TW201132884A - Heating pipe for an exhaust line, and exhaust line structure for a semiconductor manufacturing process - Google Patents

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Description

201132884 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於用於排出線的加熱管及半導體工程的 排出線的結構,更具體地說是有關使管子的溫度維持在一 定溫度(150〜190°C )下,預防在排氣管的曲折部位形成 粉末沈積的技術。 【先前技術】 一般,半導體製造工程是在工程室中,使用工程氣體 和反應氣體來進行,工程結束後,少量的殘留氣體及反應 物,比如說粉末等,會通過排氣管排出去。 圖1所示的是一般的半導體製造工程中排氣管的構造 〇 一般,在化學氣相沈積設備中,化學氣相沈積工程結 束後,從工程室(100 )排除的氣體通過排氣管(400 )排 到氣體清潔器(200 )時,排氣管的內部會有微細的麈裝粉 末,這種粉末的形成原因取決於排氣管的溫度,壓力, 排氣的成分。 微細的塵裝粉末集聚在排氣管的內壁,導致排氣壓的 下降,因此引起的設備損壞及因排氣管的堵塞形成的排氣 逆流現象,因而導致工程不良和因排氣管的堵塞引起的真 空泵的性能降低現象。 爲了解決這樣的問題,國內公共專利 1 0-200 5-0117331號及10-2007-0054984號提示了在排氣管上安裝 201132884 加熱夾克的技術。 但是’上述的加熱夾克的附著性很差,所以在排氣管 和其中間産生空氣層,導致熱傳遞的效能降低,不但如此 ,以往的排氣管爲平滑管,所以在安裝時,需要曲折,因 此流體會以管壁形成衝突,使其壓力上升,在管的連接部 位的彎管生成粉末。 在國內的專利10_08 605 93號中,爲了解決加熱夾克 的問題,提示了另一種管子結構。如圖2所示,把置於半 導體設備的氣體排氣管上的排氣管制造成雙重波紋管的形 狀,雙重波紋管的內部裝上熱線,通過波紋管的靈活的特 性,可以使流體的衝突度變爲最小。 但是,上述的專利需要報波紋管制造成雙重波紋管的 形態,這樣的製造過程不僅很難,而且,雙重的波紋管互 相結合時,會導致工作效率的降低。 不但如此,在2個波紋管之間介入熱線會妨礙波紋管 的靈活性,使某些部位形成曲折,在這曲折的部分會生成 粉末。 而且,爲了把波紋管連接到排氣管上,需要其他的裝 置,因熱的流出量比較高,所以很難維持適當的溫度( 1 5 0 〜1 9 0。(:)。 【發明內容】 本發明是爲了解決以上的問題而言就出來的’其目 的是要提供在維持適當的高溫下,能夠防止排氣管中粉末 -6- 201132884 沈積的現象的加熱管。 爲達到上述的目的,本發明提供有關於 加熱管’其特徵包括:兩端上有形成凸緣部 波紋管’上述波紋管的外周面有以螺旋形狀 ,上述熱線部的外側有耐熱絕緣材料,上述 外側有保溫材料,還包括壓入在上述波紋管 材料外側的環狀壓入帽。 在這裏,上述熱線部的最適當的結構爲 容空間,收容空間的中間部位有隔壁形成的 上述隔壁隔開的一側空間部有(+)極熱線 (-)極熱線。 還有’上述熱線部的特徵應該爲從氣體 氣體排出的一端,卷在管上的熱線部之間的 〇 而且’上述的耐熱絕緣材料應該是由磁 卷在上面形成的。 還有’上述保溫材料應該包括第一保溫 層;第一保溫層是由石棉材料包裹耐熱絕緣 成的’第二保溫層是利用其一面的附著劑附 層的外面。 爲了達到此目的’根據本發明,排出線 體工程的工程室和清潔器的多個加熱管,還 加熱管的曲折連接部位的彎管零件。對於此 造特徵爲;上述的加熱管兩端上有由形成凸 用於排出線的 的金屬材料的 卷上的熱線部 耐熱絕緣層的 的兩端的保溫 :內部形成收 帶狀箱子,由 , 另一側爲 進入的一端到 間距越來越小 帶形態的石棉 層和第二保溫 材料的表面形 著在第一保溫 包含連接半導 有介入在上述 排出線,其構 緣部的金屬材 201132884 料管’上述波紋管的外周面有以螺旋形狀卷上的熱線部, 上述熱線部的外側有耐熱絕緣材料,上述耐熱絕緣層的外 側有保溫材料,還包括壓入在上述波紋管的兩端的保溫材 料外側的環狀壓入帽’上述彎管零件的外周面是由加熱夾 克包裹形成的。 效果 根據此發明’在維持適當的高溫下,能夠防止排氣管 中粉末沈積的現象。 【實施方式】“ 本發明的進行例子可參照附圖說明。 圖3是根據本發明中的例一,顯示加熱管構造的部分 的切開斜視圖,圖4是根據本發明中的例—,顯示加熱管 構造的斷面圖。 如圖所不’根據本發明’加熱管(1 〇 )的組成包含波 紋管(11) ’熱線部(12) ’耐熱絕緣材料(13),保溫 材料(1 4,1 5 )。 波紋管(11)是金屬材料製造成的圓筒形管子,有很 多波紋’兩細?〇卩由工程室(100)及連接氣體清潔器(2〇〇 )的凸緣部(16)連爲—體。波紋管(η)的材料是厚度 爲〇.3mm的不&鋼,此外還可以是鍍鋅或耐熱性的合成 樹脂。 熱線部(1 2 )以螺旋形卷在波紋管(的外周面, -8 - 201132884 進行加熱’使波紋管(1 1 )的內部溫度維持在適當的溫度 (50〜190°c )。如圖4所示,熱線部的內部有收容空間 ,空間的中央有隔壁(1 2c )形成的帶狀箱子(1 2a ),隔 壁(12 c )隔開的一側空間部有(+ )極熱線(! 2 b ),另 一側爲(-)極熱線(1 2d)。隔壁(1 2c )是爲防止兩個熱線 間的短路而設置的,一個熱線部(12)內同時設有兩條熱 線’具有通過一個連接器(18)連接與電源部(未圖示) 的優點。 耐熱絕緣材料C 1 3 )位於熱線部的外側,最好是由磁 帶形象的石棉卷在上面形成的。 石棉是含鎂較多的汗水矽酸鹽礦物質的纖維相,具有 不易燃’斷熱性,耐久性,耐火性,絕緣性等優點,可以 提供電絕緣’也可以承受波紋管(1 1 )的高溫。 保溫材料(1 4,1 5 )位於耐熱絕緣層的外側,防止熱 線部(1 2 )的熱量流到外部,是由石棉材料組成,包括包 在耐熱絕緣材料(13)的表面的第一保溫層(14)以及一 面圖有附著劑,這一面附著在第一保溫層(14)的外面的 第二保溫層(1 5 )。 而且’在波紋管(i丨)的兩端側的第二保溫層(1 5 ) 的外側有環狀壓入帽(17)壓入,從而使凸緣部變得堅固 〇 圖6顯示本發明中熱線部的卷取構造。 如圖所示,在本發明中,熱線部(丨2 )不是按一定的 間隔卷在波紋管(1 i )的外周面,而是從左側的氣體流入 -9- 201132884 一側到右側的氣體流出的一側,其間距越來越窄。 爲防止排氣中粉末的生成,排出線的加熱管(1 〇 內部溫度維持在一定的高度是非常重要的,爲此,需 線之間緊密的卷取,但是,如果這樣,會影響波紋管 的特性,也會導致成本變高,而且,難以達到高溫。 載入高壓時,生成的電力消耗高,就是載入高壓,由 線的熱容量,也只能達到一定的溫度。 通常,從工程室(100)排除的氣體是高溫氣體 過排出線排出的過程中,溫度下降,所以以低溫的狀 突在內壁上,生成粉末》考慮到這樣的特性,本發明 工程室(1 00 )流入到管內的氣體通過管道時,能夠 —定的溫度。這是通過調整熱線部(1 2 )的間隔完成 內部氣體的溫度較高的前方部位,使熱線部(1 2 )的 較大,越往後,熱線部的間隔就越小。 特別是在溫度下降最顯著的排出口 一側要把熱線 12)卷取的更嚴密,從而防止粉末的生成。 圖6是本根據發明中的例2,顯示半導體工程的 線的構造。 如圖6所示,本發明的例2是加熱管(10 )製造 線管的形態,加熱管(1 0 )之間用彎管零件(3 00 ) ’不是具有靈活性的波紋管形態。如例1,加熱管( 利用耐熱絕緣材料(1 3 )和保溫材料(1 4,1 5 ),防 熱線部(1 2 )産生的熱量流出,從而維持加熱管(1 〇 內部溫度。彎管零件(300)是通常使用的彎管零件< )的 要熱 靈活 熱線 於熱 ,通 態衝 使從 保持 的, 間隔 部( 排出 成直 連接 10 ) 止在 )的 ;300 -10- 201132884 ),外周面用加熱夾克(400 )包著,加熱夾克(400 )內 設有熱線。 以往,加熱夾克只設置在直線管上,不在彎管上,所 以難以維持彎管內的溫度,不但如此,在較長的直線管中 ,也很難維持充分的溫度,導致管的曲折部位生成粉末。 但依據本發明的例2,不但可以使加熱管(1 〇 )維持高溫 ,還可以通過彎管零件(300)外周面的加熱夾克(40 0 ) 使管內部的溫度維持在高溫當中,這樣明顯降低的粉末的 生成。 雖然’通過一定的例子對於本發明進行了說明,但是 可以在沒有躍出發明的要點和範圍的情況下,進行修改或 變形。所以,附加的權利要求書包括這樣的修改或變形。 【圖式簡單說明】 圖1是顯示一般的半導體工程的排氣管構造的槪圖。 圖2是顯示使用波紋管的半導體工程的排氣管構造的 槪圖。 圖3是根據例1顯示本發明中加熱管構造的切開斜視 圖。 圖4是根據例1顯示本發明中加熱管的構造。 圖5是根據例1顯示本發明中熱線部的卷取構造。 圖6是根據例2顯示本發明中半導體工程的排氣管構 造。 -11 - 201132884 【主 10 : 11: 12 : 12a : 12b : 12c: 12d : 13 : 14 : 15: 16 : 17: 18: 100 : 200 : 3 00 : 400 : 要元件符號說明】 加熱管 波紋管 熱線部 箱子 (+ )極熱線 隔壁 (-)極熱線 耐熱絕緣材料 第1保溫層 第2保溫層 凸緣部 壓入帽 連接器 工程室 氣體清潔器 彎管零件 加熱夾克

Claims (1)

  1. 201132884 七、申請專利範圍·· 1 .本發明中用於排出線的加熱管的特徵包括: 兩端的由凸緣部形成的金屬材料管; 上述管的外周面上以螺旋狀卷上的熱線部; 位於上述熱線部外側的耐熱絕緣材料; 位於上述耐熱絕緣材料外側的保溫材料; 壓入在上述管的兩端的保溫材料外側的環狀壓入帽; 上述熱線部的內部形成收容空間,收容空間的中間部 位有隔壁形成的帶狀箱子’由上述隔壁隔開的一側空間部 有(+)極熱線,另一側爲(-)極熱線。 2.對於第一項, 上述的管是以波紋管或直線管中的一個爲其特徵的用 於排出線的加熱管。 3 .對於第一項, 上述熱線部的特徵爲從氣體進入的一端到氣體排出的 一端,卷在管上的熱線部間的間距越來越小。 4.對於第一項, 上述耐熱絕緣材料的特徵是以向磁帶形狀的石棉卷在 上面形成的。 5 .對於第一項, 上述保溫材料包括第一保溫層和第一保溫層;第一保 溫層是由石棉材料包裹耐熱絕緣材料的表面形成的,第二 保溫層是利用其一面的附著劑附著在第一保溫層的外面。 -13-
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101075170B1 (ko) * 2011-02-01 2011-10-19 주식회사 에스엠아이 반도체 제조공정의 배기라인용 히팅 파이프
KR101401853B1 (ko) * 2012-11-07 2014-05-29 최성귀 반도체 제조장치의 히팅 파이프
KR101368336B1 (ko) 2013-10-25 2014-02-28 주식회사 브이씨알 파우더 고착 방지를 위한 반도체 제조장치의 배출라인 어셈블리
CN106507514B (zh) * 2016-10-21 2020-07-17 北京北方华创微电子装备有限公司 一种具有加热装置的工艺管排气管路及控制方法
KR101820821B1 (ko) * 2017-06-27 2018-01-22 (주)제이솔루션 설치가 용이한 반도체 및 lcd 제조공정의 배기가스 가열용 3중 배관 가열장치
KR102195884B1 (ko) * 2020-06-15 2020-12-28 주식회사 컬처플러스 열전소자를 사용한 에어로졸 샘플러
KR102199310B1 (ko) * 2020-06-15 2021-01-06 주식회사 컬처플러스 실내공기질 측정용 미세먼지 측정기
US12024771B2 (en) * 2022-08-01 2024-07-02 M. I Co., Ltd Method for manufacturing de-powder device for piping, and method for installing same

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2239556Y (zh) * 1995-12-25 1996-11-06 淄博市临淄镭射技术研究所 多功能复合管
DE19721555A1 (de) * 1997-05-23 1998-11-26 Ruhrgas Ag Vorwärmer für Gas
JP2000024609A (ja) 1998-07-15 2000-01-25 Nec Kansai Ltd 粉体を含むガス用配管
KR200244239Y1 (ko) * 1999-02-09 2001-09-25 김경균 폐가스 이송용 배관 및 이를 채용한 폐가스처리장치
KR200366263Y1 (ko) * 2004-07-21 2004-11-04 비씨엔씨 주식회사 배기관
JP4528099B2 (ja) * 2004-11-22 2010-08-18 株式会社東京技術研究所 配管の加熱構造
JP5128168B2 (ja) * 2006-04-24 2013-01-23 三菱電線工業株式会社 排気装置
JP2008234939A (ja) * 2007-03-19 2008-10-02 Kawai Denki Seisakusho:Kk 被覆加熱装置
CN101542019B (zh) * 2007-04-19 2011-01-12 三菱电线工业株式会社 排气系统
CN201206695Y (zh) * 2008-06-02 2009-03-11 大庆市红岗区龙腾金属管业制造有限责任公司 内热式聚氨酯泡沫夹克管
KR100905289B1 (ko) * 2008-12-10 2009-06-29 (주)화인 반도체공정의 부산물인 배기가스를 배출하는 배기관을 히팅하는 장치

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Publication number Publication date
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