CN102037368B - 光隔离器多电压检测电路 - Google Patents

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Abstract

一种光隔离器多电压检测电路能够处理从约9伏特DC至约240伏特AC范围输入电压，其包括输入电压，光隔离器，整流器，分压器，第一和第二晶体管，和DC-DC转换器。分压器可操作地耦接至第一和第二晶体管，能够在第一和第二晶体管之间平均分配输入电压。DC-DC转换器可操作地耦接至晶体管，分压器，和光隔离器，能够保持来自整流器的输出电流。使用DC-DC转换器，分压器和晶体管提供降低通过整个电路损耗的能量的好处。

Description

光隔离器多电压检测电路
技术领域
本发明涉及电压检测设备，并且尤其涉及提供电压检测的光隔离器多电压检测电路。
背景技术
存在有多种用于为电子器件提供能量的电源。例如，在美国和日本，标准AC电压为110V，而在欧洲、澳大利亚和其他国家，AC标准电压为240V。当连接电子器件至电源或者任何电路时，确认存在该电子器件所需的电压是有利的。
目前，可用的低电压检测电路被用于检测来自电源的电压的存在。光隔离器是一种电子元件，其典型地用于低电压检测电路以在输入和输出电路之间，例如低电压和高电压电路之间，光传输信号。光隔离器帮助不同电路相互电磁隔离，并隔离潜在的破坏性电压尖峰。不同于电压变换器，光隔离器去除了接地回路，以及多余的噪声或者电磁干扰(EMI)，并且提供严重过压情形保护。一般地，电压检测电路包括光隔离器以检测电压的存在，也包括与该光隔离器串接的检测电阻。在一些应用中可能不需要使用检测电阻，因为这些电阻必须处理导致高阻抗噪声脉冲的多余能量耗散。然而，检测电阻较昂贵，并且通常大量散热。
发明内容
根据本发明的一个方面，用于来自电压源的9伏特DC至240伏特AC输入电压的光隔离器多电压检测电路，包括光隔离器，连接到电压源的二极管，以及第一晶体管。该光隔离器用于检测电压源的存在，从该二极管正向流过的电流偏置该光隔离器的发光二极管(LED)，因此由输入电压引起的通过所述第一晶体管耗散的任何能量被保持在或者低于可接受的量级。
光隔离器多电压检测电路可以进一步包括例如DC-DC转换器的转换器。DC-DC转换器可以进一步提供降低系统串扰和能量耗散的好处。
光隔离器多电压检测电路可以进一步包括第二晶体管和分压器。该分压器可以可操作地耦接到第一和第二晶体管，并且配置成在第一和第二晶体管两端分配输入电压。该分压器可以进一步提供降低通过第一和第二晶体管耗散的能量。
根据本发明的另一方面，一种用于来自电压源的9伏特DC至240伏特AC输入电压的光隔离器多电压检测电路，包括二极管，第一和第二晶体管，两个齐纳二极管，和耦接到第一和第二晶体管的光隔离器。该齐纳二极管可以限制对第一和第二晶体管的输入电压，从而使得能量耗散和系统串扰的整体降低。
根据本发明的另一方面，用于来自电压源的9伏特DC至240伏特AC输入电压的光隔离器多电压检测电路，包括连接到电压源的整流器，光隔离器，第一和第二晶体管，耦接到第一和第二晶体管的分压器，和连接到第二晶体管和光隔离器的转换器。该分压器配置成在第一和第二晶体管两端分配输入电压。转换器，例如DC-DC转换器，配置成保持来自整流器的输出电流。当来自整流器的输出电流正向偏置光隔离器的发光二极管(LED)时，第一和第二晶体管配置成降低通过电路耗散的能量从而第一和第二晶体管的能量耗散不同于通过电路耗散的能量。
附图说明
为了更完整地理解本公开，参照以下详细的描述和附图，其中：
图1是可以用于连接多种电子设备中的任何一种至电压源的光隔离器多电压电测设备的立体图；
图2是根据本发明的教导配置的光隔离器多电压检测设备的示意图；
图3是根据本发明的教导配置的光隔离器多电压检测设备的另一个实施例的示意图；
图4是根据本发明的教导配置的光隔离器多电压检测设备的另一个实施例的示意图；
图5是根据本发明的教导配置的光隔离器多电压检测设备的另一个实施例的示意图；
图6是根据本发明的教导配置的光隔离器多电压检测设备的另一个实施例的示意图。
具体实施方式
图1示意地描述了根据本发明的教导配置的示例性的光隔离器多电压检测电路10。电路10可以用于连接多种电子设备中的任意一种至电压源12。该电路10可以是连接几乎任何一种电子设备至电压源12的插孔12a的分离的电路。或者，电路10可以是在该电子设备内部的内置电路，该电子设备可以直接连接到插孔12a。示例性的电子设备包括电吹风14，电动剃刀16，真空吸尘器18或者其他的消费电子设备。
图2示出了根据本发明的教导配置的示例性的光隔离器多电压检测电路100。电路100包括光隔离器D1，优选地，该光隔离器为Avago Technologies Limited出售的号码HCPL-2360的部件。典型地，光隔离器D1包括发光二极管LED和光电晶体管Q1。当使用优选的光隔离器时，该光隔离器能够检测范围从约1.2mA至约50mA的电流。为了检测不同范围的电流，可以选择其他的尺寸。结果是，电流驱动LED发光。电路100还包括二极管D2，电阻R1，和晶体管X1。晶体管X1可以是N沟道耗尽型场效应晶体管(FET)，其优选地为Infineon Technologies AG出售的号码为BSS139的部件。晶体管X1具有源极112，漏极114，和栅极116。二极管D2，可以是表面安装标准恢复功率整流二极管，连接到晶体管X1的漏极114。二极管D2优选地为Semiconductor Components Industries，LLC出售的号码为MRA4007T3的部件。晶体管X1的栅极和电阻R1的一端被连接到光隔离器D1的一端。光隔离器D1的另一端被连接到地GND。晶体管X1的源极112被连接到电阻R1的另一端。电阻R1优选地为768欧姆，虽然可以考虑其他电阻值。输入Vin被连接到二极管D2。
现在描述电路100的运行。根据本发明的教导，电路100用于处理从约9伏特DC至约240伏特AC的大范围的输入电压。例如，当约250Vac均方根(约350Vac峰值)的输入被施加到电路100，电流开始流过二极管D2，晶体管X1，电阻R1，和光隔离器D1。因此，流过光隔离器D1的电流范围从约1.3mA至约2.7mA，从而导致光隔离器D1的LED发光。晶体管X1两端的电压Vgs范围从约-1伏特至约-2.1伏特。因此，通过晶体管X1耗散的能量大约为338mW，其接近晶体管X1的额定功率(360mW)。
为了进一步降低能量耗散，晶体管X1可以大于上述的示例性的晶体管BSS139。例如，晶体管X1可以是Infineon Technologies AG出售的号码BSS126的部件，其具有约500mW的较高的功率，和约600伏特的较高的电压Vds。也可以使用较大的电阻。一个示例性的较大的电阻可以具有约1.23千欧的阻值。当使用较大的晶体管和电阻，并且约250Vac均方根(约350Vac峰值)的输入被施加到电路100时，电流开始流过二极管D2，晶体管，电阻，和光隔离器D1。因此，流过光隔离器D1的电流范围从约1.3mA至约2.2mA，晶体管两端的电压Vgs范围从约-1.6伏特至约-2.7伏特。因此，通过晶体管耗散的能量大约为275mW，为晶体管额定功率(500mW)的一半。再次，使用高功率和高压晶体管可以进一步提供降低通过晶体管X1耗散的能量的好处。
图3示出了根据本发明的另一个示例性实施例教导配置的光隔离器多电压检测电路200。电路200包括光隔离器D1，其优选地为Avago Technologies Limited出售的号码为HCPL-2360的部件。典型地，光隔离器D1包括发光二极管LED和光电晶体管Q1。当使用优选的光隔离器时，光隔离器能够检测范围从约1.2mA至约50mA的电流，并且电流驱动LED发光。电路200还包括二极管D2，电阻R1，晶体管X1，和DC-DC转换器218。晶体管X1可以是N沟道耗尽型场效应晶体管(FET)，其为前述的Infineon Technologies AG出售的晶体管BSS139。晶体管X1具有源极212，漏极214，和栅极216。二极管D2，例如表面安装标准恢复功率整流二极管，被连接到晶体管X1的漏极214。二极管D2优选地为SemiconductorComponents Industries，LLC出售的号码MRA4007T3的部件。晶体管X1的栅极216连接到电阻R1的一端和DC-DC转换器218的第一端218a。DC-DC转换器218的第二端218b被连接至晶体管X1的源极212。DC-DC转换器218的第三端218c被连接至电阻R1的另一端和光隔离器D1的一端。光隔离器D1的另一端连接到地GND。在此情形下电阻R1优选地大于图1中的电阻。电阻R1优选地为3.8千欧，尽管可以考虑其他电阻值。DC-DC转换器218优选地额定电压为5伏特，尽管可以考虑其他电压值。输入Vin连接到二极管D2的另一端。
现在描述电路200的运行。根据本发明的教导，电路200用于处理从约9伏特DC至约240伏特AC范围的输入电压。例如，当约250Vac均方根(约350Vac峰值)的输入被施加到电路200时，电流开始流过二极管D2，晶体管X1，电阻R1，DC-DC转换器218，和光隔离器D1。结果，DC-DC转换器保持流过光隔离器D1的电流约为1.3mA。DC-DC转换器也保持晶体管X1的能量耗散约为163mW，其低于晶体管的额定功率(360mW)。使用DC-DC转换器218可以提供保持流过电路100的电流的好处，因此使得系统串扰和能量耗散整体降低。
图4示出了根据本发明的又一个示例性实施例教导的光隔离器多电压检测电路300。电路300包括光隔离器D1，其优选地为前述的Avago Technologies Limited出售的号码HCPL-2360的部件。光隔离器D1包括发光二极管LED和光电晶体管Q1。再次，当使用优选的光隔离器时，光隔离器能够检测范围从约1.2mA至约50mA的电流。电路300还包括二极管D2，第一齐纳二极管Z1，第二齐纳二极管Z2，第一电阻R1，第二电阻R2，第一晶体管X1，和第二晶体管X2。串接的第一和第二晶体管X1，X2优选地为N沟道耗尽型场效应晶体管(FET)，其可以是Infineon Technologies AG出售的号码BSS139的部件。第一晶体管X1具有源极312，漏极314，和栅极316。第二晶体管X2也具有源极320，漏极322，和栅极324。二极管D2，例如表面安装标准恢复功率整流二极管，连接到晶体管X2的漏极322和齐纳管Z1的一端。齐纳管Z1的另一端连接到晶体管X2的源极320和电阻R2的一端。电阻R2的另一端连接到晶体管X2的栅极324。二极管D2优选地为Semiconductor ComponentsIndustries，LLC制造的上述的号码MRA4007T3的部件。输入Vin连接到二极管D2的另一端。
齐纳二极管Z1的一端连接到晶体管X1的漏极314。齐纳二极管Z1的另一端连接到晶体管X1的源极312和电阻R1的一端。电阻R1的另一端连接到晶体管X1的栅极316和光隔离器D1的一端。光隔离器D1的另一端连接到地GND。在此情形中电阻R1优选地为768欧姆，而电阻R2优选地为750欧姆，尽管可以考虑其他电阻值。齐纳二极管Z1，Z2优选地为Semiconductor Components Industries，LLC出售的号码1SMB5952BT3的部件，具有额定电压130伏特和额定功率3瓦。可以考虑其他额定电压和功率。
现在描述电路300的运行。因为增加了第二晶体管X2和齐纳二极管Z1，Z2，当约250Vac均方根(约350Vac峰值)的输入被施加到电路300时，电流开始流过二极管D2，晶体管X1，X2，齐纳二极管Z1，Z2，电阻R1，R2，和光隔离器D1。结果，晶体管X1，X2两端测量到的电压低于峰值电压(约180V)，同时流过光隔离器D1的电流从约1.3mA变化到约2.7mA。这使得晶体管X1，X2产生173mW的能量耗散。使用齐纳二极管Z1，Z2可以提供限制第一和第二晶体管X1，X2的输入电压的好处。使用晶体管X1，X2可以提供使得系统串扰和能量耗散整体降低的好处。
图5示出了根据本发明的又一个示例性实施例教导的光隔离器多电压检测电路400。电路400包括光隔离器D1，其优选地为前述的Avago Technologies Limited出售的号码HCPL-2360的部件。典型地，光隔离器D1包括发光二极管LED和光电晶体管Q1。优选的光隔离器能够检测范围从约1.2mA至约50mA的电流，因此，电流驱动LED发光。电路400还包括二极管D2，电容C1，第一电阻R1，第二电阻R2，第三电阻R3，第四电阻R4，第一晶体管X1，和第二晶体管X2。二极管D2，电阻R2，电容C1组成整流器438，电阻R3和R4组成分压器440。串接的第一和第二晶体管X1，X2可以为前述的N沟道耗尽型场效应晶体管(FET)。第一晶体管X1具有源极412，漏极414，和栅极416。第二晶体管X2也具有源极420，漏极422，和栅极424。二极管D2，例如表面安装标准恢复功率整流二极管，连接到电阻R2的一端。输入Vin连接到二极管D2的另一端。电阻R2的另一端连接到电容C1的一端和晶体管X2的漏极422。电容C1的另一端连接到地GND。电容C1优选地具有电容值0.01μ，尽管可以考虑不同的电容值。
晶体管X2的源极420连接到晶体管X1的漏极414。晶体管X2的栅极424连接电阻R3和R4。电阻R3的另一端连接晶体管X2的漏极422。晶体管X1的源极412连接电阻R1的一端。电阻R1的另一端连接晶体管X1的栅极416和光隔离器D1的一端。光隔离器D1的另一端连接地GND。电阻R1优选地具有阻值768欧姆，剩下的R2，R3，R4的阻值可以分别是，例如，1兆欧，尽管可以考虑其他电阻值。
现在描述电路400的运行。当约250Vac均方根(约350Vac峰值)的输入被施加到电路400时，电流开始流过二极管D2，晶体管X1，X2，电阻R1，R2，R3，R4，和光隔离器D1。在此配置中，流过光隔离器D1的电流从约1.3mA变化到约2.7mA。有利地，对晶体管X1，X2使用分压器440提供在晶体管X1，X2两端平均分配输入电压为约峰值电压的一半(约125V)的好处。这使得晶体管X1产生约169mW的能量耗散。从而，不再需要齐纳二极管。
图6示出了根据本发明的又一个示例性实施例教导的光隔离器多电压检测电路500。电路500包括光隔离器D1，其优选地为前述的Avago Technologies Limited出售的号码HCPL-2360的部件，能够检测范围从约1.2mA至约50mA的电流。典型地，光隔离器D1包括发光二极管LED和光电晶体管Q1。当范围从约1.2mA至约50mA的电流流过光隔离器D1时，LED发光。电路500还包括二极管D2，电容C1，第一电阻R1，第二电阻R2，第三电阻R3，第四电阻R4，第一晶体管X1，第二晶体管X2，和DC-DC转换器518。二极管D2，电阻R2，电容C1组成整流器538，电阻R3和R4组成分压器540。串接的第一和第二晶体管X1，X2可以为前述的Infineon TechnologiesAG出售的N沟道耗尽型场效应晶体管(FET)。第一晶体管X1具有源极512，漏极514，和栅极516。第二晶体管X2也具有源极520，漏极522，和栅极524。二极管D2，其可以为表面安装标准恢复功率整流二极管，连接到电阻R2的一端。输入Vin连接到二极管D2的另一端。电阻R2的另一端连接到电容C1的一端和晶体管X2的漏极522。电容C1的另一端连接到地GND。电容C1优选地具有电容值0.01μ，尽管可以考虑不同的电容值。
晶体管X2的源极520连接到晶体管X1的漏极514。晶体管X2的栅极524连接电阻R3和R4。电阻R3的另一端连接晶体管X2的漏极522。晶体管X1的源极512连接DC-DC转换器518的第二端518b。晶体管X1的栅极516连接到DC-DC转换器518的第一端518a和电阻R1的一端。DC-DC转换器518的第三端518c连接到电阻R1的另一端和光隔离器D1的一端。光隔离器D1的另一端连接地GND。在此情形中电阻R1优选地具有约3.8千欧的阻值，剩下的R2，R3，R4的阻值优选地为约1兆欧。DC-DC转换器518的额定电压优选地为5V，尽管可以考虑其他电压值。
现在描述电路500的运行。当约250Vac均方根(约350Vac峰值)的输入被施加到电路500时，电流开始流过二极管D2，晶体管X1，X2，电阻R1，R2，R3，R4，DC-DC转换器518，和光隔离器D1。在此配置中，分压器540在晶体管X1，X2两端平均分配输入电压，DC-DC转换器518保持流过光隔离器D1的电流约为1.3mA。有利地，使用晶体管X1，X2和DC-DC转换器518提供产生能量耗散约为82mW的好处。使用DC-DC转换器518和分压器540可以提供保持流过电路的电流，从而整体降低系统串扰和能量耗散的好处。
当根据此处描述一个或多个例子配置时，光隔离器多电压检测电路可以提供保持电流，从而整体降低能量耗散和系统串扰的好处。电路进一步提供平均分配输入电压，从而进一步降低能量耗散和系统串扰的好处。
前面的文字详细阐述了本发明的不同实施例，应当理解，本发明的法律范围由本发明所附的权利要求限定。具体实施方式应理解为仅示例性的，而非描述了本发明的每一个可能的实施例，因为描述每一个可能的实施例，如果不是不可能的，是不可行的。例如，应当理解，图2至图4披露的实施例当检测到存在DC电压时提供光隔离器的持续激励。然而，AC电压的周期本质将间歇地根据信号周期开关光隔离器(即，周期地激励光隔离器)。或者，实施例5和6将提供持续激励，即使在由于电容C 1的整流本质存在AC信号的情况下。可以采用多个不同的实施例，使用现有技术或者在本专利申请日之后开发的技术，仍将落入限定本发明的权利要求的保护范围。

Claims (24)

1.一种光隔离器多电压检测电路，包括：
电压输入，所述电压输入布置成连接到电压源；
具有发光二极管的光隔离器，所述光隔离器配置成检测从所述电压源施加到所述电压输入的输入电压的出现；
二极管，所述二极管布置成连接到所述电压输入；以及
具有栅，源和漏的第一晶体管，所述第一晶体管的所述漏可操作地耦接到所述二极管，以及所述第一晶体管的所述源可操作地耦接到所述光隔离器；
所述光隔离器，所述二极管和所述第一晶体管布置成使得从所述二极管正向流过的电流偏置所述发光二极管，并且使得响应于所述输入电压和所述电流的通过所述第一晶体管耗散的任何能量被保持在或者低于可接受的量级。
2.根据权利要求1所述的电路，还包括DC-DC转换器，所述DC-DC转换器可操作地耦接到所述第一晶体管的所述源以及所述光隔离器，所述DC-DC转换器配置成保持来自所述二极管的所述电流。
3.根据权利要求2所述的电路，还包括：
具有栅，源和漏的第二晶体管，所述第二晶体管的所述源串行耦接到所述第一晶体管的所述漏，所述第二晶体管的所述漏可操作地耦接到所述二极管；以及
分压器，可操作地耦接到所述第一和所述第二晶体管的所述栅，所述分压器配置为在所述第一晶体管的所述源和所述漏以及所述第二晶体管的所述源和所述漏平均的分配所述输入电压，
其中，通过所述第一晶体管和通过所述第二晶体管耗散的能量被保持在或者低于可接受的量级，以及其中，所述电路能够处理范围从约9伏特DC至240伏特AC的输入电压。
4.根据权利要求3所述的电路，还包括整流器，所述整流器可操作地耦接到所述二极管，所述分压器，以及所述第二晶体管的所述漏。
5.根据权利要求4所述的电路，其中所述整流器包括电阻，或电容，或它们的结合。
6.根据权利要求4所述的电路，其中所述第一和所述第二晶体管是N沟道耗尽型场效应晶体管。
7.根据权利要求1所述的电路，还包括：
具有栅，源和漏的第二晶体管，所述第二晶体管的所述源可操作地耦接到所述第一晶体管的所述漏，
第一齐纳二极管，所述第一齐纳二极管布置成连接到所述第一晶体管的所述源和所述漏；以及
第二齐纳二极管，所述第二齐纳二极管布置成连接到所述第二晶体管的所述源和所述漏，
其中，所述第一和所述第二齐纳二极管配置成限制所述第一和所述第二晶体管的所述输入电压，并且其中，通过所述第一晶体管和通过所述第二晶体管耗散的能量被保持在或者低于可接受的量级，并且其中，所述电路能够处理范围从9伏特DC至240伏特AC的输入电压。
8.根据权利要求7所述的电路，其中，所述第一和所述第二晶体管是N沟道耗尽型场效应晶体管。
9.根据权利要求1所述的电路，还包括：
具有栅，源，和漏的第二晶体管，所述第二晶体管的所述源可操作地耦接到所述第一晶体管的所述漏，所述第二晶体管的所述漏耦接到电阻；以及
分压器，所述分压器可操作地耦接到所述第一和所述第二晶体管的所述栅，以在所述第一晶体管的所述源和漏以及所述第二晶体管的所述源和漏平均的分配所述输入电压，
其中，通过所述第一晶体管和通过所述第二晶体管耗散的能量被保持在或者低于可接受的量级，以及其中，所述电路能够处理范围从约9伏特DC至240伏特AC的输入电压。
10.根据权利要求9所述的电路，进一步包括整流器，所述整流器可操作地耦接到所述二极管，所述分压器，以及所述第二晶体管的所述漏。
11.根据权利要求10所述的电路，其中，所述整流器包括电阻，或者电容，或者它们的结合。
12.根据权利要求10所述的电路，其中，所述第一和所述第二晶体管是N沟道耗尽型场效应晶体管。
13.一种光隔离器多电压检测电路，包括：
电压输入，所述电压输入布置成连接到电压源；
具有发光二极管的光隔离器，所述光隔离器配置成检测从所述电压源施加到所述电压输入的输入电压的出现；
整流器，所述整流器布置成连接到所述电压输入；以及
可操作地串行耦接的第一晶体管和第二晶体管，每个晶体管具有栅，源和漏，所述第一晶体管的所述源可操作地耦接到所述第二晶体管的所述漏，以及所述第一晶体管的所述漏可操作地耦接到所述整流器；
其中，从所述整流器的电流输出偏置所述发光二极管，以及其中，所述第一和所述第二晶体管配置成通过所述第一晶体管的所述源和漏以及所述第二晶体管的所述源和漏耗散第一能量级，所述第一能量级不同于通过所述光隔离器多电压检测电路耗散的第二能量级。
14.根据权利要求13所述的电路，还包括可操作地耦接到所述第一和所述第二晶体管的所述栅以及所述整流器的分压器，以及其中，响应于由所述分压器在所述第一晶体管的所述源和漏以及所述第二晶体管的所述源和漏分配的所述输入电压，通过所述第一和所述第二晶体管耗散的所述第一能量级不同于通过所述光隔离器多电压检测电路耗散的所述第二能量级。
15.根据权利要求14所述的电路，其中，所述整流器包括可操作地串行耦接的电容，电阻和二极管，其中，所述二极管连接到所述电压输入，以及其中，所述电容可操作地耦接到所述分压器和所述第一和所述第二晶体管的所述栅中的至少一个。
16.根据权利要求15所述的电路，还包括DC-DC转换器，所述DC-DC转换器可操作地耦接到所述光隔离器和所述第一和所述第二晶体管的所述源中的至少一个，以及其中，所述DC-DC转换器配置成保持来自所述第一和所述第二晶体管的所述电流。
17.根据权利要求13所述的电路，还包括：
第一和第二齐纳二极管，所述第一和所述第二齐纳二极管可操作地耦接到所述第一和所述第二晶体管，所述第一和所述第二齐纳二极管配置成限制所述第一晶体管的所述源和漏和所述第二晶体管的所述源和漏的输入电压。
18.根据权利要求17所述的电路，其中，所述第一齐纳二极管或者所述第二齐纳二极管可操作地耦接到所述整流器，以及其中，所述整流器包括二极管。
19.一种光隔离器多电压检测电路，包括：
电压输入，所述电压输入布置成连接到电压源；
具有发光二极管的光隔离器，所述光隔离器配置成检测从所述电压源施加到所述电压输入的输入电压的出现；
串行连接的二极管，电阻和电容，所述二极管，所述电阻和所述电容共同限定整流器，所述整流器连接到所述电压输入；
可操作地串行耦接的第一晶体管和第二晶体管，每个晶体管具有栅，源和漏，所述第一晶体管的所述源连接到所述第二晶体管的所述漏，以及所述第一晶体管的所述漏连接到所述整流器；
连接到所述第一和所述第二晶体管的所述栅的分压器，所述分压器配置成在所述第一晶体管的所述源和漏以及所述第二晶体管的所述源和漏分配所述输入电压；以及
DC-DC转换器，所述DC-DC转换器连接到所述第二晶体管的所述源和所述光隔离器；
其中，从所述DC-DC转换器的电流输出偏置所述发光二极管，以及其中，所述第一和所述第二晶体管配置成通过所述第一晶体管的源和漏以及所述第二晶体管的源和漏耗散第一能量级，所述第一能量级不同于通过所述光隔离器多电压检测电路耗散的第二能量级。
20.一种用于处理来自电压源的不同输入电压的方法，包括：
可操作地耦接光隔离器至电压输入，以检测从所述电压源施加到所述电压输入的输入电压的出现；
当检测到来自可操作地耦接到所述电压输入的二极管的电流时，以来自所述二极管的电流来正向偏置所述光隔离器的发光二极管；以及
可操作地耦接第一晶体管至所述二极管和所述光隔离器；
其中，保持通过所述第一晶体管耗散的任何能量在或者低于可接受的量级。
21.根据权利要求20所述的方法，还包括：
可操作地耦接第二晶体管至所述第一晶体管，以保持通过所述第一晶体管以及通过所述第二晶体管的能量耗散在或者低于所述可接受的量级。
22.根据权利要求21所述的方法，还包括：
可操作地耦接第一齐纳二极管至所述第一晶体管；以及
可操作地耦接第二齐纳二极管至所述第二晶体管；
其中，所述第一和所述第二齐纳二极管限制所述第一晶体管的所述源和漏以及所述第二晶体管的所述源和漏的所述输入电压，以及其中，保持通过所述第一和所述第二晶体管的能量耗散在或者低于所述可接受的量级。
23.根据权利要求21所述的方法，还包括：
可操作地耦接分压器至所述第一和所述第二晶体管；
使用所述分压器以在所述第一晶体管的所述源和漏以及所述第二晶体管的所述源和漏分配所述输入电压，以及其中，保持通过所述第一和所述第二晶体管的所述能量耗散在或者低于所述可接受的量级。
24.根据权利要求23所述的方法，还包括：
可操作地耦接DC-DC转换器至所述第一晶体管和所述光隔离器，以保持来自所述二极管的所述电流。
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