CN102022601A - 用于排出线的加热管及半导体工程的排出线结构 - Google Patents
用于排出线的加热管及半导体工程的排出线结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102022601A CN102022601A CN2010102624571A CN201010262457A CN102022601A CN 102022601 A CN102022601 A CN 102022601A CN 2010102624571 A CN2010102624571 A CN 2010102624571A CN 201010262457 A CN201010262457 A CN 201010262457A CN 102022601 A CN102022601 A CN 102022601A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- hot line
- heating pipe
- mentioned
- pipe
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Pipe Accessories (AREA)
- Thermal Insulation (AREA)
- Exhaust Silencers (AREA)
Abstract
本发明中提供一种用于排出线的加热管及半导体工程的排出线结构,其特征为:两端上有形成凸缘部的金属材料的波纹管,上述波纹管的外周面有以螺旋形状卷上的热线部,上述热线部的外侧有耐热绝缘材料,上述耐热绝缘层的外侧有保温材料,还包括压入在上述波纹管的两端的保温材料外侧的环状压入帽。根据本发明,在维持排气管要求的高温下,可以预防在排气管中形成粉末而沉积的现象。
Description
技术领域
本发明涉及用于排出线的加热管及半导体工程的排出线的结构,更具体地说是有关使管子的温度维持在一定温度(150~190℃)下,预防在排气管的曲折部位形成粉末沉积的技术。
背景技术
一般,半导体制造工程是在工程室中,使用工程气体和反应气体来进行,工程结束后,少量的残留气体及反应物,比如说粉末等,会通过排气管排出去。
图1所示的是一般的半导体制造工程中排气管的构造。
一般,在化学气相沉积设备中,化学气相沉积工程结束后,从工程室(100)排除的气体通过排气管(400)排到气体清洁器(200)时,排气管的内部会有微细的尘装粉末,这种粉末的形成原因取决于排气管的温度,压力,排气的成分。
微细的尘装粉末集聚在排气管的内壁,导致排气压的下降,因此引起的设备损坏及因排气管的堵塞形成的排气逆流现象,因而导致工程不良和因排气管的堵塞引起的真空泵的性能降低现象。
为了解决这样的问题,国内公共专利10-2005-0117331号及10-2007-0054984号提示了在排气管上安装加热夹克的技术。
但是,上述的加热夹克的附着性很差,所以在排气管和其中间产生空气层,导致热传递的效能降低,不但如此,以往的排气管为平滑管,所以在安装时,需要曲折,因此流体会以管壁形成冲突,使其压力上升,在管的连接部位的弯管生成粉末。
在韩国专利10-0860593号中,为了解决加热夹克的问题,提示了另一种管子结构。如图2所示,把置于半导体设备的气体排气管上的排气管制造成双重波纹管的形状,双重波纹管的内部装上热线,通过波纹管的灵活的特性,可以使流体的冲突度变为最小。
但是,上述的专利需要报波纹管制造成双重波纹管的形态,这样的制造过程不仅很难,而且,双重的波纹管互相结合时,会导致工作效率的降低。
不但如此,在2个波纹管之间介入热线会妨碍波纹管的灵活性,使某些部位形成曲折,在这曲折的部分会生成粉末。
而且,为了把波纹管连接到排气管上,需要其他的装置,因热的流出量比较高,所以很难维持适当的温度(150~190℃)。
发明内容
本发明是为了解决以上的问题而言就出来的,其目的是要提供在维持适当的高温下,能够防止排气管中粉末沉积的现象的加热管。
为达到上述的目的,本发明提供有关于用于排出线的加热管,其特征包括:两端上有形成凸缘部的金属材料的波纹管,上述波纹管的外周面有以螺旋形状卷上的热线部,上述热线部的外侧有耐热绝缘材料,上述耐热绝缘层的外侧有保温材料,还包括压入在上述波纹管的两端的保温材料外侧的环状压入帽。
在这里,上述热线部的最适当的结构为;内部形成收容空间,收容空间的中间部位有隔壁形成的带状箱子,由上述隔壁隔开的一侧空间部有(+)极热线,另一侧为(-)极热线。
还有,上述热线部的特征应该为从气体进入的一端到气体排出的一端,卷在管上的热线部之间的间距越来越小。
而且,上述的耐热绝缘材料应该是由磁带形态的石棉卷在上面形成的。
还有,上述保温材料应该包括第一保温层和第二保温层;第一保温层是由石棉材料包裹耐热绝缘材料的表面形成的,第二保温层是利用其一面的附着剂附着在第一保温层的外面。
为了达到此目的,根据本发明,排出线包含连接半导体工程的工程室和清洁器的多个加热管,还有介入在上述加热管的曲折连接部位的弯管零件。对于此排出线,其构造特征为;上述的加热管两端上有由形成凸缘部的金属材料管,上述波纹管的外周面有以螺旋形状卷上的热线部,上述热线部的外侧有耐热绝缘材料,上述耐热绝缘层的外侧有保温材料,还包括压入在上述波纹管的两端的保温材料外侧的环状压入帽,上述弯管零件的外周面是由加热夹克包裹形成的。
根据此发明,在维持适当的高温下,能够防止排气管中粉末沉积的现象。
附图说明
图1是显示一般的半导体工程的排气管构造的概图。
图2是显示使用波纹管的半导体工程的排气管构造的概图。
图3是根据例1显示本发明中加热管构造的切开斜视图。
图4是根据例1显示本发明中加热管的构造。
图5是根据例1显示本发明中热线部的卷取构造。
图6是根据例2显示本发明中半导体工程的排气管构造。
标号说明:
10:加热管 11:波纹管
12:热线部 12a:箱子
12b:(+)极热线 12c:隔壁
12d:(-)极热线 13:耐热绝缘材料
14:第1保温层 15:第2保温层
16:凸缘部 17:压入帽
18:连接器 100:工程室
200:气体清洁器 300:弯管零件
400:加热夹克
具体实施方式
本发明的进行例子可参照附图说明。
图3是根据本发明中的例一,显示加热管构造的部分的切开斜视图,图4是根据本发明中的例一,显示加热管构造的断面图。
如图所示,根据本发明,加热管(10)的组成包含波纹管(11),热线部(12),耐热绝缘材料(13),保温材料(14,15)。
波纹管(11)是金属材料制造成的圆筒形管子,有很多波纹,两端部由工程室(100)及连接气体清洁器(200)的凸缘部(16)连为一体。波纹管(11)的材料是厚度为0.3mm的不锈钢,此外还可以是镀锌或耐热性的合成树脂。
热线部(12)以螺旋形卷在波纹管(11)的外周面,进行加热,使波纹管(11)的内部温度维持在适当的温度(50~190℃)。如图4所示,热线部的内部有收容空间,空间的中央有隔壁(12c)形成的带状箱子(12a),隔壁(12c)隔开的一侧空间部有(+)极热线(12b),另一侧为(-)极热线(12d)。隔壁(12c)是为防止两个热线间的短路而设置的,一个热线部(12)内同时设有两条热线,具有通过一个连接器(18)连接与电源部(未图示)的优点。
耐热绝缘材料(13)位于热线部的外侧,最好是由磁带形象的石棉卷在上面形成的。
石棉是含镁较多的汗水硅酸盐矿物质的纤维相,具有不易燃,断热性,耐久性,耐火性,绝缘性等优点,可以提供电绝缘,也可以承受波纹管(11)的高温。
保温材料(14,15)位于耐热绝缘层的外侧,防止热线部(12)的热量流到外部,是由石棉材料组成,包括包在耐热绝缘材料(13)的表面的第一保温层(14)以及一面图有附着剂,这一面附着在第一保温层(14)的外面的第二保温层(15)。
而且,在波纹管(11)的两端侧的第二保温层(15)的外侧有环状压入帽(17)压入,从而使凸缘部变得坚固。
图6显示本发明中热线部的卷取构造。
如图所示,在本发明中,热线部(12)不是按一定的间隔卷在波纹管(11)的外周面,而是从左侧的气体流入一侧到右侧的气体流出的一侧,其间距越来越窄。
为防止排气中粉末的生成,排出线的加热管(10)的内部温度维持在一定的高度是非常重要的,为此,需要热线之间紧密的卷取,但是,如果这样,会影响波纹管灵活的特性,也会导致成本变高,而且,难以达到高温。热线载入高压时,生成的电力消耗高,就是载入高压,由于热线的热容量,也只能达到一定的温度。
通常,从工程室(100)排除的气体是高温气体,通过排出线排出的过程中,温度下降,所以以低温的状态冲突在内壁上,生成粉末。考虑到这样的特性,本发明使从工程室(100)流入到管内的气体通过管道时,能够保持一定的温度。这是通过调整热线部(12)的间隔完成的,内部气体的温度较高的前方部位,使热线部(12)的间隔较大,越往后,热线部的间隔就越小。
特别是在温度下降最显著的排出口一侧要把热线部(12)卷取的更严密,从而防止粉末的生成。
图6是本根据发明中的例2,显示半导体工程的排出线的构造。
如图6所示,本发明的例2是加热管(10)制造成直线管的形态,加热管(10)之间用弯管零件(300)连接,不是具有灵活性的波纹管形态。如例1,加热管(10)利用耐热绝缘材料(13)和保温材料(14,15),防止在热线部(12)产生的热量流出,从而维持加热管(10)的内部温度。弯管零件(300)是通常使用的弯管零件(300),外周面用加热夹克(400)包着,加热夹克(400)内设有热线。
以往,加热夹克只设置在直线管上,不在弯管上,所以难以维持弯管内的温度,不但如此,在较长的直线管中,也很难维持充分的温度,导致管的曲折部位生成粉末。但依据本发明的例2,不但可以使加热管(10)维持高温,还可以通过弯管零件(300)外周面的加热夹克(400)使管内部的温度维持在高温当中,这样明显降低的粉末的生成。
虽然,通过一定的例子对于本发明进行了说明,但是可以在没有跃出发明的要点和范围的情况下,进行修改或变形。所以,本发明的保护范围包括这样的修改或变形。
Claims (5)
1.一种用于排出线的加热管,其特征在于,
两端的由凸缘部形成的金属材料管;
上述管的外周面上以螺旋状卷上的热线部;
位于上述热线部外侧的耐热绝缘材料;
位于上述耐热绝缘材料外侧的保温材料;
压入在上述管的两端的保温材料外侧的环状压入帽;
上述热线部的内部形成收容空间,收容空间的中间部位有隔壁形成的带状箱子,由上述隔壁隔开的一侧空间部有(+)极热线,另一侧为(-)极热线。
2.如权利要求1所述的用于排出线的加热管,其中,上述管是以波纹管或直线管中的一个。
3.如权利要求1所述的用于排出线的加热管,其中,上述热线部的特征为从气体进入的一端到气体排出的一端,卷在管上的热线部间的间距越来越小。
4.如权利要求1所述的用于排出线的加热管,其中,上述耐热绝缘材料的特征是以向磁带形状的石棉卷在上面形成的。
5.如权利要求1所述的用于排出线的加热管,其中,上述保温材料包括第一保温层和第二保温层;第一保温层是由石棉材料包裹耐热绝缘材料的表面形成的,第二保温层是利用其一面的附着剂附着在第一保温层的外面。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2009-0087134 | 2009-09-15 | ||
KR1020090087134A KR100958112B1 (ko) | 2009-09-15 | 2009-09-15 | 배기라인용 히팅 파이프 및 반도체 공정의 배기라인 구조 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102022601A true CN102022601A (zh) | 2011-04-20 |
CN102022601B CN102022601B (zh) | 2013-08-07 |
Family
ID=42281746
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 201010262457 Expired - Fee Related CN102022601B (zh) | 2009-09-15 | 2010-08-25 | 用于排出线的加热管及半导体工程的排出线结构 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100958112B1 (zh) |
CN (1) | CN102022601B (zh) |
TW (1) | TW201132884A (zh) |
WO (1) | WO2011034293A2 (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106507514A (zh) * | 2016-10-21 | 2017-03-15 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 一种具有加热装置的工艺管排气管路及控制方法 |
US20240043995A1 (en) * | 2022-08-01 | 2024-02-08 | M. I Co., Ltd | Method for manufacturing de-powder device for piping, and method for installing same |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101075170B1 (ko) * | 2011-02-01 | 2011-10-19 | 주식회사 에스엠아이 | 반도체 제조공정의 배기라인용 히팅 파이프 |
KR101401853B1 (ko) * | 2012-11-07 | 2014-05-29 | 최성귀 | 반도체 제조장치의 히팅 파이프 |
KR101368336B1 (ko) | 2013-10-25 | 2014-02-28 | 주식회사 브이씨알 | 파우더 고착 방지를 위한 반도체 제조장치의 배출라인 어셈블리 |
KR101820821B1 (ko) * | 2017-06-27 | 2018-01-22 | (주)제이솔루션 | 설치가 용이한 반도체 및 lcd 제조공정의 배기가스 가열용 3중 배관 가열장치 |
KR102199310B1 (ko) * | 2020-06-15 | 2021-01-06 | 주식회사 컬처플러스 | 실내공기질 측정용 미세먼지 측정기 |
KR102195884B1 (ko) * | 2020-06-15 | 2020-12-28 | 주식회사 컬처플러스 | 열전소자를 사용한 에어로졸 샘플러 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN2239556Y (zh) * | 1995-12-25 | 1996-11-06 | 淄博市临淄镭射技术研究所 | 多功能复合管 |
DE19721555A1 (de) * | 1997-05-23 | 1998-11-26 | Ruhrgas Ag | Vorwärmer für Gas |
JP2006144942A (ja) * | 2004-11-22 | 2006-06-08 | Tokyo Gijutsu Kenkyusho:Kk | 配管の加熱構造 |
CN201206695Y (zh) * | 2008-06-02 | 2009-03-11 | 大庆市红岗区龙腾金属管业制造有限责任公司 | 内热式聚氨酯泡沫夹克管 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000024609A (ja) | 1998-07-15 | 2000-01-25 | Nec Kansai Ltd | 粉体を含むガス用配管 |
KR200244239Y1 (ko) * | 1999-02-09 | 2001-09-25 | 김경균 | 폐가스 이송용 배관 및 이를 채용한 폐가스처리장치 |
KR200366263Y1 (ko) * | 2004-07-21 | 2004-11-04 | 비씨엔씨 주식회사 | 배기관 |
JP5128168B2 (ja) * | 2006-04-24 | 2013-01-23 | 三菱電線工業株式会社 | 排気装置 |
JP2008234939A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Kawai Denki Seisakusho:Kk | 被覆加熱装置 |
CN101542019B (zh) * | 2007-04-19 | 2011-01-12 | 三菱电线工业株式会社 | 排气系统 |
KR100905289B1 (ko) * | 2008-12-10 | 2009-06-29 | (주)화인 | 반도체공정의 부산물인 배기가스를 배출하는 배기관을 히팅하는 장치 |
-
2009
- 2009-09-15 KR KR1020090087134A patent/KR100958112B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-08-25 WO PCT/KR2010/005672 patent/WO2011034293A2/ko active Application Filing
- 2010-08-25 CN CN 201010262457 patent/CN102022601B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-08-26 TW TW99128651A patent/TW201132884A/zh unknown
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN2239556Y (zh) * | 1995-12-25 | 1996-11-06 | 淄博市临淄镭射技术研究所 | 多功能复合管 |
DE19721555A1 (de) * | 1997-05-23 | 1998-11-26 | Ruhrgas Ag | Vorwärmer für Gas |
JP2006144942A (ja) * | 2004-11-22 | 2006-06-08 | Tokyo Gijutsu Kenkyusho:Kk | 配管の加熱構造 |
CN201206695Y (zh) * | 2008-06-02 | 2009-03-11 | 大庆市红岗区龙腾金属管业制造有限责任公司 | 内热式聚氨酯泡沫夹克管 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106507514A (zh) * | 2016-10-21 | 2017-03-15 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 一种具有加热装置的工艺管排气管路及控制方法 |
US20240043995A1 (en) * | 2022-08-01 | 2024-02-08 | M. I Co., Ltd | Method for manufacturing de-powder device for piping, and method for installing same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201132884A (en) | 2011-10-01 |
WO2011034293A2 (ko) | 2011-03-24 |
KR100958112B1 (ko) | 2010-05-18 |
WO2011034293A3 (ko) | 2011-07-07 |
CN102022601B (zh) | 2013-08-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102022601B (zh) | 用于排出线的加热管及半导体工程的排出线结构 | |
CN100399863C (zh) | 电热水器搪瓷涂层加热管及其制造方法 | |
WO2016065970A1 (zh) | 蒸汽发生器 | |
WO2011156700A2 (en) | A micro-channel heat exchanger suitable for heat pump water heater and the manufacturing method | |
CN203298280U (zh) | 高温高压流体电加热器 | |
CN204162789U (zh) | 用于加热cvd反应器的基座的设备 | |
KR101329785B1 (ko) | 반도체 공정의 부산물 가스를 배기하는 공정 배기관 | |
CN106197717A (zh) | 一种耐用型热电偶 | |
JP2016099075A (ja) | 二重管式熱交換器及びこれを備えたヒートポンプ式熱源機 | |
EA016441B1 (ru) | Коллектор для трубчатых реакционных печей | |
CN205037281U (zh) | 蒸汽发生器和蒸汽清洁机 | |
JP2006145056A (ja) | 熱交換器 | |
JP4922708B2 (ja) | ヒートポンプ式給湯機の熱交換器 | |
US20220316823A1 (en) | Corrosion prevention for heat exchanger devices and pool heaters | |
CN110559795A (zh) | 吸附器及利用其进行升温的方法 | |
CN202203587U (zh) | 耐磨波纹管补偿器 | |
CN102261743B (zh) | 用于即热热水器的一体化热压式加热器 | |
CN205879385U (zh) | 一种长度可调节热电偶 | |
CN106092357A (zh) | 一种多段测温热电偶 | |
CN112797625A (zh) | 一种高温气体加热装置 | |
KR101322640B1 (ko) | 히팅호스 | |
CN102654319B (zh) | 太阳能光热发电万向多功能复合管 | |
CN105430781A (zh) | 一种w型不锈钢加热管 | |
CN107130091A (zh) | 退火炉的加热结构 | |
CN101101110A (zh) | 瞬时加热式蒸汽锅炉 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20130807 Termination date: 20150825 |
|
EXPY | Termination of patent right or utility model |