CN101975731A - SiC砂子检测方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及硅晶切片所用辅料检测的领域，尤其是一种SiC砂子检测方法。将SiC砂子粒度划分为3个区域：小颗粒区域粒径范围为1～5.53um，可切割颗粒区域粒径范围为8.21～12.18um，大颗粒区域粒径范围为23.52～34um，规定小颗粒含量≤3.00％，可切割颗粒含量≥55％，大颗粒含量0.35％。本发明SiC砂子检测方法，对微分分布进行表征，控制了SiC砂子的质量，由砂子引起的合格率波动值由8％降低至2％。

Description

SiC砂子检测方法

技术领域

本发明涉及硅晶切片所用辅料检测的领域，尤其是一种SiC砂子检测方法。

背景技术

目前对SiC微粉主要是粒度方面的参数，如D50值，可以衡量SiC砂子微粉的粒径来表征SiC砂子切割能力，但是目前的粒度分布只表征了粒径的大小，没有对粒度的微分分布的多少进行规定，而在多线切割领域，砂子的质量好坏直接决定了产品的质量。因此，对粒度的微分分布进行表征，可以控制SiC砂子的质量。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：为了控制SiC砂子的质量，本发明提供一种SiC砂子检测方法。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种SiC砂子检测方法，将SiC砂子粒度划分为3个区域：小颗粒区域粒径范围为1～5.53um，可切割颗粒区域粒径范围为8.21～12.18um，大颗粒区域粒径范围为23.52～34um，规定小颗粒含量≤3.00％，可切割颗粒含量≥55％，大颗粒含量0.35％。

本发明的一种更进一步的方案，将SiC砂子粒度划分为3个区域：所述的小颗粒区域粒径范围为1～4.25um，所述的可切割颗粒区域粒径范围为7.20～10.68um，所述的大颗粒区域粒径范围为20.62～30um，规定小颗粒含量≤3.00％，可切割颗粒含量≥55％，大颗粒含量0.35％。

本发明的有益效果是，本发明SiC砂子检测方法，对粒度微分分布进行表征，控制了SiC砂子的质量，由砂子引起的合格率波动值由8％降低至2％，从多线切割原理上，增加可切割颗粒的含量，减少小颗粒和大颗粒的含量。

具体实施方式

实施例1

将SiC砂子粒度划分为3个区域：小颗粒区域粒径范围为1～5.53um，可切割颗粒区域粒径范围为8.21～12.18um，大颗粒区域粒径范围为23.52～34um，规定小颗粒含量≤3.00％，可切割颗粒含量≥55％，大颗粒含量0.35％。

由砂子引起的合格率波动值由8％降低至2％。

实施例2

将SiC砂子粒度划分为3个区域：小颗粒区域粒径范围为1～4.25um，可切割颗粒区域粒径范围为7.20～10.68um，大颗粒区域粒径范围为20.62～30um，规定小颗粒含量≤3.00％，可切割颗粒含量≥55％，大颗粒含量0.35％。

由砂子引起的合格率波动值由8％降低至2％。

以上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。

Claims (2)

1.一种SiC砂子检测方法，其特征是：将SiC砂子粒度划分为3个区域：小颗粒区域粒径范围为1～5.53um，可切割颗粒区域粒径范围为8.21～12.18um，大颗粒区域粒径范围为23.52～34um，规定小颗粒含量≤3.00％，可切割颗粒含量≥55％，大颗粒含量0.35％。

2.根据权利要求1所述的SiC砂子检测方法，其特征是：将SiC砂子粒度划分为3个区域：所述的小颗粒区域粒径范围为1～4.25um，所述的可切割颗粒区域粒径范围为7.20～10.68um，所述的大颗粒区域粒径范围为20.62～30um，规定小颗粒含量≤3.00％，可切割颗粒含量≥55％，大颗粒含量0.35％。