘烤温度为110~130℃,烘烤时间为10~30min;再在PEDOT:PSS空穴注入层上旋涂一层有机活性层;最后真空条件下在有机活性层上蒸镀电极,即得到红外光电探测器。
还可以通过设计ITO和电极不同的图案得到场效应晶体管结构的红外光电探测器。
有机活性层中的有机聚合物或胶体量子点吸收光子后,使得电子很容易由PbS转移到PCBM上,而空穴很容易由PbS转移到MEH-PPV上,这样就实现了电荷分离,由此可以看出这种界面电荷的转移和分离可以降低激子的复合速率,从而增加器件的光电导率。
将MEH-PPV与PCBM混合之后,其混合溶液的吸收光谱是单组分材料的吸收光谱的线性叠加;再在该混合溶液中进一步掺入PbS胶体量子点之后,该最后混合溶液的吸收光谱扩展到红外波段。因此基于该混合溶液为有机活性层制备的光电探测器件能吸收可见光波段及红外光波段,其光电流响应增强,灵敏度提高。
有益效果
本发明的光电探测器结构简单;能够探测红外波段;PbS胶体量子点的加入降低激子的复合速率,从而增加光电探测器的光电导率;PbS胶体量子点的加入对聚合物具有敏化作用,从而使光电流增加更快;PCBM和MEH-PPV混合物的使用能够形成良好的互穿网络结构,使得光生激子有效地分离并快速传输,复合几率大大降低,光电流明显增大,能量转换效率提高。
附图说明
图1为红外光电探测器的各组分的能级分布图;
图2为实施例1、对比例1和对比例2中制备的光电探测器在中心波长为980nm的半导体激光器的70mW/cm2光照强度条件下光照的I-V曲线;
图3为实施例1制备的光电探测器在中心波长为980nm的半导体激光器的70mW/cm2光照强度条件下光照的I-V曲线和没光照条件下的I-V曲线对比图;
图4为PbS溶液、MEH-PPV溶液以及PCBM溶液的吸收光谱图;
图5为PbS溶液、MEH-PPV溶液和PCBM溶液的混合溶液的吸收光谱图;
图6为实施例1制备的红外光电探测器的结构示意图;
图7为实施例2制备的红外光电探测器的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明做进一步说明。
实施例1
基于胶体量子点的红外光电探测器,包括ITO玻璃、PEDOT:PSS空穴注入层、有机活性层和电极;其中ITO玻璃在可见光以及近紫外光范围内透过率为85%;PEDOT:PSS空穴注入层有利于空穴注入;有机活性层包括胶体量子点PbS、MEH-PPV和PCBM,胶体量子点PbS、MEH-PPV和PCBM的质量比为2∶1∶4;电极为铝电极,其功函数为4.2eV;红外光电探测器的各组分的能级分布图如图1所示,由图1可以得知,铝与胶体量子点PbS、MEH-PPV、PCBM有好的能级匹配,有利于电荷的收集,而且Al在空气中稳定;
上述的PEDOT:PSS是由PEDOT和PSS两种物质构成,PEDOT是EDOT(3,4-乙撑二氧噻吩单体)的聚合物,PSS是聚苯乙烯磺酸盐,PEDOT和PSS的重量比为1∶2.5。
基于胶体量子点的红外光电探测器的制备方法,具体步骤为:
首先用脱脂棉和洗涤剂反复擦拭ITO玻璃,并用自来水冲洗干净,然后再分别用丙酮、乙醇和去离子水超声各15分钟,在超净间中用氮气吹干后在ITO玻璃表面旋涂一层40nm厚的PEDOT:PSS空穴注入层,放入真空烘箱中在120℃下烘烤20分钟;再在PEDOT:PSS空穴注入层上旋涂一层100nm厚的有机活性层;最后在有机活性层上、4×10-3Pa的真空条件下蒸镀150nm厚的铝电极,即得到基于胶体量子点与有机聚合物的红外光电探测器,如图6所示。
实施例2
基于胶体量子点的红外光电探测器,包括ITO玻璃、有机活性层和电极;其中ITO玻璃在可见光以及近紫外光范围内透过率为85%;有机活性层包括胶体量子点PbS、MEH-PPV和PCBM,胶体量子点PbS、MEH-PPV和PCBM的质量比为2∶1∶4;电极为铝电极,其功函数为4.2eV;红外光电探测器的各组分的能级分布图如图1所示,由图1可以得知,铝与胶体量子点PbS、MEH-PPV、PCBM有好的能级匹配,有利于电荷的收集,而且Al在空气中稳定。
基于胶体量子点的红外光电探测器的制备方法,具体步骤为:
首先用脱脂棉和洗涤剂反复擦拭氧化铟锡(ITO)玻璃,并用自来水冲洗干净,然后再分别用丙酮、乙醇和去离子水超声各15分钟,在超净间中用氮气吹干后在ITO玻璃表面旋涂100nm厚的有机活性层;最后在有机活性层上、4×10-3Pa的真空条件下蒸镀150nm厚的铝电极,即得到基于胶体量子点与有机聚合物的具有场效应晶体管结构的红外光电探测器,如图7所示。
对比例1
红外光电探测器和制备方法同实施例1,其中不同的是以MEH-PPV+PbS代替MEH-PPV+PCBM+PbS作为有机活性层,最后制得基于胶体量子点与有机聚合物的红外光电探测器。
对比例2
红外光电探测器和制备方法同实施例1,其中不同的是以PCBM+PbS代替MEH-PPV+PCBM+PbS作为有机活性层,最后制得基于胶体量子点与有机聚合物的红外光电探测器。
实施例1、对比例1和对比例2中制备的光电探测器在中心波长为980nm的半导体激光器的70mW/cm2光照强度条件下光照的I-V曲线如图2所示;
由图中可以得知由实施例1得到的光电探测器的光电流最强;
实施例1制备的光电探测器在中心波长为980nm的半导体激光器的70mW/cm2光照强度条件下光照的I-V曲线和没有光照条件下的I-V曲线对比图如图3所示;
由图中可知,实施例1在光照条件下的灵敏度高于没有光照时的灵敏度。
PbS溶液、MEH-PPV溶液以及PCBM溶液的吸收光谱图如图4所示,PbS溶液、MEH-PPV溶液和PCBM溶液的混合溶液的吸收光谱图如图5所示,由图4和图5可知,PbS溶液、MEH-PPV溶液和PCBM溶液的混合溶液的吸收光谱是PbS溶液、MEH-PPV溶液以及PCBM溶液的吸收光谱的线性叠加;
由图5可知,在混合溶液中掺入PbS溶液之后,该最后混合溶液的吸收光谱扩展到红外波段;因此基于该混合溶液为有机活性层制备的光电探测器件能吸收可见光波段及红外光波段,其光电流响应增强,灵敏度提高。
Claims (8)
1.一种基于胶体量子点的红外光电探测器,包括氧化铟锡玻璃、PEDOT:PSS空穴注入层、有机活性层和电极;其特征在于:有机活性层包括胶体量子点和有机聚合物;
PEDOT:PSS是由PEDOT和PSS两种物质构成,PEDOT是3,4-乙撑二氧噻吩单体的聚合物,PSS是聚苯乙烯磺酸盐,PEDOT和PSS的质量比为1∶2.5;
胶体量子点为吸收峰在红外波段的半导体材料;
有机聚合物为MEH-PPV和PCBM的混合物;
其中MEH-PPV为Poly[2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene],PCBM为[6,6]-Phenyl C61butyric acid methyl ester;胶体量子点、MEH-PPV和PCBM的质量比为2∶1∶4;
电极为功函数小于等于4.3eV的金属电极、多层金属电极或者金属合金。
2.根据权利要求1所述的一种基于胶体量子点的红外光电探测器,其特征在于:胶体量子点优选为PbS。
3.根据权利要求1所述的一种基于胶体量子点的红外光电探测器,其特征在于:金属电极优选为铝电极。
4.根据权利要求1所述的一种基于胶体量子点的红外光电探测器,其特征在于:多层金属电极优选为Ca/Al。
5.根据权利要求1所述的一种基于胶体量子点的红外光电探测器,其特征在于:金属合金优选为Mg/Ag合金。
6.根据权利要求1所述的一种基于胶体量子点的红外光电探测器,其特征在于:红外光电探测器还包括电子传输层和空穴传输层。
7.一种基于胶体量子点的红外光电探测器的制备方法,其特征在于具体步骤为:在氧化铟锡玻璃表面旋涂一层PEDOT:PSS空穴注入层,然后真空烘烤,烘烤温度为110~130℃,烘烤时间为10~30min;再在PEDOT:PSS空穴注入层上旋涂一层有机活性层;最后真空条件下在有机活性层上蒸镀电极,即得到红外光电探测器。
8.根据权利要求7所述的一种基于胶体量子点的红外光电探测器的制备方法,其特征在于:通过设计氧化铟锡和电极不同的图案得到场效应晶体管结构的红外光电探测器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2010105394853A CN102110736B (zh) | 2010-11-09 | 2010-11-09 | 一种基于胶体量子点的红外光电探测器及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2010105394853A CN102110736B (zh) | 2010-11-09 | 2010-11-09 | 一种基于胶体量子点的红外光电探测器及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102110736A true CN102110736A (zh) | 2011-06-29 |
CN102110736B CN102110736B (zh) | 2012-05-23 |
Family
ID=44174832
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2010105394853A Expired - Fee Related CN102110736B (zh) | 2010-11-09 | 2010-11-09 | 一种基于胶体量子点的红外光电探测器及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102110736B (zh) |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103078056A (zh) * | 2013-01-22 | 2013-05-01 | 北京交通大学 | 一种基于稀土配合物的光盲型有机紫外探测器件 |
CN103674318A (zh) * | 2014-01-06 | 2014-03-26 | 吉林大学 | 基于胶体硒化铅量子点的集成电路芯片微区表面温度分布的检测方法 |
CN104064504A (zh) * | 2014-06-27 | 2014-09-24 | 华中科技大学 | 一种用保鲜膜转移导电膜的方法 |
CN105206701A (zh) * | 2015-10-13 | 2015-12-30 | 山西国惠光电科技有限公司 | 一种直接沉积于读出电路上的光电探测器及其制备方法 |
CN104165706B (zh) * | 2014-08-15 | 2016-08-31 | 吉林大学 | PbSe量子点液芯光纤温度传感器的制作及温度检测方法 |
CN105977336A (zh) * | 2016-05-30 | 2016-09-28 | 北京理工大学 | 一种量子点红外探测与显示器件及其制备方法 |
CN106847988A (zh) * | 2017-01-25 | 2017-06-13 | 东南大学 | 基于平板显示tft基板的大面积红外探测器件及其驱动方法 |
CN107170849A (zh) * | 2017-05-04 | 2017-09-15 | 华中科技大学 | 一种条型超表面结构偏振相关窄带探测器及其制备与应用 |
CN107275421A (zh) * | 2017-06-07 | 2017-10-20 | 华中科技大学 | 一种量子点光电探测器及其制备方法 |
CN107275484A (zh) * | 2016-04-07 | 2017-10-20 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种近红外探测器及其制备方法 |
CN108847445A (zh) * | 2018-06-06 | 2018-11-20 | 太原理工大学 | 基于表面等离激元共振的有机光电倍增探测器及制作方法 |
CN112151681A (zh) * | 2020-09-25 | 2020-12-29 | 东北师范大学 | 一种PbS量子点光吸收层的制备方法及其应用和太阳能电池 |
CN112531049A (zh) * | 2020-09-22 | 2021-03-19 | 华中科技大学 | 量子点吸光层及其制备方法、应用 |
CN112909185A (zh) * | 2021-01-18 | 2021-06-04 | 西安工业大学 | 一种基于量子点和高分子聚合物的光导器件的制备方法 |
CN113130780A (zh) * | 2019-12-31 | 2021-07-16 | Tcl集团股份有限公司 | 复合薄膜及其制备方法和发光二极管 |
CN114628588A (zh) * | 2022-03-14 | 2022-06-14 | 电子科技大学 | 一种PbS量子点敏化有机光电探测器及制备方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1286397A (zh) * | 2000-10-19 | 2001-03-07 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 多量子阱红外级联光伏探测器 |
-
2010
- 2010-11-09 CN CN2010105394853A patent/CN102110736B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1286397A (zh) * | 2000-10-19 | 2001-03-07 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 多量子阱红外级联光伏探测器 |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103078056A (zh) * | 2013-01-22 | 2013-05-01 | 北京交通大学 | 一种基于稀土配合物的光盲型有机紫外探测器件 |
CN103674318A (zh) * | 2014-01-06 | 2014-03-26 | 吉林大学 | 基于胶体硒化铅量子点的集成电路芯片微区表面温度分布的检测方法 |
CN103674318B (zh) * | 2014-01-06 | 2016-01-20 | 吉林大学 | 基于胶体硒化铅量子点的集成电路芯片微区表面温度分布的检测方法 |
CN104064504A (zh) * | 2014-06-27 | 2014-09-24 | 华中科技大学 | 一种用保鲜膜转移导电膜的方法 |
CN104165706B (zh) * | 2014-08-15 | 2016-08-31 | 吉林大学 | PbSe量子点液芯光纤温度传感器的制作及温度检测方法 |
CN105206701A (zh) * | 2015-10-13 | 2015-12-30 | 山西国惠光电科技有限公司 | 一种直接沉积于读出电路上的光电探测器及其制备方法 |
CN105206701B (zh) * | 2015-10-13 | 2017-01-25 | 山西国惠光电科技有限公司 | 一种直接沉积于读出电路上的光电探测器及其制备方法 |
CN107275484A (zh) * | 2016-04-07 | 2017-10-20 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种近红外探测器及其制备方法 |
CN105977336A (zh) * | 2016-05-30 | 2016-09-28 | 北京理工大学 | 一种量子点红外探测与显示器件及其制备方法 |
CN106847988A (zh) * | 2017-01-25 | 2017-06-13 | 东南大学 | 基于平板显示tft基板的大面积红外探测器件及其驱动方法 |
CN107170849A (zh) * | 2017-05-04 | 2017-09-15 | 华中科技大学 | 一种条型超表面结构偏振相关窄带探测器及其制备与应用 |
CN107275421A (zh) * | 2017-06-07 | 2017-10-20 | 华中科技大学 | 一种量子点光电探测器及其制备方法 |
CN108847445A (zh) * | 2018-06-06 | 2018-11-20 | 太原理工大学 | 基于表面等离激元共振的有机光电倍增探测器及制作方法 |
CN113130780A (zh) * | 2019-12-31 | 2021-07-16 | Tcl集团股份有限公司 | 复合薄膜及其制备方法和发光二极管 |
CN112531049A (zh) * | 2020-09-22 | 2021-03-19 | 华中科技大学 | 量子点吸光层及其制备方法、应用 |
CN112531049B (zh) * | 2020-09-22 | 2022-09-16 | 华中科技大学 | 量子点吸光层及其制备方法、应用 |
CN112151681A (zh) * | 2020-09-25 | 2020-12-29 | 东北师范大学 | 一种PbS量子点光吸收层的制备方法及其应用和太阳能电池 |
CN112151681B (zh) * | 2020-09-25 | 2022-05-31 | 东北师范大学 | 一种PbS量子点光吸收层的制备方法及其应用和太阳能电池 |
CN112909185A (zh) * | 2021-01-18 | 2021-06-04 | 西安工业大学 | 一种基于量子点和高分子聚合物的光导器件的制备方法 |
CN114628588A (zh) * | 2022-03-14 | 2022-06-14 | 电子科技大学 | 一种PbS量子点敏化有机光电探测器及制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102110736B (zh) | 2012-05-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102110736B (zh) | 一种基于胶体量子点的红外光电探测器及其制备方法 | |
Sista et al. | Tandem polymer photovoltaic cells—current status, challenges and future outlook | |
Da Silva et al. | Transparent flexible organic solar cells with 6.87% efficiency manufactured by an all-solution process | |
Peng et al. | Interface bonding engineering of a transparent conductive electrode towards highly efficient and mechanically flexible ITO-free organic solar cells | |
JP5447521B2 (ja) | 有機光電変換素子、それを用いた太陽電池および光センサアレイ | |
CN102306707A (zh) | 一种基于胶体量子点及石墨烯为光电极的光电探测器及其制备方法 | |
CN108767118A (zh) | 一种三元全聚合物太阳能电池 | |
CN108520919A (zh) | 一种有机/无机杂化钙钛矿光电探测器及其制备方法 | |
US20130248822A1 (en) | Broadband Polymer Photodetectors Using Zinc Oxide Nanowire as an Electron-Transporting Layer | |
JP5493465B2 (ja) | 有機薄膜太陽電池 | |
CN102064281A (zh) | 一种以乙酸铯为阴极修饰层的有机光伏电池及其制备方法 | |
Cai et al. | Using ultra-high molecular weight hydrophilic polymer as cathode interlayer for inverted polymer solar cells: Enhanced efficiency and excellent air-stability | |
CN102280590B (zh) | 一种基于胶体量子点及石墨烯为光阳极的太阳电池及其制备方法 | |
CN110197860A (zh) | 一种上转换光发射光电晶体管及其制备方法和用途 | |
JP2012099592A (ja) | 有機光電変換素子、太陽電池およびその製造方法 | |
US20150040973A1 (en) | Light transmission type two-sided solar cell | |
JP5644041B2 (ja) | 有機光電変換素子の製造方法 | |
WO2010090123A1 (ja) | 有機光電変換素子、それを用いた太陽電池、及び光センサアレイ | |
CN105185911B (zh) | 一种基于溶剂掺杂的聚合物太阳能电池及其制备方法 | |
Zhang et al. | Preparation and employment of carbon nanodots to improve electron extraction capacity of polyethylenimine interfacial layer for polymer solar cells | |
CN104241532A (zh) | 一种有机光伏电池及制备方法 | |
CN103346259B (zh) | 一种有机太阳能电池 | |
JP5944120B2 (ja) | 有機光電変換素子とその製造方法、およびそれを用いた有機太陽電池 | |
CN110323337A (zh) | 一种铅锡二元钙钛矿光电探测器及其制备方法 | |
KR20100090874A (ko) | 광가교형 유기 박막 디바이스 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C17 | Cessation of patent right | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20120523 Termination date: 20121109 |