CN101978473A - 具有滚轧成型表面的基座和其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明一般地提供用于在等离子体反应器中支撑大面积基板的装置。在一个实施例中，在等离子体反应器中使用的一基板支撑件包括一导电主体，该导电主体包括一顶面，其具有多个滚轧成型的压印。
Description
技术领域
本发明实施例一般地涉及一种用于处理大面积基板的装置和方法。更具体地，本发明实施例涉及一种用于在半导体处理中支撑大面积基板的基板支撑件和制造此支撑件的方法。
背景技术
用于处理大面积基板的设备已经成为诸如液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)、有机发光二极管显示器(OLED)和太阳能面板等平板显示器制造领域中的主要投资。用于制造LCD、PDP、OLED或太阳能面板的大面积基板可以是玻璃或聚合物工件。
大面积基板通常经历多个连续步骤以在其上创造出组件、导体和绝缘体。通常在用来执行制造工艺的单一步骤的处理室内执行每个步骤。为了有效完成整个连续步骤，通常使用多个处理室。处理大面积基板的其中一个常用制造步骤是等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。
PECVD一般用于在诸如平面基板或半导体基板上沉积薄膜。通常在相距数英寸且平行设置的电极间的真空室中执行PECVD，且平行电极之间的间隙通常可变以使工艺最佳化。在真空室中的温度控制基板支撑件上放置将要进行处理的基板。在某些情况中，基板支撑件可以是其中一个电极。将一前驱物气体引入真空室中，通常借助位于靠近真空室顶部的分配板来引入前驱物气体。然后施加RF功率到电极上，以将真空室中的前驱物气体能量化或激发成等离子体。激发后的气体发生反应而在位于基板支撑件上的基板表面上形成材料层。通常，PECVD室中的基板支撑件或基板支撑件组件设置用来支撑且加热基板，以及作为激发前驱物气体的电极。
通常，大面积基板，例如用于制造平面面板的基板，尺寸经常超过550毫米×650毫米，表面积预期达到并超过4平方米。相应地，用于处理大面积基板的基板支撑件也照比例放大，以容纳基板的大表面积。通常利用模铸方法来制造用于高温使用的基板支撑件，并在其铝主体中包裹一个或多个加热组件和热电偶。由于基板支撑件的尺寸，通常会在基板支撑件中设置一个或多个加固件以增强基板支撑件在高温操作(即超过350℃，接近500℃以使某些薄膜中的氢含量降至最低)下的硬度和性能。然后对铝基板支撑件进行电镀以提供保护涂层。
虽然以这种方式配置的基板支撑件已经显示出良好的处理性能，但观察到两个问题。第一个问题是不均匀沉积。已经观察到薄膜厚度中出现小的局部差异，这些厚度差异经常以较薄薄膜厚度的点状形式出现，其可能危害在大面积基板上形成组件的后续生产工艺。可以认为，基板的厚度、平坦度以及光滑的基板支撑件表面中的差异(通常约50微英寸)会在整个玻璃基板表面的某些位置造成局部电容变化，因而产生局部等离子体不均匀性，从而导致沉积变化，例如薄沉积薄膜厚度的点。
第二个问题是由摩擦生电过程或两种材料彼此接触然后再彼此分开的过程而产生的静电荷所引发。其结果是，可能在基板和基板支撑件之间积累静电，使得在工艺完成时难以将基板从基板支撑件分开。
工业中已知的额外问题是静电释放(ESD)金属线产生电弧的问题。当基板尺寸增加时，ESD金属线变得更长且更大。可以认为，在等离子体沉积期间，ESD金属线中的感应电流变得大到足以损害基板。该ESD金属线的电弧问题已经成为主要的频发问题。
因此，需要一种改进的基板支撑件。
发明内容
本发明一般地提供等离子体反应器中支撑大面积基板的装置。在一个实施例中，在等离子体反应器中使用的基板支撑件包括一导电主体，其具有一顶面，该顶面具有多个滚轧成型压印(roll-formed indent)。
本发明的另一实施例提供一等离子体反应器，其包含具有一工艺容积的一室体。一喷头被配置在该工艺容积中，并经配置以将工艺气体流导入该工艺容积。一铝主体被配置在喷头底下的工艺容积中。一加热器被配置在该铝主体中。该铝主体具有一顶面，其包含滚轧成型压印。
附图说明
为了可详细理解本发明上述特征，参考实施例对以上概述的本发明做更明确详细的描述，且部分实施例绘在附图中。然而，需要指出的是，附图仅描述本发明的典型实施例，不应将附图视为本发明范围的限制，本发明允许其它等效实施例。
图1示意性描述具有一基板支撑件的一个实施例的等离子体增强化学气相沉积室的截面图；
图2是图1的基板支撑件的部分截面图；
图3是一基板支撑件的另一实施例的部分截面图；
图4示意性绘示一种形成一基板支撑件的一表面的方法的实施例；
图5A-D是图4的滚轧成型工具的各种部分视图；
图6示意性描述图4的滚轧成型工具与一基板支撑件的一顶面接触；
图7是一滚轧成型表面的一个实施例的部分俯视图。
为了便于理解，尽可能地使用相同附图标记来表示附图中共有的相同组件。然而，需要指出的是，附图仅描述本发明的典型实施例，因此不能用来限制本发明范围，本发明还允许其它等效实施例。
具体实施方式
本发明涉及为处理基板提供必要电容去耦的基板支撑件和制造该基板支撑件的方法。特别是，本发明的基板支撑件减少基板和基板支撑件之间的静电，并使通常会让基板受损的等离子体团(plasmoid)减至最小。虽然不希望受理论限制，可以认为，在大面积基板的金属线上方的强等离子体会加热大面积基板，因而在大面积基板中引起不均匀热应力。大面积基板中的热应力可能积累到够大以致使大面积基板破裂。一旦不导电的大面积基板破裂，将使导电基板支撑件暴露于等离子体中，而发生电弧或等离子体团。本发明的基板支撑件可减少静电、使等离子体团减至最小，并提供良好薄膜沉积性能。
图1示意性绘出根据本发明一实施例的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统100的截面图。PECVD系统100用于在大面积基板上形成多种结构和组件，例如可在液晶显示器(LCD)和等离子体显示器面板(PDP)、有机发光显示器(OLED)和太阳能面板制造中使用的大面积基板上形成多种结构和组件。欲处理的大面积基板可以是玻璃基板或聚合物基板。
PECVD系统100通常包括与气体源104连接的室102。室102包括用来定义出工艺容积112的多个室壁106、室底部108和盖组件110。通常通过形成在室壁106中的舱门(未示出)来进出工艺容积112，舱门利于大面积基板140(以下称为基板140)进出室102。基板140可以是玻璃或聚合物工件。在一个实施例中，基板140具有大于约0.25平方米的设计表面积。通常室壁106和室底部108由整块铝或其它可用于等离子体处理的材料制成。室壁106和室底部108通常是电性接地。室底部108具有连接到不同泵部件(未示出)的排气口114，以利于控制工艺容积112内的压力并在处理期间排出气体和副产物。
在图1示出的实施例中，室102具有连接到其上的RF电源122。将RF电源122连接到气体分配板118以提供激发由气体源104提供的工艺气体的电偏压，并在处理期间维持在气体分配板118下方的工艺容积112中由工艺气体形成的等离子体。
盖组件110由室壁106支撑并可以移除以维修室102。盖组件110通常由铝组成。将气体分配板118连接到盖组件110的内侧120。气体分配板118通常由铝制成。气体分配板118的中心部包括一穿孔区域，通过该区域将气体源104所提供的工艺气体和其它气体输送到工艺容积112。气体分配板118的穿孔区域设计成可通过气体分配板118提供流入到室102的均匀气体分布。可以从2005年7月1日申请且标题为“Plasma Uniformity Control by Gas Diffuser Curvature(利用气体扩散器曲率实现等离子体均匀性控制)”的美国专利申请序号11/173,210以及于2005年7月25日申请且标题为“Diffuser Gravity Support(扩散器重力支撑件)”的美国专利申请序号11/188822中查到气体分配板118的详细描述，这些专利文献纳入本文中以供参考。
将基板支撑件组件138设置在室102内的中心位置。基板支撑件组件138用于在处理期间支撑基板140。基板支撑件组件138一般包括借助延伸穿过室底部108的轴142所支撑的导电主体124。
基板支撑件组件138通常接地，使得RF电源122提供给气体分配板118或位在室盖组件内或附近的其它电极的RF功率可以激发位在基板支撑件组件138和气体分配板118间的工艺容积112中的气体。来自RF电源122的RF功率通常选择与基板尺寸相称，以驱动化学气相沉积工艺。在一个实施例中，通过连接在导电主体124周界和接地室底部108之间的一个或多个RF接地回路构件184将导电主体124接地。可从2004年8月16日申请且标题为“Method and Apparatus for Dechucking a Substrate(用于移出基板的方法和装置)”的美国专利申请序号10/919457中查到RF接地回路构件184的详细描述。
在一个实施例中，可以用电绝缘涂层覆盖至少一部分的导电主体124，以改进沉积均匀性，而不需要对基板支撑件组件138施以昂贵的时效或等离子体处理。导电主体124可以由金属或其它类似导电材料制成。涂层可以是诸如氧化物、氮化硅、二氧化硅、二氧化铝、五氧化二钽、碳化硅、聚酰亚胺等绝缘材料，可以利用不同的沉积或涂覆工艺来施加涂层，该些工艺包括，但不限于，火焰喷涂、等离子体喷涂、高能涂覆、化学气相沉积、喷涂、粘合膜、溅射和包覆。可从2003年5月9日申请且标题为“Anodized Substrate Support(电镀基板支撑件)”的美国专利申请序号10/435,182以及2005年7月15日申请且标题为“Reduced Electrostatic Charge by Roughening the Susceptor(利用粗糙化底座降低静电荷)”的美国专利申请序号11/182,168中查到涂层的详细描述，或者，导电主体124的一顶面180可不用涂层或电镀。
在一个实施例中，导电主体124包裹至少一个嵌入式加热组件132。一般在导电主体124中临近加热组件132处嵌入至少一第一加固件116。可以在导电主体124中在加热组件132与第一加固件116相对的侧边处设置一第二加固件166。加固件116、166可以由金属、陶瓷或其它加固材料构成。在一个实施例中，加固件116、166由氧化铝纤维构成。或者，加固件116、166可以由氧化铝纤维结合氧化铝颗粒、碳化硅纤维、氧化硅纤维或相似材料构成。加固件116、166可以包括松散材料或可以具有诸如平板等预制形状。或者，加固件116、166可以包括其它形状和几何结构。一般而言，加固件116、166具有少许孔隙，以允许铝在下述的铸造工艺期间能够渗入构件116、166。
将设置在基板支撑件组件138中的诸如电极等加热组件132连接到电源130，加热组件132可以将基板支撑件组件138和放置其上的基板140可控制地加热到预期温度。典型地，加热组件132将基板140保持在大约150℃到至少大约460℃之间的均匀温度。加热组件132通常与导电主体124电性绝缘。
导电主体124具有相对于顶面180的一底面126。该顶面180经配置以支撑基板140且为基板140提供热能。该顶面180具有至少0.25平方米的一平面区域，例如，大于2.5平方米和超过6平方米。可以粗糙化该顶面180，以在顶面180和基板140之间形成空间(如图2所示)。该粗糙化的顶面180减少导电主体124和基板140之间的电容耦合。在一个实施例中，顶面180可以是用于在处理期间与基板140部分接触的非平坦表面。
底面126具有连接到底面的杆端盖144。杆端盖144一般是耦接到基板支撑件组件138的铝环，以提供用于将轴142连接到其上的安装表面。
轴142从杆端盖144延伸出，并将基板支撑件组件138连接到一升降系统(未示出)，该升降系统可在高位置(如图所示)和低位置之间移动基板支撑件组件138。波纹管146在工艺容积112和室102外部的大气之间提供真空密封，同时便于基板支撑件组件138的移动。
基板支撑件组件138额外支撑着一外接遮荫框架148。一般而言，遮蔽框架148防止在基板140和基板支撑件组件138边缘处的沉积，使得基板不会粘在基板支撑件组件138上。
基板支撑件组件138具有多个贯穿该支撑件组件的孔128，用以接收多个举升销(lift pin)150。举升销150通常由陶瓷或电镀铝构成。一般而言，举升销150具有当举升销150在正常位置(即相对基板支撑件组件138缩回)时与基板支撑件组件138的顶面180基本齐平的或比顶面180略微凹进的第一末端160。通常使第一末端160展开或者扩大，以防止举升销150从孔128中落下。另外，举升销150具有延伸超过基板支撑件组件138的底面126的第二末端164。举升销150与室底部108接触，并从基板支撑件组件138的顶面180移开，而将基板140放置在与基板支撑件组件138隔开来的位置。
在一个实施例中，使用不同长度的举升销150，以便它们与室底部108接触，并可在不同时间起动。例如，举升销150可沿基板140的外边缘间隔开来，此外可在基板140的外边缘朝向基板140的中心向内排列多个相对较短的举升销150，使基板140能够相对其中心处而率先举起基板的外边缘。在另一实施例中，使用均匀长度的举升销150，并且配合使用设置在外部举升销150下方的突起或高台182，使得相对于内部举升销150而言，能先起动外部举升销150并将基板140从顶面180移开更大距离。或者，室底部108可以包括多个设置在内部举升销150下方的槽或沟，使得相较于外部举升销150而言，较晚起开动这些内部举升销150并移开较短距离。在美国专利6,676,761号中，描述了具有从边缘到中心方式将基板从基板支撑件上提起的举升销的系统实施例，其可从本发明受益。
图2是导电主体124的顶面180的部分截面图，其绘示一滚轧成型压印200的一实施例。通常在顶面180上形成该滚轧成型压印200，以在导电主体124与基板之间产生一沟槽或空间，从而减小电容耦合。该滚轧成型压印200可具有多种几何图形和平面形式。在图2所示的实施例中，滚轧成型压印200具有一平方截角锥形状。其它实施性形状包含但不限于截圆锥、圆锥、角锥、立方体和半球体等等。
在图2所绘示的实施例中，滚轧成型压印200具有宽度202，其介于约0.016至约0.48英寸(约0.406毫米至约1.219厘米)之间，例如，约0.032英寸(约0.08128厘米)。在邻近滚轧成型压印200的中心间的节距208可以约为宽度202的两倍。因此，介于邻近滚轧成型压印间的顶面180的部分可借助约0.016英寸至约0.48英寸(0.406毫米至约1.219厘米)的距离206来界定，例如，约0.032英寸(约0.08128厘米)。
该滚轧成型压印200可延伸入导体主体124内达一深度204，其介于约10至20密耳(约0.254至约0.508毫米)，例如，约16密耳(0.406毫米)。选择足够浅的深度204，以防止移除的材料在顶面180上产生擦刮导致的特征，但要足够深，以对重复压印提供好的压印。
在一个实施例中，该滚轧成型压印200包含一上方侧壁216、一下方侧壁214和一底部212。该上方侧壁216形成于该下方侧壁214和该顶面180之间。该下方侧壁214形成于该上方侧壁216和该底部202之间。该下方侧壁214和该底部202相交成一角度210，其大于90度，例如，介于120和150度之间，以防止粒子陷入该滚轧成型压印200。
该滚轧成型压印200通常呈一规律(重复)阵列分布。该阵列可被安排成一格状、巢状、或其它适合的重复图案。
图3是导电主体124的顶面180的部分截面图，其绘示一滚轧成型压印300的另一实施例。该滚轧成型压印300包括一圆筒状侧壁302和一底部306。该底部306可以是一全半径、或充分圆形以防止粒子陷入。该滚轧成型压印300具有一深度304，其介于上述滚轧成型压印200中所述的范围内。
图4示意性绘示一种用以制造基板支撑件组件138的滚轧成型表面180的方法的实施例。该基板支撑件组件138的导电主体124置于一滚轧成型工具400的一平台402。该滚轧成型工具400具有一启动器404，其在平台402上支撑一滚轧成型头406。该启动器404被用来控制滚轧成型头406的在平台402上的高度，以及该滚轧成型头406对置于平台402上的导电主体124所施加的力量。该滚轧成型头406具有一图案408，当滚轧成型头406接触顶面180时，借助横向地驱动平台402和导电主体124，将图案408传送至顶面180。
图5A-D是滚轧成型头406的各种视图。该滚轧成型头406具有一筒状主体，其具有一中心孔502，以容纳当使用时用来转动滚轧成型头406的一轴承或轴。滚轧成型头406的图案408包含多个突起500，当滚轧成型头406压住顶面180时，突起500被用来移除导电主体124的材料，以及形成压印200。该滚轧成型头406和突起500由比基板支撑件组件138的材料(例如，一工具钢)更硬的材料制成。
图6是滚轧成型头406与一基板支撑件138的一顶面180的接触的示意图。使图案408转印至头面180所需的力因铝的韧性、突起500的大小和形状、形成的压印200的期望深度而异。在这里提供的示例性压印深度值是用于从6061 T6铝所制成的一导电主体124。在滚轧成型头406接触顶面180而平台402侧向前进时，滚轧成型头406滚动以连续将突出500压入顶面180中，以使图案408的反面便被转印至顶面180。
被压印200移除的导电主体124的材料(如移除的材料600所示)使顶面180的高度抬高接近压印200。选择压印200的深度204，以使移除的材料600形成一大致平滑表面，其增加导电主体124的厚度约2密耳。如果移除了太多的材料，则冷加工移除材料600可能在顶面180上形成一区域隆起的硬块(未图示)，其会是基材擦刮的来源。
图7是一滚轧成型顶面180的一个实施例的俯视图。在图示的实施例中，压印200被配置成一格状图案。因为图案是由滚轧成型技术所产生，压印分布和压印容积/几何的图案是统一而重复的。压印200的高度均匀性促进了工艺一致性。
虽然前述内容描述了本发明几个实施例，但可在不偏离本发明基本范围的情况下设计出本发明的其它和额外实施例，因此本发明的范围由后附权利要求所界定。
Claims (15)
1.一种在一等离子体反应器中使用的基板支撑件，包括：
一导电主体，其被配置为该等离子体反应器的一电极，其中该导电主体具有一顶面，其被配置为支撑一大面积基板，并提供热能给该大面积基板，该顶面具有一阵列的滚轧成型压印。
2.如权利要求1所述的基板支撑件，其中该滚轧成型压印布置成一格状图案。
3.如权利要求1所述的基板支撑件，其中该滚轧成型压印布置成一巢状图案。
4.如权利要求1所述的基板支撑件，其中该滚轧成型压印具有一深度，其介于约10至约20密耳之间(0.254至约0.508毫米之间)。
5.一种等离子体反应器，包含：
一室体，其具有一工艺容积；
一喷头，其被设置在该工艺容积中，并经配置以将提供的工艺气体流导入该工艺容积；
一铝主体，其被设置在该喷头下方的该工艺容积中，该铝主体具有一顶面，其包含滚轧成型压印，该滚轧成型压印布置成一格状图案；以及
一加热器，其被设置在该铝主体中。
6.如权利要求5所述的等离子体反应器，其中该滚轧成型压印具有一深度，其介于约10至约20密耳之间(0.254至约0.508毫米之间)。
7.如权利要求5所述的等离子体反应器，还包含：
一RF电源，其耦接至该喷头。
8.一种用以形成一基座的方法，该方法包含下列步骤：
提供一铝主体，其具有至少一嵌入式加热组件，该铝主体具有一顶面，其具有至少0.25平方米的一平面区域；以及
在该顶面上滚轧成型一格状图案。
9.如权利要求8所述的方法，其中上述滚轧成型步骤还包含：
形成具有一平方截角锥形状的压印。
10.如权利要求8所述的方法，其中上述滚轧成型步骤还包含：
形成具有下列形状的至少一个的压印：截圆锥、圆锥、角锥、立方体和半球体。
11.如权利要求8所述的方法，其中该滚轧成型格状图案还包括：
形成具有约0.016英寸至约0.48英寸(0.406毫米至约1.219厘米)的宽度的压印。
12.如权利要求8所述的方法，其中该滚轧成型图案还包括：
形成具有中心间的节距约压印宽度的两倍的压印。
13.如权利要求8所述的方法，其中该滚轧成型图案还包括：
形成以一距离分隔的压印，该距离介于约0.016英寸至约0.48英寸(0.406毫米至约1.219厘米)。
14.如权利要求8所述的方法，其中该滚轧成型图案还包括：
形成一压印，其具有介于约10至约20密耳(0.254至约0.508毫米)的一深度，其中该滚轧成型压印的一下方侧壁和一底部相交成大于约90度的一角度。
15.如权利要求8所述的方法，其中该滚轧成型图案还包括：
形成具有介于约10至约20密耳(0.254至约0.508毫米)的深度的压印，其中该压印的一底部具有一全半径。
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN112387798A (zh) * | 2019-08-13 | 2021-02-23 | 青岛海尔多媒体有限公司 | 用于制作电子设备外壳的方法及系统 |
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|---|---|---|---|---|
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Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6431501A (en) * | 1987-07-24 | 1989-02-01 | Kawasaki Steel Co | Production of steel sheet for shadow mask |
| US5531835A (en) * | 1994-05-18 | 1996-07-02 | Applied Materials, Inc. | Patterned susceptor to reduce electrostatic force in a CVD chamber |
| US6089182A (en) * | 1995-08-17 | 2000-07-18 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| JP2901536B2 (ja) * | 1996-02-28 | 1999-06-07 | 山形日本電気株式会社 | サセプタ |
| KR100203780B1 (ko) * | 1996-09-23 | 1999-06-15 | 윤종용 | 반도체 웨이퍼 열처리 장치 |
| JP3160229B2 (ja) * | 1997-06-06 | 2001-04-25 | 日本エー・エス・エム株式会社 | プラズマｃｖｄ装置用サセプタ及びその製造方法 |
| JP2002113536A (ja) * | 2000-10-04 | 2002-04-16 | Toyota Motor Corp | 成形素材の成形性向上方法およびその装置 |
| US6634882B2 (en) * | 2000-12-22 | 2003-10-21 | Asm America, Inc. | Susceptor pocket profile to improve process performance |
| KR100375984B1 (ko) | 2001-03-06 | 2003-03-15 | 삼성전자주식회사 | 플레이트 어셈블리 및 이를 갖는 가공 장치 |
| JP2004154814A (ja) * | 2002-11-06 | 2004-06-03 | Shooei Shoji:Kk | 加工金属板材料 |
| EP1615261B8 (en) * | 2003-04-02 | 2019-09-18 | SUMCO Corporation | Semiconductor wafer heat treatment jig |
| JP2004321848A (ja) * | 2003-04-21 | 2004-11-18 | Ngk Insulators Ltd | ハニカム構造体及びその製造方法 |
| US8372205B2 (en) | 2003-05-09 | 2013-02-12 | Applied Materials, Inc. | Reducing electrostatic charge by roughening the susceptor |
| US20040221959A1 (en) | 2003-05-09 | 2004-11-11 | Applied Materials, Inc. | Anodized substrate support |
| JP2004342834A (ja) * | 2003-05-15 | 2004-12-02 | Seiko Epson Corp | 基板載置トレイ |
| JP2006019572A (ja) * | 2004-07-02 | 2006-01-19 | Ricoh Co Ltd | 半導体製造装置及び半導体製造方法 |
| JP2006173259A (ja) * | 2004-12-14 | 2006-06-29 | Ricoh Co Ltd | サセプター及びその製造方法及び半導体製造装置 |
| KR100750968B1 (ko) * | 2005-06-07 | 2007-08-22 | 주식회사 알지비하이텍 | 플라즈마화학적기상증착 기구 내의 서셉터 구조 |
| US7691205B2 (en) * | 2005-10-18 | 2010-04-06 | Asm Japan K.K. | Substrate-supporting device |
| KR100755874B1 (ko) * | 2005-11-30 | 2007-09-05 | 주식회사 아이피에스 | 진공처리장치의 정전척, 그를 가지는 진공처리장치 및정전척의 제조방법 |
| JP5122741B2 (ja) * | 2005-12-01 | 2013-01-16 | パナソニック株式会社 | システムキッチン用シンク又はカウンター |
| JP2007168245A (ja) * | 2005-12-21 | 2007-07-05 | Fujifilm Corp | 感光性シート及びその製造方法と装置 |
| KR200412959Y1 (ko) * | 2006-01-24 | 2006-04-05 | (주)포인트엔지니어링 | 반도체 및 액정표시장치의 투명유리기판 제조용 플레이트 |
| US8173228B2 (en) | 2006-01-27 | 2012-05-08 | Applied Materials, Inc. | Particle reduction on surfaces of chemical vapor deposition processing apparatus |
| JP4597894B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2010-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台および基板処理装置 |
| US20080131622A1 (en) | 2006-12-01 | 2008-06-05 | White John M | Plasma reactor substrate mounting surface texturing |
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109881184A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-06-14 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 具有静电力抑制的基板承载装置 |
| CN112387798A (zh) * | 2019-08-13 | 2021-02-23 | 青岛海尔多媒体有限公司 | 用于制作电子设备外壳的方法及系统 |
| CN112387798B (zh) * | 2019-08-13 | 2024-05-14 | 青岛海尔多媒体有限公司 | 用于制作电子设备外壳的方法及系统 |
| CN113073310A (zh) * | 2020-01-06 | 2021-07-06 | Asm Ip私人控股有限公司 | 有通道的举升销 |
| CN113073310B (zh) * | 2020-01-06 | 2024-06-04 | Asmip私人控股有限公司 | 有通道的举升销 |
Also Published As
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