CN101941682A - 微波辅助合成CdSe量子点的有机相制备方法 - Google Patents
微波辅助合成CdSe量子点的有机相制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101941682A CN101941682A CN 201010284959 CN201010284959A CN101941682A CN 101941682 A CN101941682 A CN 101941682A CN 201010284959 CN201010284959 CN 201010284959 CN 201010284959 A CN201010284959 A CN 201010284959A CN 101941682 A CN101941682 A CN 101941682A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cadmium
- precursor solution
- quantum dot
- selenium
- oil
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
本发明涉及使用微波辅助合成仪在低温条件下(50℃～140℃)快速合成硒化镉量子点的制备方法，以CdO为镉源，用Se粉作为Se源，以油酸，丙三醇，柴油或大豆油分别作为CdO和Se的溶剂，形成Cd前体溶液和Se前体溶液，其中油酸作为生成的量子点的稳定剂，丙三醇或乙二醇作为良好的传热介质，其后将Cd前体溶液注入Se前体溶液中，在微波辅助合成仪中50℃～140℃下反应，获得CdSe量子点。本发明在低温下即可得到具有良好的可分散性，均匀性和光学性的量子点，适于推广到大规模的工业生产中去。
Description
技术领域
本发明涉及使用微波辅助合成仪在低温条件下(50℃～140℃)快速合成硒化镉(CdSe)量子点的制备方法，属于纳米技术领域。
背景技术
量子点是一种性质稳定且发射荧光的半导体纳米微晶体，它具有尺寸依赖的电学和光学性能。近年来，它在很多领域有广泛的应用，比如发光二极管(LED)，非线性光学设备，太阳能电池，生命科学领域等，尤其在生物医学领域已取得了巨大进步。而CdSe(硒化镉)由于其发射波长覆盖整个可见光区，成为目前研究最多的一种量子点。然而，由于量子点质量的高低严重制约着其应用研究的展开和研究结果的优劣，它的制备一直是纳米科学研究的热点之一。量子点的制备方法主要是有机相合成法和水相合成法两种，此外还有通过纳米晶体在晶体衬底上的自组装生长制备量子点的方法。
1993年Bawendi等在高温下使用有机金属前驱物裂解的方法合成出具有较强荧光性能的CdSe量子点。他们使用二甲基镉、三辛基膦和硒作为前体，三辛基氧化膦作为配位溶剂，反应温度在350℃。在此基础上，2000年Peng和他的研究小组改用CdO代替作为镉的前体，十八烷烯(ODE)和硬脂酸作为溶剂，反应温度280℃，采用已基磷酸(HPA)或十四烷基磷酸(TDPA)/TOPO二组份溶剂合成II-VI型量子点。该方法在实际操作中有几个重要的优点：注射温度降低，合成重复性好；最初的成核作用延长；并且既不自燃，也不易爆炸，因此，使用大量的反应原料，这就使得工业规模的合成成为可能。但是它的价格非常昂贵，使得量子点的规模化制备受到限制。2006年Wang等和他的研究小组以CdO作为镉源，以Se粉作为Se源，使用油酸和液体石蜡作为CdO和Se粉的溶剂，反应温度在200℃～240℃，合成较强荧光的CdSe量子点。该方法的优点是：注射温度较低，方法较简便，没有使用有毒的配体，价格较低。
近年来，量子点的合成工艺有了很大的发展，用于合成的TOPO、TOP等价格昂贵剧毒的有机试剂逐渐被其它价格低廉无毒的试剂所取代。当另一种复合物如油酸被用来作为表面配体时，TOPO被非配位溶剂十八烷烯(ODE)所代替，制备出高质量的量子点。Wang等使用油酸和液体石蜡作为CdO和Se粉的溶剂，反应温度在200-240度，合成较强荧光的CdSe量子点。油酸在溶液中起两方面的作用：一是与CdO反应促进溶解；二是作为表面配体稳定合成的量子点。此法中的溶剂液体石蜡相对于十八烷烯(ODE)的确较为便宜，减少了成本，与使用TOPO、ODE的方法相比，延长了晶粒的生长时间，使量子点的尺寸更易于控制，而且得到比较高的量子产率。但是由于液体石蜡凝固点较高且有较强的粘性，得到的量子点容易凝固造成后处理比较困难，大大限制了它的大量生产。
水相合成是另一种常用的量子点合成方法，主要是以巯基化合物为稳定剂的情况下，金属盐和NaHSe或NaHTe捕获沉淀反应合成量子点。近年来，如CdSe、HgTe一系列量子点在水相成功地合成。相比较有机合成，水相合成具有很好的重复性、低毒性、试剂廉价，同时水相合成的量子点具有很好的水溶性、稳定性和生物相容性。然而，水相制备的量子点通常量子产率较低(3～10％)，半峰宽较宽，同时，水相合成量子点需要很长的反应时间(几个小时到几天)。2004年，张皓等人通过使用高压反应釜，提高反应温度(达到180℃)来缩短反应时间，且合成的CdTe量子点产率达到38％，不过此法反应时间仍需要几个小时，远不能与有机相高温合成的速度相比。
近年来，微波辐射法因具有特殊效应已引起了材料科学界的极大关注。与传统方法相比，微波辐射法具有反应速度快、条件温和、反应效率高等优点，因而在纳米材料合成领域里显示了良好的发展态势和广阔的应用前景。以色列的Grisaru和南京大学朱俊杰等人利用微波合成了一系列水相量子点。但他们的研究侧重点一般在纳米材料的形貌，对量子点的光学性能并没有深入的研究。2005年，上海交通大学任吉存等人将传统的巯基化合物作稳定剂的水相合成引入到微波合成体系，提出了一种量子点微波辅助水热快速合成方法，利用巯基丙酸作为稳定剂来控制量子点的生长，同时用微波来提高传统水相合成的反应速度，这一尝试获得了非常好的效果，在较短时间内(大约60分钟)、反应温度为140℃下合成出从绿色到近红外一系列尺寸的CdSe量子点，所合成的量子点具有较好的光学性质，量子产率最高达25％。
发明内容
本发明的目的在于，为克服现有技术的不足，提出一种微波辅助合成CdSe量子点的制备方法，它利用微波辅助合成仪，在低温条件下(50℃～140℃)以价格低廉的原料和简单的制备工艺过程，快速得到成本低且具有良好的分散性、粒度均匀性及荧光性的硒化镉量子点。
本发明的技术方案是，所述硒化镉(CdSe)荧光半导体量子点的制备方法为：
a.用氧化镉、醋酸镉或氯化镉之一作为镉源，所述镉源溶入由油酸和溶剂A组成的混合溶剂中且在所述混合溶液中的浓度为10mg/mL～15mg/mL，镉源与油酸的摩尔比为1∶1.5～8，在反应温度为130℃～180℃下，得到镉(Cd)前体溶液。
b.以硒粉作为硒源，在微波辅助合成仪中，将所述硒源在温度为130℃～150℃温度下溶入由特定醇与溶剂A组成的混合溶剂中，硒粉在溶剂A中的浓度为1mg/mL～15mg/mL，得硒(Se)前体溶液；所述特定醇和溶剂A的比例为1∶2～50∶1，特定醇为丙三醇或乙二醇；
c.按镉源与硒源的摩尔比为1∶2～6∶1，将所述镉前体溶液和硒前体溶液镉前体溶液和硒前体溶液合并并冷却至室温，在微波辅助合成仪中50℃～140℃下反应，反应时间1s～20min，获得硒化镉量子点；其中，油酸作为量子点的稳定剂，丙三醇或乙二醇作为反应体系的传热介质。
所述溶剂A为柴油、煤油等石油产品以及色拉油、大豆油、花生油、菜籽油、玉米油、茶油、麻油等食用植物油中的任一种。
所述微波反应仪可为上海新仪微波化学科技有限公司生产、北京祥鹄科技发展有限公司生产等，其主要技术参数为微波功率变化范围为0～1000W，工作频率为2450MHz，控温范围为0～250℃，精度为±1℃。
本发明制备的硒化镉量子点的粒径范围为2～5nm，尺寸分布＜10％，荧光发射峰的半峰宽为25～40nm，荧光发射峰的范围为400～600nm，荧光量子产率＞10％，一般在30～40％之间。
由以上可知，本发明为一种微波辅助合成CdSe量子点的制备方法，它所需的反应温度低(50℃～140℃)，操作简单，制备成本非常低廉，具有大批量生产的工业应用价值。本发明可通过控制不同的反应温度，反应时间来获得不同尺寸的CdSe量子点。
附图说明
图1为实施例1中制得的CdSe量子点的紫外吸收可见光谱和荧光光谱。
图2为实施例2中制得的CdSe量子点的紫外吸收可见光谱和荧光光谱。
图3为实施例3中制得的CdSe量子点的紫外吸收可见光谱和荧光光谱。
图4为实施例4中制得的CdSe量子点的紫外吸收可见光谱和荧光光谱。
图5为实施例5中制得的CdSe量子点的紫外吸收可见光谱和荧光光谱。
图6为实施例6中制得的CdSe量子点的紫外吸收可见光谱和荧光光谱。
图7为实施例7中制得的CdSe量子点的紫外吸收可见光谱和荧光光谱。
图8为实施例8中制得的CdSe量子点的紫外吸收可见光谱和荧光光谱。
图9为实施例9中制得的CdSe量子点的紫外吸收可见光谱和荧光光谱。
图1-图9中，(a)为波长与吸光度的关系曲线；(b)为波长与荧光强度的关系曲线。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的实施例作详细说明：本实施例在以本发明技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方案和过程，但本发明的保护范围不限于下述实施例。
实施例1：
(a)称取0.0768g CdO，量取0.4mL油酸和5mL柴油混合置于25mL的三颈瓶中，加热到180℃，使镉与油酸的摩尔比为1∶2，待CdO粉末完全溶解后，得到Cd前体溶液；
(b)称取0.0144g Se粉至于50mL微波反应瓶中，加入5mL柴油和5mL丙三醇，在微波辅助合成仪中加热到140℃，待Se粉完全溶解后，得到Se前体溶液；
(c)将Cd前体溶液快速加入到Se前体溶液中，并将混合液冷却至20～40℃，置入微波辅助合成仪中反应，设置温度为50℃，微波功率为800W，其中混合反应溶液中Cd与Se的摩尔比为4∶1，反应20分钟后将溶液冷却置室温；
(d)向上述反应后溶液中加入丙酮，静置使CdSe量子点形成絮状沉淀，离心，去掉上层液后将流体状的CdSe沉淀溶解在正己烷中，再次离心后去掉下层沉淀，得到均匀分散在正己烷中的CdSe量子点。如图1所示，制备的量子点的最大发射波长为448.5nm，晶体结构为闪锌矿结构，粒径为2～4nm，尺寸分布＜10％，荧光量子产率＞37％。
实施例2：
(a)称取0.0768g CdO，量取0.4mL油酸和5mL柴油混合置于25mL的三颈瓶中，加热到180℃，使镉与油酸的摩尔比为1∶2，待CdO粉末完全溶解后，得到Cd前体溶液；
(b)称取0.0144g Se粉至于50mL微波反应瓶中，加入5mL柴油和5mL丙三醇，在微波辅助合成仪中加热到140℃，待Se粉完全溶解后，得到Se前体溶液；
(c)将Cd前体溶液快速加入到Se前体溶液中，并将混合液冷却至20～40℃，置入微波辅助合成仪中反应，设置温度为90℃，微波功率为800W，其中混合反应溶液中Cd与Se的摩尔比为4∶1，反应5分钟后将溶液冷却置室温；
(d)向上述反应后溶液中加入丙酮，静置使CdSe量子点形成絮状沉淀，离心，去掉上层液后将流体状的CdSe沉淀溶解在正己烷中，再次离心后去掉下层沉淀，得到均匀分散在正己烷中的CdSe量子点。如图2所示，制备的量子点的最大发射波长为509.5nm，晶体结构为闪锌矿结构，粒径为2～4nm，尺寸分布＜10％，荧光量子产率＞61％。
实施例3：
(a)称取0.0768g CdO，量取0.4mL油酸和5mL柴油混合置于25mL的三颈瓶中，加热到180℃，使镉与油酸的摩尔比为1∶2，待CdO粉末完全溶解后，得到Cd前体溶液；
(b)称取0.0144g Se粉至于50mL微波反应瓶中，加入5mL柴油和5mL丙三醇，在微波辅助合成仪中加热到140℃，待Se粉完全溶解后，得到Se前体溶液；
(c)将Cd前体溶液快速加入到Se前体溶液中，并将混合液冷却至20～40℃，置入微波辅助合成仪中反应，设置温度为110℃，微波功率为800W，其中混合反应溶液中Cd与Se的摩尔比为4∶1，反应2分钟后将溶液冷却置室温；
(d)向上述反应后溶液中加入丙酮，静置使CdSe量子点形成絮状沉淀，离心，去掉上层液后将流体状的CdSe沉淀溶解在正己烷中，再次离心后去掉下层沉淀，得到均匀分散在正己烷中的CdSe量子点。如图3所示，制备的量子点的最大发射波长为530nm，晶体结构为闪锌矿结构，粒径为2～4nm，尺寸分布＜10％，荧光量子产率＞43％。
实施例4：
(a)称取0.0768g CdO，量取0.4mL油酸和5mL柴油混合置于25mL的三颈瓶中，加热到180℃，使镉与油酸的摩尔比为1∶2，待CdO粉末完全溶解后，得到Cd前体溶液；
(b)称取0.0144g Se粉至于50mL微波反应瓶中，加入5mL柴油和5mL丙三醇，在微波辅助合成仪中加热到140℃，待Se粉完全溶解后，得到Se前体溶液；
(c)将Cd前体溶液快速加入到Se前体溶液中，并将混合液冷却至20～40℃，置入微波辅助合成仪中反应，设置温度为140℃，微波功率为800W，其中混合反应溶液中Cd与Se的摩尔比为4∶1，反应1秒后将溶液冷却置室温；
(d)向上述反应后溶液中加入丙酮，静置使CdSe量子点形成絮状沉淀，离心，去掉上层液后将流体状的CdSe沉淀溶解在正己烷中，再次离心后去掉下层沉淀，得到均匀分散在正己烷中的CdSe量子点。如图4所示，制备的量子点的最大发射波长为582nm，晶体结构为闪锌矿结构，粒径为2～4nm，尺寸分布＜10％，荧光量子产率＞4％。
实施例5：
(a)称取0.0768g CdO，量取0.8mL油酸和5mL柴油混合置于25mL的三颈瓶中，加热到180℃，使镉与油酸的摩尔比为1∶4，待CdO粉末完全溶解后，得到Cd前体溶液；
(b)称取0.0144g Se粉至于50mL微波反应瓶中，加入5mL柴油和5mL丙三醇，在微波辅助合成仪中加热到140℃，待Se粉完全溶解后，得到Se前体溶液；
(c)将Cd前体溶液快速加入到Se前体溶液中，并将混合液冷却至20～40℃，置入微波辅助合成仪中反应，设置温度为110℃，微波功率为800W，其中混合反应溶液中Cd与Se的摩尔比为4∶1，反应2分钟后将溶液冷却置室温；
(d)向上述反应后溶液中加入丙酮，静置使CdSe量子点形成絮状沉淀，离心，去掉上层液后将流体状的CdSe沉淀溶解在正己烷中，再次离心后去掉下层沉淀，得到均匀分散在正己烷中的CdSe量子点。如图5所示，制备的量子点的最大发射波长为513nm，晶体结构为闪锌矿结构，粒径为2～4nm，尺寸分布＜10％，荧光量子产率＞29％。
实施例6：
(a)称取0.0768g CdO，量取1.2mL油酸和5mL柴油混合置于25mL的三颈瓶中，加热到180℃，使镉与油酸的摩尔比为1∶6，待CdO粉末完全溶解后，得到Cd前体溶液；
(b)称取0.0144g Se粉至于50mL微波反应瓶中，加入5mL柴油和5mL丙三醇，在微波辅助合成仪中加热到140℃，待Se粉完全溶解后，得到Se前体溶液；
(c)将Cd前体溶液快速加入到Se前体溶液中，并将混合液冷却至20～40℃，置入微波辅助合成仪中反应，设置温度为110℃，微波功率为800W，其中混合反应溶液中Cd与Se的摩尔比为4∶1，反应2分钟后将溶液冷却置室温；
(d)向上述反应后溶液中加入丙酮，静置使CdSe量子点形成絮状沉淀，离心，去掉上层液后将流体状的CdSe沉淀溶解在正己烷中，再次离心后去掉下层沉淀，得到均匀分散在正己烷中的CdSe量子点。如图6所示，制备的量子点的最大发射波长为504.5nm，晶体结构为闪锌矿结构，粒径为2～4nm，尺寸分布＜10％，荧光量子产率＞57％。
实施例7：
(a)称取0.0768g CdO，量取0.4mL油酸和5mL柴油混合置于25mL的三颈瓶中，加热到180℃，使镉与油酸的摩尔比为1∶2，待CdO粉末完全溶解后，得到Cd前体溶液；
(b)称取0.0096g Se粉至于50mL微波反应瓶中，加入5mL柴油和5mL丙三醇，在微波辅助合成仪中加热到140℃，待Se粉完全溶解后，得到Se前体溶液；
(c)将Cd前体溶液快速加入到Se前体溶液中，并将混合液冷却至20～40℃，置入微波辅助合成仪中反应，设置温度为110℃，微波功率为800W，其中混合反应溶液中Cd与Se的摩尔比为6∶1，反应2分钟后将溶液冷却置室温；
(d)向上述反应后溶液中加入丙酮，静置使CdSe量子点形成絮状沉淀，离心，去掉上层液后将流体状的CdSe沉淀溶解在正己烷中，再次离心后去掉下层沉淀，得到均匀分散在正己烷中的CdSe量子点。如图6所示，制备的量子点的最大发射波长为514nm，晶体结构为闪锌矿结构，粒径为2～4nm，尺寸分布＜10％，荧光量子产率＞39％。
实施例8：
(a)称取0.0768g CdO，量取0.4mL油酸和5mL柴油混合置于25mL的三颈瓶中，加热到180℃，使镉与油酸的摩尔比为1∶2，待CdO粉末完全溶解后，得到Cd前体溶液；
(b)称取0.0144g Se粉至于50mL微波反应瓶中，加入5mL柴油和10mL丙三醇，在微波辅助合成仪中加热到140℃，待Se粉完全溶解后，得到Se前体溶液；
(c)将Cd前体溶液快速加入到Se前体溶液中，并将混合液冷却至20～40℃，置入微波辅助合成仪中反应，设置温度为110℃，微波功率为800W，其中混合反应溶液中Cd与Se的摩尔比为4∶1，反应2分钟后将溶液冷却置室温；
(d)向上述反应后溶液中加入丙酮，静置使CdSe量子点形成絮状沉淀，离心，去掉上层液后将流体状的CdSe沉淀溶解在正己烷中，再次离心后去掉下层沉淀，得到均匀分散在正己烷中的CdSe量子点。如图6所示，制备的量子点的最大发射波长为492.5nm，晶体结构为闪锌矿结构，粒径为2～4nm，尺寸分布＜10％，荧光量子产率＞29％。
实施例9：
(a)称取0.0768g CdO，量取0.4mL油酸和5mL柴油混合置于25mL的三颈瓶中，加热到180℃，使镉与油酸的摩尔比为1∶2，待CdO粉末完全溶解后，得到Cd前体溶液；
(b)称取0.0144g Se粉至于50mL微波反应瓶中，加入5mL柴油和5mL乙二醇，在微波辅助合成仪中加热到140℃，待Se粉完全溶解后，得到Se前体溶液；
(c)将Cd前体溶液快速加入到Se前体溶液中，并将混合液冷却至20～40℃，置入微波辅助合成仪中反应，设置温度为110℃，微波功率为800W，其中混合反应溶液中Cd与Se的摩尔比为4∶1，反应2分钟后将溶液冷却置室温；
(d)向上述反应后溶液中加入丙酮，静置使CdSe量子点形成絮状沉淀，离心，去掉上层液后将流体状的CdSe沉淀溶解在正己烷中，再次离心后去掉下层沉淀，得到均匀分散在正己烷中的CdSe量子点。如图6所示，制备的量子点的最大发射波长为526nm，晶体结构为闪锌矿结构，粒径为2～4nm，尺寸分布＜10％，荧光量子产率＞20％。
Claims (2)
1.一种硒化镉荧光半导体量子点的制备方法，其特征是，该方法为：
a.用氧化镉、醋酸镉或氯化镉之一作为镉源，所述镉源溶入由油酸和溶剂A组成的混合溶剂中且在所述混合溶液中的浓度为10mg/mL～15mg/mL，镉源与油酸的摩尔比为1∶1.5～8，在反应温度为130℃～180℃下，得镉(Cd)前体溶液；
b.以硒粉作为硒源，在微波辅助合成仪中，将所述硒源在温度为130℃～150℃温度下溶入由特定醇和溶剂A组成的混合溶剂中，硒粉在溶剂A中的浓度为1mg/mL～15mg/mL，得硒(Se)前体溶液；所述特定醇和溶剂A的比例为1∶2～50∶1，特定醇为丙三醇或乙二醇；
c.按镉源与硒源的摩尔比为1∶2～6∶1，将所述镉前体溶液和硒前体溶液镉前体溶液和硒前体溶液合并并冷却至室温，在微波辅助合成仪中50℃～140℃下反应，反应时间1s～20min，获得硒化镉量子点；
所述溶剂A为柴油、煤油以及色拉油、大豆油、花生油、菜籽油、玉米油、茶油、麻油中的任一种。
2.根据权利要求1所述硒化镉荧光半导体量子点的制备方法，其特征是，该方法为：
a.用氧化镉作为镉源，在180℃溶于油酸和柴油的混合溶液中，使氧化镉与油酸的摩尔比为1∶1.5～1∶8，氧化镉在所述混合溶液中的浓度为10mg/mL～15mg/mL，得到镉前体溶液；
b.用硒粉作为硒源，将所述硒源在温度为140℃溶入由丙三醇和溶剂A组成的混合溶剂中，硒粉在溶剂A中的浓度为1mg/mL～15mg/mL，得硒Se前体溶液，其中特定醇和溶剂A的比例为1∶2～50∶1；
c.将所述镉前体溶液注入到硒前体溶液中，并将混合液冷却至20～40℃，其中氧化镉与硒粉摩尔比为1∶1～6∶1，在微波辅助合成仪中，50℃～140℃下进行混合反应，反应时间为1s～20min，即得含有硒化镉量子点的反应后溶液；
d.向所述反应后溶液中加入丙酮或乙醇，静置使CdSe量子点形成絮状沉淀，离心，去掉上层液后将流体状的硒化镉沉淀溶解在正己烷中，再次离心后去掉下层沉淀，得到均匀分散在正己烷中的硒化镉量子点；
所述溶剂A为柴油、煤油等石油产品以及色拉油、大豆油、花生油、菜籽油、玉米油、茶油、麻油等食用植物油中的任一种。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010102849594A CN101941682B (zh) | 2010-09-17 | 2010-09-17 | 微波辅助合成CdSe量子点的有机相制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010102849594A CN101941682B (zh) | 2010-09-17 | 2010-09-17 | 微波辅助合成CdSe量子点的有机相制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101941682A true CN101941682A (zh) | 2011-01-12 |
| CN101941682B CN101941682B (zh) | 2012-11-21 |
Family
ID=43433925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2010102849594A Expired - Fee Related CN101941682B (zh) | 2010-09-17 | 2010-09-17 | 微波辅助合成CdSe量子点的有机相制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101941682B (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102730652A (zh) * | 2012-07-05 | 2012-10-17 | 中国科学院半导体研究所 | 形貌可控ZnSe纳米颗粒的无膦热注入制备方法 |
| CN105001870A (zh) * | 2015-07-17 | 2015-10-28 | 广西师范学院 | 一种水溶性Cu掺杂的Cu：CdTe量子点的微波制备方法 |
| CN105001868A (zh) * | 2015-07-17 | 2015-10-28 | 广西师范学院 | 一种水溶性Mn掺杂的Mn：CdTe量子点的微波制备方法 |
| CN105001869A (zh) * | 2015-07-17 | 2015-10-28 | 广西师范学院 | 一种水溶性Ce掺杂的Ce：CdTe量子点的微波制备方法 |
| CN109941977A (zh) * | 2019-04-22 | 2019-06-28 | 中国科学院化学研究所 | 一种硒化镉量子点的合成方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101059508A (zh) * | 2007-05-10 | 2007-10-24 | 上海交通大学 | 均相免疫分析纳米器件的构建方法 |
| CN101082138A (zh) * | 2007-03-28 | 2007-12-05 | 吉林大学 | 合成CdTe半导体荧光纳米晶体材料的方法及其合成系统 |
| CN101245247A (zh) * | 2008-03-24 | 2008-08-20 | 湖南大学 | 含镉荧光半导体量子点的制备方法 |
| CN101250403A (zh) * | 2008-02-28 | 2008-08-27 | 上海交通大学 | 水溶性长链巯基类化合物包覆的碲化镉量子点合成方法 |
| CN101332979A (zh) * | 2008-08-01 | 2008-12-31 | 湖南大学 | CdSe及ZnSe量子点纳米颗粒的制备方法 |
| WO2010028112A2 (en) * | 2008-09-03 | 2010-03-11 | Emory University | Quantum dots, methods of making quantum dots, and methods of using quantum dots |
-
2010
- 2010-09-17 CN CN2010102849594A patent/CN101941682B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101082138A (zh) * | 2007-03-28 | 2007-12-05 | 吉林大学 | 合成CdTe半导体荧光纳米晶体材料的方法及其合成系统 |
| CN101059508A (zh) * | 2007-05-10 | 2007-10-24 | 上海交通大学 | 均相免疫分析纳米器件的构建方法 |
| CN101250403A (zh) * | 2008-02-28 | 2008-08-27 | 上海交通大学 | 水溶性长链巯基类化合物包覆的碲化镉量子点合成方法 |
| CN101245247A (zh) * | 2008-03-24 | 2008-08-20 | 湖南大学 | 含镉荧光半导体量子点的制备方法 |
| CN101332979A (zh) * | 2008-08-01 | 2008-12-31 | 湖南大学 | CdSe及ZnSe量子点纳米颗粒的制备方法 |
| WO2010028112A2 (en) * | 2008-09-03 | 2010-03-11 | Emory University | Quantum dots, methods of making quantum dots, and methods of using quantum dots |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| 《Journal of materials of chemistry》 20080819 Haibing Li et al. Synthesis of cadmium selenide quantum dots modified with thiourea type ligands as fluorescent probes for iodide ions 第454页左栏第4段至第4545页左栏第1页 1、2 第18卷, 2 * |
| 《Langmuir Article》 20090623 Ming Qiang Zhu et al. Microwave-Mediated Nonaqueous Synthesis of Quantum Dots at Moderate Temperature 第10190页右栏第1段、第10193页左栏第15-16行 1-2 第25卷, 第17期 * |
| 《纳米材料与结构》 20051130 廖学红等 微波合成纳米硒化镉 第2.3节 1 , 第11期 2 * |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102730652A (zh) * | 2012-07-05 | 2012-10-17 | 中国科学院半导体研究所 | 形貌可控ZnSe纳米颗粒的无膦热注入制备方法 |
| CN105001870A (zh) * | 2015-07-17 | 2015-10-28 | 广西师范学院 | 一种水溶性Cu掺杂的Cu：CdTe量子点的微波制备方法 |
| CN105001868A (zh) * | 2015-07-17 | 2015-10-28 | 广西师范学院 | 一种水溶性Mn掺杂的Mn：CdTe量子点的微波制备方法 |
| CN105001869A (zh) * | 2015-07-17 | 2015-10-28 | 广西师范学院 | 一种水溶性Ce掺杂的Ce：CdTe量子点的微波制备方法 |
| CN109941977A (zh) * | 2019-04-22 | 2019-06-28 | 中国科学院化学研究所 | 一种硒化镉量子点的合成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101941682B (zh) | 2012-11-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Groeneveld et al. | Tailoring ZnSe–CdSe colloidal quantum dots via cation exchange: from core/shell to alloy nanocrystals | |
| CN101941682B (zh) | 微波辅助合成CdSe量子点的有机相制备方法 | |
| Sciortino et al. | Tailoring the emission color of carbon dots through nitrogen-induced changes of their crystalline structure | |
| CN101264868B (zh) | 一种含硒化合物纳米晶的制备方法 | |
| CN103265949B (zh) | 一种单核AgInS2量子点的制备方法 | |
| CN101191052B (zh) | CdSeS量子点纳米颗粒的制备方法 | |
| CN104327855B (zh) | 一种稀土掺杂氟化钇钾上转换发光纳米材料的制备方法 | |
| CN102676162A (zh) | 一种高荧光性能的四元ZnCuInS3量子点的制备方法 | |
| CN108314077A (zh) | 简易制备全无机钙钛矿纳米结构的方法 | |
| CN110484252A (zh) | 一种铟掺杂双钙钛矿Cs2AgBiCl6纳米晶体的制备方法 | |
| CN113292993B (zh) | 一种油溶性碳点的制备方法及其应用 | |
| CN111253942A (zh) | 具有钙钛矿结构的上转换纳米发光材料及其制备方法与应用 | |
| CN101457403B (zh) | 尺寸可控半导体纳米簇和纳米晶的绿色合成方法 | |
| Fang et al. | Organic titanates: a model for activating rapid room-temperature synthesis of shape-controlled CsPbBr 3 nanocrystals and their derivatives | |
| CN103936069B (zh) | 一种砷化镉量子点的制备方法 | |
| CN105885824A (zh) | 一种ZnCdSe/ZnS量子点的制备方法 | |
| CN102701162B (zh) | 纳米硫硒化镉材料的制备方法 | |
| CN103936056B (zh) | 一种磷化镉量子点的制备方法 | |
| CN115851273B (zh) | 一种稀土掺杂钙钛矿纳米晶合成方法 | |
| CN101245247B (zh) | 含镉荧光半导体量子点的制备方法 | |
| CN113845098B (zh) | InP量子点及其制备方法 | |
| CN101012378A (zh) | CdTe量子点的制备方法 | |
| CN112048300B (zh) | 一种无镉量子点及其制备方法、量子点光电器件 | |
| CN109423287A (zh) | 一种核-壳结构纳米晶的制备方法 | |
| CN105018094A (zh) | 一种水溶性Pr掺杂的Pr：CdTe量子点的微波制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20121121 Termination date: 20130917 |